TW201643414A - 具有小照明光斑尺寸之光學計量 - Google Patents

具有小照明光斑尺寸之光學計量 Download PDF

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TW201643414A TW105114600A TW105114600A TW201643414A TW 201643414 A TW201643414 A TW 201643414A TW 105114600 A TW105114600 A TW 105114600A TW 105114600 A TW105114600 A TW 105114600A TW 201643414 A TW201643414 A TW 201643414A
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凱文Ａ 彼得琳斯
亞歷山德爾 布特納爾
克里絲汀 普魯克
安德烈Ｖ 舒傑葛洛夫
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克萊譚克公司
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    • G01N2021/213—Spectrometric ellipsometry

Abstract

本發明呈現減小投射至一量測目標上之照明光斑尺寸及至圍繞一量測目標之區域上之相關聯溢流之方法及系統。在一個態樣中，一空間光調變器(SLM)定位於照明光源與量測樣本間的照明路徑中。該SLM經組態以調變跨該照明光路徑之振幅、相位或兩者以減小波前誤差。在一些實施例中，該SLM之所要狀態係基於在計量系統之一光學路徑中實行之波前量測。在另一態樣中，採用具有相對於一照明光束以一斜角傾斜之一影像平面之一照明孔隙以克服採用該量測樣本之傾斜照明之計量系統中之散焦效應。在一些實施例中，對準該照明孔隙、物鏡及樣品以滿足沙伊姆弗勒條件。

Description

具有小照明光斑尺寸之光學計量
所描述之實施例係關於計量系統及方法，且更特定言之係關於用於具有較小量測盒尺寸之改良量測解析度之方法及系統。
半導體裝置(諸如邏輯及記憶體裝置)通常藉由應用至一樣品之一序列處理步驟製造。藉由此等處理步驟形成半導體裝置之各種特徵及多個結構層級。舉例而言，微影術尤其係涉及產生一半導體晶圓上之一圖案之一個半導體製造程序。半導體製造程序之額外實例包含(但不限於)化學機械拋光、蝕刻、沈積及離子植入。多個半導體裝置可在一單一半導體晶圓上製造且接著分為個別半導體裝置。
實行如上文描述之一微影術程序以選擇性地移除上覆於一晶圓之表面之一光阻劑材料之部分，藉此曝露其上形成光阻劑之樣品之下伏區域以進行選擇性處理，諸如蝕刻、材料沈積、植入及類似者。因此，在許多例項中，微影術程序之效能很大程度上決定形成於樣品上之結構之特徵(例如，尺寸)。因此，微影術之趨勢係設計能夠形成具有更小尺寸之圖案之系統及組件(例如，光阻劑材料)。
在一半導體製造程序期間的各種步驟處使用基於光學計量之檢測程序以偵測晶圓上之缺陷以促進較高良率。光學計量技術提供高處理能力之可能性而無樣本破壞之風險。已描述包含散射量測實施方案 及相關聯分析演算法以特徵化裝置幾何形狀之數個基於光學計量之技術。然而，保持一小量測盒尺寸仍然係一挑戰。在可用於計量目標之區域最小之半導體線上產品計量中，一小量測盒尺寸尤其重要。量測盒尺寸係指量測結果穩定且不被光學計量中之邊緣效應(例如，歸因於光學繞射翼)影響之樣品上之最小區域。因此，量測盒尺寸愈小，計量目標所需之區域愈小。在半導體行業中，在分配至計量目標之晶圓空間受限制(通常，在切割道內或甚至在晶粒內)之情況下，所要盒尺寸規格通常可為非常有挑戰性的，諸如30μm×30μm、10μm×10μm或甚至更小。
必須控制繞射、像差、影像品質及其他限制效應以達成一較小照明光斑尺寸。在一個實例中，一反射光學器件橢圓偏光儀藉由減小通常相關聯於折射元件之使用之色像差而允許計量目標上之一較小光斑尺寸。藉由1997年3月4日頒於KLA-Tencor Corporation之標題為「Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system」之美國專利第5,608,526號(其之內容以宛如全文闡述引用的方式併入本文中)描述此一系統。在另一實例中，藉由1999年1月12日頒於KLA-Tencor Corporation之標題為「Apodizing filter system useful for reducing spot size in optical measurements and other applications」之美國專利第5,859,424號(其之內容以宛如全文闡述引用的方式併入本文中)描述採用一變跡元件之一計量工具。變跡器提供一平穩變化空間濾光器以減少樣本上之照明光斑中之繞射尾。
一般言之，通常期望計量系統組態有多個入射角及若干波長帶以試圖達成小量測光斑尺寸。舉例而言，藉由2002年8月6日頒於KLA-Tencor Corporation之標題為「Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements」之美國專利第6,429,943號(其之內容以宛如全文闡述引用的方式併入本文中)描述具 有多個入射角之計量系統。在另一實例中，藉由2006年6月13日頒於KLA-Tencor Corporation之標題為「Measurement system with separate optimized beam paths」之美國專利第7,061,614號(其之內容以宛如全文闡述引用的方式併入本文中)描述具有若干波長帶之計量系統。然而，在一些實例中，例如，期望以傾斜、近布魯斯特(near-Brewster)入射角(AOI)實行量測之成分量測中，幾何縮放效應導致量測盒尺寸在大AOI處之一非所要增大。
為縮小量測盒尺寸之尺寸，必須最小化由圍繞量測目標之區域引起且到達偵測器之信號資訊量。為最小化非所要信號污染，必須將照明光投射至量測目標上且在量測目標區域外側具有最小溢流。
以往，藉由增大系統NA且減小照明孔隙(例如，一偏光器狹縫)之尺寸來減小照明光斑尺寸。儘管增大NA處理繞射引起之溢流，然增大NA增大像差，增大成本，產生光學對準困難且減小光學系統之透射效率。儘管減小照明孔隙之尺寸處理光斑影像之幾何性質，然照明孔隙之尺寸減小增大相干效應，減小光通量且需要光學系統容限之一緊縮。
儘管有經設計以控制量測盒尺寸之現有方法，在完全量測範圍上達成一小量測盒尺寸規格仍係非常有挑戰性的。在大傾斜入射角(AOI)(其中入射光束覆蓋一較大區域)及在較長波長(其中繞射效應引入顯著限制)兩者中尤其如此。
隨著微影術及檢測系統貼近更高解析度，量測盒尺寸變為維持裝置良率之一限制因素。因此，期望用於達成相關聯於各種計量技術之一小量測盒尺寸之改良方法及系統。
在本文中描述用於減小投射至一量測目標上之照明光斑尺寸及至圍繞一量測目標之區域上之相關聯溢流之方法及系統。
在一個態樣中，一空間光調變器(SLM)定位於照明光源與量測樣本之間的照明路徑中。在一些實施例中，該SLM定位於該量測系統之一光瞳平面中。該SLM經組態以調變跨該照明光路徑之振幅、相位分佈或兩者以減小波前誤差且為光束之該振幅及相位分佈塑形。在一進一步態樣中，該空間光調變器實現跨該照明光束之該相位分佈之可程式化組態。此可經採用以校正像差或消除污染信號。藉由非限制性實例，一透射型液晶顯示器(LCD)裝置、一反射型矽基液晶(LCOS)裝置、一像素化鏡裝置及具有一連續表面之一可變形鏡裝置可經採用為一計量系統之該照明路徑中之一SLM。
在一進一步態樣中，一計算系統基於模擬來判定該SLM之一所要狀態以實施一所要振幅校正、相位分佈校正或兩者。
在另一進一步態樣中，一計算系統基於該計量系統之一光學路徑中之波前量測來判定該SLM之一所要狀態以實施一所要振幅校正、相位分佈校正或兩者。
在一些實施例中，一波前感測器定位於沿著該光學路徑之已知所要波前之一位置中，即，該經量測波前應在一規定經量測值範圍內。在此等實施例中，一計算系統比較藉由該波前感測器提供之該等波前量測與該所要波前以判定該SLM之該所要狀態。基於此回饋控制方法，校正在該波前量測位置之前的該光學路徑中引起之波前誤差。
將該波前感測器定位成儘可能接近於該樣品允許直接校正藉由該等照明光學器件引起之經量測波前誤差。然而，當該波前感測器定位於該照明路徑中時，藉由該樣品自身及收集光學器件引起之波前誤差在該波前量測中不可見。
在另一進一步態樣中，該波前感測器定位於收集路徑中，或量測偵測器自身用於提供量測回饋以判定該SLM之該所要狀態。舉例而言，可採用該計量系統之該量測偵測器以直接量測該晶圓上之該光斑 尺寸品質。在此等實施例中，量測一經界定計量目標(例如，未被網格圍繞之一10μm x 10μm網格區域)且藉由一計算系統評估藉由該偵測器產生之光譜資料且將該光譜資料與一所要光譜回應比較。該計算系統130判定對該SLM狀態之校正以減小該經量測光譜資料與該所要光譜資料之間的差異。在另一實例中，該波前感測器可定位於該收集路徑中之任何處。使用如先前在本文中描述之一經界定計量目標實行波前量測。基於波前量測點處之該經量測波前與一所要波前之間的差異來判定對該SLM狀態之校正。以此方式，該SLM狀態經調整以達成一特定所要波前。
在另一進一步態樣中，基於量測及模擬資料兩者來判定該SLM之該所要狀態。舉例而言，若該波前感測器定位於該光學系統之期望校正之一部分之前的該光學路徑中，則基於該經量測波前資料與模擬資料之一組合來估計該所要位置處之波前。基於該所要位置處之該經估計波前與該位置處之所要波前來判定對該SLM之該狀態之校正。
在一些實施例中，迭代地實行該SLM之該狀態之該量測及校正直至該經量測波前匹配該已知所要波前。在一些實施例中，選擇該所要波前以匹配一計量系統群之間的波前。
在一些實施例中，該波前感測器定位於沿著該光學路徑之一位置中，其中該波前感測器提供波前量測資料作為正常系統操作之部分。在一些其他實施例中，該波前感測器定位於一位置中，其中該波前感測器提供波前量測資料作為一定期維護操作之部分。
在另一態樣中，一計量系統包含具有相對於該照明光束以一斜角傾斜之一影像平面之一照明孔隙以克服在採用該量測樣本之傾斜照明之計量系統中出現之散焦效應。
在一些實施例中，該照明孔隙經定向，使得該照明孔隙之該影像平面、物鏡之主平面及待量測樣品之表面平面沿著一共同線相交。 此組態滿足沙伊姆弗勒條件(Scheimpflug condition)且在此條件下，將該照明孔隙在不模糊之情況下成像至該樣品表面上。
一般言之，各種計量系統架構受益於藉由定位於一照明路徑中之一空間光調變器實現的一減小量測盒尺寸、具有相對於該照明光束定向成一斜角之一影像平面之一照明孔隙或兩者之一組合。
前文係一發明內容且因此必要地含有細節之簡化、一般化及省略；因此，熟習此項技術者將瞭解，發明內容僅係闡釋性且不以任何方式限制。將在本文中闡述之非限制性實施方式中變得明白在本文中描述之該等裝置及/或程序之其他態樣、發明特徵及優點。
10‧‧‧繪圖
20‧‧‧繪圖
31‧‧‧入射光束
32‧‧‧出射光束
33‧‧‧目標
100‧‧‧計量工具/計量系統
101‧‧‧樣品
102‧‧‧量測盒區域
108‧‧‧晶圓卡盤
110‧‧‧旋轉置物台
112‧‧‧平移置物台
114‧‧‧運動控制器
120‧‧‧指示
120A‧‧‧輸出信號
120B‧‧‧輸出信號
121‧‧‧照明源
122‧‧‧照明光學器件子系統
123‧‧‧光學偵測器
124‧‧‧輸出信號/量測資料
125‧‧‧樣品定位系統
127‧‧‧入射光學照明光束
128‧‧‧經收集光量/光學輻射
129‧‧‧收集光學器件
130‧‧‧計算系統/電腦系統
131‧‧‧處理器
132‧‧‧記憶體
133‧‧‧匯流排
134‧‧‧程式指令
137‧‧‧控制信號/命令信號
146‧‧‧座標系統
150‧‧‧空間光調變器(SLM)
150A‧‧‧可變形鏡(DM)
150B‧‧‧可變形鏡(DM)
151‧‧‧鏡
152‧‧‧濾光器
153‧‧‧鏡
154‧‧‧鏡
155‧‧‧偏光器
156‧‧‧偏光器狹縫
157‧‧‧變跡器
158‧‧‧鏡
159‧‧‧鏡
160‧‧‧波前感測器
160A‧‧‧波前感測器
160B‧‧‧波前感測器
161‧‧‧光束分離器
162‧‧‧濾光器
180‧‧‧照明孔隙
180A‧‧‧照明狹縫/照明孔隙
181‧‧‧照明狹縫
182‧‧‧照明孔隙
183‧‧‧主射線
184‧‧‧主射線
185‧‧‧照明孔隙
186‧‧‧照明孔隙
187‧‧‧照明孔隙
188A‧‧‧孔隙
188B‧‧‧孔隙
190‧‧‧照明光學子系統/物鏡
191‧‧‧焦點平面
192‧‧‧照明光量
193‧‧‧影像平面
194‧‧‧主平面
195‧‧‧表面平面
196‧‧‧共同線
200‧‧‧計量工具/計量系統
230‧‧‧繪圖
231‧‧‧矩形
232‧‧‧矩形
240‧‧‧繪圖
250‧‧‧繪圖
251A‧‧‧堆疊孔隙
251B‧‧‧堆疊孔隙
251C‧‧‧堆疊孔隙
252‧‧‧主射線
253‧‧‧矩形
260‧‧‧照明狹縫
261‧‧‧塊體
262‧‧‧塊體
263‧‧‧溝槽特徵部
270‧‧‧橫截面
271‧‧‧橫截面
272‧‧‧橫截面
273‧‧‧橫截面
300‧‧‧方法
301‧‧‧方塊
302‧‧‧方塊
303‧‧‧方塊
304‧‧‧方塊
310‧‧‧繪圖
311‧‧‧標繪線
312‧‧‧標繪線
320‧‧‧繪圖
321‧‧‧標繪線
322‧‧‧標繪線
330‧‧‧繪圖
331‧‧‧標繪線
332‧‧‧標繪線
340‧‧‧繪圖
341‧‧‧標繪線
342‧‧‧標繪線
400‧‧‧計量系統/寬頻光譜橢圓偏光儀(BBSE)
401‧‧‧照明源/雷射驅動光源(LDLS)
402‧‧‧照明器
403‧‧‧偏光器
404‧‧‧照明孔隙/偏光器狹縫
405‧‧‧空間光調變器/偏光照明光束
406‧‧‧照明孔隙/照明物鏡
407‧‧‧樣品
408‧‧‧收集物鏡
409‧‧‧經收集光束
410‧‧‧分析器
411‧‧‧光譜儀
圖1係繪示具有一重複裝置結構之一計量目標之反射儀量測結果之一繪圖10。
圖2圖解說明一照明光斑之一例示性強度分佈之一繪圖20。
圖3係繪示與一目標33互動之一入射光束31之一圖。
圖4圖解說明用於量測一小量測盒尺寸內之一樣品之特徵之一計量工具100。
圖5描繪在一項實施例中一照明源121及包含一可變形鏡之一照明光學器件子系統之一部分。
圖6描繪在另一實施例中一照明源121及包含一可變形鏡之一照明光學器件子系統之一部分。
圖7描繪包含定位於SLM 150之後但樣品101之前的照明光學路徑中之一波前感測器160A之一照明光學器件子系統之一部分。
圖8描繪包含定位於SLM 150之後的一定期維護位置中之一波前感測器160B之一照明光學器件子系統之一部分。
圖9圖解說明在另一實施例中用於量測一小量測盒尺寸內之一樣品之特徵之一計量工具200。
圖10描繪進入垂直於照明光束之光學軸定向之一照明狹縫181之一照明光量192。
圖11描繪進入具有相對於照明光束之光學軸定向成一斜角之一影像平面之一照明孔隙之一照明光量192。
圖12描繪在垂直於進入系統物鏡之照明光束之一光學軸定向之一矩形照明狹縫之中央及四個隅角處之場點投射之量測模擬結果。
圖13描繪如參考圖12描述之相同計量系統(惟照明狹縫相對於進入系統物鏡之照明光束之光學軸定向成一斜角除外)之量測模擬結果。
圖14描繪具有100μm x 28μm之矩形尺寸且垂直於照明光束之主射線183定向之一照明孔隙182。
圖15描繪量測模擬結果，其描繪在圖14中描繪之照明孔隙182在照明孔隙之中央及四個隅角處針對65度之一照明入射角之場點投射。
圖16描繪具有100μm x 841μm之矩形尺寸且相對於照明光束之主射線184定向成2度之一照明孔隙185。
圖17描繪量測模擬結果，其描繪在圖16中描繪之照明孔隙185在矩形偏光器狹縫之中央及四個隅角處針對65度之一照明入射角之場點投射。
圖18描繪具有垂直於一入射光束定向之一影像平面之一照明孔隙186。
圖19描繪具有相對於一入射光束定向成一斜角之一影像平面之一照明孔隙187。
圖20描繪包含分開一距離D之兩個孔隙188A及188B之一堆疊照明孔隙，兩個孔隙188A及188B共同導致具有相對於一入射光束定向成一斜角之一影像平面之照明孔隙。
圖21描繪包含分開一距離D之兩個孔隙188A及188B之一堆疊照 明孔隙，兩個孔隙188A及188B共同導致具有相對於一入射光束定向成一斜角之一影像平面之照明孔隙。
圖22描繪具有各分開420微米之三個堆疊孔隙251A至251C之一堆疊照明孔隙。
圖23描繪由在圖22中描繪之堆疊孔隙251A至251C形成之照明孔隙在照明孔隙至一樣品上之幾何投射之中央及四個隅角處針對65度之一照明AOI之場點投射。
圖24A至圖24B描繪由兩個區塊製造之一厚照明狹縫。
圖25A至圖25D分別描繪一厚照明狹縫之不同橫截面270至273。
圖26圖解說明繪示調變一計量系統之照明光以減小量測盒尺寸之一方法300之一流程圖。
圖27圖解說明繪示在一個實例中歸因於使用一可變形鏡而導致之照明光斑尺寸之一經量測減小之一繪圖310。
圖28圖解說明繪示在另一實例中歸因於使用一可變形鏡而導致之照明光斑尺寸之一經量測減小之一繪圖320。
圖29圖解說明繪示在一個實例中歸因於使用一傾斜照明孔隙而導致之照明光斑尺寸之一經量測減小之一繪圖330。
圖30圖解說明繪示在另一實例中歸因於使用一傾斜照明孔隙而導致之照明光斑尺寸之一經量測減小之一繪圖340。
圖31描繪包含定位於一照明路徑中之一空間光調變器405及具有相對於照明光束定向成一斜角之一影像平面之一照明孔隙406之一例示性計量系統400。
現將詳細參考本發明之背景實例及一些實施例，其等之實例在隨附圖式中圖解說明。
在本文中描述用於調節提供至特定量測應用中之一樣品之照明 之方法及系統。照明可經調節以減小投射至一量測目標上之照明光斑尺寸及至圍繞一量測目標之區域上之相關聯溢流。在另一實例中，照明可經調節以簡化光學設計及對準程序。在又另一實例中，照明可經調節以補償工具間變化。在一些實例中，一小照明光斑尺寸可能夠在不需擴展量測盒之尺寸之情況下使用一廣泛範圍之波長及入射角。一較小量測盒在許多應用中實現較小計量目標尺寸，因此保持有價值的晶圓區域。在一些實例中，較小計量目標可定位於切割道內、裝置區域內、晶粒中或裝置自身上。
藉由實例，圖1圖解說明特徵化用於一計量工具之量測盒尺寸規格之一個方式。圖1係繪示一計量目標之反射儀量測結果之一繪圖10，該計量目標具有帶有一已知50微米乘以50微米之圖案化區域之一重複裝置結構。跨目標掃描照明光斑尺寸。在所提供之實例中，藉由識別最佳適配經量測光譜反射儀信號之一組目標參數來量測特徵化目標之一臨界尺寸(CD)。期望CD變化保持在此測試目標內之一指定範圍內。因此，假定照明光束與目標區域之邊緣之一非所要互動在量測結果移動至此範圍外時發生。在所圖解說明之實例中，量測在約38微米之一線性掃描上係穩定的。因此，相關聯於藉由反射儀沿著掃描方向(例如，x方向)對目標之量測之量測盒尺寸係12微米(即，在x方向上之目標長度50微米與經可靠量測之沿著x方向之目標長度之部分38微米之間的差)。換言之，歸因於照明光束與目標區域之邊緣之互動，具有小於12微米之一圖案化區域之一計量目標沿著掃描方向之量測將不會產生有用結果。因此，在此實例中之最小量測盒尺寸在x方向上係12微米。注意，沿著正交方向(例如，y方向)之量測盒尺寸可不同且可取決於照明光束性質及目標性質兩者。注意，亦可預期藉由非限制性實例將一反射儀之使用提供為其他量測儀器(例如，橢圓偏光儀、散射儀等)。再者，目標邊緣對基於一臨界尺寸量測之目標量測 之影響之特徵化亦藉由非限制性實例提供。亦可預期其他度量(例如，特徵高度、側壁角度、薄膜厚度、折射率、成分、覆蓋、間距偏差、適合度、χ2等等)。
通常藉由幾何影像品質、繞射效應及像差之一組合判定照明光斑尺寸(即，入射於樣本上之照明光之光斑尺寸)。在一個實例中，幾何縮放效應影響量測盒尺寸。儘管傾斜入射角(AOI)對於量測技術(如諸如，橢圓偏光量測)係所期望的，然傾斜入射角促成照明光斑尺寸之擴大。照明光斑尺寸與1/cos(AOI)成正比，其中自垂直於待量測表面之一軸量測AOI。因此，隨著AOI增大，照明光束至經檢測表面上之投射增長。舉例而言，以垂直入射(AOI=0度)產生一20μm幾何光斑尺寸之一照明光束將以45度之一AOI產生約28微米之一幾何光斑尺寸，且將以70度之一AOI產生約58微米之一幾何光斑尺寸。因此，可聚焦至一較小有效光斑尺寸之較短波長照明光仍可滿足處於較大AOI之一小量測盒尺寸規格，而較長波長照明光不能。
在另一實例中，繞射效應影響量測盒尺寸。已知當試圖將一光束聚焦至一小光斑上時，一中央亮光斑伴隨有繞射尾。圖2圖解說明一照明光斑在樣本之入射區域上方之一例示性強度分佈之一繪圖20。如在圖2中圖解說明，強度在一中央照明光斑處達到峰值，但不是離開光束之中央便漸縮至0，強度歸因於繞射效應而呈波形離開中央，因此增大有效光斑尺寸。受繞射限制之有效光斑尺寸隨著照明光之波長而縮放。因此，較短波長照明光可聚焦至一較小有效光斑尺寸。
在又另一實例中，光學像差效應影響量測盒尺寸。一些光學像差效應之影響亦取決於照明波長。因此，選擇照明光波長之一特定子集可用於減輕對量測盒尺寸之光學像差效應。另外，亦藉由光學設計之細節界定光學像差。因此，選擇照明光波長之一特定子集以減小光學像差之影響亦取決於特定光學設計。
在又另一實例中，照明光與目標結構自身之間的互動影響有效量測盒尺寸。對有效量測盒尺寸上之一常常忽視之限制係歸因於入射光束與樣品之互動。舉例而言，如在圖3中圖解說明，一入射光束31與一目標33(例如，常用於CD計量中之一光柵目標)互動。互動可激發結構之特徵模式(諸如波導模式、表面電漿極化子)，或導致與使有效互動區域延伸越過照明光斑尺寸之目標之其他類型之諧振或非諧振互動。如在圖3中示意性地圖解說明，此將導致計量工具之收集側偵測到來自大於經照明光斑尺寸之一區域之一出射光束32。當忽視與樣本之互動效應時(即，當假定一完美反射鏡表面時)，此相較於理想情況增大計量盒尺寸。
圖4圖解說明用於量測一小量測盒尺寸內之一樣品之特徵之一計量工具100之一實施例。在一個態樣中，藉由在照明光源與量測樣本之間的照明路徑中包含一空間光調變器(SLM)來克服藉由幾何效應、光繞射效應、像差效應及照明光與目標之間的互動之任一者導致之限制。SLM經組態以調變跨照明光路徑之振幅、相位分佈或兩者以減小波前誤差。若未校正，則此等波前誤差將在偵測器處顯現自身。憑藉波前校正，達成與波前誤差未校正時可能達成相比更小之一量測盒尺寸。
如在圖4中描繪，計量系統100可用於在安置於一樣品定位系統125上之一樣品101之一量測盒區域102上方實行光學散射量測。在一些實施例中，量測盒尺寸在任何方向上係三十微米或更小。在一些實施例中，量測盒尺寸在任何方向上係十微米或更小。
一般言之且如在圖4中描繪，計量工具100包含一光學照明源121及經組態以為入射光學照明光束127塑形且將入射光學照明光束127自光學照明源121引導至樣品101之量測盒區域102之一照明光學器件子系統122。藉由非限制性實例，光學照明源121包含一或多個弧光燈、 雷射、發光二極體、雷射驅動電漿源及雷射驅動超連續光源或其等之任何組合。一般言之，可預期任何合適光學照明源或光源組合。在一些實施例中，光學照明源121經組態以產生具有在100奈米與2500奈米之間的波長分量之照明光。
照明光學器件子系統122經組態以將入射光學照明光束127準直或聚焦至樣品101之量測盒區域102。在一些實例中，照明光學器件122經組態以單色化入射光學照明光束127。在一些實施例中，照明光學器件122包含一或多個光學鏡、聚焦或散焦光學器件(反射或折射)、光學偏光組件(包含偏光器及波板)、光學孔隙、光學單色器及光束光欄或其等之任何組合。
收集光學器件129收集自樣品101散射、反射、繞射或折射之一經收集光量128且將經收集光128引導至偵測器123。偵測器123產生指示樣品對入射照明光之一回應之一輸出信號124。在一些實施例中，藉由光學偵測器123偵測經散射光學輻射128，同時樣品定位系統125定位及定向樣品101以產生經角解析之經散射光學輻射。光學偵測器123能夠解析一或多個光學光子能量且針對各光學能量分量產生指示樣品性質之信號。在一些實施例中，光學偵測器123係一CCD陣列、一光電二極體陣列、一CMOS偵測器或一光電倍增管之任一者。在一些實施例中，光學偵測器123係一光譜儀且量測資料124包含基於藉由一光學光譜儀實施之一或多個取樣程序對樣品之經量測光譜回應之一指示。
計量工具100亦包含經採用以獲取藉由光學偵測器123產生之信號124且至少部分基於所獲取信號判定樣品性質之一計算系統130。在一些實施例中，計算系統130經組態以即時存取模型參數，從而採用即時臨界尺寸標註(RTCD)，或其可存取預先計算模型之庫以判定相關聯於樣品101之至少一樣品參數值之一值。一般言之，某一形式之 CD引擎可用於評估一樣品之經指派CD參數與相關聯於經量測樣品之CD參數之間的差異。在2010年11月2日頒於KLA-Tencor Corp.之美國專利第7,826,071號中描述用於計算樣品參數值之例示性方法及系統，該案之全文以引用的方式併入本文中。一般言之，藉由非限制性實例，可藉由計算系統130應用不僅相關聯於CD而且相關聯於薄膜、覆蓋、間距偏差、焦點/劑量及成分量測之量測模型以解析樣品參數值。在一些其他實施例中，計算系統130經組態以在不參考一基於實體之參考模型(例如，基於信號回應模型之量測或覆蓋量測)之情況下判定樣品性質。
如在圖4中圖解說明，計量工具100包含經組態以在照明光束127下方移動樣品101之一樣品定位系統125。在一些實施例中，計算系統130將指示樣品101之所要位置之命令信號傳送至樣品定位系統125之運動控制器114。作為回應，運動控制器114產生命令信號至樣品定位系統125之各種致動器以達成樣品101之所要定位。
在圖4中描繪之實施例中，樣品定位系統125包含一晶圓卡盤108、運動控制器114、一旋轉置物台110及一平移置物台112及一z置物台(未展示)。旋轉置物台110及平移置物台112經組態以使樣品101在藉由座標系統146描繪之x-y平面內之兩個維度上平移。z置物台經組態以使樣品101在藉由座標系統146描繪之z方向上平移。樣品101支撐於晶圓卡盤108上。在一些實施例中，樣品101經定位以使其幾何中心大致對準旋轉置物台110之旋轉軸。以此方式，旋轉置物台110使樣品101圍繞其幾何中心以一規定角速度ω(在一可接受容限內)轉動。另外，平移置物台112使樣品101以一規定速度VT在大致垂直於旋轉置物台110之旋轉軸之一方向上平移。運動控制器114協調樣品101藉由旋轉置物台110之轉動及樣品101藉由平移置物台112之平移以達成樣品101在系統100內之所要掃描運動。
在一個態樣中，照明光學器件子系統122包含在照明光源與量測樣本之間的照明路徑中之SLM 150。SLM 150經組態以調變跨照明光路徑之振幅、相位或兩者以減小波前誤差(例如，像差)。
在一進一步態樣中，空間光調變器實現跨照明光束之相位分佈之可程式化組態。此可經採用以校正像差或消除污染信號。在一些實例中，至少部分基於特定計量目標來判定所要相位特徵。以此方式，將藉由計量系統提供之照明特別調諧至一特定目標。此調諧可在量測期間實施為一量測配方設定之部分或實施為計量工具之定期維護之一部分。
可藉由計量系統100採用數種不同類型之SLM以影響照明光之相位。藉由非限制性實例，一透射型液晶顯示器(LCD)裝置、一反射型矽基液晶(LCOS)裝置、一像素化鏡裝置及具有一連續表面之一可變形鏡裝置可經採用為計量系統100之照明路徑中之一SLM。一般言之，可預期適合於在空間上控制計量系統100之照明光之相位之任何裝置。
在一較佳實施例中，SLM 150係基於一致動連續反射表面之一可變形鏡(DM)裝置。一連續鏡表面具有100%或接近於100%之填充因數，因此相較於一像素化(即，分段)鏡裝置限制光損失。連續反射表面之一部分之變形引入照明光束之一部分上方之一光學路徑差(OPD)。對於一無色差設計，OPD引入對於所有波長皆相同之一波前失真。此能夠憑藉一單一形狀之DM使用一廣泛範圍之波長。一致動連續表面確保經程式化形狀係平滑的，且可歸因於藉由連續反射膜表面提供之致動器之間的固有內插而使用最小數目個致動器達成複雜形狀。相較於一像素化表面，跨一致動連續反射表面之空間解析度不限於致動器之數目。再者，如在一分段鏡表面之各鏡像素之邊緣處之情況，並不引起寄生繞射。在一個非限制性實例中，藉由馬薩諸塞州 (USA)劍橋市之Boston Micromachines Corporation製造一合適連續DM裝置。此一連續DM裝置具有一快速回應率(例如，若干kHz或更多)及實現高階像差之快速校正之一大變形範圍(例如，1.5μm至5.5μm或更多之衝程)。
如先前在本文中描述，一SLM(諸如一可變形鏡)可定位於自照明源121至樣品101之照明路徑中之任何處。藉由選定位置判定一DM之形狀及總需要衝程。對於像差校正，用於一DM之一較佳位置係在與光學系統之一光瞳平面共軛之一平面中。以此方式，期望入射光束之角分佈係最小的且僅需處理像差。放置於一光瞳平面共軛位置處或附近之一DM並不校正場相依像差。然而，可以增大中心場像差為代價來校正場邊緣處之像差。此將減小場光斑之有效邊緣之尺寸同時增大有效中心場光斑之尺寸。一般言之，最高階像差定位於場邊緣處。因此，總體而言，DM藉由校正場邊緣處之像差而有效地減小照明光斑之照明強度分佈之「尾」。
在設計成不具有光瞳平面或具有無法容易接取之一光瞳平面之系統中，較佳地使DM沿著光束發散度最小之照明路徑定位。
圖5描繪在一項實施例中一照明源121及包含一DM之一照明光學器件子系統之一部分。在所描繪之實施例中，一DM 150A定位於照明光學器件子系統之一偏光器狹縫156之前的照明路徑中。一照明源121產生經引導至一鏡151之一發散照明光束。在自鏡151反射之後，照明光束經大致準直且引導朝向DM 150A。在自DM 150A之表面反射之後，即藉由DM 150A之表面形狀跨場調變照明光束之振幅、相位或振幅及相位兩者。經調變照明光束在通過偏光器155(例如，若雄稜鏡(Rochon prism))之前通過一濾光器152，且自鏡153、接著鏡154反射，且最後通過偏光器狹縫156。
圖6描繪在另一實施例中一照明源121及包含一DM之一照明光學 器件子系統之一部分。在所描繪之實施例中，一DM 150B定位於照明光學器件子系統之一偏光器狹縫156之後的照明路徑中。一照明光束通過偏光器狹縫156且經引導朝向DM 150B。在自DM 150B之表面反射之後，即藉由DM 150B之表面形狀跨場調變照明光束之振幅、相位或振幅及相位兩者。經調變照明光束在入射於樣品101之表面上之前通過一變跡器157，且自鏡158、接著鏡159反射。在一些實施例中，DM之表面經處理，使得反射率依據跨DM表面之位置而變化。在此等實施例中，基於DM之空間變化反射率而跨場調變照明光束之振幅。在一些實例中，鏡塗層在幾何形狀、成分或兩者上空間地變化以達成跨DM表面之一所要反射率輪廓。
圖26圖解說明適合於藉由一計量系統(例如，在圖4中圖解說明之計量系統100)實施之一方法300。在一個態樣中，認識到，可經由藉由計算系統130之一或多個處理器執行之一預程式化演算法進行方法300之資料處理方塊。雖然在計量系統100之內容脈絡中呈現方法300之以下描述，但在本文中認識到，計量系統100之特定結構態樣並不表示限制且僅應解釋為闡釋性。
在方塊301中，定位於一計量系統之照明路徑中之一SLM自一照明源接收一照明光量。
在方塊302中，SLM調變跨自照明源至一待量測樣品之一表面之一照明光路徑之一振幅輪廓、一相位輪廓或振幅輪廓及相位輪廓兩者。
在方塊303中，舉例而言，藉由收集光學器件將來自樣品表面之一經收集光量引導至一偵測器。
在方塊304中，藉由偵測器自經收集光產生複數個輸出信號。輸出信號指示樣品對經調變照明光量之一回應。
在一進一步態樣中，一計算系統(例如，計算系統130)基於模擬 來判定SLM之一所要狀態(例如，DM之形狀)以實施一所要振幅校正、相位分佈校正或兩者。舉例而言，一可變形鏡(諸如DM 150A及150B)之表面形狀可經程式化且基於系統之模擬(即，基於系統之一模型之模擬及計算)來判定所要形狀。舉例而言，在可變形鏡之位置處模擬一相位遮罩以使用位置中之DM模擬總體系統效能。DM之形狀經計算以達成所要結果(例如，減小光斑尺寸)。系統模型包含所有系統設計度量(例如，塗層、製造誤差等等)。舉例而言，一般言之，可使用一適當電磁模擬引擎嚴密地計算傾斜入射角、繞射、像差及照明光與目標之間的互動之效應。藉由非限制性實例，可使用有限元素法、RCWA、有限差分時域分析(FDTD)、光束傳播法(BPM)以及幾何及實體光學器件模擬來實行此等計算。替代性地，亦可預期其他方法。以此方式，基於有限光斑照明、通過光學元件之光傳播等等之效應來達成SLM達成小量測盒尺寸之所要狀態之判定。
在另一進一步態樣中，一計算系統(例如，計算系統130)傳送導致可程式化SLM 150實施所要狀態之控制信號(例如，在圖4中描繪之信號137)。舉例而言，控制信號137導致一DM實施藉由計算系統130判定之一所要表面形狀。在一些實施例中，DM之表面形狀經仔細校準以達成跨鏡之所要相位分佈。另外，DM精確定位於光學系統內之位置及定向兩者上。在一些實例中，計算系統傳送導致可程式化SLM 150呈現用於光學系統之登記及對準之一特殊形狀之控制信號。在一個實例中，SLM 150可呈現一V狀以促進一特定方向(例如，x方向)上之對準。此等特殊形狀不同於在量測操作期間藉由SLM 150實施之形狀。
在另一進一步態樣中，一計算系統(例如，計算系統130)基於計量系統之一光學路徑中之波前量測來判定SLM之一所要狀態(例如，DM之形狀)以實施一所要振幅校正、相位分佈校正或兩者。舉例而 言，基於藉由定位於照明源與量測系統偵測器之間的一光學路徑中之一波前感測器對照明光之量測來判定一可變形鏡(諸如DM 150A及150B)之所要表面形狀。在圖4中描繪之實施例中，波前感測器160安置於SLM 150與樣品101之間的照明路徑中。然而，一般言之，波前感測器160可安置於照明源121與偵測器123之間的光學路徑中之任何處。
在一些實施例中，一波前感測器定位於沿著光學路徑之已知所要波前之一位置中。在此等實施例中，一計算系統比較藉由波前感測器提供之波前量測與所要波前以判定SLM之所要狀態。基於此回饋控制方法，校正在波前量測位置之前的光學路徑中引起之波前誤差。以此方式，在波前量測點之前藉由光學系統引起之誤差可在波前量測中觀察到。可基於經量測波前與所要波前之間的差異來識別誤差且以一閉合迴路或半閉合迴路方式校正誤差。
如在圖4中描繪，藉由波前感測器(例如，干涉儀、哈特曼-夏克感測器(Hartmann-Shack sensor)等等)量測一波前。經量測波前之一指示120經傳送至計算系統130。計算系統130判定DM之所要形狀。一命令信號137自計算系統130傳送至DM 150以調整可變形鏡之形狀以實現所要形狀。在一些實施例中，迭代地實行鏡形狀之量測及校正直至經量測波前匹配已知所要波前。
在一些實施例中，選擇所要波前以匹配跨一或多個計量系統之波前。藉由匹配跨一或多個計量系統之波前來改良跨時間及跨不同量測應用之工具間匹配及量測一致性。更特定言之，可變形鏡之形狀經最佳化，使得藉由一參考系統及一目標系統產生之經量測波前之間的差異經最小化以量測相同計量目標。在藉由目標計量系統實行之後續量測分析(例如，CD量測、形狀量測、薄膜量測、CD匹配應用、間距偏差量測、覆蓋量測、成分量測、焦點/劑量量測等等)中採用更新鏡 形狀。
術語參考計量系統及目標計量系統通常係指一計量系統狀態(即，目標)，其需要調適SLM以獲得與另一計量系統狀態(即，參考)之量測一致性。以此方式，相對於參考校準目標。
在一些實例中，目標計量系統及參考計量系統係不同工具。舉例而言，在一製造內容脈絡中，可有利地具有各經校準至一單一參考計量系統之一群計量系統。以此方式，該群計量系統之各者與一單一參考工具一致。在另一實例中，可有利地具有各經校準至許多計量系統之一群平均值之一或多個計量系統。以此方式，計量系統之各者與一整群計量工具一致。在另一實例中，參考及目標系統係在不同時間(例如，在一硬體維護操作之前及之後)量測之相同系統。
在一些實施例中，波前感測器定位於沿著光學路徑之一位置中，其中波前感測器提供波前量測資料作為正常線上系統操作之部分。圖7描繪包含定位於SLM 150之後但樣品101之前的照明光學路徑中之一波前感測器160A之一照明光學器件子系統之一部分。圖7包含如參考圖6描述之相同編號元件。一照明光束通過偏光器狹縫156且經引導朝向DM 150B。在自DM 150B之表面反射之後，即藉由DM 150B之表面形狀跨場調變照明光束之振幅、相位或振幅及相位兩者。經調變照明光束在到達光束分離器161之前通過一變跡器157，自鏡158、接著鏡159反射。經調變照明光束之一部分通過光束分離器且入射於樣品101之表面上。藉由光束分離器161將經調變照明光束之另一部分引導朝向波前感測器160A。波前感測器160A產生指示經量測位置處之照明光之波前之一輸出信號120A。
在一些其他實施例中，波前感測器定位於一位置中，其中波前感測器提供波前量測資料作為一定期維護操作之部分。圖8描繪包含定位於SLM 150之後的一定期維護位置中之一波前感測器160B之一照 明光學器件子系統之一部分。圖8包含如參考圖6描述之相同編號元件。一照明光束通過偏光器狹縫156且經引導朝向DM 150B。在自DM 150B之表面反射之後，即藉由DM 150B之表面形狀跨場調變照明光束之振幅、相位或振幅及相位兩者。經調變照明光束在到達波前感測器160B之前通過一變跡器157，自鏡158、接著鏡159反射且通過濾光器162。波前感測器160B產生指示經量測位置處之照明光之波前之一輸出信號120B。如在圖8中描繪，在一定期維護操作期間，樣品101在照明光之光學路徑外且波前感測器160B移動至照明光之光學路徑中。
如在圖7及圖8中描繪，在一些實施例中，可期望將波前感測器160定位成接近於發生樣品量測之位置。以此方式，可儘可能接近量測位置量測及校正藉由照明光學器件引起之波前誤差。在一些實例中，在樣品量測位置之前的波前誤差經校正，使得跨一群工具之照明波形在樣品量測點處幾乎相同。在一些實例中，獲得跨一群工具之小於0.01奈米之一相位誤差。
將波前感測器定位成儘可能接近於樣品允許直接校正藉由照明光學器件引起之經量測波前誤差。然而，當該波前感測器定位於照明路徑中時，藉由樣品自身及收集光學器件引起之波前誤差在波前量測中不可見。在另一進一步態樣中，波前感測器定位於收集路徑中，或量測偵測器自身用於提供量測回饋以判定一SLM之所要狀態(例如，一DM之形狀)。舉例而言，可採用偵測器123直接量測晶圓上之光斑尺寸品質。在此等實施例中，量測一經界定計量目標(例如，未被網格圍繞之一10μm x 10μm網格區域)且藉由計算系統130評估藉由偵測器123產生之光譜資料且將該光譜資料與一所要光譜回應比較。計算系統130判定對SLM 150之狀態之校正以減小經量測光譜資料與所要光譜資料之間的差異。在一些實施例中，所要光譜回應可為藉由量測 並不導致網格區域外側之「尾」之一較大目標(例如，未被網格圍繞之20μm x 20μm網格區域)而獲得之光譜回應。以此方式，減小尺寸之一組計量目標可用於迭代地達成導致一小量測盒尺寸之SLM 150之所要狀態。
一般言之，一波前感測器可定位於收集路徑中之任何處。使用如先前在本文中描述之一經界定計量目標實行波前量測。基於波前量測點處之經量測波前與一所要波前之間的差異來判定對SLM 150之狀態之校正。以此方式，SLM 150之狀態經調整以達成一特定所要波前。
如先前在本文中描述，將波前感測器定位成盡可能接近於樣品允許直接校正藉由照明光學器件引起之經量測波前誤差。然而，當波前感測器定位於照明路徑中時，藉由樣品自身及收集光學器件引起之波前誤差在波前量測中不可見。在一進一步態樣中，基於量測及模擬資料兩者來判定SLM之所要狀態。
若波前感測器定位於光學系統之期望校正之一部分之前的光學路徑中，則基於經量測波前資料與模擬資料之一組合來估計所要位置處之波前。基於所要位置處之經估計波前與該位置處之所要波前來判定對SLM狀態之校正。
儘管參考圖5至圖8描述之實施例尤其係指一可變形鏡，然一般言之，任何可程式化空間光調變器可用於根據本文中描述之方法達成一所要波前。
圖27圖解說明繪示歸因於使用如在本文中描述之一可變形鏡而導致之照明光斑尺寸之一經量測減小之一繪圖310。繪圖310描繪藉由照明光學器件將照明光自一基於雷射之光源投射至一待量測樣品上。標繪線311描繪當照明光學器件在照明光束路徑中包含一平面鏡表面時跨與一待量測樣品之入射點處之照明光束之強度分佈。標繪線312 描繪當照明光學器件在照明光束路徑中包含一變形鏡表面時跨與一待量測樣品之入射點處之照明光束之強度分佈。在此實例中，達成照明光斑尺寸之13%減小。
圖28圖解說明繪示歸因於使用如在本文中描述之一可變形鏡而導致之照明光斑尺寸之一經量測減小之一繪圖320。繪圖320描繪藉由照明光學器件將照明光自一雷射驅動光源(LDLS)投射至一待量測樣品上。標繪線321描繪當照明光學器件在照明光束路徑中包含一平面鏡表面時跨與一待量測樣品之入射點處之照明光束之強度分佈。標繪線322描繪當照明光學器件在照明光束路徑中包含一變形鏡表面時跨與一待量測樣品之入射點處之照明光束之強度分佈。在此實例中，達成照明光斑尺寸之15%減小。
一SLM可用於一單一光學系統中，諸如由球面光學元件組成以藉由校正系統像差而達成一較高階光學品質之一系統。然而，一般言之，一SLM可用於在不使用複雜且昂貴非球面光學元件之情況下實施一非球面光學系統。自由形式非球面通常難以製造且需要精確對準。可採用一可程式化SLM以藉由原地調諧SLM而在未精確對準之情況下模仿一非球面光學元件之光學回應。因此，在一計量工具中使用一SLM不限於減小系統之光斑尺寸。亦可採用SLM以藉由減小像差且更換各種計量工具(例如，光譜橢圓偏光儀或反射儀系統、光束輪廓反射儀/角解析散射儀系統、光譜散射儀系統、單波長橢圓偏光儀系統及其他系統)中之非球面元件而改良系統之總體光學品質。
應認識到，可藉由一單一計算系統130或替代性地一多電腦系統130進行貫穿本發明描述之各種步驟。再者，系統100之不同子系統(諸如樣品定位系統125)可包含適合於進行在本文中描述之步驟之至少一部分之一電腦系統。因此，前述描述不應解釋為對本發明之一限制而僅係一圖解。此外，一或多個計算系統130可經組態以實行在本 文中描述之方法實施例之任一者之任何(若干)其他步驟。
另外，電腦系統130可以此項技術中已知之任何方式通信耦合至光學偵測器123及SLM 150。舉例而言，一或多個計算系統130可耦合至相關聯於光學偵測器123及照明光學器件子系統122之計算系統。在另一實例中，可藉由耦合至電腦系統130之一單一電腦系統直接控制光學偵測器123及照明光學器件子系統122之任一者。
電腦系統130可經組態以藉由可包含有線及/或無線部分之一傳輸媒體自系統之子系統(例如，光學偵測器123、波前感測器160及類似物)接收及/或獲取資料或資訊。以此方式，傳輸媒體可充當電腦系統130與系統100之其他子系統之間的一資料鏈路。
計量系統100之電腦系統130可經組態以藉由可包含有線及/或無線部分之一傳輸媒體自其他系統接收及/或獲取資料或資訊(例如，量測結果、模型化輸入、模型化結果等等)。以此方式，傳輸媒體可充當電腦系統130與其他系統(例如，板上記憶體計量系統100、外部記憶體或外部系統)之間的一資料鏈路。舉例而言，計算系統130可經組態以經由一資料鏈路自一儲存媒體(即，記憶體132或一外部記憶體)接收量測資料(例如，信號124)。在一個實例中，使用光學偵測器123之一光譜儀獲得之光譜結果可儲存於一永久或半永久記憶體裝置(例如，記憶體132或一外部記憶體)中。在另一實例中，藉由電腦系統130或另一計算系統判定之SLM 150之所要狀態可儲存於一永久或半永久記憶體裝置(例如，記憶體132或一外部記憶體)中。在此方面，可自板上記憶體或自一外部記憶體系統匯入所要狀態。再者，電腦系統130可經由一傳輸媒體發送資料至其他系統。舉例而言，藉由電腦系統130或另一計算系統判定之SLM 150之所要狀態可儲存於一永久或半永久記憶體裝置(例如，記憶體132或一外部記憶體)中。在此方面，可將結果匯出至另一系統。
計算系統130可包含(但不限於)一個人電腦系統、主機電腦系統、工作站、影像電腦、並行處理器、或此項技術中已知之任何其他裝置。一般言之，術語「計算系統」可經廣泛定義以涵蓋具有執行來自一記憶體媒體之指令之一或多個處理器之任何裝置。
可透過諸如一電線、電纜或無線傳輸鏈路之一傳輸媒體傳輸實施方法(諸如在本文中描述之該等方法)之程式指令134。舉例而言，如在圖4中圖解說明，儲存於記憶體132中之程式指令透過匯流排133傳輸至處理器131。程式指令134儲存於一電腦可讀媒體(例如，記憶體132)中。例示性電腦可讀媒體包含唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟或一磁帶。
儘管可藉由電腦系統130實現判定SLM 150之所要狀態，然預期可藉由其他電腦系統(例如，計量工具100外部之一電腦系統)判定所要狀態。舉例而言，預期在一生產環境中使用SLM之前判定SLM之所要狀態。在此等實例中，預期藉由一或多個外部電腦系統實現SLM之所要形狀之判定。
在另一態樣中，一計量系統包含具有相對於照明光束以一斜角傾斜之一影像平面之一照明孔隙以克服在採用量測樣本之傾斜照明之計量系統中出現之散焦效應。
圖9在另一實施例中圖解說明用於量測一小量測盒尺寸內之一樣品之特徵之一計量工具200。如在圖9中圖解說明，計量系統200包含參考圖4描述之類似相同編號元件。在一個態樣中，照明光學器件子系統122包含具有相對於照明光束127以一斜角傾斜之一影像平面之一照明孔隙180。照明孔隙180定位於照明源121及照明光學子系統190(例如，物鏡)之一部分兩者之一中間影像平面處。
圖10描繪在進入照明物鏡190之前進入垂直於照明光束之光學軸定向之一照明狹縫181之一照明光量192。照明光之光學軸相對於樣品 101之表面定向成一斜角。在一些實例中，照明光之光學軸相對於垂直於樣品101之表面之一軸定向成約65度之一角度。在圖10中描繪之照明系統導致未與樣品101之表面對準之一焦點平面191。此導致照明狹縫181在樣品101之表面上之影像之一模糊且此模糊導致照明光斑尺寸之一有效增大。
圖11描繪具有一照明孔隙(例如，照明狹縫180A)之一照明系統，該照明孔隙使進入相對於進入物鏡190之照明光束之光學軸定向成一斜角之一照明狹縫181之照明光量192定向。在一些實施例中，照明孔隙180經定向，使得照明孔隙180A之影像平面193、物鏡190之主平面194及樣品101之表面平面195沿著一共同線196相交。此組態滿足沙伊姆弗勒條件。沙伊姆弗勒條件識別若物體平面(例如，樣品101之表面)或影像平面(例如，照明孔隙180之影像平面)相對於彼此傾斜，則物體及影像兩者至成像系統(例如，物鏡190)之主平面之距離需取決於物體高度而改變以針對所有場高度滿足幾何影像條件。如在圖11中描繪，在照明孔隙180A之影像平面之定向滿足沙伊姆弗勒條件之情況下，照明孔隙在未模糊(即，在跨整個場之焦點中)之情況下成像至樣品101之表面上。此導致照明光斑尺寸之一有效減小。
圖12描繪一計量系統(藉由加利福尼亞州(USA)苗必達市(Milpitas)之KLA-Tencor Corp.製造之SpectraShape 10000)之量測模擬結果，其描繪在垂直於進入系統物鏡之照明光束之光學軸定向之一矩形照明狹縫之中央及四個隅角處之場點投射之量測模擬結果。注意光之相對大空間分佈(尤其在最可見模糊之隅角處)之存在。
圖13描繪如參考圖12描述之相同計量系統(惟照明狹縫相對於根據沙伊姆弗勒條件進入系統物鏡之照明光束之光學軸定向成一斜角除外)之量測模擬結果。注意光跨場之相對均勻空間分佈及相較於圖12之相對小分佈尺寸。
一光學系統之影像品質包含繞射、像差及自一物體至一影像之電場轉移之幾何邊界之考量。對於在本文中論述之計量系統，光學影像品質相關於相對於經投射幾何邊界之最小有效照明光斑尺寸。一理想系統將產生不具有超越經投射幾何邊界之電場之照明孔隙之一影像。為最小化有效照明光斑尺寸，照明孔隙應定位於導致最佳影像品質且因此最小化經投射幾何邊界外側之能量分率(即，最小化相對於經投射幾何影像之實際影像尺寸)之照明光束路徑中。
一般言之，可依據物體點(x,y,z)之位置、影像點(x',y',z')之位置以及物體(kx,ky,kz)及影像(k'x,k'y,k'z)之結合波向量分量來表達自一物體至一影像之電場轉移。入射光瞳側上之焦點平面定義為z=0，且出射光瞳側上之焦點平面定義為z'=0。主射線在(x,y,z)=(0,0,0)處與入射焦點平面相交且在(x',y',z')=(0,0,0)處與出射光瞳平面相交。使用此等定義且注意物體及對應影像接近物體平面及對應影像平面之焦點，自物體至入射光瞳球面之傳播相位表達為方程式(1)， 其中， 對於小於或等於0.50之NA，方程式(2)可近似為 且方程式(1)可近似為方程式(4)。 自出射光瞳球面至影像之傳播相位表達為方程式(5)。 其中， 對於小於或等於0.50之NA'，方程式(6)可近似為 且方程式(5)可近似為方程式(8)。
像差包含為影像相位表達式中之W{x',y',NA'x(x',y'),NA'y(x',y')}。自影像至物體之放大因數m'係關於自物體至影像之放大因數m，其等之關係為m'=1/m。若放大因數係等向的，則x=m'x'，y=m'y'，NAx=NA'x/m'且NAy=NA'y/m'。
自一物體點(x,y,z)至一影像點(x',y',z')，影像品質將僅取決於不同光學路徑或等效地不同波向量之間的相位差。物體相變(OPC)表達為方程式9且影像相變(IPC)表達為方程式10。
若影像之目標位置係出射光瞳焦點平面且像差函數W等於零，則OPC(X,Y,Z)=IPC(x',y',z') (11)
其中，X=m'x'，Y=m'y'且Z=0。
如預期，出射焦點平面中之一影像之最佳物體位置在入射焦點平面中。
對於未在出射光瞳焦點平面中之一影像點及等於零之像差函數W，對應物體之最佳位置係OPC(X,Y,Z)=IPC(x',y',z') (14)
其中，X=m'x'，Y=m'y'且Z=z'm'2。
若影像平面(例如，待量測樣品之表面)相對於出射焦點平面傾斜，則影像平面可表達為x'、y'及z'之一函數。舉例而言，若樣品在x'方向上以一入射角(AOI)傾斜，則影像平面座標z'=x'tan(AOI)。若像差函數W等於零，則對應物體之最佳位置可由方程式(14)至(16)估計為 其中X=m'x'，Y=m'y'，Z=Xtan(AOI)m'，AOIObj=arctan(tan(AOI)m')且狹縫尺寸係X/cos(AOIObj)除以Y。
圖14描繪具有100μm x 28μm之矩形尺寸之一照明孔隙182(例如，偏光器狹縫)。如在圖14中描繪，照明孔隙182垂直於照明光束之主射線183而定向。
圖15描繪一計量系統(藉由加利福尼亞州(USA)苗必達市之KLA-Tencor Corp.製造之SpectraShape 10000)之量測模擬結果之一繪圖230，其描繪在圖14中描繪之照明孔隙182在矩形偏光器狹縫之中央及四個隅角處針對65度之一照明AOI及m'=14之場點投射。在圖15中描繪之矩形231圖解說明照明孔隙182至一樣品之表面上之幾何(即，理 想)投射。注意光之相對大空間分佈(尤其在最可見模糊之隅角處)之存在。
圖16描繪具有100μm x 841μm之矩形尺寸之一照明孔隙185(例如，偏光器狹縫)。如在圖16中描繪，照明孔隙185相對於照明光束之主射線184定向成2度(即，自垂直於主射線184偏離88度)。
圖17描繪一計量系統(藉由加利福尼亞州(USA)苗必達市之KLA-Tencor Corp.製造之SpectraShape 10000)之量測模擬結果之一繪圖240，其描繪在圖16中描繪之照明孔隙185在矩形偏光器狹縫之中央及四個隅角處針對65度之一照明AOI及m'=14之場點投射。在圖17中描繪之矩形232圖解說明照明孔隙185至一樣品之表面上之幾何(即，理想)投射。注意光跨場之空間分佈均勻性及相較於在圖15中針對垂直於照明光束定向之一偏光器狹縫描繪之結果之光之相對小空間分佈。
圖18描繪具有垂直於一入射光束定向之一影像平面之一照明孔隙186。圖19描繪具有相對於一入射光束定向成一斜角之一影像平面之一照明孔隙187。圖20描繪包含分開一距離D之兩個孔隙188A及188B之一堆疊照明孔隙，兩個孔隙188A及188B共同導致具有相對於一入射光束定向成一斜角之一影像平面之照明孔隙。類似地，圖21描繪包含分開一距離D之兩個孔隙188A及188B之一堆疊照明孔隙，兩個孔隙188A及188B共同導致具有相對於一入射光束定向成一斜角之一影像平面之照明孔隙。一般言之，一照明孔隙可包含任何數目個不同堆疊孔隙或組態為一連續孔隙元件。
對於一堆疊照明孔隙，應用方程式(17)。圖22描繪具有各分開420微米之三個堆疊孔隙251A至251C之一堆疊照明孔隙(例如，偏光器狹縫)。如在圖22中描繪，堆疊孔隙251A至251C之各者垂直於照明光束之主射線252而定向。然而，結合而言，由堆疊孔隙251A至251C形成之照明孔隙之影像平面相對於主射線252定向成2度(即，自垂直 於主射線252偏離88度)。
圖23描繪一計量系統(藉由加利福尼亞州(USA)苗必達市之KLA-Tencor Corp.製造之SpectraShape 10000)之量測模擬結果之一繪圖250，其描繪由在圖22中描繪之堆疊孔隙251A至251C形成之照明孔隙在照明孔隙至一樣品上之幾何投射之中央及四個隅角處針對65度之一照明AOI及m'=14之場點投射。在圖23中描繪之矩形253圖解說明由堆疊孔隙251A至251C形成之照明孔隙至一樣品之表面上之幾何(即，理想)投射。注意光跨場之空間分佈均勻性及相較於在圖15中針對垂直於照明光束定向之一偏光器狹縫描繪之結果之光之相對較小空間分佈。
對於未在出射光瞳焦點平面中之一影像點及一非零像差函數，藉由最小化由方程式(18)給出之相位差來計算對應物體之最佳位置。
對於任何給定參數組{z',X,Y,NAx及NAy}，可數值地或(對於一些函數)分析地判定最小化相位差的Z值。由於Z值取決於NAx及NAy，故可使用包含光學系統之一完整模型中之所有表面及像差之現代射線軌跡光學軟體來判定所有NAx及NAy之影像之最佳Z值。在一些實施例中，最佳化程序採用最佳無像差物體位置作為最佳化中之一起點，且最佳化孔隙或狹縫之位置以最小化一影像邊界外側之經投射能量。
圖29圖解說明繪示歸因於使用如在本文中描述之一傾斜照明孔隙而導致之照明光斑尺寸之一經量測減小之一繪圖330。繪圖330描繪藉由照明光學器件將照明光自一基於雷射之光源投射至一待量測樣品上。標繪線331描繪當照明光學器件包含具有垂直於如參考圖10、圖12及圖14至圖15描述之入射光束定向之一影像平面之一偏光器狹縫時 跨與一待量測樣品之入射點處之照明光束之強度分佈。標繪線332描繪當照明光學器件包含具有相對於如參考圖11、圖13、圖16、圖17及圖24A至圖24B描述之一入射光束定向成一斜角之一影像平面之一偏光器狹縫時跨與一待量測樣品之入射點處之照明光束之強度分佈。
圖30圖解說明繪示歸因於使用如在本文中描述之一傾斜照明孔隙而導致之照明光斑尺寸之一經量測減小之一繪圖340。繪圖340描繪藉由照明光學器件將照明光自一LDLS投射至一待量測樣品上。標繪線341描繪當照明光學器件包含具有垂直於如參考圖10、圖12及圖14至圖15描述之入射光束定向之一影像平面之一偏光器狹縫時跨與一待量測樣品之入射點處之照明光束之強度分佈。標繪線342描繪當照明光學器件包含具有相對於如參考圖11、圖13、圖16、圖17及圖24A至圖24B描述之一入射光束定向成一斜角之一影像平面之一偏光器狹縫時跨與一待量測樣品之入射點處之照明光束之強度分佈。在參考圖29及圖30描述之實驗中，達成約35%之一照明光斑尺寸減小。
可以數種不同方式實施具有相對於照明光束以一斜角傾斜之一影像平面之一照明孔隙。
在一些實施例中，一單一薄照明狹縫(例如，偏光器狹縫)相對於一照明光束以一斜角傾斜，如參考圖16至圖17及圖19描述。在一些實施例中，可藉由使用加工、三維印刷等等製造之一固持器以適當角度支撐狹縫。
在一些其他實施例中，可採用一厚照明狹縫。圖24B描繪由在圖24A中描繪之兩個塊體製造之一厚照明狹縫260之一特定實例。如在圖24A中描繪，由塊體261加工100微米寬、28微米厚且841微米長之一溝槽特徵部263。塊體262經緊固至塊體261之面以覆蓋經曝露溝槽特徵部263且形成在圖24B中描繪之厚照明狹縫260。在一些實施例中，可藉由以下方法製造厚狹縫特徵部：使用一犧牲材料(例如，鋁) 模型化厚狹縫特徵部，圍繞犧牲材料生長另一材料且接著蝕刻掉犧牲材料以實現所要厚狹縫特徵部。一般言之，可藉由任何一個製造技術(諸如夾置、膠合、放電加工、雷射加工、雷射鑽孔及雷射焊接等等)或製造技術組合製造厚狹縫特徵部。
一般言之，減小來自一厚照明狹縫之內壁之內部反射係有益的。因此，黑化、陽極處理、彎曲、重塑、粗糙化或另外變形厚狹縫之內壁表面可為有用的。
一般言之，厚狹縫沿著長度尺寸(即，與照明光束對準之方法)之橫截面形狀並不必須為矩形。圖25A至圖25D分別描繪一厚照明狹縫之不同橫截面270至273。藉由非限制性實例提供在圖25A至圖25D中描繪之橫截面。舉例而言，如在圖25C中描繪，使用橢圓形狹縫可有益於減小由矩形隅角引起之非所要邊緣效應。一般言之，可預期任何其他形狀。
在一些其他實施例中，可如參考圖21至圖23描述般採用兩個或兩個以上狹縫之一堆疊。可藉由對準計量系統自身上之堆疊以最小化光通量而達成照明狹縫之一堆疊之對準。可在圍繞照明狹縫之材料上引入登記特徵部且可採用墊片或其他機械特徵部來控制相鄰照明狹縫之間的分離。可藉由印刷、沈積或其他形式之精確製造在一玻璃基板之相對面上製造照明狹縫。
一般言之，可由雷射切割、蝕刻微影術、放電加工(EDM)、研磨、鑽孔、三維印刷或其他印刷方法形成一照明狹縫或狹縫組合。
在一進一步態樣中，一照明孔隙經組態為可調整且可程式化的。在一些實施例中，一轉塔總成包含數個不同照明孔隙，其等各具有當定位於光束路徑中時相對於照明光束定向成一斜角之一影像平面。取決於系統要求，可藉由一計算系統(例如，計算系統130)控制轉塔以將適當照明孔隙定位至照明光束路徑中。在一些實施例中，一 照明孔隙可包含可調整機械特徵部，其等可撓性地定位以改變一孔隙之尺寸、定向角、多個孔隙元件之分離、孔隙元件之對準等等。在此等實施例中，可藉由一計算系統(例如，計算系統130)控制照明孔隙以組態可調整照明孔隙以達成所要尺寸、形狀、位置、定向、對準等等。在一些其他實施例中，可藉由一可程式化材料(例如，奈米材料、自組裝材料等等)製造一照明狹縫。在一些其他實施例中，一照明孔隙可基於一空間光調變裝置(例如，一微電子機械裝置、一液晶裝置、一可程式化反射鏡裝置等等)。
一般言之，各種計量系統架構受益於藉由定位於一照明路徑中之一空間光調變器實現的一減小量測盒尺寸、具有相對於該照明光束定向成一斜角之一影像平面之一照明孔隙或兩者之一組合。在一個實例中，採用反射光學器件之基於球面光學器件之散射儀系統受益於如在本文中描述之改良照明技術。橢圓偏光儀及反射儀組態兩者皆可受益於定位於一照明路徑中之一空間光調變器、具有相對於照明光束定向成一斜角之一影像平面之一照明孔隙或兩者之一組合。在一些實施例中，一計量系統包含如在本文中描述之一橢圓偏光儀模組連同一法線入射反射儀，其中反射儀亦在照明路徑中包含一空間光調變器(例如，一可變形鏡)。在一些實例中，反射儀係基於一非球面光學器件設計。在一些其他實例中，反射儀係基於一球面光學器件設計。在一些實施例中，在組合計量系統之橢圓偏光儀與反射儀之間共用一照明源。在一些實施例中，多個照明源用於達成一寬光譜範圍(例如，用於較短波長之一雷射驅動電漿源及用於較長波長之一超連續雷射源)。在一些實施例中，一計量系統包含多個橢圓偏光儀，其等各經組態以按不同方位角實行同步量測。
圖31描繪包含具有定位於一照明路徑中之一空間光調變器之一照明器402及具有相對於如在本文中描述之照明光束定向成一斜角之 一影像平面之一照明孔隙404之一例示性計量系統400。計量系統400係具有包含經組態以跨一廣泛範圍之波長提供照明光至光譜橢圓偏光儀之一雷射驅動光源(LDLS)及一汞氙燈兩者之一照明源401之一寬頻光譜橢圓偏光儀(BBSE)。在一個態樣中，BBSE 400並不在照明或收集物鏡中包含透射光學元件。僅採用反射光學元件改良照明效率且增大量測敏感性(尤其在較短波長處)。自LDLS 401及汞氙燈發射之光經引導至包含一可變形鏡(DM)之照明器402。DM經組態以調變跨照明光路徑之振幅及相位分佈以減小如在本文中描述之波前誤差。憑藉波前校正，達成與波前誤差未校正時可能達成相比更小之一量測盒尺寸。經調變照明光束通過若雄偏光器403及偏光器狹縫404。偏光器狹縫404具有相對於照明光束以一斜角傾斜之一影像平面以克服由量測樣本之傾斜照明引起之散焦效應。在所描繪之實施例中，照明孔隙經定向，使得照明孔隙之影像平面、物鏡之主平面及待量測樣品之表面平面沿著一共同線相交。此組態滿足沙伊姆弗勒條件且在此條件下，將照明孔隙在不模糊之情況下成像至樣品407之表面上。在通過偏光器狹縫404之後，偏光照明光束405藉由照明物鏡406聚焦至樣品407上。藉由一收集物鏡408收集自樣品407之表面反射、折射、繞射及散射之光之一部分。經收集光束409通過若雄分析器410且入射於光譜儀411之一或多個偵測器上。
在一進一步實施例中，BBSE 400亦包含定位於照明及收集路徑之一者或兩者中之旋轉補償器元件。此使BBSE 400能夠實行樣品407之穆勒(Mueller)矩陣量測。
在許多實例中，主要焦點係使用本文中描述之方法及設備達成用於具有多個入射角之計量架構之一小計量盒尺寸。此等包含但不限於按其標準或穆勒矩陣(MMSE)實施方案之多AOI光譜橢圓偏光量測(SE)、多AOI光譜反射量測、光束輪廓反射量測(BPR)或光束輪廓橢 圓偏光量測(BPE)，其中BPR或BPE技術用於一維或二維角解析實施方案、角解析散射量測及光譜散射量測中。
然而，一般言之，在本文中描述之方法及設備與所有已知光學計量工具個別地相容，或組合為一組合量測分析之部分。藉由非限制性實例，此等光學計量技術包含光譜橢圓偏光量測、光譜反射量測、角解析反射量測及橢圓偏光量測、光譜散射量測、散射量測覆蓋、光束輪廓反射量測、(角及偏光解析)，光束輪廓橢圓偏光量測、單一或多離散波長橢圓偏光量測、多入射角橢圓偏光量測及光譜偏光量測等等。一般言之，可預期適用於半導體結構之特徵化之任何計量技術(包含基於影像之計量技術)。
在一些實例中，在本文中描述之達成一小尺寸量測盒之設備及方法可與諸如藉由以下申請案描述之現有聚焦光束橢圓偏光儀系統結合使用：1)1997年3月4日頒於KLA-Tencor Corporation之標題為「Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system」之美國專利第5,608,526號(其之內容以宛如全文闡述引用的方式併入本文中)，及2)1999年1月12日頒於KLA-Tencor Corporation之標題為「Apodizing filter system useful for reducing spot size in optical measurements and other applications」之美國專利第5,859,424號(其之內容以宛如全文闡述引用的方式併入本文中)。
在本文中描述之達成一小計量盒尺寸之方法及設備可用於CD計量、薄膜計量、形狀計量及成分計量。然而，此等應用並不限制，在本文中描述之方法亦可用於覆蓋計量應用、間距偏差量測應用、焦點及劑量監測應用、蝕刻監測應用、微影術應用等等。
如先前在本文中論述，照明路徑中之一SLM、具有相對於照明光定向成一斜角之一影像平面之一照明孔隙或兩者用於達成一小計量盒尺寸以作為一計量工具(例如，計量工具100)之部分。然而，達成一 小計量盒尺寸量測能力之此等方法及設備亦可實施為一製造程序及/或製造程序工具之部分。製造程序工具之實例包含(但不限於)微影術曝光工具、薄膜沈積工具、植入工具及蝕刻工具。以此方式，量測結果用於控制一製造程序。在一個實例中，藉由一微影術工具使用根據本文中描述之方法及設備自一或多個目標收集之量測資料來控制焦點及劑量。在另一實例中，藉由一蝕刻工具使用根據本文中描述之方法自一或多個目標收集之量測資料來控制諸如蝕刻時間之蝕刻程序參數。
如在本文中描述，術語「臨界尺寸」包含一結構之任何臨界尺寸(例如，底部臨界尺寸、中間臨界尺寸、頂部臨界尺寸、側壁角度、光柵高度等等)、任何兩個或兩個以上結構之間的一臨界尺寸(例如，兩個結構之間的距離)及兩個或兩個以上結構之間的一位移(例如，覆蓋光柵結構之間的覆蓋位移等等)。結構可包含三維結構、圖案化結構、覆蓋結構等等。
如在本文中描述，術語「臨界尺寸應用」或「臨界尺寸量測應用」包含任何臨界尺寸量測。
如在本文中描述，術語「計量系統」包含至少部分用於在任何態樣中特徵化一樣品之任何系統，包含臨界尺寸應用及覆蓋計量應用。然而，此等技術術語並不限制如在本文中描述之術語「計量系統」之範疇。另外，計量系統100可經組態以用於量測圖案化晶圓及/或未圖案化晶圓。計量系統可經組態為一LED檢測工具、太陽能檢測工具、邊緣檢測工具、背面檢測工具、宏觀檢測工具或多模式檢測工具(同時涉及來自一或多個平台之資料)及受益於基於臨界尺寸資料之系統參數校準之任何其他計量或檢測工具。
在本文中針對可用於處理一樣品之一半導體處理系統(例如，一檢測系統或一微影術系統)描述各種實施例。術語「樣品」在本文中用於指代一晶圓、一光罩或可藉由此項技術中已知之方法處理(例 如，印刷或檢測缺陷)之任何其他樣本。
如在本文中使用，術語「晶圓」通常係指由一半導體或非半導體材料形成之基板。實例包含(但不限於)單晶矽、砷化鎵及磷化銦。通常可在半導體製造設施中找到及/或處理此等基板。在一些情況中，一晶圓可僅包含基板(即，裸晶圓)。替代性地，一晶圓可包含形成於一基板上之不同材料之一或多個層。形成於一晶圓上之一或多個層可經「圖案化」或「未圖案化」。舉例而言，一晶圓可包含具有可重複圖案特徵之複數個晶粒。
一「光罩」可為在一光罩製造程序之任何階段處之一光罩，或可或不可經釋放以用於一半導體製造設施中之一經完成光罩。一光罩或一「遮罩」通常定義為具有形成於其上且組態成一圖案之實質上不透明區之一實質上透明基板。基板可包含(例如)一玻璃材料，諸如非晶SiO2。一光罩可在一微影術程序之一曝光步驟期間安置於一覆蓋光阻劑之晶圓上方，使得光罩上之圖案可轉印至光阻劑。
形成於一晶圓上之一或多個層可經圖案化或未圖案化。舉例而言，一晶圓可包含複數個晶粒，其等各具有可重複圖案特徵。此等材料層之形成及處理可最終導致完成之裝置。許多不同類型之裝置可形成於一晶圓上，且如在本文中使用之術語晶圓旨在涵蓋其上製造此項技術已知之任何類型裝置之一晶圓。
在一或多個例示性實施例中，可在硬體、軟體、韌體或其等之任何組合中實施所描述之功能。若實施於軟體中，則功能可作為一電腦可讀媒體上之一或多個指令或代碼被儲存或傳輸。電腦可讀媒體包含電腦儲存媒體及通信媒體兩者，通信媒體包含促進一電腦程式自一個位置轉移至另一位置之任何媒體。一儲存媒體可為可藉由一通用或專用電腦存取之任何可用媒體。藉由實例且非限制性，此電腦可讀媒體可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光碟儲存器、磁 碟儲存器或其他磁性儲存裝置或可用於攜載或儲存呈指令或資料結構之形式之所要程式碼構件且可藉由一通用或專用電腦或一通用或專用處理器存取之任何其他媒體。而且，任何連接可適當地稱為一電腦可讀媒體。舉例而言，若使用一同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、數位用戶線(DSL)或諸如紅外線、無線電及微波之無線技術自一網站、伺服器或其他遠程源傳輸軟體，則同軸電纜、光纖纜線、雙絞線、DSL或諸如紅外線、無線電及微波之無線技術包含於媒體之定義中。如在本文中使用，磁碟及光碟包含緊密光碟(CD)、雷射磁碟、光學光碟、數位多功能光碟(DVD)、軟碟及藍光光碟，其中磁碟通常磁性地重現資料，而光碟使用雷射光學地重現資料。上文之組合亦應包含於電腦可讀媒體之範疇內。
儘管在上文出於指導目的描述特定實施例，但此專利文獻之教示具有一般適用性且不限於上文描述之特定實施例。因此，在不脫離如在申請專利範圍中提及之本發明之範疇的情況下可實踐所描述之實施例之各種特徵之各種修改、調適及組合。
100‧‧‧計量工具/計量系統
101‧‧‧樣品
102‧‧‧量測盒區域
108‧‧‧晶圓卡盤
110‧‧‧旋轉置物台
112‧‧‧平移置物台
114‧‧‧運動控制器
120‧‧‧指示
121‧‧‧照明源
122‧‧‧照明光學器件子系統
123‧‧‧光學偵測器
124‧‧‧輸出信號/量測資料
125‧‧‧樣品定位系統
127‧‧‧入射光學照明光束
128‧‧‧經收集光量/光學輻射
129‧‧‧收集光學器件
130‧‧‧計算系統/電腦系統
131‧‧‧處理器
132‧‧‧記憶體
133‧‧‧匯流排
134‧‧‧程式指令
137‧‧‧控制信號/命令信號
146‧‧‧座標系統
150‧‧‧空間光調變器(SLM)
160‧‧‧波前感測器

Claims (30)

  1. 一種計量系統，其包括：一照明源，其經組態以產生一照明光量；一照明光學器件子系統，其經組態以將該照明光量自該照明源引導至一待量測樣品，其中該照明光學器件子系統包含：一空間光調變器，其安置於自該照明源至該待量測樣品之一照明光路徑中，其中該空間光調變器經組態以調變跨該照明光路徑之振幅、相位或振幅與相位之一組合；一偵測器，其經組態以產生指示該樣品對該照明光量之一回應之複數個輸出信號；及一收集光學器件子系統，其經組態以自該樣品之表面收集一經收集光量且將該經收集光量引導至該偵測器。
  2. 如請求項1之計量系統，其中該空間光調變器係一可變形鏡裝置、一像素化鏡裝置、一透射液晶顯示器裝置及一反射矽基液晶裝置之任一者。
  3. 如請求項1之計量系統，其進一步包括：一控制器，其經組態以：將一命令信號傳輸至該空間光調變器以更改該空間光調變器之一狀態以達成跨該照明光路徑之一所要振幅輪廓、相位輪廓或該振幅輪廓與該相位輪廓之一組合。
  4. 如請求項3之計量系統，其進一步包括：一波前感測器，其經組態以量測跨該照明光或跨該經收集光之振幅、相位或振幅及相位兩者。
  5. 如請求項3之計量系統，其中該波前感測器安置於該收集路徑中。
  6. 如請求項3之計量系統，其中該波前感測器安置於該照明路徑中。
  7. 如請求項4之計量系統，其中該控制器經進一步組態以：藉由該波前感測器接收跨該照明光之振幅、相位或振幅及相位兩者之一量測之一指示；及至少部分基於藉由該波前感測器之跨該照明光之振幅、相位或振幅及相位兩者之該量測而判定跨該照明光路徑之該所要振幅輪廓、相位輪廓或該所要振幅輪廓及該所要相位輪廓兩者。
  8. 如請求項3之計量系統，其中跨該計量系統之該照明光路徑之該所要振幅輪廓、相位輪廓或該所要振幅輪廓及該所要相位輪廓兩者匹配跨另一計量系統或計量系統群組之該照明光路徑之一所要振幅輪廓、相位輪廓或該所要振幅輪廓及該所要相位輪廓兩者。
  9. 如請求項1之計量系統，其中該計量系統之一量測盒尺寸在任何方向上皆小於30微米。
  10. 如請求項1之計量系統，其中該計量系統之一量測盒尺寸在任何方向上皆小於10微米。
  11. 如請求項1之計量系統，其中該計量系統係一橢圓偏光儀，其中以一或多個入射角將該照明光量引導至該待量測樣品。
  12. 如請求項11之計量系統，其中該橢圓偏光儀經組態以實行穆勒矩陣量測。
  13. 如請求項1之計量系統，其中該計量系統經組態以實行薄膜計量、成分計量、臨界尺寸計量、形狀計量及覆蓋計量之任一者。
  14. 如請求項3之計量系統，其中跨該照明光路徑之該所要振幅輪廓、相位輪廓或該振幅輪廓與相位輪廓之組合經選擇以匹配一 參考計量系統之該振幅輪廓、相位輪廓或該振幅輪廓與相位輪廓之組合。
  15. 一種方法，其包括：自一照明源接收一照明光量；調變跨自該照明源至一待量測樣品之一表面之一照明光路徑之一振幅輪廓、一相位輪廓或該振幅輪廓及該相位輪廓兩者；將來自該樣品之該表面之一經收集光量引導至一偵測器；及由該經收集光產生複數個輸出信號，其中該等輸出信號指示該樣品對該經調變照明光量之一回應。
  16. 如請求項15之方法，其進一步包括：至少部分基於該複數個輸出信號判定一結構參數之一估計。
  17. 如請求項15之方法，其進一步包括：判定該經調變照明光之一所要振幅輪廓、相位輪廓或該所要振幅輪廓及該所要相位輪廓兩者；及將一命令信號傳輸至一空間光調變器以更改該空間光調變器之一狀態以達成該所要振幅輪廓、相位輪廓或該振幅輪廓與該相位輪廓之一組合。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包括：量測跨該經調變照明光或跨該經收集光之該振幅、相位或該振幅及該相位兩者，且其中該判定該所要振幅輪廓、相位輪廓或該所要振幅輪廓及該所要相位輪廓兩者係至少部分基於經量測振幅、相位或振幅及相位兩者。
  19. 如請求項15之方法，其中該調變跨該照明光路徑之該相位輪廓涉及自具有一可程式化表面輪廓之一可變形鏡反射該照明光。
  20. 一種計量系統，其包括：一照明源，其經組態以產生一照明光量； 一照明光學器件子系統，其經組態以將該照明光量自該照明源引導至一待量測樣品，其中該照明光學器件子系統包含一照明孔隙，該照明孔隙具有相對於通過該照明孔隙之一照明光束定向成一斜角之一影像平面；一偵測器，其經組態以產生指示該樣品對該照明光量之一回應之複數個輸出信號；及一收集光學器件子系統，其經組態以自該樣品之表面收集一經收集光量且將該經收集光量引導至該偵測器。
  21. 如請求項20之計量系統，其中在該照明光束與該待量測樣品之入射點處，該照明光束相對於該待量測樣品之該表面定向成一斜角。
  22. 如請求項20之計量系統，其中該照明孔隙係一照明狹縫，該照明狹縫相對於通過該照明狹縫之該照明光束定向成一斜角。
  23. 如請求項20之計量系統，其中該照明孔隙包含複數個堆疊照明狹縫。
  24. 如請求項20之計量系統，其中該照明孔隙之一橫截面係一矩形形狀及一橢圓形形狀之任一者。
  25. 如請求項20之計量系統，其中該照明孔隙之一焦點平面、該照明光學器件子系統之一物鏡之一焦點平面及自該待量測樣品之該表面延伸之一平面沿著一單一線相交。
  26. 如請求項20之計量系統，其中該照明孔隙可經調整，使得該照明孔隙之該影像平面可相對於通過該照明孔隙之該照明光束而重新定向。
  27. 如請求項20之計量系統，其中該照明孔隙可選自安裝至一機械總成之複數個照明孔隙，該機械總成選擇性地將一選定照明孔隙插入至該計量系統之一光學路徑中。
  28. 如請求項20之計量系統，其中該計量系統係一橢圓偏光儀，其中以一或多個入射角將該照明光量引導至該待量測樣品。
  29. 如請求項28之計量系統，其中該橢圓偏光儀經組態以實行穆勒矩陣量測。
  30. 如請求項20之計量系統，其中該計量系統經組態以實行薄膜計量、成分計量、臨界尺寸計量、形狀計量及覆蓋計量之任一者。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI746863B (zh) * 2017-07-01 2021-11-21 美商克萊譚克公司 用於控制及量測一樣本之檢測之極化之系統及方法
US11448499B2 (en) 2020-02-24 2022-09-20 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
US11454491B2 (en) 2020-02-24 2022-09-27 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems having light source with extended spectrum for semiconductor chip surface topography metrology
TWI783220B (zh) * 2020-02-24 2022-11-11 大陸商長江存儲科技有限責任公司 用於半導體晶片表面形貌計量的系統和方法
TWI792128B (zh) * 2019-12-27 2023-02-11 美商豪威科技股份有限公司 利用極化和相位檢測光電二極體獲得三維形狀資訊之裝置及方法
TWI798614B (zh) * 2019-12-26 2023-04-11 以色列商諾威股份有限公司 光學臨界尺寸與光反射組合裝置、系統及方法
US11796307B2 (en) 2020-02-24 2023-10-24 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3358413A1 (en) * 2017-02-02 2018-08-08 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
US11333621B2 (en) * 2017-07-11 2022-05-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction
KR102580389B1 (ko) * 2018-02-13 2023-09-19 코닝 인코포레이티드 유리 시트 검사 장치 및 방법
CN108519335A (zh) * 2018-04-10 2018-09-11 中北大学 一种基于弹光调制的光谱椭偏测量装置及方法
CN108761486B (zh) * 2018-05-16 2021-02-19 泛测（北京）环境科技有限公司 基于Scheimpflug原理的激光雷达系统
US11791189B2 (en) * 2018-10-05 2023-10-17 Lam Research Corporation Reflectometer to monitor substrate movement
US10989591B2 (en) * 2019-02-08 2021-04-27 University Of Maryland, College Park Methods and arrangements to enhance optical signals within aberrated or scattering samples
WO2020191134A1 (en) * 2019-03-19 2020-09-24 Momentum Optics Thermally guided chemical etching of a substrate and real-time monitoring thereof
US11698326B2 (en) * 2019-08-16 2023-07-11 Corning Incorporated Nondestructive imaging and surface quality inspection of structured plates
US11512948B2 (en) * 2020-05-26 2022-11-29 Kla Corporation Imaging system for buried metrology targets
US11079220B1 (en) * 2020-09-11 2021-08-03 Onto Innovation Inc. Calibration of azimuth angle for optical metrology stage using grating-coupled surface plasmon resonance
JP2023546872A (ja) * 2020-10-15 2023-11-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 光学装置のためのシースルー計測システム、装置、及び方法
KR102537459B1 (ko) * 2021-03-31 2023-06-23 주식회사 딘포 캡슐 상품 자동 판매기
US20230236113A1 (en) * 2022-01-25 2023-07-27 Kla Corporation Annular apodizer for small target overlay measurement
US20230341337A1 (en) * 2022-04-20 2023-10-26 Kla Corporation Measurement of thick films and high aspect ratio structures
US20240027186A1 (en) * 2022-07-22 2024-01-25 Onto Innovation Inc. Apparatus to characterize substrates and films

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0119356A1 (en) 1982-12-24 1984-09-26 Plessey Overseas Limited Apparatus for measuring parameters of optical fibres
US5608526A (en) 1995-01-19 1997-03-04 Tencor Instruments Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system
US5859424A (en) 1997-04-08 1999-01-12 Kla-Tencor Corporation Apodizing filter system useful for reducing spot size in optical measurements and other applications
US6278519B1 (en) * 1998-01-29 2001-08-21 Therma-Wave, Inc. Apparatus for analyzing multi-layer thin film stacks on semiconductors
US6707020B1 (en) * 1999-12-28 2004-03-16 Mza Associates Corporation Adaptive dynamic range wavefront sensor
US6429943B1 (en) 2000-03-29 2002-08-06 Therma-Wave, Inc. Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements
US6982791B2 (en) * 2001-12-19 2006-01-03 Therma-Wave, Inc. Scatterometry to simultaneously measure critical dimensions and film properties
US6924893B2 (en) * 2002-05-13 2005-08-02 Marine Biological Laboratory Enhancing polarized light microscopy
AU2003245458A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-31 Advanced Research And Technology Institute, Inc. Method and apparatus for improving both lateral and axial resolution in ophthalmoscopy
US20040218172A1 (en) * 2003-01-24 2004-11-04 Deverse Richard A. Application of spatial light modulators for new modalities in spectrometry and imaging
GB0314444D0 (en) * 2003-06-20 2003-07-23 Univ Heriot Watt Novel wavefront sensor
US7478019B2 (en) 2005-01-26 2009-01-13 Kla-Tencor Corporation Multiple tool and structure analysis
US7567351B2 (en) 2006-02-02 2009-07-28 Kla-Tencor Corporation High resolution monitoring of CD variations
US8908175B1 (en) 2006-03-31 2014-12-09 Kla-Tencor Corporation Flexible scatterometry metrology system and method
KR101657053B1 (ko) * 2008-04-24 2016-09-13 마이크로닉 마이데이타 에이비 구조화된 거울 표면을 가진 공간적 광 조절기
JP2009300348A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Opcell Co Ltd レーザ走査装置
US8125641B2 (en) * 2009-03-27 2012-02-28 N&K Technology, Inc. Method and apparatus for phase-compensated sensitivity-enhanced spectroscopy (PCSES)
US8253940B1 (en) * 2009-08-24 2012-08-28 J. A. Woollam Co., Inc. UV-IR range variable angle spectroscopic ellipsometer
US8441639B2 (en) 2009-09-03 2013-05-14 Kla-Tencor Corp. Metrology systems and methods
US9400246B2 (en) * 2011-10-11 2016-07-26 Kla-Tencor Corporation Optical metrology tool equipped with modulated illumination sources
US9228943B2 (en) * 2011-10-27 2016-01-05 Kla-Tencor Corporation Dynamically adjustable semiconductor metrology system
EP2823288B1 (en) * 2012-03-07 2021-05-05 KLA-Tencor Corporation Wafer and reticle inspection systems and method for selecting illumination pupil configurations
JP5865738B2 (ja) * 2012-03-13 2016-02-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
US20130245985A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Kla-Tencor Corporation Calibration Of An Optical Metrology System For Critical Dimension Application Matching
WO2013181156A1 (en) * 2012-05-29 2013-12-05 Kla-Tencor Corporation Small spot size spectroscopic ellipsometer
US9581430B2 (en) 2012-10-19 2017-02-28 Kla-Tencor Corporation Phase characterization of targets
US9879977B2 (en) 2012-11-09 2018-01-30 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for optical metrology with optimized system parameters
US10769320B2 (en) 2012-12-18 2020-09-08 Kla-Tencor Corporation Integrated use of model-based metrology and a process model
US9116103B2 (en) 2013-01-14 2015-08-25 Kla-Tencor Corporation Multiple angles of incidence semiconductor metrology systems and methods
US9291554B2 (en) 2013-02-05 2016-03-22 Kla-Tencor Corporation Method of electromagnetic modeling of finite structures and finite illumination for metrology and inspection
US9412673B2 (en) 2013-08-23 2016-08-09 Kla-Tencor Corporation Multi-model metrology
US9518916B1 (en) * 2013-10-18 2016-12-13 Kla-Tencor Corporation Compressive sensing for metrology

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI746863B (zh) * 2017-07-01 2021-11-21 美商克萊譚克公司 用於控制及量測一樣本之檢測之極化之系統及方法
TWI798614B (zh) * 2019-12-26 2023-04-11 以色列商諾威股份有限公司 光學臨界尺寸與光反射組合裝置、系統及方法
TWI792128B (zh) * 2019-12-27 2023-02-11 美商豪威科技股份有限公司 利用極化和相位檢測光電二極體獲得三維形狀資訊之裝置及方法
US11448499B2 (en) 2020-02-24 2022-09-20 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
US11454491B2 (en) 2020-02-24 2022-09-27 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems having light source with extended spectrum for semiconductor chip surface topography metrology
TWI783220B (zh) * 2020-02-24 2022-11-11 大陸商長江存儲科技有限責任公司 用於半導體晶片表面形貌計量的系統和方法
US11562919B2 (en) 2020-02-24 2023-01-24 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
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