JP2021507289A - 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末 - Google Patents

表示パネル、ディスプレイ及び表示端末 Download PDF

Info

Publication number
JP2021507289A
JP2021507289A JP2020532905A JP2020532905A JP2021507289A JP 2021507289 A JP2021507289 A JP 2021507289A JP 2020532905 A JP2020532905 A JP 2020532905A JP 2020532905 A JP2020532905 A JP 2020532905A JP 2021507289 A JP2021507289 A JP 2021507289A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display panel
substrate
display
electrode
pixel aperture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020532905A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7125485B2 (ja
Inventor
ジュンフイ ロウ
ジュンフイ ロウ
ヤナン ジ
ヤナン ジ
ヤンキン ソン
ヤンキン ソン
レピン アン
レピン アン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd filed Critical Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Publication of JP2021507289A publication Critical patent/JP2021507289A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7125485B2 publication Critical patent/JP7125485B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80515Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80521Cathodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本発明は、表示パネル、ディスプレイ及び表示端末に関する。当該表示パネルは、基板(110)と、基板(110)に形成された画素定義層(120)とを含み、画素定義層(120)には、第1タイプ画素開口を含む画素開口(130)が形成されており、第1タイプ画素開口が基板(110)に投射される投影像は各辺が曲線になっており、互いに平行ではない。

Description

本発明は、表示技術分野に関し、特に表示パネル、ディスプレイ及び表示端末に関する。
本出願は、2018年8月6日に中国特許庁に出願された201810886049.Xという出願番号である「表示パネル、ディスプレイ及び表示端末」の特許出願に基づいて優先権を主張し、その内容はすべて参照により本明細書に組み込まれる。
表示端末の急速な発展に伴い、スクリーン占有率に対するユーザーの要求がますます高まっており、全面スクリーンで表示のよう可能な電子機器は業界においてますます注目を集めている。携帯電話やタブレット等の従来の電子機器において、フロントカメラ、イヤホーン、赤外線検知素子等を統合する必要があるため、ディスプレイにノッチ(Notch)を設け、当該ノッチ領域に透明なディスプレイを設けることで、表示端末の全面スクリーンでの表示を実現できる。
本発明は、表示パネル、ディスプレイ及び表示端末を提供する。
本発明に係る表示パネルは、基板と、基板に形成された画素定義層とを含む。画素定義層には、第1タイプ画素開口を含む画素開口が形成されており、当該第1タイプ画素開口が基板に投射される投影像の各辺が曲線になっており、互いに平行でない。
本発明に係るディスプレイは、静止画像又は動画像を表示するための第1表示領域を含み、第1表示領域に設けられた前記表示パネルをさらに含む。
本発明に係る表示端末は、機器本体と、前記ディスプレイとを含む。機器本体は、部品領域を有し、ディスプレイは、機器本体を覆うように設けられている。部品領域は、第1表示領域の下側に位置され、当該部品領域に受光部品が設けられている。
本発明の実施例又は従来技術による技術案をより明らかに説明するために、実施例又は従来技術を記述するのに必要な図面を簡単に説明する。後述する図面は本発明の実施例に過ぎず、当業者として創造的な努力を必要とせずに、これらの図面に基づいて他の実施例の図面を得られることが明らかである。
一実施例における表示パネルの断面図である。 一実施例における画素定義層が基板に投射される投影像の模式図である。 他の一実施例における画素定義層が基板に投射される投影像の模式図である。 他の一実施例における画素定義層が基板に投射される投影像の模式図である。 他の一実施例における画素定義層が基板に投射される投影像の模式図である。 もう一つの実施例における画素定義層が基板に投射される投影像の模式図である。 さらにもう一つの実施例における画素定義層が基板に投射される投影像の模式図である。 一実施例におけるPMOLED表示パネルである表示パネルの第1電極の模式図である。 他の一実施例におけるPMOLED表示パネルである表示パネルの第1電極の模式図である。 また他の一実施例におけるPMOLED表示パネルである表示パネルの第1電極の模式図である。 さらに他の一実施例におけるPMOLED表示パネルである表示パネルの第1電極の模式図である。 一実施例における表示パネルの第1電極及び画素開口が基板に投射される投影像の模式図である。 一実施例におけるAMOLED表示パネルである表示パネルのアノードの模式図である。 他の一実施例におけるAMOLED表示パネルである表示パネルのアノードの模式図である。 一実施例における表示パネルのアノード及び画素開口が基板に投射される投影像の模式図である。 一実施例におけるディスプレイの模式図である。 一実施例における表示端末の模式図である。 一実施例における機器本体の模式図である。
本発明の目的、技術方案及び利点をより明確にするために、以下、添付した図面及び実施例を参照しながら本発明を詳細に説明する。なお、本明細書に記述される具体的な実施例は本発明を解釈するためのものに過ぎず、本発明を限定するためのものではない。
本明細書の記述において、「中心」、「横方向」、「上」、「下」、「左」、「右」、「鉛直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」及び「外」などの用語で指明される方位や位置関係は、図面に示す方位や位置関係に基づくものである。これらの用語は、本明細書を便利で簡潔に記述するためにしたものであり、関連する装置や素子が必ずその特定された方位や、特定された方位構造と操作であることを明示するものではない。本発明の範囲を限定するためではないと理解されるべきである。なお、説明したいのは、ある要素が「他の要素上に形成される」ように記載する場合、当該要素が他の要素に直接接続されるか、中間要素を有する可能性もある。また、ある要素が他の要素「に接続される」ように記載する場合、当該要素が他の要素に直接接続されるか、或いは、中間要素を有する可能性もある。一方、ある要素が他の要素「に直接」されたように記載する場合、中間要素が存在しない。
発明者は、カメラなどの受光部品を透明な表示パネルの下に置くと、撮影された画像がぼけることを発見した。本発明者は、研究したうえ、この問題の原因が、電子機器のディスプレイ内に導電性トレースが存在し、外部光線はこれらの導電性トレースを通り抜ける際に複雑な回折強度分布が生じて、回折縞が現れ、カメラなどの受光部品の正常作動に影響を与えるからであると考えた。例えば、透明な表示領域の下に位置するカメラが作動する際に、外部光線が、ディスプレイ内のワイヤ材料のトレースを通り抜けた後、より大きく回折した結果、カメラで撮影された画面が歪んでしまう。
このような問題を解決するために、本発明の一実施例では、表示パネルを提供する。図1は、一実施例における表示パネルの断面図である。当該表示パネルは、基板110と、基板110に形成された画素定義層120とを含む。画素定義層120には、画素の発光領域を定義する画素開口130が形成されている。本実施例で言及した画素は、例えば副画素といった最小画素単位である。
画素開口130は、第1タイプ画素開口を含む。基板上への第1タイプ画素開口の投影は、各辺が互いに平行でないと共に曲線になっている。即ち、第1タイプ画素開口は、各方向において幅が変化し、同じ箇所でも回折の拡散方向が異なる。光が、スリット、小孔又はディスクのような障害物を通り抜ける際に異なる程度の発散伝播が発生することで元の直進伝播から逸れる現象は回折と呼ばれる。回折過程において、回折縞の分布は、例えば、スリットの幅、小孔の寸法などの障害物の寸法の影響を受ける。同じ幅である箇所で発生した回折縞の位置は一致しているため、より顕著な回折現象が生じ得る。本実施例において、外部光線が当該第1タイプ画素開口を通り抜けると、幅が異なる箇所で異なる位置及び異なる拡散方向を持つ回折縞が発生されるため、顕著な回折現象がなくなるので、表示パネルの下に設けられた受光素子を正常に作動させることが確保される。
従来の画素定義層の画素開口は、画素サイズによって矩形に構成されている。矩形は、互いに平行している2組の辺を有し、2つの長辺の互いの距離がすべて等しく、2つの短辺の互いの距離もすべて等しい。従って、外部光線が当該画素開口を通り抜けると、長辺方向又は短辺方向の異なる箇所で同じ位置と同じ拡散方向を持つ回折縞が発生され、顕著な回折現象が発生することによって、表示パネルの下にある受光素子が正常に作動できなくなる。本実施例にかかる表示パネルにおいて、上記問題を解決でき、表示パネルの下にある受光素子を正常に作動させることを確保できる。
一実施例において、基板110は、ガラス基板、石英基板、又はプラスチック基板等の透明基板であってもよい。
一実施例において、第1タイプ画素開口の基板110への投影像の各辺は、円形、楕円形、及び曲率が変化する曲線のうちの少なくとも1つであってもよい。
一実施例において、第1タイプ画素開口の基板110への投影像は、1つの図形単位であるか互いに連通された複数の図形単位であってもよい。当該図形単位は、円形又は楕円形であってもよい。当該図形単位は、各箇所の曲率半径が異なる曲線で構成されてもよい。図形単位の数は、対応する副画素の形状によって確定されてもよい。例えば、数は、副画素のアスペクト比によって確定されてもよい。図形単位の数を確定する際に、画素の開口率と合わせて確定する必要がある。一実施例において、図形単位は、表示パネル上のすべての画素が同じ開口率を有するように軸対称構造を有してもよい。これによって、最終的な表示効果に影響を与えないことが確保される。
第1タイプ画素開口の基板110への投影像は少なくとも2つの図形単位を備える場合に、投影像は、第1接続部をさらに含む。少なくとも2つの図形単位は、第1接続部を介して互いに連通されて全体的に連通された図形領域を形成する。第1接続部の各辺は、曲線及び直線の少なくとも一方から構成されてもよい。第1接続部の各辺は直線である場合、第1接続部の形状はストリップ状である。一実施例において、第1接続部の各辺はすべて曲線で構成される。これにより、光は接続部の箇所でも異なる方向に拡散し、回折現象を弱めることができる。
図2は、一実施例における画素定義層120を基板110に投射した投影像の模式図である。本実施例において、画素定義層120の画素開口130は、すべて第1タイプ画素開口である。複数の第1タイプ画素開口は、基板110に規則的にアレイ配列される。第1タイプ画素開口の基板110への投影像130aの各辺はすべて曲線であり、即ち第1タイプ画素開口の各辺はすべて曲線である。従って、光が第1タイプ画素開口を通り抜けると、発生された回折縞は一方向のみに拡散されず、回折は顕著でなくなり、回折改善効果が高い。具体的には、基板110への第1タイプ画素開口の各々の投影像130a(以下、投影像130aと略称する)は、1つの円形又は少なくとも2つの円形が互いに連通された図形である。投影像130aに含まれる円形の数は、対応する副画素の形状に応じて確定されてもよい。
図2を参照すると、本実施例において、第1タイプ画素開口130に対応する副画素の形状は、アスペクト比が1.5未満の長方形又は正方形であり、即ち、第1タイプ画素開口130に対応する副画素の形状のアスペクト比が1.5未満である場合、投影像130aは1つの円である。一実施例において、投影像130aは軸対称の図形であり、その対称軸が対応する副画素の対称軸に相応する。投影像130aが形成する円の直径は、副画素の最小幅よりも小さい。具体的には、投影像130aが形成する円の直径は、副画素の形状に応じて開口率を合わせて確定されてもよい。投影像130aが形成した円の直径を確定する方法は、画素開口のサイズを確定するための従来の方法を採用してもよく、ここでは説明は省略する。
図3は、他の一実施例における画素定義層120を基板110に投射した投影像の模式図である。本実施例において、画素開口130は、同様に、すべて第1タイプ画素開口であり、各第1タイプ画素開口が基板110に規則的に配列されている。本実施例において、第1タイプ画素開口に対応する画素のアスペクト比は、1.5から2.5までの範囲に入る。この場合、投影像130aは、2つの円形が互いに連通されることにより形成されたダンベル状である。2つの円は、それぞれ対応する副画素の長さ方向に沿って配列される。一実施例において、2つの円の間に第1接続部1301が形成されており、第1接続部1301の両辺はすべて曲線である。これにより、第1接続部1301を通り抜けるときに光が異なる複数方向に拡散されることが確保され、回折現象を改善できる。
図4は、一実施例における画素定義層120を基板110に投射した投影像の模式図である。本実施例において、画素開口130は、同様に、すべて第1タイプ画素開口であり、各第1タイプ画素開口が基板110に規則的に配列される。本実施例において、第1タイプ画素開口に対応する副画素のアスペクト比は、2.5より大きい。この場合、投影像130aは、3つ以上の円形が互いに連通された波状である。3つ以上の円形は、それぞれ対応する副画素の長さ方向に沿って配列される。一実施例において、投影像130aに、第1接続部1302をさらに形成する。第1接続部1302は弧状になっており、即ち、3つ以上の円形間の交差部分が円弧で接続されている。このようにして、第1接続部1302を通り抜けるときに光が異なる複数方向に拡散されることが確保され、回折現象を改善できる。
第1タイプ画素開口に対応する副画素のアスペクト比が1.5である場合、投影像130aは、1つの円形であってもよく、2つの円形が互いに連通されたダンベル状であってもよい。第1タイプ画素開口に対応する副画素のアスペクト比が2.5である場合、投影像130aは、2つの円形が互いに連通されたダンベル状であってもよく、3つ以上の円形が互いに連通された波状であってもよい。
図5は、一実施例における画素定義層120を基板110に投射した投影像の模式図である。本実施例において、画素開口130は、同様に、すべて第1タイプ画素開口であり、各第1タイプ画素開口が基板110に規則的に配列される。図5を参照すると、投影像130aは一つの楕円である。この場合、楕円のサイズと副画素のサイズとがマッチングされる。例えば、副画素のアスペクト比が1.2である場合、楕円の長軸と短軸との比率は1.2である。一実施例において、楕円の中心は、対応する副画素の中心にマッチングされる。他の実施例において、第1タイプ画素開口に対応する副画素のアスペクト比が大きい場合、投影像130aは、2つ以上の楕円が連通された波状であってもよい。
図2〜図5から分かるように、投影像130aは各方向にそれぞれで変化した幅を有し、即ち、第1タイプ画素開口は各方向にそれぞれで変化した幅を有しているため、光が通り抜ける際に、幅の異なる箇所で異なる位置の回折縞が発生され、回折現象が弱くなる。
一実施例において、図6に示すように、投影像130aには、複数の突出130bが形成されている。複数の突出130bは、投影像130aのエッジに沿って配列されている。突出130bの辺は、すべて曲線である。画素定義層120は副画素の形状を定義するものであるため、最終的に得られた副画素も副画素のエッジに沿って配列された複数の突出を有する。副画素上に複数の突出130bを設けることによって、副画素の各場所の幅をさらに分散させることができ、回折現象が低減される。
一実施例において、画素開口130は、第2タイプ画素開口をさらに有してもよい。この場合、画素定義層120を基板110に投射した投影像は、図7に示されている。第2タイプ画素開口を基板110に投射した投影像は130dであり、副画素と同じ形状を有する。本実施例において、副画素の形状は正方形であるので、投影像130dも正方形になり、これによって画素開口率がある程度向上される。投影像130a及び投影像130dは、いずれも基板110に規則的に配列されて、交互に分布する。即ち、第1タイプ画素開口及び第2タイプ画素開口は、表示パネル全体の回折現象が至る所で一致するように、均等かつ規則的に配列される。
一実施例において、画素定義層120の各画素開口130は、第1タイプ画素開口及び第2タイプ画素開口を含み、第1タイプ画素開口及び第2タイプ画素開口の各辺は、いずれも非平滑辺である。非平滑辺上に複数の突出が形成され、突出の辺は直線及び/又は曲線である。画素開口130の各辺を非平滑辺とすることで、各画素開口の各場所の幅をさらに分散させることができ、回折現象が低減される。
一実施例において、表示パネルは、発光領域に形成された発光構造140をさらに含む。隣接する2つの発光構造140の間には、画素定義層120が形成されている。発光構造140は、基板110に形成された波状の第1電極142を含む。図8は、複数の第1電極142の模式図である。この場合、表示パネルは、パッシブマトリクス有機エレクトロルミネッセンス発光ダイオード(Passive−Matrix Organic Light−Emitting Diode、PMOLED)表示パネルである。本実施例において、第1電極142は波状であるため、その幅は、第1電極142の延在方向に連続的又は断続的に変化する。
幅が連続的に変化することは、第1電極142において隣接する任意の2箇所での幅が異なることを意味する。図8では、第1電極142の延在方向はその長さ方向である。第1電極142の幅は、延在方向に連続的に変化する。幅が断続的に変化することは、第1電極142に一部領域において隣接する2箇所での幅が同一である一方、他の一部領域において隣接する2箇所での幅が異なることを意味する。本実施例において、複数の第1電極142は、基板110に規則的に配列されているため、隣接する2つの第1電極142の隙間は、第1電極142の延在方向に平行である方向にも連続的又は断続的に変化する。第1電極142の幅は、延在方向に連続的に或いは断続的に変化することが周期的であってもよく、一つの変更周期が一つの画素の幅に対応してもよい。
一実施例において、図8に示すように、第1電極142の延在方向の両辺とも波状である。延長方向の両辺は、ピークTが対向して配置され、トラフBも対向して配置される。本実施例において、両辺とも同じ弧状の辺が互いに接続することによって形成される。他の実施例において、図9に示すように、両辺とも同じ楕円状の辺が互いに接続することによって形成されてもよい。円弧又は楕円形が互いに接続することによって第1電極142の両辺を波状に形成することで、第1電極142に発生された回折縞が異なる方向に拡散されることが確保され、相対的に顕著な回折現象を避けることができる。
一実施例において、図10に示すように、第1電極142のトラフが対向している箇所には、第2接続部1422が形成される。第2接続部1422は、ストリップ状である。第2接続部1422の幅Wは、4μmより大きいと共に、第1電極142の最大幅よりも小さくすべきである。一実施例において、第1電極142の隣接する2つの第2接続部1422の間の領域は、1つの画素開口に対応し、第2接続部1422は、隣接する2つの画素開口の隙間に対応する。第2接続部1422の幅Wを調整することで、第1電極142の抵抗を使用要求を満たすように調整することを実現することができる。他の実施例において、第2接続部1422は、例えば中間が小さく両端が大きい形状、或いは中間が大きく両端が小さい形状といった他の規則ではない構造を採用してもよい。
他の実施例において、図11に示すように、第1電極142には、複数の突出142aが形成されている。複数の突出142aの辺は、曲線である。第1電極142に複数の突出142aを設けることで、第1電極142の各場所の幅をさらに分散させることができ、回折現象が低減される。
他の実施例において、発光構造140は、図1に示すように、第1電極142に形成された発光層144と、第2電極146とをさらに含む。ここで、第1電極142はアノードであり、第2電極146はカソードである。他の実施例において、第1電極142はアノードであり、第2電極146はカソードである。第2電極146の延在方向と第1電極142の延在方向とは互いに直交している。第2電極146は第1電極142と同じ形状であって、両方とも波状の電極構造を採用してもよい。
一実施例において、基板110における第1電極142の投影の辺は、画素開口130を基板110に投射した投影像の辺と互いに平行ではない。図12に示すように、第1電極142の投影の辺と画素開口130を基板110に投射した投影像の辺が、異なる箇所において対応する領域の距離AAは異なっているので、距離が異なる箇所で発生した回折縞も異なる位置を有するため、最終的に回折現象を弱めることができる。これにより、カメラを該透明な表示パネルの下方に配置した場合に、撮影された画像が高い鮮明度を有することを確保する。
一実施例において、表示パネルは、アクティブマトリックス有機発光ダイオード(Active−Matrix Organic Light−Emitting Diode、AMOLED)表示パネルである。この場合、基板110は、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、TFT)アレイ基板である。基板110には、第1電極が形成される。第1電極は、TFTアレイ基板に形成された各種の導電性トレースを含む。第1電極の幅寸法は、導電性トレースの幅に応じて設計する必要がある。ここで、導電性トレースは、走査線、データ線、及び電力線のうちの少なくとも1種を含む。例えば走査線、データ線及び電力線などのTFTアレイ基板上の全ての導電性トレースを改善し、図8に示すような電極形状とすることができる。TFTアレイ基板上の導電配線を図8〜図11のいずれか1つの波状の電極形状とすることで、導電性トレースの延在方向において、光が幅の異なる位置、及び、隣り合う導電性トレース間の間隔の異なる位置を通り抜ける時に生じた回折縞が異なる位置で形成され、回折現象を弱め、その下方に配置された受光部品の正常な動作を確保できる。
一実施例において、表示パネルはAMOLED表示パネルである場合、基板の上に形成されたアノード層をさらに含む。アノード層は、アノードアレイを含む。アノードアレイは、互いに独立した複数のアノードで構成されている。アノードの形状は、円形、楕円形、又は互いに連通された2つの円形によって形成されたダンベル状であってもよい。図13は、円形のアノードで形成されたアノードアレイの模式図であり、図14は、ダンベル状のアノードで形成されたアノードアレイの模式図である。アノードの形状を円形、楕円形、又はダンベル状に変更することで、同じく、光がアノード層を通り抜ける際に、アノードの幅の異なる箇所で異なる位置及び拡散方向の回折縞が発生させ、回折現象を弱めることができる。さらに、回折現象を弱めるために、各副画素は、図13及び図14に示すような円形、楕円形又はダンベル状に設定されてもよい。
一実施例において、アノードを基板110に投射した投影像の辺と画素開口130を基板110に投射した投影像の辺とは互いに平行ではない。図15に示すように、アノードを基板110に投射した投影像の辺と画素開口130を基板110に投射した投影像の辺とで異なる箇所において対応する領域の距離AAは異なっているので、距離が異なる箇所で発生した回折縞も異なる位置を有し、最終的に回折現象を弱めることができる。これにより、カメラを該透明な表示パネルの下方に配置した場合に、撮影された画像が高い鮮明度を有することを確保する。
一実施例において、上記の表示パネルはLCD表示パネルであってもよい。
一実施例において、上記の表示パネルは、透明又は半透明半反射型の表示パネルであってもよい。表示パネルの透明性が、光透過率がよい材料を各層に採用されることによって実現できる。例えば、各層に、表示パネル全体の光透過率が70%以上であるように、90%を超える光透過率を持つ材料が採用される。または、各層に、表示パネル全体の光透過率が80%以上であるように、95%を超える光透過率を持つ材料が採用されることもできる。具体的には、例えばカソードやアノードなどの導電性トレースの材料は、ITO、IZO、Ag+ITO、又はAg+IZOであってもよく、絶縁層の材料は、好ましく、SiO、SiNx、Alなどであり、画素定義層120の材料として、透過性のよい材料を採用する。表示パネルの透明性は、他の技術的手段によって実現されてもよく、上記の表示パネルの構造にも適用できる。透明又は半透明半反射型の表示パネルは、動作状態にある時には画面を正常に表示でき、作動しない際に非表示状態になる。表示パネルは、作動しない場合に透明又は半透明の状態になる。この時、当該表示パネルを透過して当該表示パネルの下に配置された受光部品などが見える。
本発明の一実施例では、ディスプレイをさらに提供する。当該ディスプレイは、静止画像又は動画像を表示する第1表示領域を含む。当該第1表示領域には、前述した任意の実施例に係る表示パネルが設けられている。第1表示領域の下には、受光部品930が設けられてもよい。第1表示領域には、前述した実施例における表示パネルを採用したので、光が当該表示領域を通り抜ける際に、顕著な回折現象が発生しないため、第1表示領域の下に位置する受光部品が正常に作動することを確保できる。受光部品が作動していない場合、第1表示領域は、ディスプレイ全体の表示内容に応じて変化し、例えば撮影されている外部画像を表示し、或いは、非表示状態にあってもよい。これによって、表示パネルを介して受光部品が光を正常に集めることがさらに確保される。
図16は一実施例におけるディスプレイの模式図である。当該ディスプレイは、第1表示領域910と、第1表示領域910に隣接する第2表示領域920とを含む。第1表示領域910の光透過率は、第2表示領域920の光透過率より大きい。第1表示領域910の下には、受光部品930が設けられてもよい。第1表示領域910には、前述した任意の実施例に係る表示パネルが設けられている。第1表示領域910及び第2表示領域920の両方は、いずれも静止画像又は動画像を表示するために用いられる。第1表示領域910には、前述した実施例における表示パネルを採用したので、当該表示領域を通り抜ける際に光は顕著な回折現象が発生させず、第1表示領域910の下に位置する受光部品930は正常に作動することを確保できる。なお、第1表示領域910は、受光部品930が作動しない場合には静止画像又は動画像を正常に表示する一方、受光部品930が作動している場合には非表示状態にあってもよいため、受光部品930は表示パネルを介して光を正常に集めることが確保される。他の実施例において、第1表示領域910の光透過率は第2表示領域920の光透過率と同じであってもよく、よって表示パネル全体が良好な画一的な透光率を有し、表示パネルが良好な表示効果を有することを確保する。
一実施例において、第1表示領域910に設けられた第一の表示パネルはPMOLED表示パネル又はAMOLED表示パネルであり、第2表示領域920に設けられた第二の表示パネルはAMOLED表示パネルである。このように、PMOLED表示パネル及びAMOLED表示パネルにより構成された全面スクリーンが形成される。
本発明の他の実施例では、さらに表示端末を提供する。図17は、一実施例における表示端末の模式図であり、当該表示端末は、機器本体810とディスプレイ820とを含む。ディスプレイ820は、機器本体810に設けられており、当該機器本体810と互いに接続されている。ここで、ディスプレイ820は、前述した任意の実施例のディスプレイであってもよく、静止画像又は動画像を表示するために用いられる。
図18は、一実施例における機器本体810の模式図である。本実施例において、機器本体810には、ノッチ領域812及び非ノッチ領域814が設けられてもよい。ノッチ領域812には、カメラ930、光センサなどの受光部品が設けられてもよい。この場合、カメラ930や光センサなどの上記の受光部品は第1表示領域を透過して外部光線を集める操作などができるように、ディスプレイ820の第1表示領域における表示パネルがノッチ領域814に貼り付けられる。第1表示領域の表示パネルは、外部光線が当該第1表示領域を透過することにより発生した回折現象を効果的に改善できるため、表示機器に備えられたカメラ930で撮影された画像の品質を効果的に向上させ、回折による撮影画像の歪みを回避しつつ、光センサの外部光線に対するセンシングの精度と感度を向上させることもできる。
上記の電子機器は、携帯電話、タブレット、パームトップパソコン、iPod(登録商標)などのデジタル機器であってもよい。
上述した実施例の各技術的特徴は任意に組み合わせることができる。記述の簡潔化のために、上述した実施例における各技術的特徴のあらゆる組合せについて説明していないが、これらの技術的特徴の組合せは矛盾しない限り、本明細書に記述されている範囲内であると考えられるべきである。
上述した実施例は、本願のいくつかの実施形態を示したものにすぎず、その記述が具体的且つ詳細であるが、本願の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。なお、当業者にとって、本発明の趣旨から逸脱しないかぎり、若干の変形及び改良を行うことができ、これらもすべて本発明の保護範囲内に含まれる。したがって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に準ずるべきである。

Claims (20)

  1. 表示パネルであって、
    基板と、
    前記基板に形成された画素定義層と、を含み、
    前記画素定義層には、第1タイプ画素開口を含む画素開口が形成されており、前記第1タイプ画素開口を前記基板に投射した投影像の各辺が曲線になっており、互いに平行でない、ことを特徴とする表示パネル。
  2. 前記第1タイプ画素開口を前記基板に投射した投影像は、1つの図形単位であるか互いに連通された少なくとも2つの図形単位である、ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。
  3. 前記第1タイプ画素開口に対応する副画素のアスペクト比が1.5未満である場合、前記第1タイプ画素開口を前記基板に投射した投影像は円形であり、
    前記第1タイプ画素開口に対応する副画素のアスペクト比が1.5以上且つ2.5以下である場合、前記第1タイプ画素開口を前記基板に投射した投影像は互いに連通された2つの円形であり、
    前記第1タイプ画素開口に対応する副画素のアスペクト比が2.5より大きい場合、前記第1タイプ画素開口を前記基板に投射した投影像は、互いに連通された少なくとも3つの円形である、
    ことを特徴とする請求項2に記載の表示パネル。
  4. 前記第1タイプ画素開口を前記基板に投射した投影像は楕円形であり、前記楕円形の長軸と短軸との比率が前記第1タイプ画素開口に対応する副画素のアスペクト比である、ことを特徴とする請求項2に記載の表示パネル。
  5. 前記第1タイプ画素開口を前記基板に投射した投影像は、軸対称な図形である、ことを特徴とする請求項2に記載の表示パネル。
  6. 前記第1タイプ画素開口を前記基板に投射した投影像は、第1接続部をさらに含み、互いに連通された2つの図形単位の間は前記第1接続部によって連通され、前記第1接続部の両辺の少なくとも一方が直線又は曲線になっている、ことを特徴とする請求項2〜5のいずれか一項に記載の表示パネル。
  7. 前記画素開口は、副画素の形状を定義し、前記副画素には前記副画素のエッジに沿って配列されている複数の突出が形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。
  8. 前記画素開口は、第2タイプ画素開口をさらに含み、前記第2タイプ画素開口を前記基板に投射した投影像は矩形であり、前記第1タイプ画素開口と前記第2タイプ画素開口とが前記基板に交互に分布している、ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。
  9. 前記表示パネルは、PMOLED表示パネルであり、前記基板に形成された複数の第1電極をさらに含み、
    前記複数の第1電極は、同じ方向に沿って並行に延在し、隣接する前記第1電極の間に隙間があり、前記第1電極の延在方向において、前記第1電極の幅は連続的又は断続的に変化するともに、前記隙間は連続的又は断続的に変化する、ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。
  10. 前記第1電極は前記延在方向の両辺が共に波状であり、前記両辺のピークが対向し、トラフも対向する、ことを特徴とする請求項9に記載の表示パネル。
  11. 前記第1電極は、トラフが対向する箇所において、ストリップ状の第2接続部が形成されている、ことを特徴とする請求項10に記載の表示パネル。
  12. 前記第1電極を前記基板に投射した投影像の辺は、前記画素開口を前記基板に投射した投影像の辺と互いに平行ではない、ことを特徴とする請求項9に記載の表示パネル。
  13. 前記第1電極に、前記第1電極のエッジに沿って配列されている複数の突出が形成される、ことを特徴とする請求項9に記載の表示パネル。
  14. 前記表示パネルは、AMOLED表示パネルであり、前記基板に形成された第1電極層をさらに含み、
    前記第1電極層は、互いに独立した複数の第1電極を含み、
    各第1電極は1つの発光構造層に対応し、前記第1電極層を前記基板に投射した投影像の辺は、前記画素開口を前記基板に投射した投影像の辺と互いに平行ではない、ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。
  15. 前記第1電極を前記基板に投射した投影像は、円形、楕円形、又は互いに連通された2つの円形である、ことを特徴とする請求項14に記載の表示パネル。
  16. 前記第1電極を前記基板に投射した投影像の辺は、前記画素開口を前記基板に投射した投影像の辺と互いに平行ではない、ことを特徴とする請求項14に記載の表示パネル。
  17. ディスプレイであって、
    静止画像又は動画像を表示する第1表示領域と、
    前記第1表示領域に設けられた請求項1〜16のいずれか一項に記載の表示パネルと、を含む、ことを特徴とするディスプレイ。
  18. 前記第1表示領域に隣接した第2表示領域をさらに含み、
    前記第1表示領域に設けられた表示パネルは、PMOLED表示パネル又はAMOLED表示パネルであり、前記第2表示領域に設けられた表示パネルは、AMOLED表示パネルである、ことを特徴とする請求項17に記載のディスプレイ。
  19. 表示端末であって、
    部品領域を有する機器本体と、
    前記機器本体に設けられた請求項17に記載のディスプレイと、を含み、
    前記部品領域は、前記第1表示領域の下に位置され、前記部品領域には、受光部品が設けられている、ことを特徴とする表示端末。
  20. 前記部品領域はノッチ領域であり、前記受光部品は、カメラ又は光センサである、ことを特徴とする請求項19に記載の表示端末。
JP2020532905A 2018-08-06 2019-01-25 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末 Active JP7125485B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810886049.X 2018-08-06
CN201810886049.XA CN110767672B (zh) 2018-08-06 2018-08-06 显示面板、显示屏及显示终端
PCT/CN2019/073267 WO2020029559A1 (zh) 2018-08-06 2019-01-25 显示面板、显示屏及显示终端

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021507289A true JP2021507289A (ja) 2021-02-22
JP7125485B2 JP7125485B2 (ja) 2022-08-24

Family

ID=67702268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020532905A Active JP7125485B2 (ja) 2018-08-06 2019-01-25 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11244992B2 (ja)
EP (1) EP3712948A4 (ja)
JP (1) JP7125485B2 (ja)
KR (1) KR102489280B1 (ja)
CN (1) CN110767672B (ja)
TW (1) TWI698689B (ja)
WO (1) WO2020029559A1 (ja)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180075589A (ko) 2015-10-26 2018-07-04 오티아이 루미오닉스 인크. 표면 상에 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 디바이스
WO2018100559A1 (en) 2016-12-02 2018-06-07 Oti Lumionics Inc. Device including a conductive coating disposed over emissive regions and method therefor
JP2020518107A (ja) 2017-04-26 2020-06-18 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドOti Lumionics Inc. 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス
WO2018211460A1 (en) 2017-05-17 2018-11-22 Oti Lumionics Inc. Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
CN110767832B (zh) * 2018-12-29 2022-05-17 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示面板制备方法、显示屏及显示终端
KR20200106589A (ko) 2019-03-04 2020-09-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US11730012B2 (en) 2019-03-07 2023-08-15 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR20220009961A (ko) 2019-04-18 2022-01-25 오티아이 루미오닉스 인크. 핵 생성 억제 코팅 형성용 물질 및 이를 포함하는 디바이스
US12069938B2 (en) 2019-05-08 2024-08-20 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
KR20240134240A (ko) 2019-06-26 2024-09-06 오티아이 루미오닉스 인크. 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스
WO2021028800A1 (en) 2019-08-09 2021-02-18 Oti Lumionics Inc. Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition
KR20210060186A (ko) * 2019-11-18 2021-05-26 삼성전자주식회사 디스플레이 및 카메라 장치를 포함하는 전자 장치
CN111276055B (zh) * 2020-02-28 2021-07-16 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111341936B (zh) * 2020-03-10 2021-11-12 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111046599B (zh) * 2020-03-17 2020-06-23 昆山国显光电有限公司 像素排布优化方法、装置、透光显示面板和显示面板
CN111462630B (zh) * 2020-04-17 2021-12-14 合肥维信诺科技有限公司 可卷曲显示装置
US12113279B2 (en) 2020-09-22 2024-10-08 Oti Lumionics Inc. Device incorporating an IR signal transmissive region
CN114373784A (zh) * 2020-10-14 2022-04-19 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置及电子设备
CN112310325B (zh) * 2020-10-30 2022-08-23 合肥维信诺科技有限公司 透光显示模组、显示面板及透光显示模组的制备方法
CN112103329B (zh) * 2020-11-05 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112437180B (zh) * 2020-11-30 2022-07-01 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN114695502A (zh) * 2021-09-16 2022-07-01 友达光电股份有限公司 显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4665342A (en) * 1984-07-02 1987-05-12 Cordis Corporation Screen printable polymer electroluminescent display with isolation
JP2006237586A (ja) * 2005-01-28 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、電子機器、半導体装置の作製方法
JP2007103032A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Seiko Epson Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP2009065498A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Tohoku Pioneer Corp 表示撮像装置
JP2009099378A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Seiko Epson Corp 表示装置および当該表示装置を備えた電子機器
JP2016001294A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited 画素配列、ディスプレイ、およびディスプレイへの画像表示方法
WO2017195560A1 (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 株式会社Joled 表示装置および電子機器

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003187694A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 隔壁形成方法、隔壁形成装置およびパネル
JP2005203215A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Sharp Corp 有機el素子
TWI412138B (zh) 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
JP2008226746A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Sony Corp 表示装置および電子機器
US8217927B2 (en) 2007-09-28 2012-07-10 Sony Corporation Display unit
JP5171329B2 (ja) * 2007-09-28 2013-03-27 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置
KR101065408B1 (ko) * 2010-03-17 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 표시 장치
WO2013038970A1 (ja) * 2011-09-12 2013-03-21 シャープ株式会社 発光デバイス、表示装置、及び照明装置
TWI674671B (zh) * 2013-05-28 2019-10-11 日商新力股份有限公司 顯示裝置及電子機器
KR102049974B1 (ko) * 2013-09-23 2019-11-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR102309282B1 (ko) * 2014-11-06 2021-10-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
CN104409659B (zh) 2014-12-18 2017-02-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光二极管和有机发光二极管的制造方法
US9312312B1 (en) * 2014-12-30 2016-04-12 Industrial Technology Research Institute Display
TWI549291B (zh) * 2014-12-30 2016-09-11 財團法人工業技術研究院 顯示器
KR102420965B1 (ko) * 2015-02-09 2022-07-14 삼성디스플레이 주식회사 전면 발광 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR102395919B1 (ko) * 2015-06-19 2022-05-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102515963B1 (ko) * 2016-03-04 2023-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108075045A (zh) * 2016-11-16 2018-05-25 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 用于印刷oled像素的限定结构及其制备方法
KR102393319B1 (ko) * 2017-07-04 2022-05-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108010947B (zh) 2017-11-29 2021-01-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置
CN108231856A (zh) * 2018-01-12 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、显示面板及显示装置
CN208608202U (zh) * 2018-08-06 2019-03-15 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示屏及显示终端

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4665342A (en) * 1984-07-02 1987-05-12 Cordis Corporation Screen printable polymer electroluminescent display with isolation
JP2006237586A (ja) * 2005-01-28 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、電子機器、半導体装置の作製方法
JP2007103032A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Seiko Epson Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP2009065498A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Tohoku Pioneer Corp 表示撮像装置
JP2009099378A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Seiko Epson Corp 表示装置および当該表示装置を備えた電子機器
JP2016001294A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited 画素配列、ディスプレイ、およびディスプレイへの画像表示方法
WO2017195560A1 (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 株式会社Joled 表示装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
CN110767672B (zh) 2020-11-17
TW201921064A (zh) 2019-06-01
EP3712948A1 (en) 2020-09-23
US11244992B2 (en) 2022-02-08
CN110767672A (zh) 2020-02-07
TWI698689B (zh) 2020-07-11
WO2020029559A1 (zh) 2020-02-13
US20200219967A1 (en) 2020-07-09
KR20200083620A (ko) 2020-07-08
JP7125485B2 (ja) 2022-08-24
KR102489280B1 (ko) 2023-01-17
EP3712948A4 (en) 2021-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2021507289A (ja) 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末
JP6912668B2 (ja) 表示パネル、表示スクリーン及び表示端末
JP7024108B2 (ja) 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末
KR102308647B1 (ko) 디스플레이 패널, 디스플레이 스크린 및 디스플레이 단말기
JP6498765B2 (ja) タッチパネル、及び表示装置
CN110767167B (zh) 显示屏及显示终端
CN110767678B (zh) 显示面板、显示屏及显示终端
US20160216815A1 (en) Touch display
CN211454177U (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200615

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200615

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220509

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220802

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220812

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7125485

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150