JP2021524884A - マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (34)
- マグネトロンスパッタリング装置であって、
基板(20)と、
DC電場内でカソード(30)を形成し、前記基板(20)をコーティングするための導電性混合物(36)を含むターゲット(16)と、
前記DC電場内のアノード(34)と、
前記ターゲット(16)および前記基板(20)が配置されており、前記ターゲット(16)が、前記基板(20)から間隔を空けて配置されている反応チャンバー(10)と、
前記カソード(30)と前記アノード(34)間に前記DC電場を生成するように構成された電圧源(26)と
を備え、
前記混合物(36)が第1の材料(38)と第2の材料(40)を含み、前記基板(20)が第3の材料(42)を含み、前記第1の材料(38)が非導電性固体であり、前記第2の材料(40)が導電性固体であり、前記第3の材料(42)が導電性固体である、マグネトロンスパッタリング装置。 - 前記第1の材料(38)が第1の体積部分ΔV1を有し、前記第2の材料(40)が第2の体積部分ΔV2を有し、ΔV1≧ΔV2、好ましくはΔV1≧1.5ΔV2を満たす、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記第1の材料(38)が、第1の無機固体である、請求項1または2に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記第1の無機固体が、炭化物、酸化物および/または窒化物である、請求項3に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記第1の無機固体が、金属酸化物である、請求項4に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記金属酸化物が、ZrO2、Al2O3、またはTiO2である、請求項5に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記第2の材料(40)が、第2の無機固体である、請求項1から6のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記第2の無機固体が、元素金属、ホウ化物、炭化物および/または窒化物である、請求項7に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記第2の無機固体が、炭化物である、請求項8に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記炭化物が、WC、NbC、HfC、TaC、TiC、MoCおよび/またはCr3C2である、請求項9に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記第3の材料(42)が、炭化物、サーメット、立方晶窒化ホウ素または鋼である、請求項1から10のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- パルス電力が、前記電圧源(26)によって前記カソード(30)に供給される、請求項1から11のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記電圧源(26)が、0.1MWを超える電力、好ましくは0.5MWを超える電力、特に好ましくは1MWを超える電力でエネルギーパルスを生成するように構成されている、請求項12に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記電圧源(26)が、負のバイアス電圧を前記基板(20)に印加するように構成されている、請求項1から13のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記基板(20)が、前記アノード(34)を形成する、請求項1から14のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記反応チャンバー(10)が、前記ターゲット(16)を少なくとも部分的に非接触で取り囲むハウジングを備え、前記基板(20)、前記反応チャンバー(10)、および/または前記ハウジングが、前記アノード(34)を形成する、請求項1から15のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- マグネトロンスパッタリング法であって、
基板(20)を提供するステップ(S100)と、
DC電場内でカソード(30)を形成し、前記基板(20)をコーティングするための導電性混合物(36)を含むターゲット(16)を提供するステップであって、前記混合物(36)が第1の材料(38)と第2の材料(40)を含み、前記第1の材料(38)が非導電性固体であり、前記第2の材料(40)が導電性固体であるステップ(S101)と、
DC電場内にアノード(34)を提供するステップ(S102)と、
反応チャンバー(10)内に前記ターゲット(16)と前記基板(20)を配置するステップであって、前記ターゲット(16)が、前記基板(20)から間隔を空けて配置されており、前記基板(20)が第3の材料(42)を含み、前記第3の材料(42)が導電性固体であるステップと、
プロセスガスを前記反応チャンバー(10)の内部(12)に導入するステップ(S103)と、
カソード(30)とアノード(34)間にDC電場を生成するステップ(S104)と
を含む、方法。 - 前記第1の材料(38)が第1の体積部分ΔV1を有し、前記第2の材料(40)が第2の体積部分ΔV2を有し、ΔV1≧ΔV2、好ましくはΔV1≧1.5ΔV2を満たす、請求項17に記載の方法。
- 前記電圧源(26)によって生成された前記DC電場が、前記プロセスガスの原子の衝突電離を引き起こし、そこでは、前記プロセスガスの前記原子が、負に帯電した電子と正に帯電したプロセスガスイオンに分割され、前記正に帯電したプロセスガスイオンが、前記印加されたDC電場によって前記ターゲット(16)へ向かって加速され、前記プロセスガスイオンが前記ターゲット(16)に衝突すると、原子がパルス移動によって前記混合物(36)から放出され、放出された原子が前記ターゲット(16)から前記基板(20)へ向かって移動し、前記基板(20)の表面をコーティングする(S105)、請求項17または18に記載の方法。
- 前記基板(20)の表面のコーティングが、前記第1の材料(38)の原子と前記第2の材料(40)の原子を含み、前記第1の材料(38)の原子が、前記第2の材料(40)の原子に対して前記基板(20)のコーティングされた表面が導電性であるように配置されている、請求項19に記載の方法。
- 追加のステップ:反応性ガスを前記反応チャンバー(10)の内部(12)に導入するステップであって、前記反応性ガスが、メタン、アセチレン、窒素または酸素を含み、前記反応性ガスの反応性ガスイオンが、前記第1の材料(38)の原子および/または前記第2の材料(40)の原子と反応するように構成されているステップを有する、請求項17から20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反応チャンバー(10)の内部(12)にプロセスガスのみが導入され、反応性ガスが導入されない、請求項17から20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の材料(38)が、第1の無機固体である、請求項17から22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の無機固体が、炭化物、酸化物および/または窒化物である、請求項23に記載の方法。
- 前記第1の無機固体が、金属酸化物である、請求項24に記載の方法。
- 前記金属酸化物が、ZrO2、Al2O3、またはTiO2である、請求項25に記載の方法。
- 前記第2の材料(40)が、第2の無機固体である、請求項17から26のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の無機固体が、元素金属、ホウ化物、炭化物および/または窒化物である、請求項27に記載の方法。
- 前記第2の無機固体が、炭化物である、請求項28に記載の方法。
- 前記炭化物が、WC、NbC、HfC、TaC、TiC、MoCおよび/またはCr3C2である、請求項29に記載の方法。
- 前記第3の材料(42)が、炭化物、サーメット、立方晶窒化ホウ素または鋼である、請求項17から30のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電圧源(26)が、負のバイアス電圧を前記基板(20)に印加するように構成されている、請求項17から31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板(20)が、前記アノード(34)を形成する、請求項17から31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反応チャンバー(10)が、前記ターゲット(16)を少なくとも部分的に非接触で取り囲むハウジングを備え、前記基板(20)、前記反応チャンバー(10)、および/または前記ハウジングが、前記アノード(34)を形成する、請求項17から33のいずれか一項に記載の方法。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202200816A (zh) * | 2020-05-28 | 2022-01-01 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 濺鍍靶材及光學功能膜 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63121653A (ja) * | 1986-11-08 | 1988-05-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
JPH07180045A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-07-18 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | スパッタリングターゲット及びその製造法 |
US6296742B1 (en) * | 1997-03-11 | 2001-10-02 | Chemfilt R & D Aktiebolag | Method and apparatus for magnetically enhanced sputtering |
JP2003073820A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-03-12 | Wc Heraeus Gmbh | 二酸化チタンを基礎とするスパッタターゲット |
JP2006028537A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光ディスク用保護膜、保護膜形成用スパッタリングターゲットおよび該スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2006069843A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用セラミック部材 |
JP2008168364A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面被覆切削工具 |
JP2016008325A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 光触媒積層体の製造方法、スパッタリングターゲット、およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4824544A (en) * | 1987-10-29 | 1989-04-25 | International Business Machines Corporation | Large area cathode lift-off sputter deposition device |
CH673071B5 (ja) * | 1988-06-24 | 1990-08-15 | Asulab Sa | |
US5106474A (en) * | 1990-11-21 | 1992-04-21 | Viratec Thin Films, Inc. | Anode structures for magnetron sputtering apparatus |
US5403458A (en) * | 1993-08-05 | 1995-04-04 | Guardian Industries Corp. | Sputter-coating target and method of use |
US6471830B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-10-29 | Veeco/Cvc, Inc. | Inductively-coupled-plasma ionized physical-vapor deposition apparatus, method and system |
JP4382646B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2009-12-16 | 株式会社リコー | 光記録媒体とその製造方法 |
US7749406B2 (en) * | 2005-08-11 | 2010-07-06 | Stevenson David E | SiOx:Si sputtering targets and method of making and using such targets |
KR20080071973A (ko) * | 2005-10-13 | 2008-08-05 | 엔.브이. 베카에르트 에스.에이. | 스퍼터링에 의한 코팅 증착법 |
KR100818451B1 (ko) * | 2006-07-03 | 2008-04-01 | 삼성전기주식회사 | 편광성을 갖는 반도체 발광 소자 |
TWI411696B (zh) * | 2006-07-19 | 2013-10-11 | Oerlikon Trading Ag | 沉積電絕緣層之方法 |
US9812302B2 (en) | 2007-03-16 | 2017-11-07 | National University Corporation Tohoku University | Magnetron sputtering apparatus |
EP2028695A1 (de) * | 2007-07-12 | 2009-02-25 | Applied Materials, Inc. | Verfahren zur Erzeugung einer transparenten leitfähigen Oxidbeschichtung |
EP2208560B2 (en) * | 2007-10-12 | 2017-09-20 | Hitachi Tool Engineering, Ltd. | Process for the production of the member covered with hard coating |
JP5429752B2 (ja) * | 2010-06-02 | 2014-02-26 | 国立大学法人島根大学 | 透明導電薄膜用ターゲット材およびその製造方法 |
US9773652B2 (en) * | 2011-07-01 | 2017-09-26 | Ube Material Industries, Ltd. | MgO target for sputtering |
EP2584062A1 (de) * | 2011-10-19 | 2013-04-24 | Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG | Sputtertarget und seine Verwendung |
CN104302804B (zh) * | 2012-12-26 | 2016-10-26 | 伍尚华 | 一种采用物理气相沉积工艺在氮化硅切削刀具表面制备Al2O3涂层及其复合涂层的方法 |
DE102013016529A1 (de) * | 2013-10-07 | 2015-04-09 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Metalloxid-Target und Verfahren zu seiner Herstellung |
US20150240349A1 (en) | 2014-02-27 | 2015-08-27 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetron sputtering device and method of fabricating thin film using magnetron sputtering device |
JP6416497B2 (ja) * | 2014-05-02 | 2018-10-31 | 田中貴金属工業株式会社 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
CN104451583B (zh) | 2015-01-05 | 2017-05-10 | 合肥京东方显示光源有限公司 | 磁控溅射真空室进气装置及磁控溅射设备 |
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Patent Citations (8)
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JPS63121653A (ja) * | 1986-11-08 | 1988-05-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
JPH07180045A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-07-18 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | スパッタリングターゲット及びその製造法 |
US6296742B1 (en) * | 1997-03-11 | 2001-10-02 | Chemfilt R & D Aktiebolag | Method and apparatus for magnetically enhanced sputtering |
JP2003073820A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-03-12 | Wc Heraeus Gmbh | 二酸化チタンを基礎とするスパッタターゲット |
JP2006028537A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光ディスク用保護膜、保護膜形成用スパッタリングターゲットおよび該スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2006069843A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用セラミック部材 |
JP2008168364A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面被覆切削工具 |
JP2016008325A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 光触媒積層体の製造方法、スパッタリングターゲット、およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
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