JP2021514057A - サンプル表面への斜入射角での検査光整形 - Google Patents

サンプル表面への斜入射角での検査光整形 Download PDF

Info

Publication number
JP2021514057A
JP2021514057A JP2020543377A JP2020543377A JP2021514057A JP 2021514057 A JP2021514057 A JP 2021514057A JP 2020543377 A JP2020543377 A JP 2020543377A JP 2020543377 A JP2020543377 A JP 2020543377A JP 2021514057 A JP2021514057 A JP 2021514057A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light beam
target
doe
phase
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020543377A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7138182B2 (ja
JPWO2019160781A5 (ja
Inventor
チーウェイ シウ
チーウェイ シウ
チャンシェン フアン
チャンシェン フアン
シン リ
シン リ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Corp
Original Assignee
KLA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KLA Corp filed Critical KLA Corp
Publication of JP2021514057A publication Critical patent/JP2021514057A/ja
Publication of JPWO2019160781A5 publication Critical patent/JPWO2019160781A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7138182B2 publication Critical patent/JP7138182B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/06Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the phase of light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/095Refractive optical elements
    • G02B27/0955Lenses
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0927Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/0944Diffractive optical elements, e.g. gratings, holograms
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4205Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • G01N2021/0106General arrangement of respective parts
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06Illumination; Optics
    • G01N2201/063Illuminating optical parts

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

光学検査器具用のビーム整形装置は、光ビームをターゲット上に斜入射角で収束させるための焦点レンズと、光ビームがターゲット上に斜入射角で収束されるときにターゲットの平面内での光ビームのトップを実質的にフラットにするための位相変調器と、を含む。

Description

本開示は(例えば半導体検査用の)光学検査器具に関し、より詳細には、光学検査器具におけるビーム整形に関する。
関連出願
本願は、2018年2月15日に出願された「Methods and Systems of Shaping Inspection Beam on a Sample Surface at Oblique Incident Angle」と題する米国特許仮出願第62/631,128号の優先権を主張し、同出願は、参照によりその全体があらゆる目的のために本明細書に組み込まれる。
照射ビームとも呼ばれるターゲットから散乱していく光ビームを提供することによる、半導体ウエハなどのターゲットの検査が、光学検査器具を使用して行われる。光ビームによって照射されるトラック内(すなわち「検査トラック」内)にあるターゲットの表面上の欠陥、例えば微粒子の存在は、光ビームの散乱の態様に影響することになり、この結果その欠陥の検出が可能になる。しかしながら、光ビームの形状により光学検査器具の感度が限定される。例えば、光ビームが、検査トラックの縁部に向かって強度が低下するような近似的なガウシアンである場合には、この強度の低下によって、トラック内の欠陥を検出するために使用される感度閾値が限定される。あるいは、所望の感度を達成するために、光学器具のビーム強度を大きくする必要があり得る。また更に、光ビームはターゲットに対する入射角が斜めである場合があり、このとき入射角は直角ではない(すなわち、光ビームがターゲットに傾斜して入射する)。入射角が斜めであるとき、ターゲットの平面内の光ビームの形状は、半径方向平面内の光ビームの形状とは異なることになる。
米国特許出願公開第2014/0139829号
したがって、ターゲットに対するビームの入射角が斜めである場合に、ターゲットの平面内のビームのトップがフラットになるように光ビームを整形する方法およびシステムが必要とされている。
いくつかの実施形態では、光学検査器具用のビーム整形装置は、光ビームをターゲット上に斜入射角で収束させるための焦点レンズと、光ビームがターゲット上に斜入射角で収束されるときにターゲットの平面内での光ビームのトップを実質的にフラットにするための位相変調器と、を含む。
いくつかの実施形態では、ビーム整形方法は、光ビームを位相変調することと、光ビームをターゲット上に斜入射角で収束させることと、を含む。位相変調されターゲット上に斜入射角で収束された光ビームは、ターゲットの平面内で実質的にフラットになったトップを有する。
記載される様々な実装形態をより良く理解するために、下記「発明を実施するための形態」を、正確な縮尺ではない以下の図面と併せて参照するものとする。
いくつかの実施形態に係る、ターゲットの平面内での光ビームのトップが実質的にフラットになるように光ビームを整形する、ビーム整形装置の概略図である。 いくつかの実施形態に係る、図1のビーム整形装置の様々な例のシミュレーションを使用してターゲットの平面内で生成された、シミュレーションされたビームプロファイルを示す図である。 いくつかの実施形態に係る、図1のビーム整形装置中の回折光学素子(DOE)位相変調器において対称位相項と非対称位相項の畳み込みの結果得られる、ターゲットの平面内でのシミュレーションされたビームプロファイルを示す図である。 いくつかの実施形態に係る、図1の光ビームの経路内にある表面がリソグラフィによって成形されその結果複数の段を有するDOEを示す図である。 いくつかの実施形態に係る、図4のDOEの断面を示す図である。 いくつかの実施形態に係る、DOEが関与するシミュレーションを使用してターゲットの平面内で生成された、シミュレーションされたビームプロファイルを示す図である。 いくつかの実施形態に係るビーム整形方法のフローチャートである。
図面および明細書の全体にわたって、同様の参照符号は対応している部分を指す。
ここで、添付の図面に実施例が示されている様々な実施形態を詳細に参照する。以下の詳細な説明には、記載される様々な実施形態の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載されている。しかしながら、記載されている様々な実施形態はこれらの具体的な詳細を伴わなくても実践できることが、当業者には明らかであろう。他の例では、実施形態の態様を不必要に不明瞭にしないように、周知の方法、手順、構成要素、回路、およびネットワークについては詳細に記載していない。
図1は、いくつかの実施形態に係る、ターゲット108(例えば半導体ウエハ)の平面内(例えば表面上)で光ビーム102のトップが実質的にフラットになるように光ビーム102を整形する、ビーム整形装置100の概略図である。ビーム整形装置100は、光学検査器具(例えば半導体光学検査器具)の照射システムの一部である。光ビーム102は、ビームウエスト半径wを有するビームウエストを有し、照射システム中の照射源(例えばレーザ)によって提供される。ビーム整形装置100は、位相変調器104(例えば、光ビーム102の経路内に配置されている位相変調プレート)および焦点レンズ106を含む。位相変調器104は位相変調関数Φを実装しており、これにより光ビーム102の位相を変調する。焦点レンズ106は、光ビーム102を、斜入射角(ターゲット108についての法平面から測定したとき)で、ターゲット108上へと収束させる。ターゲット108はチャック110上に装着されてもよい。
位相変調器104の位相変調関数Φは、ターゲット108の平面内(例えばターゲット108の表面上)での光ビーム102のトップが実質的にフラットになる(例えば10パーセント以内で均一になる)ように、光ビーム102を位相変調する。いくつかの実施形態によれば、ビーム整形装置100は強度変調器を含まず、したがってビームを整形するために強度変調を使用しない。強度変調を使用しないことによって、ビーム整形装置100が光ビーム102の強度を低下させることがなくなるが、このことは光子の少ない繊細な用途で望ましい。照射システムの光損失の低減により、光ビーム102のエネルギーの閉じ込めが向上する。
いくつかの実施形態では、位相変調器104は焦点レンズ106の手前に配置され、この場合焦点レンズ106は、光ビーム102の光経路内で位相変調器104とチャック110の間に配置されている。いくつかの実施形態では、位相変調器104と焦点レンズ106の間には光学要素が存在しない。照射システムは、位相変調器104の手前に追加の光学要素(例えばアパーチャ、拡大鏡、偏光器、レンズ、ミラー、等)を含み得る。照射システムはまた、焦点レンズ106の後ろに(すなわち、焦点レンズ106とチャック110の間に)、追加の光学要素(例えば、光ビーム102をターゲット108へと導くための1つ以上のミラー)を含み得る。
いくつかの実施形態では、光ビーム102の形状は実質的にガウシアンである。例えば、光ビーム102は実質的にガウシアンであるモードによって支配される。ビーム強度の断面プロファイル(すなわち、光軸に対して垂直な半径方向においての)はこの場合、ガウス分布に似ることになる(例えば、断面プロファイル中の各点の強度と、ガウス分布において予想される強度との差は、10パーセント以内または5パーセント以内となる)。
照射システム内でのガウシアンビームの伝播は以下の式で記述できる:
Figure 2021514057
Figure 2021514057
F=FFT(G) (3)
Figure 2021514057
Figure 2021514057
上式で、Pは電界であり、wはビームスポットサイズ(すなわち電界スポットサイズ)であり、wはビームウエスト(すなわち、ウエストスポットサイズ)であり、λはビーム波長(例えばレーザ波長)であり、kは波数であり、Φは位相変調器104の位相変調関数であり、Fは焦点レンズ106の焦点距離であり、dは焦点レンズ106からターゲット108までの距離であり、yはウエハ上の面内位置であり、yは半径方向の(すなわち光軸に対して垂直な平面内での)位置であり、FFTは高速フーリエ変換であり、Iはターゲット108におけるビーム強度である。位相変調関数Φは、光ビーム102がターゲット108の平面内で実質上のフラットトップを有するように選ばれる。
ターゲットに垂直に入射する光ビームの場合、斜角での入射とは対照的に、十分な開口数(NA)を想定すれば、位相変調関数Φについての以下の解により実質上のフラットトップビームが得られる:
Figure 2021514057
Figure 2021514057
Figure 2021514057
上式で、wFTはフラットトップの幅、erfは誤差関数、他の全ての変数は式1〜5について上で定義したものと同様である。式8に従って位相変調器を実装することができる。例えば、ロッドレンズまたはパウエルレンズは式8の解の低次近似を提供でき、非球面レンズは式8の解のより高次の近似を提供するように設計することができ、回折光学素子(DOE)は式8の解を個別に実現するように設計することができる。式8の位相変調は光軸に関して対称である。
しかしながら、ターゲット108に対して斜入射角を有する光ビーム102では、対称位相変調の結果、ターゲット108の平面内で非対称なビームプロファイルとなる。この非対称性が生じる理由は、ビームプロファイルのトップの2つの端部に対する光経路112および114が図1に示すように非対称だからである。垂直入射用に最適化された位相変調器はこのように、斜めの入射の場合にはターゲット108の平面内で非対称のビームプロファイルを生成することになる。
いくつかの実施形態では、非対称補償は、位相変調器104(例えばロッドレンズ、パウエルレンズ、非球面レンズ、または対称DOE)を光軸から偏心させて位置付けることによって提供される。非対称補償は、ビームプロファイル中にある程度の非対称性が存在したままとなるように、部分的にのみ有効であってもよい。例えば、図2はターゲット108の平面内での光ビーム102のそれぞれの場合についてシミュレーションされたビームプロファイル200および202を示しており、これらは、位相変調器104が偏心位置合わせされた(すなわち偏心させて位置付けられた)それぞれの対称DOEであるシミュレーションを使用して生成されたものである。(ビーム幅は実装形態が異なれば異なり得る)。ビームプロファイル200は、位相変調器104が偏心位置合わせされた対称正位相DOEである、ビーム整形装置100のシミュレーションによって生成される。ビームプロファイル202は、位相変調器104が偏心位置合わせされた対称負位相DOEである、ビーム整形装置100のシミュレーションによって生成される。ビームプロファイル200および202のトップはウエハ平面(または別のターゲット108の平面)内で実質的にフラットであり、その平面内で厳密には対称ではないがほぼ対称である。
他の実施形態では、光経路112と114(図1)の間の非対称性(の全体または一部)を補償するために、非対称DOEが使用される。シミュレーションされたビームプロファイル204(図2)は、位相変調器104が非対称DOEであるシミュレーションを使用して生成された、光ビーム102のそれぞれの場合のビームプロファイルの例である。ビームプロファイル204を達成するために、DOEは、その位相変調関数Φが非対称位相項を含むように設計される:
Figure 2021514057
上式で、c、c、およびcは、ビームトップのフラットさが改善(例えば最適化)されるように数値調整可能な係数であり、その他の変数および関数は上で定義したものと同様であり、c項が非対称である。非対称位相項は、式9の関連項の形態、その多項式近似の形態、または別の実質上等価な形態をとることができる。
ターゲット108の平面内での非対称DOEのビームプロファイルはこの場合、対称位相項と非対称位相項の畳み込みの結果得られる:
Figure 2021514057
上式で、GsymDOEは対称位相項に相当し、GasymDOEは非対称位相項に相当する。図3は、いくつかの実施形態に係るこの畳み込みのシミュレーション結果を示す:シミュレーションされたウエハ平面または別のターゲット108の平面内でのビームプロファイル304は、対称位相項300と非対称位相項304の畳み込みの結果得られる(位相項300の対称性および位相項302の非対称性は、光軸に関するものである)。図3が示すように、ターゲット108の平面内でのビームプロファイル304は、ターゲット108の平面内において実質的に対称(実際にはほぼ精確に対称)である。したがって、DOEは、対称位相項と非対称位相項の畳み込みの実例となって、光ビーム102がターゲット108上に斜入射角で収束されているときに、ターゲット108の平面内で実質的に対称なビームプロファイルを生成することができる。
位相変調器104として使用されるDOE(例えば非対称DOE)はリソグラフィ工程を使用して製作してもよく、この場合、位相変調プロファイルに複数の段が存在する。図4は、いくつかの実施形態に係る、光ビームの経路102(図1)内にある表面402がリソグラフィによって成形されその結果複数の段を有するDOE400を示す。光軸406はDOE400を通過して延び、表面402および反対側の表面404の両方と交わっている。図4の例では、光軸406は、表面402の最小点(すなわち、表面402の段状局面の最小点)を通っている。
DOE400の段サイズはプログラム可能である。DOE400の品質、および結果的な光ビーム102のトップのフラットさの度合は、段サイズによって決まる。小さい段サイズはDOEの品質およびしたがって光ビーム102のトップのフラットさを向上させるが、製造コストを押し上げる。しかしながら、過度に粗い段サイズは、ビームトップのフラットさを低下させる位相誤差をもたらす。図6は、段サイズがπ/4であるときの、シミュレーションされたターゲット108の平面内での光ビーム102のビームプロファイル600を示す。この粗い段サイズは、図6に示すように、ターゲット108の平面内での光ビーム102のトップがスパイクを有し、実質的にフラットではないという結果をもたらす。
いくつかの実施形態では、表面402の粗い段サイズから生じる不均等なビームプロファイルを緩和するために、表面404は、いくつかの実施形態に係る図5に示すように、光軸406と斜めの角度で交わる。図5は、図4においてその紙面から真っ直ぐ出て来る、光軸406と平行で(または一致し)、半径方向軸yに対して垂直な平面における、DOE400の断面を示す。いくつかの実施形態では、そのようなDOE400の断面の各々が、図5に示すような形状を有する。DOE400はこの場合、接線方向(すなわち、半径方向軸yに対して垂直である、光軸406の方向)においてウェッジ角を有し得、実質的にくさび形状である断面を有し得る(この例では頂点を有さない断面であるため、断面は厳密なくさび形状とはなっていない)。図4の紙面と平行な(または紙面内にある)(したがって光ビームの入射平面に対して垂直な)それぞれの平面内にある、接線方向におけるDOEのそれぞれのスライスは、組み合わせることでビームプロファイル600中のスパイクが平滑化される、それぞれのビームプロファイルを生成する。(図4はそのようなスライスの例を示す)。表面404の傾斜は、表面402と404の間の距離408がスライスごとに異なっていることを意味する。実質的にフラットトップである、ターゲット108の平面内でのシミュレーションされた結果的な光ビーム102のビームプロファイル602が、図6に示されている。図5の幾何形状はこの場合、段の比較的粗い(例えばπ/4の段サイズの)DOEを位相変調器104として使用して、ターゲット108の平面内でのフラットトップの光ビームを実現できる。
図7は、いくつかの実施形態に係るビーム整形方法700のフローチャートである。方法700は、ビーム整形装置100(図1)を使用して実行できる。
方法700のいくつかの実施形態では、光ビーム102が位相変調器104に提供される(702)。位相変調器104に提供される光ビーム102は実質的にガウシアンである。
光ビームは(例えば位相変調器104を使用して)位相変調される(704)。いくつかの実施形態では、位相変調は、DOE、非球面レンズ、ロッドレンズ、またはパウエルレンズを使用して行われる(706)。例えば、対称位相項300と非対称位相項302の畳み込みの実例となることでターゲットの平面内で実質的に対称なビームプロファイル304(図3)を生成するDOEが使用される(708)。DOEは、光ビームの入射平面に対して垂直な(例えば図5に従う)DOEの個別のスライスに対して、個別の位相を有するそれぞれのビームプロファイルが得られるように成形されてもよい(710)。個別の位相同士を組み合わせることによってビームのトップのスパイクが平滑化される。
別の例では、位相変調は、光軸から偏心して位置付けられている対称DOEを使用して行われる(712)。更に別の例では、位相変調は、光軸から偏心して位置合わせされている非球面レンズ、ロッドレンズ、またはパウエルレンズを使用して行われる(714)。
光ビーム102は、ターゲット108(例えば半導体ウエハ)上に、斜入射角で収束される(716)。位相変調されターゲット108上に斜入射角で収束された光ビーム102は、ターゲット108の平面内(例えば表面上)で実質的にフラットになったトップを有する。
方法700のステップのうち順序に依存しないものは、その順序を変えることができる。
上述の説明は、説明の目的で、特定の実施形態を参照して説明されている。しかしながら、上記の例示的な論考は、網羅的であること、または請求項の範囲を開示される厳密な形態に限定することを意図するものではない。上記の教示に照らして、多くの変形および変更が可能である。これらの実施形態は、特許請求の範囲の基礎を成す原理およびその実際的な応用を最も良く説明し、それによって他の当業者が企図される特定の用途に適した様々な変形と共にそれらの実施形態を最良の形で使用できるように選択された。

Claims (20)

  1. 光ビームをターゲット上に斜入射角で収束させるための焦点レンズと、
    前記光ビームが前記ターゲット上に前記斜入射角で収束されるときに、前記ターゲットの平面内での前記光ビームのトップを実質的にフラットにするための位相変調器と、
    を備えることを特徴とする、光学検査器具用のビーム整形装置。
  2. 請求項1に記載のビーム整形装置であって、前記ターゲットが装着されることになるチャックを更に備え、前記焦点レンズは前記光ビームの光経路内で前記位相変調器と前記チャックの間に配置されていることを特徴とするビーム整形装置。
  3. 請求項2に記載のビーム整形装置であって、前記位相変調器に入射する前記光ビームは実質的にガウシアンであることを特徴とするビーム整形装置。
  4. 請求項2に記載のビーム整形装置であって、前記位相変調器と前記焦点レンズの間に光学要素が存在しないことを特徴とするビーム整形装置。
  5. 請求項1に記載のビーム整形装置であって、前記位相変調器は、前記光ビームが前記ターゲット上に前記斜入射角で収束されるときに、前記ターゲットの前記平面内での検査トラックに対応する幅にわたる前記光ビームの強度の変化が10パーセント以下になるようにして、前記光ビームの前記トップをフラットにするように構成されていることを特徴とするビーム整形装置。
  6. 請求項1に記載のビーム整形装置であって、前記位相変調器は回折光学素子(DOE)を備えることを特徴とするビーム整形装置。
  7. 請求項6に記載のビーム整形装置であって、前記DOEは対称位相項と非対称位相項の畳み込みの実例となっており、前記光ビームが前記ターゲット上に前記斜入射角で収束されるときに前記ターゲットの前記平面内で実質的に対称なビームプロファイルを生成することを特徴とするビーム整形装置。
  8. 請求項7に記載のビーム整形装置であって、前記光ビームの半径方向軸に対して垂直な前記DOEの断面は実質的にくさび形状となっていることを特徴とするビーム整形装置。
  9. 請求項7に記載のビーム整形装置であって、前記DOEは前記DOEの個別のスライスに対して個別の位相を有するそれぞれのビームプロファイルを生成するように成形されており、前記個別のスライスは前記光ビームの入射平面に対して垂直であり、前記個別の位相同士を組み合わせることによって前記ビームの前記トップのスパイクが平滑化されることを特徴とするビーム整形装置。
  10. 請求項6に記載のビーム整形装置であって、前記DOEは対称性を有し、かつ前記光軸から偏心して位置付けられていることを特徴とするビーム整形装置。
  11. 請求項1に記載のビーム整形装置であって、前記位相変調器は非球面レンズを備えることを特徴とするビーム整形装置。
  12. 請求項11に記載のビーム整形装置であって、前記非球面レンズは前記光軸から偏心して位置付けられていることを特徴とするビーム整形装置。
  13. 請求項1に記載のビーム整形装置であって、前記位相変調器はロッドレンズおよびパウエルレンズから成る群から選択されるレンズを備えることを特徴とするビーム整形装置。
  14. 請求項13に記載のビーム整形装置であって、前記レンズは前記光軸から偏心して位置付けられていることを特徴とするビーム整形装置。
  15. 請求項1に記載のビーム整形装置であって、
    前記ターゲットは半導体ウエハであり、
    前記位相変調器は、前記光ビームが収束される前記半導体ウエハの表面に対応する平面内での前記光ビームの前記トップを実質的にフラットにするように構成されていることを特徴とするビーム整形装置。
  16. 光ビームをターゲット上に斜入射角で収束させるための焦点レンズと、
    前記光ビームが前記ターゲット上に前記斜入射角で収束されるときに、前記ターゲットの平面内での前記光ビームのトップを実質的にフラットにするためのDOEと、
    前記ターゲットが装着されることになるチャックと、を備え、
    前記焦点レンズは、前記光ビームの光経路内で前記DOEと前記チャックの間に配置されており、
    前記DOEに入射する前記光ビームは実質的にガウシアンであり、
    前記光ビームの半径方向軸に対して垂直な前記DOEの断面は実質的にくさび形状となっている
    ことを特徴とする、光学検査器具用のビーム整形装置。
  17. 光ビームを位相変調することと、
    前記光ビームをターゲット上に斜入射角で収束させることと、を含み、
    位相変調され前記ターゲット上に前記斜入射角で収束された前記光ビームは、前記ターゲットの平面内で実質的にフラットになったトップを有する
    ことを特徴とする、ビーム整形方法。
  18. 請求項17に記載の方法であって、
    前記位相変調は前記収束の前に位相変調器を使用して行われ、
    前記方法は前記光ビームを前記位相変調器に提供することを更に含み、前記位相変調器に提供される前記光ビームは実質的にガウシアンであることを特徴とする方法。
  19. 請求項17に記載の方法であって、前記位相変調は、対称位相項と非対称位相項の畳み込みの実例となっていることで前記ターゲットの前記平面内で実質的に対称なビームプロファイルを生成するDOEを使用して行われることを特徴とする方法。
  20. 請求項19に記載の方法であって、
    前記DOEは、前記DOEの個別のスライスに対して個別の位相を有するそれぞれのビームプロファイルを生成するように成形されており、前記個別のスライスは前記光ビームの入射平面に対して垂直であり、
    前記個別の位相同士を組み合わせることによって前記ビームの前記トップのスパイクが平滑化されることを特徴とする方法。
JP2020543377A 2018-02-15 2019-02-11 サンプル表面への斜入射角での検査光整形 Active JP7138182B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862631128P 2018-02-15 2018-02-15
US62/631,128 2018-02-15
US16/258,543 2019-01-26
US16/258,543 US10732424B2 (en) 2018-02-15 2019-01-26 Inspection-beam shaping on a sample surface at an oblique angle of incidence
PCT/US2019/017406 WO2019160781A1 (en) 2018-02-15 2019-02-11 Inspection-beam shaping on a sample surface at an oblique angle of incidence

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2021514057A true JP2021514057A (ja) 2021-06-03
JPWO2019160781A5 JPWO2019160781A5 (ja) 2022-02-18
JP7138182B2 JP7138182B2 (ja) 2022-09-15

Family

ID=67541558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020543377A Active JP7138182B2 (ja) 2018-02-15 2019-02-11 サンプル表面への斜入射角での検査光整形

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10732424B2 (ja)
JP (1) JP7138182B2 (ja)
KR (1) KR102466580B1 (ja)
CN (1) CN111699431B (ja)
IL (1) IL276460B2 (ja)
SG (1) SG11202007299WA (ja)
TW (1) TWI780303B (ja)
WO (1) WO2019160781A1 (ja)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000352507A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Sony Corp 検査装置
JP2003043904A (ja) * 2001-06-08 2003-02-14 Inphase Technologies Inc ビームアポダイゼイションを用いてホログラフィック書き込みを向上させる方法
US20040061952A1 (en) * 1999-12-15 2004-04-01 Coufal Hans J. System for coverting optical beams to collimated flat-top beams
US20050024632A1 (en) * 2003-07-18 2005-02-03 Plemmons Mark P. Detection of a wafer edge using collimated light
JP2006343367A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエッジを用いた回折型ビームホモジナイザ光学系
JP2008508559A (ja) * 2004-07-30 2008-03-21 ノバラックス,インコーポレイティド 投射型ディスプレイ装置、システムおよび方法
JP2008525956A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 マイクロマス ユーケー リミテッド 質量分析計
JP2009031684A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Sony Corp レーザー装置
JP2013504206A (ja) * 2009-09-02 2013-02-04 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション スピンウェーハ検査システムのための、動的に合焦・指向・形成される傾斜レーザー照射を生成および計測するための方法および装置
JP2015031955A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 イェノプティック オプティカル システムズ ゲーエムベーハー 有効光強度分布を最適化する方法
WO2015033394A1 (ja) * 2013-09-04 2015-03-12 株式会社日立製作所 光断層観察装置
US20150310670A1 (en) * 2014-04-29 2015-10-29 Pebbles Ltd. System and Method for Generating a Light Pattern for Object Illumination
JP2015537218A (ja) * 2012-11-20 2015-12-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 検出感度改善のための検査ビームの成形
US20160377878A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Osela Inc. Composite laser line projector to reduce speckle

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6731432B1 (en) * 2000-06-16 2004-05-04 Mem Optical, Inc. Off-axis diffractive beam shapers and splitters for reducing sensitivity to manufacturing tolerances
US7385688B1 (en) * 2005-06-22 2008-06-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Multi-spot illumination and collection optics for highly tilted wafer planes
JP2008140484A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Funai Electric Co Ltd 光ピックアップ装置
JP4333760B2 (ja) * 2007-03-23 2009-09-16 セイコーエプソン株式会社 ホログラム素子、照明装置及びプロジェクタ
US9279774B2 (en) * 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
US9494531B2 (en) * 2013-08-09 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Multi-spot illumination for improved detection sensitivity
CN104503101B (zh) * 2015-01-12 2017-01-18 清华大学 一种基于衍射光学整形器件的流式细胞仪光束形成系统
US9891175B2 (en) * 2015-05-08 2018-02-13 Kla-Tencor Corporation System and method for oblique incidence scanning with 2D array of spots

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000352507A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Sony Corp 検査装置
US20040061952A1 (en) * 1999-12-15 2004-04-01 Coufal Hans J. System for coverting optical beams to collimated flat-top beams
JP2003043904A (ja) * 2001-06-08 2003-02-14 Inphase Technologies Inc ビームアポダイゼイションを用いてホログラフィック書き込みを向上させる方法
US20050024632A1 (en) * 2003-07-18 2005-02-03 Plemmons Mark P. Detection of a wafer edge using collimated light
JP2008508559A (ja) * 2004-07-30 2008-03-21 ノバラックス,インコーポレイティド 投射型ディスプレイ装置、システムおよび方法
JP2008525956A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 マイクロマス ユーケー リミテッド 質量分析計
JP2006343367A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエッジを用いた回折型ビームホモジナイザ光学系
JP2009031684A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Sony Corp レーザー装置
JP2013504206A (ja) * 2009-09-02 2013-02-04 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション スピンウェーハ検査システムのための、動的に合焦・指向・形成される傾斜レーザー照射を生成および計測するための方法および装置
JP2015537218A (ja) * 2012-11-20 2015-12-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 検出感度改善のための検査ビームの成形
JP2015031955A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 イェノプティック オプティカル システムズ ゲーエムベーハー 有効光強度分布を最適化する方法
WO2015033394A1 (ja) * 2013-09-04 2015-03-12 株式会社日立製作所 光断層観察装置
US20150310670A1 (en) * 2014-04-29 2015-10-29 Pebbles Ltd. System and Method for Generating a Light Pattern for Object Illumination
US20160377878A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Osela Inc. Composite laser line projector to reduce speckle

Also Published As

Publication number Publication date
JP7138182B2 (ja) 2022-09-15
US20190250414A1 (en) 2019-08-15
WO2019160781A1 (en) 2019-08-22
US10732424B2 (en) 2020-08-04
CN111699431A (zh) 2020-09-22
IL276460B2 (en) 2023-10-01
IL276460B1 (en) 2023-06-01
KR102466580B1 (ko) 2022-11-11
CN111699431B (zh) 2022-06-17
TW201940865A (zh) 2019-10-16
TWI780303B (zh) 2022-10-11
SG11202007299WA (en) 2020-08-28
KR20200110709A (ko) 2020-09-24
IL276460A (en) 2020-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6600312B2 (ja) ビーム伝播カメラ及び光ビーム解析の方法
TW201643414A (zh) 具有小照明光斑尺寸之光學計量
TWI525345B (zh) Optical system for laser light shaping and wave surface control
JPH0972U (ja) 位相板調節式レーザビームによる集積回路接続パスの切断装置
JP2007114741A (ja) レーザ光学装置
TWI829504B (zh) 粒子偵測系統及設備
JP2017519222A (ja) ビーム誘導光学系から誘導される光線を分析するためのシステム及び方法
US12019229B2 (en) Illumination arrangement for a microscope, microscope and method for illuminating a sample volume in a microscope
TW201719784A (zh) 使用用於半導體檢查及度量之差分偵測技術而改善高度感測器之橫向解析度之方法
JP2021514057A (ja) サンプル表面への斜入射角での検査光整形
JP6853843B2 (ja) リソグラフィマスクのフォーカス位置を決定する方法及びそのような方法を実行するための計測系
US11914282B2 (en) System of measuring image of pattern in scanning type EUV mask
JP2019179237A5 (ja)
CN110244446B (zh) 一种超分辨率显微镜
TWI582407B (zh) 粒子三維定位與追蹤裝置及其方法
JP4723842B2 (ja) 走査型光学顕微鏡
KR102689657B1 (ko) 레이저 절단 장치
US20230187235A1 (en) Stealth dicing laser device
JP3549331B2 (ja) バイナリーオプティックス
JP5557225B2 (ja) 単色光照射装置
Diez Fabrication of x-ray gratings by direct write mask-less lithography
JPWO2019160781A5 (ja)
JPH11223515A (ja) パターン座標測定装置および測定方法
US20110010678A1 (en) Method and Apparatus for Reference Distribution Aerial Image Formation Using Non-Laser Radiation

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220209

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220209

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20220209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220412

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220711

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220816

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220905

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7138182

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150