JPH11223515A - パターン座標測定装置および測定方法 - Google Patents
パターン座標測定装置および測定方法Info
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- JPH11223515A JPH11223515A JP10036585A JP3658598A JPH11223515A JP H11223515 A JPH11223515 A JP H11223515A JP 10036585 A JP10036585 A JP 10036585A JP 3658598 A JP3658598 A JP 3658598A JP H11223515 A JPH11223515 A JP H11223515A
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- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 座標測定装置に使用されている対物レンズ等
の光学系を変更することなく、簡単にレーザビームの位
置ずれを低減する事ができ、高精度な座標測定を行うこ
とができるパターン座標測定装置などを提供すること。 【解決手段】 レーザ光源２１からのレーザ光束を物体
面２３に照射し、該物体面からの反射光もしくは散乱光
を検出して前記物体面上のパターンの座標を測定するパ
ターン座標測定装置において、前記レーザ光源と前記物
体面との間の前記レーザ光束の光軸上に配設された光学
レンズ３４と、前記光学レンズにより定まる前記物体面
とほぼ共役な前記レーザ光束の光軸上に配設されたアパ
ーチャ部材ＰＨとを有することを特徴とする。
の光学系を変更することなく、簡単にレーザビームの位
置ずれを低減する事ができ、高精度な座標測定を行うこ
とができるパターン座標測定装置などを提供すること。 【解決手段】 レーザ光源２１からのレーザ光束を物体
面２３に照射し、該物体面からの反射光もしくは散乱光
を検出して前記物体面上のパターンの座標を測定するパ
ターン座標測定装置において、前記レーザ光源と前記物
体面との間の前記レーザ光束の光軸上に配設された光学
レンズ３４と、前記光学レンズにより定まる前記物体面
とほぼ共役な前記レーザ光束の光軸上に配設されたアパ
ーチャ部材ＰＨとを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
たパターンなどの座標を高精度に、特に測定再現精度が
２ｎｍ（３σ：σは標準偏差）程度で測定するためのパ
ターン座標測定装置および測定方法に関する。
たパターンなどの座標を高精度に、特に測定再現精度が
２ｎｍ（３σ：σは標準偏差）程度で測定するためのパ
ターン座標測定装置および測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のパターン座標検出に用いられる光
学系としては、図４に示すような特公平６−４１８４８
号公報に開示された微小線幅測定装置の光学系が知られ
ている。図４に示す微小線幅測定装置２０は、直線偏光
のレーザ光束（Ｐ偏光のレーザ光束）を発する偏光レー
ザ光源２１と、該偏光レーザ光源２１からの直線偏光の
レーザ光束を移動ステージ２２上に載置されたマスクな
どのパターン（物体面）２３上に集光する集光光学系３
０と、該集光光学系３０の平行光束中に配置され、細長
いレーザスポット２４をパターン２３上に形成するため
のスリット板４０と、パターン２３のエッジからの散乱
光を検出する検出器２５と、パターン２３からの正反射
光を検出する検出光学系５０と、自動焦点検出系６０
と、パターン２３を観察するための観察光学系７０とか
ら構成されている。
学系としては、図４に示すような特公平６−４１８４８
号公報に開示された微小線幅測定装置の光学系が知られ
ている。図４に示す微小線幅測定装置２０は、直線偏光
のレーザ光束（Ｐ偏光のレーザ光束）を発する偏光レー
ザ光源２１と、該偏光レーザ光源２１からの直線偏光の
レーザ光束を移動ステージ２２上に載置されたマスクな
どのパターン（物体面）２３上に集光する集光光学系３
０と、該集光光学系３０の平行光束中に配置され、細長
いレーザスポット２４をパターン２３上に形成するため
のスリット板４０と、パターン２３のエッジからの散乱
光を検出する検出器２５と、パターン２３からの正反射
光を検出する検出光学系５０と、自動焦点検出系６０
と、パターン２３を観察するための観察光学系７０とか
ら構成されている。
【０００３】かかる光学系では、レーザ光源からの光束
はビームエキスパンダ３４によりレーザビームの光束を
拡大される。そして、拡大されたレーザビームは対物レ
ンズ３９によりステージ２２上に載置されたパターン２
３上に集光される。
はビームエキスパンダ３４によりレーザビームの光束を
拡大される。そして、拡大されたレーザビームは対物レ
ンズ３９によりステージ２２上に載置されたパターン２
３上に集光される。
【０００４】次に、パターン座標の測定の基本原理を図
５に示す。まず、パターンのエッジ検出を行なうため
に、ステージ２２上にマスク（試料）２３を載せたまま
ステージをＸＹ方向にそれぞれ走査し、マスクのパター
ンからのエッジ散乱光を散乱光検出用ディテクターＤＥ
Ｔで検出し、測定データに基づいて線幅を算出する。そ
して、マスクパターンのエッジ位置は、レーザ干渉計Ｉ
Ｆで位置計測され、マスクパターンの中心座標が第一測
定点座標と線幅の１／２の値の和として求められる。
５に示す。まず、パターンのエッジ検出を行なうため
に、ステージ２２上にマスク（試料）２３を載せたまま
ステージをＸＹ方向にそれぞれ走査し、マスクのパター
ンからのエッジ散乱光を散乱光検出用ディテクターＤＥ
Ｔで検出し、測定データに基づいて線幅を算出する。そ
して、マスクパターンのエッジ位置は、レーザ干渉計Ｉ
Ｆで位置計測され、マスクパターンの中心座標が第一測
定点座標と線幅の１／２の値の和として求められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】マスクパターン座標の
計測ではできる限り微細なパターンを計測することが求
められる。このため、検出の為の試料面上のレーザビー
ムの径と位置が重要な要素となる。そこで、まずレーザ
ビームを対物レンズで集光した場合のビーム径について
説明する。対物レンズでガウシアン分布したレーザ光を
試料面状で回折限界まで絞り込んだ位置をビームウエス
ト（Ｗ）と呼び、次式、 Ｗ＝２λ／（π・ＮＡ）＝（４λ・ｆ）／（π・ｄ） （１） で表すことができる。ここで、ＮＡ（＝ｄ／（２ｆ））
は対物レンズの開口数、λは波長、ｄは開口の直径、ｆ
は焦点距離をそれぞれ示している。（１）式において、
ＮＡ＝０．７５、ｆ＝２０ｍｍ、ｄ＝３０ｍｍ、λをＨ
ｅ・Ｈｅレーザの波長λ＝０．６３３μｍとするとビー
ムウエストＷ＝０．５４μｍとなる。かかる値は、無収
差光学系の理想的な値であり、対物レンズの収差の影響
で実際上の計測値では０．６５μｍである。
計測ではできる限り微細なパターンを計測することが求
められる。このため、検出の為の試料面上のレーザビー
ムの径と位置が重要な要素となる。そこで、まずレーザ
ビームを対物レンズで集光した場合のビーム径について
説明する。対物レンズでガウシアン分布したレーザ光を
試料面状で回折限界まで絞り込んだ位置をビームウエス
ト（Ｗ）と呼び、次式、 Ｗ＝２λ／（π・ＮＡ）＝（４λ・ｆ）／（π・ｄ） （１） で表すことができる。ここで、ＮＡ（＝ｄ／（２ｆ））
は対物レンズの開口数、λは波長、ｄは開口の直径、ｆ
は焦点距離をそれぞれ示している。（１）式において、
ＮＡ＝０．７５、ｆ＝２０ｍｍ、ｄ＝３０ｍｍ、λをＨ
ｅ・Ｈｅレーザの波長λ＝０．６３３μｍとするとビー
ムウエストＷ＝０．５４μｍとなる。かかる値は、無収
差光学系の理想的な値であり、対物レンズの収差の影響
で実際上の計測値では０．６５μｍである。
【０００６】次に、座標測定のレーザビームの位置ずれ
を説明する。説明を簡単にするために図４の微小線幅測
定装置の光学系の配置図から偏光レーザ光源２１、ミラ
ー３１、ビームエキスパンダ３４、対物レンズ３９、試
料（パターン）２３、レーザスポット２４のみを取り出
して送光系の光学系の説明する。図６は、かかる送光系
の光学系の配置を示す図である。偏光レーザ光源２１は
Ｈｅ‐Ｎｅレーザであり、ビーム径は０．６３ｍｍ、出
射口からのビームの拡がり角は、１．３ｍｒａｄ（ミリ
ラジアン）でありほぼ平行光束を射出する。レーザ光源
から射出されたレーザビームは、ミラー３１で方向を換
えた後、ビームエキスパンダ３４にてビーム径が拡大さ
れる。ビームエキスパンダ３４は、焦点距離がそれぞれ
ｆ１、ｆ２である２枚の正凸レンズ３４ａ、３４ｂで構
成されている。
を説明する。説明を簡単にするために図４の微小線幅測
定装置の光学系の配置図から偏光レーザ光源２１、ミラ
ー３１、ビームエキスパンダ３４、対物レンズ３９、試
料（パターン）２３、レーザスポット２４のみを取り出
して送光系の光学系の説明する。図６は、かかる送光系
の光学系の配置を示す図である。偏光レーザ光源２１は
Ｈｅ‐Ｎｅレーザであり、ビーム径は０．６３ｍｍ、出
射口からのビームの拡がり角は、１．３ｍｒａｄ（ミリ
ラジアン）でありほぼ平行光束を射出する。レーザ光源
から射出されたレーザビームは、ミラー３１で方向を換
えた後、ビームエキスパンダ３４にてビーム径が拡大さ
れる。ビームエキスパンダ３４は、焦点距離がそれぞれ
ｆ１、ｆ２である２枚の正凸レンズ３４ａ、３４ｂで構
成されている。
【０００７】レーザ光源２１からのレーザビームは、レ
ンズ３４ａで一度絞り込まれ、該レンズの焦点位置Ｂで
ビームウエストＷ０になる。さらに、焦点距離ｆ２の位
置に配置されたレンズ３４ｂを通過後、拡大平行光にな
り対物レンズ３９に入射する。拡大された平行光束は対
物レンズ３９の焦点位置でビームが絞り込まれ、ビーム
ウエストＷ１になる。ここでビームウエストＷ０の位置
ＢとビームウエストＷ１の位置Ｃとは対物レンズ３９に
関して共役（結像）関係にある。
ンズ３４ａで一度絞り込まれ、該レンズの焦点位置Ｂで
ビームウエストＷ０になる。さらに、焦点距離ｆ２の位
置に配置されたレンズ３４ｂを通過後、拡大平行光にな
り対物レンズ３９に入射する。拡大された平行光束は対
物レンズ３９の焦点位置でビームが絞り込まれ、ビーム
ウエストＷ１になる。ここでビームウエストＷ０の位置
ＢとビームウエストＷ１の位置Ｃとは対物レンズ３９に
関して共役（結像）関係にある。
【０００８】次に、上記光学系において、光源の射出口
でレーザビームが光軸に対して角度θ傾いて出射した場
合の試料面上のビームの位置ずれ量を説明する。図６
中、微小角度θ傾いて出射したレーザビームの光路を破
線で示す。かかる状況において、試料面上のビームの位
置ずれ量ΔＸは以下の近似式、 ΔＸ＝ｆ・θ・β で求められる。ここでｆは対物レンズの焦点距離、βは
対物レンズの縮小倍率をそれぞれ表している。例えば、
ｆ＝２０ｍｍ、β＝１／４０とし、試料面上でのビーム
の位置ずれ量をΔＸ＝２ｎｍとすると、許容される光源
の射出口におけるビームの傾きはθ＝４μｒａｄ（マイ
クロラジアン）となる。通常のＨｅ−Ｎｅレーザの射出
角度の規格値は３０μｒａｄ程度である。したがって、
高精度なパターン座標測定では、通常の規格値よりも厳
しく射出角度の変動を抑える必要がある。
でレーザビームが光軸に対して角度θ傾いて出射した場
合の試料面上のビームの位置ずれ量を説明する。図６
中、微小角度θ傾いて出射したレーザビームの光路を破
線で示す。かかる状況において、試料面上のビームの位
置ずれ量ΔＸは以下の近似式、 ΔＸ＝ｆ・θ・β で求められる。ここでｆは対物レンズの焦点距離、βは
対物レンズの縮小倍率をそれぞれ表している。例えば、
ｆ＝２０ｍｍ、β＝１／４０とし、試料面上でのビーム
の位置ずれ量をΔＸ＝２ｎｍとすると、許容される光源
の射出口におけるビームの傾きはθ＝４μｒａｄ（マイ
クロラジアン）となる。通常のＨｅ−Ｎｅレーザの射出
角度の規格値は３０μｒａｄ程度である。したがって、
高精度なパターン座標測定では、通常の規格値よりも厳
しく射出角度の変動を抑える必要がある。
【０００９】また一般に、水準の高い、高精度なレーザ
管では以下の（ａ）、（ｂ）に述べるような改良が行わ
れている （ａ）高精度なレーザでは、レーザ管の両端に取り付け
られいる二枚のミラーの平行度が温度変動があった場合
でも一定に保たれるようにしている。このようなレーザ
はレーザ管が軸対称に作られているので、温度変動があ
ってもレーザ管全体がまっすぐ伸び縮みすることとな
る。このため、２枚のミラーの平行度に対する温度変化
の影響を極力低減することができる。
管では以下の（ａ）、（ｂ）に述べるような改良が行わ
れている （ａ）高精度なレーザでは、レーザ管の両端に取り付け
られいる二枚のミラーの平行度が温度変動があった場合
でも一定に保たれるようにしている。このようなレーザ
はレーザ管が軸対称に作られているので、温度変動があ
ってもレーザ管全体がまっすぐ伸び縮みすることとな
る。このため、２枚のミラーの平行度に対する温度変化
の影響を極力低減することができる。
【００１０】（ｂ）また、高精度なレーザでは、ガス封
止部はガラスに比べて抵熱膨張率の金属を使用してい
る。このため、レーザ管の上部と下部に温度差が生じて
も、ガラス管上の非対称な歪みの発生を低減することが
できる。
止部はガラスに比べて抵熱膨張率の金属を使用してい
る。このため、レーザ管の上部と下部に温度差が生じて
も、ガラス管上の非対称な歪みの発生を低減することが
できる。
【００１１】しかし、上述のような改良を加えた高精度
のレーザにおいても、レーザ管に個体差がありレーザビ
ームの位置ずれを除去することは不可能であう。さら
に、上述のレーザ管の上部と下部に発生する温度差の問
題を避けるため、レーザ管を縦置きにした場合でも、図
７のＣ点で示すようにビームの位置ずれが生じてしまう
ことが判明している。加えて、ビーム射出角度の傾きと
いっても、傾きの支点がレーザ管のどの位置が特定でき
ず、また、ビームの平行位置ずれなのか否かを特定する
ことも困難である。
のレーザにおいても、レーザ管に個体差がありレーザビ
ームの位置ずれを除去することは不可能であう。さら
に、上述のレーザ管の上部と下部に発生する温度差の問
題を避けるため、レーザ管を縦置きにした場合でも、図
７のＣ点で示すようにビームの位置ずれが生じてしまう
ことが判明している。加えて、ビーム射出角度の傾きと
いっても、傾きの支点がレーザ管のどの位置が特定でき
ず、また、ビームの平行位置ずれなのか否かを特定する
ことも困難である。
【００１２】したがって、レーザビームの位置ずれをレ
ーザ光源のみの改良等で数ナノメートル程度の微小な範
囲に抑えることは極めて困難であり、高精度な座標測定
を行う場合などは問題である。
ーザ光源のみの改良等で数ナノメートル程度の微小な範
囲に抑えることは極めて困難であり、高精度な座標測定
を行う場合などは問題である。
【００１３】次に、上述したビームの位置ずれが高精度
な座標測定などに及ぼす影響を説明する。図８は、実際
に測定した座標値と線幅値の変動軌跡を示す図である。
測定対象は十字パターンであり、Ｘ方向に３００回連続
測定した結果を示している。座標と線幅の測定値におい
て、共に変動のギザギザ部は測定精度を示すものであ
り、図示の測定結果から明らかなように、２〜３ｎｍの
幅がある。線幅は３００回の測定間に測定値の変動うね
りが無いのに対して、座標値は振幅４ｎｍ、周期４０分
の間隔で測定値のうねりが観測される。うねりの原因と
してレーザビームの位置変動が挙げられる。例えば、偏
光レーザ光源２１を交換して、同様の繰り返し測定を行
うと、ギザギザの振幅、周期の変動幅が異なってくる。
この事から個々のレーザ光源に依存するところが大きい
試料面状のビーム位置のゆっくりした変動が座標測定変
動のうねりの原因であることがわかる。本測定結果では
Ｘ方向に振幅４μｍ、周期４０分で変動している。
な座標測定などに及ぼす影響を説明する。図８は、実際
に測定した座標値と線幅値の変動軌跡を示す図である。
測定対象は十字パターンであり、Ｘ方向に３００回連続
測定した結果を示している。座標と線幅の測定値におい
て、共に変動のギザギザ部は測定精度を示すものであ
り、図示の測定結果から明らかなように、２〜３ｎｍの
幅がある。線幅は３００回の測定間に測定値の変動うね
りが無いのに対して、座標値は振幅４ｎｍ、周期４０分
の間隔で測定値のうねりが観測される。うねりの原因と
してレーザビームの位置変動が挙げられる。例えば、偏
光レーザ光源２１を交換して、同様の繰り返し測定を行
うと、ギザギザの振幅、周期の変動幅が異なってくる。
この事から個々のレーザ光源に依存するところが大きい
試料面状のビーム位置のゆっくりした変動が座標測定変
動のうねりの原因であることがわかる。本測定結果では
Ｘ方向に振幅４μｍ、周期４０分で変動している。
【００１４】ここで、図６において、ビームがＡ点で傾
き量θで傾いたとすると、Ａ点と試料面上のＣ点とが共
役（結像）になるように配置すれば、上述のようなビー
ム位置の変動の問題は解決する。しかし、Ｂ点とＣ点は
共役関係にあるが、レンズリレー系を配置してＡからの
平行光を絞り込みＢとＡ点を共役関係にすることは困難
であり問題である。
き量θで傾いたとすると、Ａ点と試料面上のＣ点とが共
役（結像）になるように配置すれば、上述のようなビー
ム位置の変動の問題は解決する。しかし、Ｂ点とＣ点は
共役関係にあるが、レンズリレー系を配置してＡからの
平行光を絞り込みＢとＡ点を共役関係にすることは困難
であり問題である。
【００１５】本発明は、上記問題にかんがみてなされた
もので、座標測定装置に使用されている対物レンズ等の
光学系を変更することなく、簡単にレーザビームの位置
ずれを低減する事ができ、高精度な座標測定を行うこと
ができるパターン座標測定装置および測定方法を提供す
ることを目的とする。
もので、座標測定装置に使用されている対物レンズ等の
光学系を変更することなく、簡単にレーザビームの位置
ずれを低減する事ができ、高精度な座標測定を行うこと
ができるパターン座標測定装置および測定方法を提供す
ることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するためのものであり、以下、実施形態に示した図面を
用いてその内容を説明する。
するためのものであり、以下、実施形態に示した図面を
用いてその内容を説明する。
【００１７】本発明のパターン座標測定装置は、レーザ
光源（２１）からのレーザ光束を物体面（２３）に照射
し、該物体面からの反射光もしくは散乱光を検出して前
記物体面上のパターンの座標を測定するパターン座標測
定装置において、前記レーザ光源と前記物体面との間の
前記レーザ光束の光軸上に配設された光学レンズ（３
４）と、前記光学レンズにより定まる前記物体面とほぼ
共役な前記レーザ光束の光軸上に配設されたアパーチャ
部材（ＰＨ）とを有することを特徴とする。
光源（２１）からのレーザ光束を物体面（２３）に照射
し、該物体面からの反射光もしくは散乱光を検出して前
記物体面上のパターンの座標を測定するパターン座標測
定装置において、前記レーザ光源と前記物体面との間の
前記レーザ光束の光軸上に配設された光学レンズ（３
４）と、前記光学レンズにより定まる前記物体面とほぼ
共役な前記レーザ光束の光軸上に配設されたアパーチャ
部材（ＰＨ）とを有することを特徴とする。
【００１８】また、本発明のパターン座標測定装置で
は、前記光学レンズ（３４）は前記レーザ光束の径を変
換する光学ユニット（３４ａ、３４ｂ）を構成し、前記
アパーチャ部材は、前記光学ユニットに含まれることを
特徴とする。
は、前記光学レンズ（３４）は前記レーザ光束の径を変
換する光学ユニット（３４ａ、３４ｂ）を構成し、前記
アパーチャ部材は、前記光学ユニットに含まれることを
特徴とする。
【００１９】また、本発明のパターン座標測定装置で
は、前記アパーチャ部材は、前記光学ユニット内に位置
する前記レーザ光束のビームウェスト（Ｂ）近傍に設け
られていることを特徴とする。
は、前記アパーチャ部材は、前記光学ユニット内に位置
する前記レーザ光束のビームウェスト（Ｂ）近傍に設け
られていることを特徴とする。
【００２０】また、本発明のパターン座標測定装置で
は、前記アパーチャ部材の開口は、該アパーチャ部材に
入射する側のレーザ光束の直径の０．３５倍以下の直径
とすることを特徴とする。
は、前記アパーチャ部材の開口は、該アパーチャ部材に
入射する側のレーザ光束の直径の０．３５倍以下の直径
とすることを特徴とする。
【００２１】本発明のパターン座標測定方法は、レーザ
光源（２１）からのレーザ光束を物体面（２３）に照射
し、該物体面からの反射光を検出して前記物体面上のパ
ターンの座標を測定するパターン座標測定方法におい
て、前記レーザ光束の中央部の一部分の光束を前記物体
面上に照射するようにしたことを特徴とする。 （作用）かかる構成により、本発明では、前記アパーチ
ャ部材によりレーザ光源からのレーザ光束のうち任意の
部分の光束を用いてパターン座標測定を行なうことがで
きる。さらに、該アパーチャ部材は物体面と共役な位置
にあるので、レーザ光源から射出されるレーザ光束の角
度が傾いても、アパーチャ部材を不動点として物体面に
おけるレーザビーム位置が変化することが無い。このた
め、安定して高精度な測定を行なうことができる。
光源（２１）からのレーザ光束を物体面（２３）に照射
し、該物体面からの反射光を検出して前記物体面上のパ
ターンの座標を測定するパターン座標測定方法におい
て、前記レーザ光束の中央部の一部分の光束を前記物体
面上に照射するようにしたことを特徴とする。 （作用）かかる構成により、本発明では、前記アパーチ
ャ部材によりレーザ光源からのレーザ光束のうち任意の
部分の光束を用いてパターン座標測定を行なうことがで
きる。さらに、該アパーチャ部材は物体面と共役な位置
にあるので、レーザ光源から射出されるレーザ光束の角
度が傾いても、アパーチャ部材を不動点として物体面に
おけるレーザビーム位置が変化することが無い。このた
め、安定して高精度な測定を行なうことができる。
【００２２】また、本発明では、前記光学レンズはレー
ザ光束の径を変換するビームエキスパンダを構成し、か
つアパーチャ部材は該ビームエキスパンダ内に配置され
ている。したがって、レーザ光源からのレーザ光束の径
を任意に変えることがでる。
ザ光束の径を変換するビームエキスパンダを構成し、か
つアパーチャ部材は該ビームエキスパンダ内に配置され
ている。したがって、レーザ光源からのレーザ光束の径
を任意に変えることがでる。
【００２３】また、本発明では、前記アパーチャ部材は
ビームエキスパンダ内のビムウェスト近傍位置に設けら
れている。このため、ビーム光束のうち所望部分の光束
のみを効率よく取り出すことができる。
ビームエキスパンダ内のビムウェスト近傍位置に設けら
れている。このため、ビーム光束のうち所望部分の光束
のみを効率よく取り出すことができる。
【００２４】また、本発明では、アパーチャ部材の開口
が該アパーチャ部材に入射する側のレーザ光束の直径の
０．３５倍以下の直径であることが好ましい。これによ
り、ガウシアン分布をしているレーザ光束の強度変化が
比較的緩やかな中心部分の光束を透過させることができ
る。したがって、レーザ光源からの出射角度が多少変動
しても、アパーチャ部材を透過する光束の強度分布は大
きく変化しないので物体面におけるレーザ光の位置を一
定に保つことができる。即ち、ガウシアン分布のピーク
中心部のレーザ光束のみを通過する事により、強度分布
を均一化させた点光源とし、強度中心の位置ずれ変動量
を緩和することができる。
が該アパーチャ部材に入射する側のレーザ光束の直径の
０．３５倍以下の直径であることが好ましい。これによ
り、ガウシアン分布をしているレーザ光束の強度変化が
比較的緩やかな中心部分の光束を透過させることができ
る。したがって、レーザ光源からの出射角度が多少変動
しても、アパーチャ部材を透過する光束の強度分布は大
きく変化しないので物体面におけるレーザ光の位置を一
定に保つことができる。即ち、ガウシアン分布のピーク
中心部のレーザ光束のみを通過する事により、強度分布
を均一化させた点光源とし、強度中心の位置ずれ変動量
を緩和することができる。
【００２５】また、本発明のパターン座標測定方法で
は、レーザ光束の中央部の一部部分の光束を物体面に照
射している。従って、レーザ光源からの出射角度が多少
変動しても、物体面におけるレーザ光の位置は大きく変
化しないので高精度な測定を行なうことができる。
は、レーザ光束の中央部の一部部分の光束を物体面に照
射している。従って、レーザ光源からの出射角度が多少
変動しても、物体面におけるレーザ光の位置は大きく変
化しないので高精度な測定を行なうことができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面にもとづいて本発
明の実施の形態にかかるパターン座標測定装置について
説明する。図１は、本発明の実施形態にかかるパターン
座標測定装置の光学系の概略を示す図である。Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザ光源２１から射出したレーザビームは、ミラー
３１で反射される。そして、ビームエキスパンダ３４を
構成する正凸レンズ３４ａにより焦点位置Ｂに集光され
る。焦点位置ＢにはピンホールＰＨが設けられており、
後述するように集光されたビームの一部の光束のみ透過
させる。そして、ピンホールＰＨを透過後、焦点距離ｆ
２の位置に配置された正凸レンズ３４ｂに入射し、拡大
された平行光束とされる。ここで、ｆ１＝２０ｍｍ、ｆ
２＝８００ｍｍであり、ビーム拡大倍率はβ＝４０倍で
ある。次に、対物レンズ３９に入射した平行光束は、対
物レンズの焦点位置に配置されている試料上に集光され
る。対物レンズの焦点距離はｆ＝２０ｍｍである。本実
施形態にかかるパターン座標測定装置では０．６μｍ以
上のパターンを計測できる。
明の実施の形態にかかるパターン座標測定装置について
説明する。図１は、本発明の実施形態にかかるパターン
座標測定装置の光学系の概略を示す図である。Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザ光源２１から射出したレーザビームは、ミラー
３１で反射される。そして、ビームエキスパンダ３４を
構成する正凸レンズ３４ａにより焦点位置Ｂに集光され
る。焦点位置ＢにはピンホールＰＨが設けられており、
後述するように集光されたビームの一部の光束のみ透過
させる。そして、ピンホールＰＨを透過後、焦点距離ｆ
２の位置に配置された正凸レンズ３４ｂに入射し、拡大
された平行光束とされる。ここで、ｆ１＝２０ｍｍ、ｆ
２＝８００ｍｍであり、ビーム拡大倍率はβ＝４０倍で
ある。次に、対物レンズ３９に入射した平行光束は、対
物レンズの焦点位置に配置されている試料上に集光され
る。対物レンズの焦点距離はｆ＝２０ｍｍである。本実
施形態にかかるパターン座標測定装置では０．６μｍ以
上のパターンを計測できる。
【００２７】かかる光学系において、Ｂ点とＣ点の位置
は共役な関係である。Ａ点からビームの傾き量θで光束
がＢ点に到達した場合、ピンホールＰＨを通過した光束
のみＣ点に結像することとなる。したがって、Ｂ点のビ
ームウエスト位置にピンホールＰＨを配置すれば、ピン
ホールＰＨが不動点となり、Ｂ点を点光源とみなすこと
ができる。そして、Ｂ点を通過した光束はＣ点に結像す
るので、傾き量θに関わらず試料面におけるビーム位置
は変動しない。
は共役な関係である。Ａ点からビームの傾き量θで光束
がＢ点に到達した場合、ピンホールＰＨを通過した光束
のみＣ点に結像することとなる。したがって、Ｂ点のビ
ームウエスト位置にピンホールＰＨを配置すれば、ピン
ホールＰＨが不動点となり、Ｂ点を点光源とみなすこと
ができる。そして、Ｂ点を通過した光束はＣ点に結像す
るので、傾き量θに関わらず試料面におけるビーム位置
は変動しない。
【００２８】ここで、Ｂ点での光束の強度分布は図２に
示すようなガウシアン分布をしている。図２は、正規化
されたレーザビームの半径と相対強度、半径内のパワー
との関係を示している。ビームの傾き角θが変化する
と、図２に示すレーザ光の強度分布の中心がずれてＣ点
における強度分布の中心が移動してしまうこととなる。
本実施形態では、かかる強度分布の中心位置の変動によ
る影響を除去するため、ピンホールＰＨの開口径を以下
に説明する最適値に設定してある。
示すようなガウシアン分布をしている。図２は、正規化
されたレーザビームの半径と相対強度、半径内のパワー
との関係を示している。ビームの傾き角θが変化する
と、図２に示すレーザ光の強度分布の中心がずれてＣ点
における強度分布の中心が移動してしまうこととなる。
本実施形態では、かかる強度分布の中心位置の変動によ
る影響を除去するため、ピンホールＰＨの開口径を以下
に説明する最適値に設定してある。
【００２９】一般に、ピンホールの開口径は、スペシャ
ル・フィルタリングの効果をより積極的に使用するもの
である。スペシャルフィルターはホログラフイや光情報
処理で良く使用されるものであり、空間的光ノイズを除
去するのが目的である。通常ピンホールの開口径は全ビ
ームエネルギーの９９．３％を透過させるようにしてい
る。
ル・フィルタリングの効果をより積極的に使用するもの
である。スペシャルフィルターはホログラフイや光情報
処理で良く使用されるものであり、空間的光ノイズを除
去するのが目的である。通常ピンホールの開口径は全ビ
ームエネルギーの９９．３％を透過させるようにしてい
る。
【００３０】本実施形態では、ピンホールの開口径ｒ
は、正規化されたレーザビームウエスト半径値ｒ／Ｗ０
が０．３５以下の径であることが望ましい。ここで、式
（１）によりＷ０＝１２．７μｍ、ビーム径は２５．５
μｍである。かかる開口径によりガウシアン分布のピー
ク中心部の強度カーブが穏やかなレーザ光束のみを通過
させることができる。このため、たとえレーザビームが
光源部である程度傾いても、強度分布の変化の緩やかな
部分のみ透過させるので、Ｃ点の強度分布の中心位置ず
れ量を大きく低減することができる。さらに好ましく
は、ｒ／Ｗ０が０．２３以下の径であることが望まし
い。図３にピンホールの開口径ｒとビームウエスト径Ｗ
０の関係を示す。ピンホールの開口径を小さくすること
によるレーザ光のパワー損失分は、偏光レーザを高出力
のレーザに置き換えることで容易に補うことができる。
また、本実施の形態にかかる高精度な座標測定では測
定環境が高精度に制御されている必要がある。例えば、
レーザ干渉計の光路中に空気揺らぎが生じると光路の空
気屈折率が変化し、レーザ波長が変化してしまう。レー
ザ波長λの相対的変化量Δλ／λは、温度ΔＴ（℃）、
気圧ΔＰ（ｈｐａ），湿度ΔＨ（％）の変動に対して、
近似的に次式、 Δλ／λ＝（０．９３ΔＴ＋０．２７ΔＰ−０．００９
８ΔＨ）×１０−６ で表すことができる。
は、正規化されたレーザビームウエスト半径値ｒ／Ｗ０
が０．３５以下の径であることが望ましい。ここで、式
（１）によりＷ０＝１２．７μｍ、ビーム径は２５．５
μｍである。かかる開口径によりガウシアン分布のピー
ク中心部の強度カーブが穏やかなレーザ光束のみを通過
させることができる。このため、たとえレーザビームが
光源部である程度傾いても、強度分布の変化の緩やかな
部分のみ透過させるので、Ｃ点の強度分布の中心位置ず
れ量を大きく低減することができる。さらに好ましく
は、ｒ／Ｗ０が０．２３以下の径であることが望まし
い。図３にピンホールの開口径ｒとビームウエスト径Ｗ
０の関係を示す。ピンホールの開口径を小さくすること
によるレーザ光のパワー損失分は、偏光レーザを高出力
のレーザに置き換えることで容易に補うことができる。
また、本実施の形態にかかる高精度な座標測定では測
定環境が高精度に制御されている必要がある。例えば、
レーザ干渉計の光路中に空気揺らぎが生じると光路の空
気屈折率が変化し、レーザ波長が変化してしまう。レー
ザ波長λの相対的変化量Δλ／λは、温度ΔＴ（℃）、
気圧ΔＰ（ｈｐａ），湿度ΔＨ（％）の変動に対して、
近似的に次式、 Δλ／λ＝（０．９３ΔＴ＋０．２７ΔＰ−０．００９
８ΔＨ）×１０−６ で表すことができる。
【００３１】本実施形態にかかるパターン座標測定装置
では、温度ΔＴ＝±１／１００（℃）、湿度ΔＨ＝±１
（％）に制御されているのでレーザ波長λの変化は十分
に抑えられている。また、干渉計ビーム空調により、光
路中の気流の流れを安定化させ温度塊の排除している。
かかる測定環境下において、測定繰り返し数ｎ＝３０回
の短時間での座標再現精度はほぼ３ｎｍ（３σ：σは標
準偏差）という高精度な測定を達成している。
では、温度ΔＴ＝±１／１００（℃）、湿度ΔＨ＝±１
（％）に制御されているのでレーザ波長λの変化は十分
に抑えられている。また、干渉計ビーム空調により、光
路中の気流の流れを安定化させ温度塊の排除している。
かかる測定環境下において、測定繰り返し数ｎ＝３０回
の短時間での座標再現精度はほぼ３ｎｍ（３σ：σは標
準偏差）という高精度な測定を達成している。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパターン
座標測定装置および測定方法では、前記アパーチャ部材
によりレーザ光源からのレーザ光束のうち任意の部分の
光束を用いてパターン座標測定を行なうことができる。
さらに、該アパーチャ部材は物体面と共役な位置にある
ので、レーザ光源から射出されるレーザ光束の角度が傾
いても、アパーチャ部材を不動点として物体面における
レーザビーム位置が変化することが無い。このため、安
定して高精度な測定を行なうことができる。さらに、対
物レンズ等の光学系を変更することなく、簡単にレーザ
ビームの位置ずれを低減する事ができ、高精度な座標測
定を行うことができる。
座標測定装置および測定方法では、前記アパーチャ部材
によりレーザ光源からのレーザ光束のうち任意の部分の
光束を用いてパターン座標測定を行なうことができる。
さらに、該アパーチャ部材は物体面と共役な位置にある
ので、レーザ光源から射出されるレーザ光束の角度が傾
いても、アパーチャ部材を不動点として物体面における
レーザビーム位置が変化することが無い。このため、安
定して高精度な測定を行なうことができる。さらに、対
物レンズ等の光学系を変更することなく、簡単にレーザ
ビームの位置ずれを低減する事ができ、高精度な座標測
定を行うことができる。
【００３３】また、本発明では、前記光学レンズはレー
ザ光束の径を変換するビームエキスパンダを構成し、か
つアパーチャ部材は該ビームエキスパンダ内に配置され
ている。したがって、レーザ光源からのレーザ光束の径
を任意に変えることがでる。
ザ光束の径を変換するビームエキスパンダを構成し、か
つアパーチャ部材は該ビームエキスパンダ内に配置され
ている。したがって、レーザ光源からのレーザ光束の径
を任意に変えることがでる。
【００３４】また、本発明では、前記アパーチャ部材は
ビームエキスパンダ内のビ−ムウェスト近傍位置に設け
られている。このため、ビーム光束のうち所望部分の光
束のみを効率よく取り出すことができる。
ビームエキスパンダ内のビ−ムウェスト近傍位置に設け
られている。このため、ビーム光束のうち所望部分の光
束のみを効率よく取り出すことができる。
【００３５】また、本発明では、アパーチャ部材によ
り、ガウシアン分布をしているレーザ光束の強度変化が
比較的緩やかな中心部分の光束を透過させることができ
る。したがって、レーザ光源からの出射角度が多少変動
しても、アパーチャ部材を透過する光束の強度分布は大
きく変化しないので物体面におけるレーザ光の位置を一
定に保つことができる。即ち、ガウシアン分布のピーク
中心部のレーザ光束のみを通過する事により、強度分布
を均一化させた点光源とし、強度中心の位置ずれ変動量
を緩和することができる。
り、ガウシアン分布をしているレーザ光束の強度変化が
比較的緩やかな中心部分の光束を透過させることができ
る。したがって、レーザ光源からの出射角度が多少変動
しても、アパーチャ部材を透過する光束の強度分布は大
きく変化しないので物体面におけるレーザ光の位置を一
定に保つことができる。即ち、ガウシアン分布のピーク
中心部のレーザ光束のみを通過する事により、強度分布
を均一化させた点光源とし、強度中心の位置ずれ変動量
を緩和することができる。
【００３６】また、本発明のパターン座標測定方法で
は、レーザ光束の中央部の一部部分の光束を物体面に照
射している。従って、レーザ光源からの出射角度が多少
変動しても、物体面におけるレーザ光の位置は大きく変
化しないので高精度な測定を行なうことができる。
は、レーザ光束の中央部の一部部分の光束を物体面に照
射している。従って、レーザ光源からの出射角度が多少
変動しても、物体面におけるレーザ光の位置は大きく変
化しないので高精度な測定を行なうことができる。
【図１】本発明の実施形態にかかるパターン座標測定装
置の光学系を示す図である。
置の光学系を示す図である。
【図２】正規化されたレーザビームの強度分布などを示
す図である。
す図である。
【図３】ピンホールとビームウエストを示す説明図であ
る
る
【図４】従来の微小線幅測定装置の光学系の配置を示す
図である。
図である。
【図５】高精度座標測定の基本測定原理図を示す説明図
である。
である。
【図６】従来の微小線幅測定装置の光学系の送光部を示
す図である。
す図である。
【図７】試料面上のビーム位置ずれを示す図である。
【図８】線幅値と座標値の測定結果を比較する図であ
る。
る。
２１ レーザ光源 ２２ ステージ ２３ 試料 ３４ ビームエキスパンダ ３９ 対物レンズ ＰＨ ピンホール ＡＲ 干渉計ビーム空調 ＭＴ ステージモーター ＤＥＴ 正反射光検出用ディテクタ ＤＥＴ２ 散乱光検出用ディテクタ ＭＭ 移動鏡 ＲＭ 参照鏡 ＩＦ 干渉計システム ＰＰ アッベ誤差除去用平行平板ガラス ＵＨ ユニバーサルホルダ
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ光源からのレーザ光束を物体面に
照射し、該物体面からの反射光もしくは散乱光を検出し
て前記物体面上のパターンの座標を測定するパターン座
標測定装置において、 前記レーザ光源と前記物体面との間の前記レーザ光束の
光軸上に配設された光学レンズと、 前記光学レンズにより定まる前記物体面とほぼ共役な前
記レーザ光束の光軸上に配設されたアパーチャ部材とを
有することを特徴とするパターン座標測定装置。 - 【請求項２】 前記光学レンズは、前記レーザ光束の径
を変換する光学ユニットを構成し、 前記アパーチャ部材は、前記光学ユニットに含まれるこ
とを特徴とする請求項１記載のパターン座標測定装置。 - 【請求項３】 前記アパーチャ部材は、前記光学ユニッ
ト内に位置する前記レーザ光束のビームウェスト近傍に
設けられていることを特徴とする請求項２記載のパター
ン座標測定装置。 - 【請求項４】 前記アパーチャ部材の開口は、該アパー
チャ部材に入射する側のレーザ光束の直径の０．３５倍
以下の直径とすることを特徴とする請求項１、２または
３記載のパターン座標測定装置。 - 【請求項５】 レーザ光源からのレーザ光束を物体面に
照射し、該物体面からの反射光を検出して前記物体面上
のパターンの座標を測定するパターン座標測定方法にお
いて、前記レーザ光束の中央部の一部分の光束を前記物
体面上に照射するようにしたことを特徴とするパターン
座標測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036585A JPH11223515A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | パターン座標測定装置および測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036585A JPH11223515A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | パターン座標測定装置および測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11223515A true JPH11223515A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12473864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10036585A Abandoned JPH11223515A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | パターン座標測定装置および測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11223515A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011099861A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Mitsutoyo Corp | 位置感知光検出器を使用する線形変位センサ |
| CN102818525A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-12-12 | 深圳市斯尔顿科技有限公司 | 双光楔测距装置和测距方法 |
-
1998
- 1998-02-04 JP JP10036585A patent/JPH11223515A/ja not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011099861A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Mitsutoyo Corp | 位置感知光検出器を使用する線形変位センサ |
| CN102818525A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-12-12 | 深圳市斯尔顿科技有限公司 | 双光楔测距装置和测距方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050121 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060823 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20061120 |