JP2021190148A - 磁気ヘッド及び磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】安定した動作が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気ヘッドは、第１磁極と、第２磁極と、前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた積層体と、を含む。前記積層体は、第１磁性部材と、前記第１磁性部材と、前記第２磁極との間に設けられた第２磁性部材と、前記第１磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第１層と、前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられＣｕを含む第２層と、を含む。前記第１磁性部材は、複数の第１磁性領域と、第１非磁性領域と、を含む。前記複数の第１磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含む。前記第１非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素を含む。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録装置に関する。

磁気記録装置において、磁性層を含む積層体を用いた磁気ヘッドが設けられる。磁気記録装置において、安定した動作が望まれる。

特開２００２−９２８２６号公報

本発明の実施形態は、安定した動作が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、第１磁極と、第２磁極と、前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた積層体と、を含む。前記積層体は、第１磁性部材と、前記第１磁性部材と、前記第２磁極との間に設けられた第２磁性部材と、前記第１磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第１層と、前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられＣｕを含む第２層と、を含む。前記第１磁性部材は、複数の第１磁性領域と、第１非磁性領域と、を含む。前記複数の第１磁性領域の１つから前記複数の第１磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１磁極から前記第２磁極への第１方向に沿う。前記第１非磁性領域は、前記複数の第１磁性領域の前記１つと、前記複数の第１磁性領域の前記別の１つと、の間にある。前記複数の第１磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含む。前記第１非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素を含む。前記第１非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第１非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記第１層におけるＣｕの濃度よりも低い。前記第２磁性部材は、複数の第２磁性領域と、第２非磁性領域と、を含む。前記複数の第２磁性領域の１つから前記複数の第２磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿う。前記第２非磁性領域は、前記複数の第２磁性領域の前記１つと、前記複数の第２磁性領域の前記別の１つと、の間にある。前記複数の第２磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第３元素を含む。前記第２非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第４元素を含む。前記第２非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第２非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記第２層におけるＣｕの濃度よりも低い。

図１は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図２は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図３は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図４は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図５は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図６は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図７は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図８（ａ）〜図８（ｄ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的断面図である。 図９は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的断面図である。 図１０は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的斜視図である。 図１１は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図１２は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図２は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図２に示すように、第１実施形態に係る磁気記録装置２１０は、磁気ヘッド１１０と、電気回路２０Ｄと、を含む。例えば、磁気ヘッド１１０に記録部６０が設けられる。後述するように、磁気ヘッド１１０は、再生部を含んでも良い。

磁気記録装置２１０は、磁気記録媒体８０を含んでも良い。磁気ヘッド１１０の記録部６０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。磁気記録媒体８０は、例えば、垂直記録媒体である。磁気記録媒体８０の例については、後述する。

図１に示すように、磁気ヘッド１１０は、第１磁極３１、第２磁極３２及び積層体２０Ｓを含む。積層体２０Ｓは、第１磁極３１と第２磁極３２との間に設けられる。第１磁極３１は、例えば、主磁極である。第２磁極３２は、例えば、トレーリングシールドである。実施形態において、第２磁極３２が主磁極で、第１磁極３１がトレーリングシールドでも良い。

第１磁極３１及び第２磁極３２は、例えば、磁気回路を形成する。第１磁極３１（または／及び第２磁極３２）にコイル３０ｃが設けられる。例えば、記録回路３０Ｄから、コイル３０ｃに記録電流Ｉｗが供給される。第１磁極３１から、コイル３０ｃに流れる記録電流Ｉｗに応じた記録磁界が発生する。発生した記録磁界の少なくとも一部は、磁気記録媒体８０に向かう。記録磁界の少なくとも一部が、磁気記録媒体８０に印加される。磁気記録媒体８０のうちの、記録磁界が印加された部分の磁化の向きが、記録磁界により制御される。これにより、磁気記録媒体８０に、記録磁界の向きに応じた情報が記録される。例えば、記録磁界の少なくとも一部は、磁気記録媒体８０に向かった後に、第２磁極３２に向かう。

第１磁極３１から第２磁極３２への方向Ｄ１は、例えば、Ｘ軸方向に沿う。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＺ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

積層体２０Ｓに電流Ｉｓが供給されることが可能である。例えば、後述するように、第１磁極３１及び第２磁極３２を介して、積層体２０Ｓに電流Ｉｓが供給される。

１つの例において、電流Ｉｓにより、積層体２０Ｓに含まれる磁性層の磁化の向きが反転する。これにより、記録磁界が効率的に磁気記録媒体８０に印加される。別の例において、電流Ｉｓにより、積層体２０Ｓに含まれる磁性層の磁化が発振する。これにより、例えば、ＭＡＭＲ（Microwave Assisted Magnetic Recording）が実施される。第１実施形態においては、電流Ｉｓにより、積層体２０Ｓに含まれる磁性層の磁化の向きが反転する。

図２に示すように、第１磁極３１は、媒体対向面３０Ｆを含む。媒体対向面３０Ｆは、例えば、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）である。媒体対向面３０Ｆは、例えば、磁気記録媒体８０に対向する。

例えば、媒体対向面３０Ｆに対して垂直な方向がＺ軸方向に対応する。Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向である。

図２に示すように、電気回路２０Ｄが、積層体２０Ｓに電気的に接続される。この例では、積層体２０Ｓは、第１磁極３１及び第２磁極３２と電気的に接続される。磁気ヘッド１１０に、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２が設けられる。第１端子Ｔ１は、第１配線Ｗ１及び第１磁極３１を介して積層体２０Ｓと電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、第２配線Ｗ２及び第２磁極３２を介して積層体２０Ｓと電気的に接続される。電気回路２０Ｄから、電流Ｉｓ（例えば、直流電流）が積層体２０Ｓに供給される。

図２に示すように、記録部６０において、シールド３３が設けられても良い。シールド３３と第２磁極３２との間に第１磁極３１が設けられる。シールド３３、第１磁極３１及び第２磁極３２の周りに、絶縁部３０ｉが設けられる。

図１は、図２の矢印ＡＲ１からみた図に対応する。
図１に示すように、磁気ヘッド１１０の積層体２０Ｓは、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２を含む。第２磁性部材１２Ｍは、第１磁性部材１１Ｍと、第２磁極３２との間に設けられる。

第１層２１は、第１磁性部材１１Ｍと第２磁性部材１２Ｍとの間に設けられる。第１層２１は、Ｃｕを含む。第１層２１は、例えば、Ｃｕ層である。第１層２１は、非磁性層である。

第２層２２は、第２磁性部材１２Ｍと第２磁極３２との間に設けられる。第２層２２は、Ｃｕを含む。第２層２２は、例えばＣｕ層である。第２層２２は、非磁性層である。

第１磁性部材１１Ｍから第２磁性部材１２Ｍへの方向を第１方向とする。第１方向をＸ軸方向とする。第１方向は、例えば、図２に例示した方向Ｄ１に沿う。第１方向（Ｘ軸方向）は、例えば積層方向に対応する。第１層２１及び第２層２２は、実質的にＸ−Ｙ平面に沿う。

図１に示すように、第１磁性部材１１Ｍは、複数の第１磁性領域１１ｍと、第１非磁性領域１１ｎと、を含む。複数の第１磁性領域１１ｍの１つから複数の第１磁性領域１１ｍの別の１つへの方向は、第１磁極３１から第２磁極３２への第１方向に沿う。第１方向は、例えば、実質的にＸ軸方向でよい。

第１非磁性領域１１ｎは、複数の第１磁性領域１１ｍの１つと、複数の第１磁性領域１１ｍの別の１つと、の間にある。この例では、複数の第１非磁性領域１１ｎが設けられる。複数の第１磁性領域１１ｍの１つは、複数の第１非磁性領域１１ｎの１つと、複数の第１非磁性領域１１ｎの別の１つと、の間にある。

複数の第１磁性領域１１ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含む。複数の第１非磁性領域１１ｎは、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素を含む。第１非磁性領域１１ｎは、Ｃｕを含まない。または、第１非磁性領域１１ｎに含まれるＣｕの濃度は、第１層２１におけるＣｕの濃度よりも低い。

第２磁性部材１２Ｍは、複数の第２磁性領域１２ｍと、第２非磁性領域１２ｎと、を含む。複数の第２磁性領域１２ｍの１つから複数の第２磁性領域１２ｍの別の１つへの方向は、上記の第１方向（例えばＸ軸方向）に沿う。第２非磁性領域１２ｎの１つは、複数の第２磁性領域１１ｍの１つと、複数の第２磁性領域１２ｍの別の１つと、の間にある。この例では、複数の第２非磁性領域１２ｎが設けられる。複数の第２磁性領域１２ｍの１つは、複数の第２非磁性領域１２ｎの１つと、複数の第２非磁性領域１２ｎの別の１つと、の間にある。

複数の第２磁性領域１２ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第３元素を含む。第２非磁性領域１２ｎは、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第４元素を含む。第２非磁性領域１２ｎは、Ｃｕを含まない。または、第２非磁性領域１２ｎに含まれるＣｕの濃度は、第２層２２におけるＣｕの濃度よりも低い。

この例では、積層体２０Ｓは、第１中間非磁性層２７ｎ及び第２磁極側中間層２５ｂをさらに含む。第１中間非磁性層２７ｎは、第１磁極３１第１磁性部材１１Ｍと、の間にある。第１中間非磁性層２７ｎは、例えば、Ｔａ、Ｒｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１中間非磁性層２７ｎが設けられることで、第１磁極３１と第１磁性部材１１Ｍとの間の磁気結合が実質的に遮断される。

第２磁極側中間層２５ｂは、第２磁性部材１２Ｍと第２磁極３２との間に設けられる。第２磁極側中間層２５ｂは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁極側中間層２５ｂは、例えば、ＦｅＣｏを含む。第２磁極側中間層２５ｂが設けられることで、積層体２０Ｓに含まれる磁性層の磁化が制御し易くなる。第２磁極側中間層２５ｂが第２シールド３２と接して磁気結合する。第２磁極側中間層２５ｂの磁化の向きは、第２シールド３２の磁化の向きと同じとなる。例えば、第２磁性部材１２Ｍからのスピントランスファトルクを受けても、第２磁極側中間層２５ｂの磁化の乱れは僅かである。例えば、第２磁性部材１２Ｍの磁化が、安定して反転する。第２磁極側中間層２５ｂは、例えば、正のスピン分極を有する。第２磁極３２が、第２磁極側中間層２５ｂの機能を有しても良い。この場合、第２磁極側中間層２５ｂは省略できる。

実施形態においては、第１磁性部材１１Ｍにおいて、第１元素（例えばＦｅなど）を含む複数の第１磁性領域１１ｍの間に、第２元素（例えばＣｒなど）を含む第１非磁性領域１１ｎが設けられる。例えば、複数の第１磁性領域１１ｍと、複数の第１非磁性領域１１ｎと、が交互に設けられても良い。このような構成により、第１磁性部材１１Ｍは、安定した大きな負のスピン分極を有することができる。第２磁性部材１２Ｍも、負のスピン分極を安定して有することができる。

例えば、第１元素（例えばＦｅなど）と、第２元素（例えばＣｒ）と、を含む合金においては、互いに非固溶の平衡状態を示す。この合金においては、第１元素を含む領域（例えば粒子）と、第２元素を含む領域（例えば粒子）と、に分離して混じり合う傾向がある。第１元素を含む領域（例えば粒子）が小さい場合は、負のスピン分極が生じ易い。例えば、ＦｅとＣｒとの界面における負のスピン分極が加算される。これにより、負のスピン分極が生じ易い。

一方、熱などが加わると、スピン分極は、正になりやすい。これは、熱が加わることで、第１元素を含む領域（例えば粒子）が大きくなり、さらに、第１元素を含む複数の領域の間の距離が長くなることが原因であると考えられる。例えば、Ｆｅ粒子が大きくなることで、正のスピン分極が大きくなる。ＦｅとＣｒとの界面の量（単位体積あたりの面積）が減少し、ＦｅとＣｒとの界面における負のスピン分極が減少する。

このように、第１元素（例えばＦｅなど）と、第２元素（例えばＣｒ）と、を含む合金においては、熱処理などにおいてスピン分極の極性が変化し、スピン分極は正になりやすい。

これに対して、実施形態においては、例えば、第１元素（例えばＦｅなど）を含む２つの第１磁性領域１１ｍの間に、第２元素を含む非磁性領域１１ｎと、が交互に並ぶ。例えば、第１磁性領域１１ｍが層状であり、第１非磁性領域１１ｎも層状である。これにより、熱処理が行われても、これらの領域は安定である。これらの領域が混じり合うことが抑制できる。第１磁性領域１１ｍの厚さが十分に薄いことで、負のスピン分極が維持される。第１磁性領域１１ｍと第１非磁性領域１１ｎとの間の界面は安定であり、高い密度で存在できる。第１非磁性領域１１ｎの厚さが十分に薄いことで、隣り合う複数の第１磁性領域１１ｍの磁化は一体となる。これにより、例えば、第１磁性部材１１Ｍは、安定して負のスピン分極を有することができる。同様に、第２磁性部材１２Ｍも、負のスピン分極を安定して有することができる。

実施形態においては、このような第１磁性部材１１Ｍ及び第２磁性部材１２Ｍと、第１層２１及び第２層２２と、が組み合わされる。積層体２０Ｓに電流Ｉｓが供給されると、例えば、第１磁性部材１１Ｍは、例えば、スピン注入層として機能する。第２磁性部材１２Ｍの磁化が、反転する。積層体２０Ｓに含まれる磁性部材の磁化が反転することで、第１磁極３１から出た記録磁界は、積層体２０Ｓを通過し難くなる。その結果、記録磁界は、磁気記録媒体８０に効果的に印加される。例えば、記録ギャップ（第１磁極３１と第２磁極３２との間の距離）を小さくした場合でも、記録磁界は、磁気記録媒体８０に効果的に印加される。

第１磁性部材１１Ｍは、例えば、負のスピン注入層である。この場合、第２磁極３２（または第２磁極側中間層２５ｂ）からの正のスピン注入と、第１磁性部材１１Ｍからの負のスピン注入と、が重畳される。例えば、第１磁性部材１１Ｍが正のスピン分極を有する場合は、第２磁極３２（または第２磁極側中間層２５ｂ）からの正のスピン注入と、第１磁性部材１１Ｍからの正のスピン注入と、が互いに打ち消し合うように作用する。実施形態においては、上記のような第１磁性部材１１Ｍを用いることで、第２磁性部材１２Ｍの磁化が、効果的に反転する。

実施形態においては、熱処理などが行われた後も、第１磁性部材１１Ｍ及び第２磁性部材１２Ｍにおける磁気的特性が安定であり、高い耐熱性が得られる。実施形態によれば、安定した動作が可能な磁気ヘッドが提供できる。

実施形態において、複数の第１磁性領域１１ｍの１つの第１方向（Ｘ軸方向）に沿う長さ（第１磁性領域厚さ１１ｍｔ）は、例えば、０．１５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下である。第１非磁性領域１１ｎの第１方向に沿う長さ（第１非磁性領域厚さ１１ｎｔ）は、例えば、０．１５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下である。

第１磁性領域厚さ１１ｍｔが０．１５ｎｍ（例えば単原子層の厚さ）以上であることで、例えば、第１磁性領域１１ｍが強磁性を有する膜になりやすい。第１磁性領域厚さ１１ｍｔが１．５ｎｍ以下であることで、例えば、大きい負のスピン分極が得やすい。第１非磁性領域厚さ１１ｎｔが０．１５ｎｍ（例えば単原子層の厚さ）以上であることで、例えば、第１非磁性領域１１ｎによる負のスピン分極が発現しやすい。第１非磁性領域厚さ１１ｎｔが１．５ｎｍ以下であることで、第１磁性領域１１ｍと第１非磁性領域１１ｎとの間の界面の密度を高く維持し易い。第１非磁性領域厚さ１１ｎｔが１．５ｎｍ以下であることで、例えば、隣り合う複数の第１磁性領域１１ｍの間の磁気的な結合が安定し易い。

実施形態において、第１磁性領域厚さ１１ｍｔは、実用的に、例えば、複数の第１磁性領域１１ｍの１つにおける第１元素のピーク値の１／２となる２つの位置の間の第１方向に沿う距離（半値全幅）として良い。第１非磁性領域厚さ１１ｎｔは、実用的に、例えば、複数の第１非磁性領域１１ｎの１つにおける第２元素のピーク値の１／２となる２つの位置の間の第１方向に沿う距離（半値全幅）として良い。

実施形態において、複数の第２磁性領域１２ｍの１つの第１方向（Ｘ軸方向）に沿う長さ（第２磁性領域厚さ１２ｍｔ）は、例えば、０．１５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下である。第２非磁性領域１２ｎの第１方向に沿う長さ（第２非磁性領域厚さ１２ｎｔ）は、例えば、０．１５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下である。

第２磁性領域厚さ１２ｍｔが０．１５ｎｍ（例えば単原子層の厚さ）以上であることで、例えば、第２磁性領域１２ｍが強磁性を有する膜になりやすい。第２磁性領域厚さ１２ｍｔが１．５ｎｍ以下であることで、例えば、大きい負のスピン分極が得やすい。第２非磁性領域厚さ１２ｎｔが０．１５ｎｍ（例えば単原子層の厚さ）以上であることで、例えば、第２非磁性領域１２ｎによる負のスピン分極が発現しやすい。第２非磁性領域厚さ１２ｎｔが１．５ｎｍ以下であることで、第２磁性領域１２ｍと第２非磁性領域１２ｎとの間の界面の密度を高く維持し易い。第２非磁性領域厚さ１２ｎｔが１．５ｎｍ以下であることで、例えば、隣り合う複数の第２磁性領域１２ｍの間の磁気的な結合が安定し易い。

実施形態において、第２磁性領域厚さ１２ｍｔは、実用的に、例えば、複数の第２磁性領域１２ｍの１つにおける第３元素のピーク値の１／２となる２つの位置の間の第１方向に沿う距離（半値全幅）として良い。第２非磁性領域厚さ１２ｎｔは、実用的に、例えば、複数の第２非磁性領域１２ｎの１つにおける第４元素のピーク値の１／２となる２つの位置の間の第１方向に沿う距離（半値全幅）として良い。

実施形態において、複数の第１磁性領域１１ｍは、第２元素（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つ）を実質的に含まない。または、複数の第１磁性領域１１ｍに含まれる第２元素の濃度は、第１非磁性領域１１ｎにおける第２元素の濃度よりも低い。

第１非磁性領域１１ｎは、第１元素（Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つ）を実質的に含まない。または、第１非磁性領域１１ｎに含まれる第１元素の濃度は、複数の第１磁性領域１１ｍにおける第１元素の濃度よりも低い。

複数の第２磁性領域１２ｍは、第４元素（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つ）を実質的に含まない。または、複数の第２磁性領域１２ｍに含まれる第４元素の濃度は、第２非磁性領域１２ｎにおける第４元素の濃度よりも低い。

第２非磁性領域１２ｎは、第３元素（Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つ）を実質的に含まない。または、第２非磁性領域１２ｎに含まれる第３元素の濃度は、複数の第２磁性領域１２ｍにおける第３元素の濃度よりも低い。

図１に示すように、第１磁性部材１１Ｍの第１方向（Ｘ軸方向）に沿う厚さ（第１磁性部材厚さ１１Ｍｔ）は、第２磁性部材１２Ｍの第１方向に沿う厚さ（第２磁性部材厚さ１２Ｍｔ）よりも薄い。この場合に、積層体２０Ｓに供給される電流Ｉｓが、第２磁性部材１２Ｍから第１磁性部材１１Ｍへの向きを有することで、積層体２０Ｓに含まれる磁性部材の磁化が効果的に反転する。

第１磁性部材厚さ１１Ｍｔは、例えば、第２磁性部材厚さ１２Ｍｔの１．５倍以上５倍以下である。例えば、第１磁性部材１１Ｍの磁化は、第２磁性部材１２Ｍからのスピントランスファトルクにより反転する。一方、第２磁性部材１２Ｍの磁化は、第１磁性部材１１Ｍからのスピントランスファトルク、及び、第２磁極３２（または第２磁極側中間層２５ｂ）のスピントランスファトルクによる反転する。第２磁性部材１２Ｍを第１磁性部材１１Ｍよりも厚くしても、第２磁性部材１２Ｍの磁化は反転できる。例えば、第１磁性部材１１Ｍ及び第２磁性部材１２Ｍを合わせた磁化反転体積を増大できる。例えば、記録能力が向上する。

実施形態において、第１層２１の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う厚さは、例えば、１ｎｍ以上４ｎｍ以下である。第２層２２の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う厚さは、例えば、１ｎｍ以上４ｎｍ以下である。このような厚さにより、例えば、磁性部材の磁化の制御が安定して行える。

既に説明したように、第１中間非磁性層２７ｎが設けられても良い。第１中間非磁性層２７ｎの第１方向（Ｘ軸方向）に沿う厚さは、例えば、１ｎｍ以上７ｎｍ以下である。このような厚さにより、第１磁極３１と第１磁性部材１１Ｍとの間の磁気的な結合が安定して遮断できる。

図３は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図３に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１０ａにおいて、積層体２０Ｓは、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２に加えて、磁性中間層２５ｃを含む。磁気ヘッド１１０ａにおいて、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２の構成は、磁気ヘッド１１０と同様で良い。以下、磁性中間層２５ｃの例について説明する。

磁性中間層２５ｃは、第２磁性部材１２Ｍと第２層２２との間に設けられる。磁性中間層２５ｃは、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含む。磁性中間層２５ｃは、例えば、正のスピン分極を有する。磁性中間層２５ｃが設けられることで、例えば、第２磁極側中間層２５ｂの磁化が安定し易くなる。磁性中間層２５ｃの材料において、例えば、第２磁性部材１２Ｍよりも負のスピン分極が弱くても良い。中間層２５ｃは、例えば、Ｆｅ層でも良い。中間層２５ｃは、例えば、ＦｅとＣｒとを含む合金層でも良い。この合金において、Ｃｒの組成比は、３０ａｔ％以下である。中間層２５ｃは、例えば、ＮｉＦｅ合金層でも良い。

図４は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図４に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１１において、積層体２０Ｓは、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２に加えて、第３磁性部材１３Ｍ及び第３層２３を含む。磁気ヘッド１１１において、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２の構成は、磁気ヘッド１１０と同様で良い。以下、第３磁性部材１３Ｍ及び第３層２３の例について説明する。

第３磁性部材１３Ｍは、第１層２１と第２磁性部材１２Ｍとの間に設けられる。第３層２３は、第３磁性部材１３Ｍと第２磁性部材１２Ｍとの間に設けられる。第３層２３は、Ｃｕを含む。第３層２３は、例えば、Ｃｕ層で良い。

第３磁性部材１３Ｍは、複数の第３磁性領域１３ｍと、第３非磁性領域１３ｎと、を含む。複数の第３磁性領域１３ｍの１つから複数の第３磁性領域１３ｍの別の１つへの方向は、第１方向（例えばＸ軸方向）に沿う。第３非磁性領域１３ｎは、複数の第３磁性領域１３ｍの１つと、複数の第３磁性領域１３ｍの別の１つと、の間にある。この例では、複数の第３非磁性領域１３ｎが設けられている。複数の第３磁性領域１３ｍの１つは、複数の第３非磁性領域１３ｎの１つと、複数の第３非磁性領域１３ｎの別の１つと、の間にある。

複数の第３磁性領域１３ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第５元素を含む。第３非磁性領域１３ｎ（例えば複数の第３非磁性領域１３ｎの１つでも良い）は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第６元素を含む。

第３非磁性領域１３ｎは、Ｃｕを含まない。または、第３非磁性領域１３ｎに含まれるＣｕの濃度は、第３層２３におけるＣｕの濃度よりも低い。

例えば、第３層２３は、上記の第６元素を実質的に含まない。または、第３層２３における第６元素の濃度は、第３非磁性領域１３ｎにおける第６元素の濃度よりも低い。

例えば、複数の第３磁性領域１３ｍは、第６元素（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つ）を含まない。または、複数の第３磁性領域１３ｍに含まれる第６元素の濃度は、第３非磁性領域１３ｎにおける第６元素の濃度よりも低い。

第３非磁性領域１３ｎは、第５元素（Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つ）を含まない。第３非磁性領域１３ｎに含まれる第１元素の濃度は、複数の第３磁性領域１３ｍにおける第５元素の濃度よりも低い。

このような第３磁性部材１３Ｍを含む磁気ヘッド１１１においても、電流Ｉｓが供給されることで、積層体２０Ｓに含まれる磁性部材の磁化が安定して反転する。磁気ヘッド１１１においても、記録磁界は、磁気記録媒体８０に効果的に印加される。例えば、記録ギャップを小さくした場合でも、記録磁界は、磁気記録媒体８０に効果的に印加される。熱処理などが行われた後も、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ及び第３磁性部材１３Ｍにおける磁気的特性が安定であり、高い耐熱性が得られる。実施形態によれば、安定した動作が可能な磁気ヘッドが提供できる。

磁気ヘッド１１１においても、例えば、第１磁性部材厚さ１１Ｍｔは、第２磁性部材厚さ１２Ｍｔよりも薄い。積層体２０Ｓに供給される電流Ｉｓは、第２磁性部材１２Ｍから第１磁性部材１１Ｍへの向きを有する。磁気ヘッド１１１においても、第１中間非磁性層２７ｎが設けられても良い。第１中間非磁性層は、Ｔａ、Ｒｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１中間非磁性層２７ｎの第１方向（例えばＸ軸方向）に沿う厚さは、例えば、１ｎｍ以上７ｎｍ以下である。

図５は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図５に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１２において、積層体２０Ｓは、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２に加えて、第３磁性部材１３Ｍ及び第３層２３を含む。磁気ヘッド１１２において、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２の構成は、磁気ヘッド１１０と同様で良い。以下、磁気ヘッド１１２における第３磁性部材１３Ｍ及び第３層２３の例について説明する。

磁気ヘッド１１２においても、第３磁性部材１３Ｍは、第１層２１と第２磁性部材１２Ｍとの間に設けられる。第３層２３は、第３磁性部材１３Ｍと第２磁性部材１２Ｍとの間に設けられ、Ｃｕを含む。

第３磁性部材１３Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性部材１３Ｍは、第２元素（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つ）を実質的に含まない。または、第３磁性部材１３Ｍに含まれる第２元素の濃度は、第１非磁性領域１１ｎにおける第２元素の濃度よりも低い。

磁気ヘッド１１２においては、第３磁性部材１３Ｍは、正のスピン分極を有する。磁気ヘッド１１２においても、電流ＩＳが供給されることで、積層体２０Ｓに含まれる磁性部材の磁化が反転する。記録磁界は、磁気記録媒体８０に効果的に印加される。磁気ヘッド１１２においても、安定した動作が可能な磁気ヘッドが提供できる。

図５に示すように、磁気ヘッド１１２において、積層体２０Ｓは、第１磁極側中間層２５ａを含む。第１磁極側中間層２５ａは、第１磁極３１と第１磁性部材１１Ｍとの間に設けられる。第１磁極側中間層２５ａは、例えば、第１材料、第２材料及び第３材料よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１材料は、アモルファス磁性体を含む。第２材料は、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３材料は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＮｂよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。第１磁極側中間層２５ａは、例えば磁性層である。このような、第１磁極側中間層２５ａが設けられることで、例えば、第１磁極３１と第１磁性部材１１Ｍとの間の磁気的な結合が維持されやすい。例えば、電流Ｉｓによる磁化の反転が安定して得やすくなる。例えば、第１磁性部材１１Ｍの磁化の向きが、第１磁極３１の磁化の向きと同じになりやすい。例えば、第１磁性部材１１Ｍと第１磁極３１との間のスピン分極情報の伝達を減衰できる。例えば、第１磁極３１の正のスピン分極の影響を受けて第１磁性部材１１Ｍの負のスピン分極が低下することが抑制できる。

第１磁極側中間層２５ａの第１方向（Ｘ軸方向）に沿う厚さは、例えば、１ｎｍ以上７ｎｍ以下である。

磁気ヘッド１１２においても、例えば、第１磁性部材厚さ１１Ｍｔは、第２磁性部材厚さ１２Ｍｔよりも薄い。積層体２０Ｓに供給される電流Ｉｓは、第２磁性部材１２Ｍから第１磁性部材１１Ｍへの向きを有する。安定した磁化反転が得られる。

（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図６に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１２０も、第１磁極３１と、第２磁極３２と、積層体２０Ｓと、を含む。積層体２０Ｓは、第１磁極３１と第２磁極３２との間に設けられる。磁気ヘッド１２０も、磁気記録媒体８０、電気回路２０Ｄ、及び、記録回路３０Ｄなどと用いられても良い。磁気ヘッド１２０は、磁気記録装置２１０（図２参照）の一部である。第１磁極３１、第２磁極３２及び積層体２０Ｓは、記録部６０（図２参照）に含まれる。

図６に示すように、積層体２０Ｓは、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２を含む。第２磁性部材１２Ｍは、第１磁性部材１１Ｍと第２磁極３２との間に設けられる。第１層２１は、第１磁性部材１１Ｍと第２磁性部材１２Ｍとの間に設けられる。第１層２１は、Ｃｕを含む。第１層２１は、例えば、Ｃｕ層である。第２層２２は、第２磁性部材１２Ｍと第２磁極３２との間に設けられる。第２層２２は、Ｃｕを含む。第２層２２は、例えば、Ｃｕ層である。

第１磁性部材１１Ｍは、複数の第１磁性領域１１ｍと、第１非磁性領域１１ｎと、を含む。複数の第１磁性領域１１ｍの１つから複数の第１磁性領域１１ｍの別の１つへの方向は、第１磁極３１から第２磁極３２への第１方向（例えばＸ軸方向）に沿う。第１非磁性領域１１ｎは、複数の第１磁性領域１１ｍの１つと、複数の第１磁性領域１１ｍの別の１つと、の間にある。

図６に示すように、この例では、複数の第１非磁性領域１１ｎが設けられる。複数の第１磁性領域１１ｍの１つは、複数の第１非磁性領域１１ｎの１つと、複数の第１非磁性領域１１ｎの別の１つと、の間にある。

複数の第１磁性領域１１ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含む。第１非磁性領域１１ｎ（例えば、複数の第１非磁性領域１１ｎの１つでも良い）は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素を含む。第１非磁性領域１１ｎは、Ｃｕを含まない。または、第１非磁性領域１１ｎに含まれるＣｕの濃度は、複数の第１層２１におけるＣｕの濃度よりも低い。第１実施形態に関して説明したのと同様に、第１磁性部材１１Ｍは、例えば、負のスピン分極を有する。

第２磁性部材１２Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性部材１２Ｍは、例えば、正のスピン分極を有する。

例えば、第１磁性部材１１Ｍは、スピン注入層として機能する。第２磁性部材１２Ｍは、例えば、発振層として機能する。積層体２０Ｓは、スピントルク発振子の少なくとも一部として機能する。

図６に示すように、第１磁性部材１１Ｍの第１方向（例えばＸ軸方向）に沿う厚さ（第１磁性部材厚さ１１Ｍｔ）は、第２磁性部材１２Ｍの第１方向に沿う厚さ（第２磁性部材厚さ１２Ｍｔ）よりも薄い。例えば、電気回路２０Ｄから電流Ｉｓが積層体２０Ｓに供給される。電流Ｉｓは、第２磁性部材１２Ｍから第１磁性部材１１Ｍへの向きを有する。

このような電流Ｉｓにより、第２磁性部材１２Ｍの磁化が発振する。積層体２０Ｓから交流磁界が発生する。交流磁界は、磁気記録媒体８０の特定の領域に印加される。交流磁界が印加された特定の領域において、磁化の向きが局所的に変化し易くなる。例えば、ＭＡＭＲが実施される。

実施形態においては、第１磁性部材１１Ｍにおいて、負のスピン分極が安定して得られる。これにより、安定した発振が得られ、安定したＭＡＭＲが実施できる。例えば、積層体２０Ｓにしきい値以上の電流Ｉｓが供給されたときのＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）は、電流が供給されないときのＳＮＲよりも高い。実施形態によれば、ＭＡＭＲが実施されることで、記録密度を向上しても高いＳＮＲが維持でき、安定した動作が得られる。第２実施形態にいても、安定した動作が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供できる。

スピントルク発振子として、正のスピン分極を有する２つの磁性層を用いる参考例がある。この参考例を第１磁極３１及び第２磁極３２の間に置くと、正のスピン分極のスピン注入により、スピントランスファトルクによる発振（磁化反転特性）が抑制される。参考例においては、スピントランスファトルクが打ち消すように作用する。

これに対して、実施形態においては、負のスピン分極を有する第１磁性部材１１Ｍによるスピン注入により、第１磁極３１及び第２磁極３２からの正のスピン注入との相乗効果が生じる。第１磁性部材１１Ｍによるスピントランスファトルクと、第１磁極３１及び第２磁極３２からのスピントランスファトルクと、が加算され、大きなスピントランスファトルクが得られる。実施形態においては、例えば、第１磁極３１及び第２磁極３２の少なくともいずれかが、スピントルク発振子の一部として利用される、実施形態によれば、良好な発振特性が得られる。

磁気ヘッド１２０において、複数の第１磁性領域１１ｍは、第２元素（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つ）を実質的に含まない。または、複数の第１磁性領域１１ｍに含まれる第２元素の濃度は、第１非磁性領域１１ｎにおける第２元素の濃度よりも低い。

磁気ヘッド１２０において、第１非磁性領域１２ｎは、第１元素（Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つ）を実質的に含まない。または、第１非磁性領域１１ｎに含まれる第１元素の濃度は、複数の第１磁性領域１１ｍにおける第１元素の濃度よりも低い。

磁気ヘッド１２０において、第２磁性部材１２Ｍは、第２元素（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つ）を実質的に含まない。または、第２磁性部材１２Ｍに含まれる第２元素の濃度は、第１非磁性領域１１ｎにおける第２元素の濃度よりも低い。

図６に示すように、積層体２０Ｓは、第１磁極側中間層２５ａを含んでも良い。第１磁極側中間層２５ａは、第１磁極３１と第１磁性部材１１Ｍとの間に設けられる。第１磁極側中間層２５ａは、例えば、第１材料、第２材料及び第３材料よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１材料は、アモルファス磁性体を含む。第２材料は、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３材料は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＮｂよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。このような、第１磁極側中間層２５ａが設けられることで、例えば、第１磁極３１と第１磁性部材１１Ｍとの間の磁気的な結合が効果的に遮断される。

第１磁極側中間層２５ａの第１方向（例えばＸ軸方向）に沿う厚さは、例えば、１ｎｍ以上７ｎｍ以下である。

図６に示すように、積層体２０Ｓは、第２磁極側中間層２５ｂを含んでも良い。第２磁極側中間層２５ｂは、第２磁性部材１２Ｍと第２磁極３２との間に設けられる。第２磁極側中間層２５ｂは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁極側中間層２５ｂは、例えば、正のスピン分極を有する。第２磁極側中間層２５ｂが設けられることで、例えば、磁化を安定して制御できる。例えば、安定した発振が得易くなる。例えば、第２磁極側中間層２５ｂが第２磁極３２と接して磁気結合する。例えば、第２磁極側中間層２５ｂの磁化の向きは、第２磁極３２の磁化の向きと同じになる。第２磁性部材１２Ｍからのスピントランスファトルクを受けても、第２磁極側中間層２５ｂの磁化の向きの乱れは僅かである。例えば、第２磁性部材１２において、安定した発振が得易くなる。第２磁極３２が第２磁極側中間層２５ｂの機能を有しても良い。この場合、第２磁極側中間層２５ｂは、省略できる。

図７は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図７に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１２１においては、積層体２０Ｓは、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２に加えて、第３磁性部材１３Ｍ及び第３層２３を含む。磁気ヘッド１２１における、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２の構成は、磁気ヘッド１２０における、第１磁性部材１１Ｍ、第２磁性部材１２Ｍ、第１層２１及び第２層２２の構成と同様で良い。以下、磁気ヘッド１２１における第３磁性部材１３Ｍ及び第３層２３の例について説明する。

第３磁性部材１３Ｍは、第１層２１と第２磁性部材１２Ｍとの間に設けられる。第３層２３は、第３磁性部材１３Ｍと第２磁性部材１２Ｍとの間に設けられる。第３層２３は、Ｃｕを含む。第３層２３は、例えば、Ｃｕ層でも良い。後述するように、第３層２３は、Ｃｕに加えて、他の元素を含んでも良い。

第３磁性部材１３Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性部材１３Ｍは、第２元素（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つ）を含まない。または、第３磁性部材１３Ｍに含まれる第２元素の濃度は、第１非磁性領域１１ｎにおける第２元素の濃度よりも低い。

磁気ヘッド１２１において、第３磁性部材１３Ｍは、例えば、正のスピン分極を有する。第３磁性部材１３Ｍ及び第３層２３が設けられることで、例えば、より安定した発振が得られる。

磁気ヘッド１２１において、第３層２３は、Ｃｕに加えて、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｖ及びＲｈよりなる群から選択された少なくとも１つの第７元素を含んでも良い。第３層２３が、第７元素を含むことで、例えば、スピントランスファトルクを抑制できる。例えば、第３層２３のスピントランスファトルクは、第１層２１のスピントランスファトルクよりも小さく、第２層２２のスピントランスファトルクよりも小さい。これにより、第２磁性部材１２Ｍにおいて、より安定した発振が得られる。例えば、第２磁性部材１２Ｍにおいて、より安定した磁化反転が得られる。

第１層２１は、上記の第７元素を含まない。または、第１層２１における第７元素の濃度は、第３層２３における第７元素の濃度よりも低い。第２層２２は、第７元素を含まない。または、第２層２２における第７元素の濃度は、第３層２３における第７元素の濃度よりも低い。

図７に示すように、磁気ヘッド１２１においても、積層体２０Ｓは、第１磁極３１と第１磁性部材１１Ｍとの間に設けられた第１磁極側中間層２５ａを含んでも良い。既に説明したように、第１磁極側中間層２５ａは、上記の、第１材料、第２材料及び第３材料よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１磁極３１と第１磁性部材１１Ｍとの間の磁気的な結合が効果的に遮断される。

磁気ヘッド１２１においても、積層体２０Ｓは、第２磁性部材１２Ｍと第２磁極３２との間に設けられた第２磁極側中間層２５ａを含んでも良い。磁気ヘッド１２１においても、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。

以下、第１磁性部材１１Ｍの例について説明する。
図８（ａ）〜図８（ｄ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的断面図である。
図８（ａ）に示すように、第１磁性領域１１ｍの数は、第１非磁性領域１１ｎの数よりも多くても良い。例えば、第１層２１は、複数の第１磁性領域１１ｍの１つと接しても良い。

図８（ｂ）に示すように、第１非磁性領域１１ｎの数は、第１磁性領域１１ｍの数よりも多くても良い。例えば、第１層２１は、第１非磁性領域１１ｎと接しても良い。

図８（ｃ）及び図８（ｄ）に示すように、第１磁性領域１１ｍの数は、第１非磁性領域１１ｎの数と同じでも良い。図８（ｃ）に示すように、第１層２１は、複数の第１磁性領域１１ｍの１つと接しても良い。図８（ｃ）に示すように、第１層２１は、第１非磁性領域１１ｎと接しても良い。

図８（ａ）〜図８（ｄ）に関して説明した第１磁性部材１１Ｍの構成は、第１実施形態に係る第２磁性部材１２Ｍ及び第３磁性部材１３Ｍの少なくともいずれかに適用可能である。

図９は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的断面図である。
図９に示すように、第１磁極３１から第２磁極３２への方向Ｄ１は、Ｘ軸方向に対して傾斜しても良い。方向Ｄ１は、積層体２０Ｓの積層方向に対応する。Ｘ軸方向は、第１磁極３１の媒体対向面３０Ｆに沿う。方向Ｄ１と媒体対向面３０Ｆとの間の角度を角度θ１とする。角度θ１は、例えば、１５度以上３０度以下である。角度θ１は、０度でも良い。

方向Ｄ１が、Ｘ軸方向に対して傾斜する場合、層の厚さは、方向Ｄ１に沿う長さに対応する。方向Ｄ１がＸ軸方向に対して傾斜する構成は、上記の実施形態に適用されて良い。

以下、実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置に関するいくつかの例について説明する。以下では、磁気ヘッド１１０が用いられる場合の例が示される。

図１０は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的斜視図である。
図１０に示すように、磁気ヘッド１１０は、例えば、記録部６０及び再生部７０を含む。磁気ヘッド１１０の記録部６０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。再生部７０により、磁気記録媒体８０に記録された情報が再生される。

磁気記録媒体８０は、例えば、媒体基板８２と、媒体基板８２の上に設けられた磁気記録層８１と、を含む。磁気記録層８１の磁化８３が記録部６０により制御される。

再生部７０は、例えば、第１再生シールド７２ａ、第２再生シールド７２ｂ、及び磁気再生素子７１を含む。磁気再生素子７１は、第１再生シールド７２ａと第２再生シールド７２ｂとの間に設けられる。磁気再生素子７１は、磁気記録層８１の磁化８３に応じた信号を出力可能である。

図１０に示すように、磁気記録媒体８０は、媒体移動方向８５の方向に、磁気ヘッド１１０に対して相対的に移動する。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が制御される。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が再生される。

図１１は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１１は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体８０の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体８０に対して相対的に運動する。

ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。

図１２は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１２に示すように、実施形態に係る磁気記録装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を含んでも良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。

ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッド（例えば磁気ヘッド１１０）が設けられる。

記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。

サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッド（例えば磁気ヘッド１１０）は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。

アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。

図１３（ａ）は、磁気記録装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
図１３（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。

図１３（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。

図１３（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。

サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッド（例えば磁気ヘッド１１０）が設けられる。

実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッド（例えば磁気ヘッド１１０）と、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。

サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えば発振素子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。

磁気記録装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。

実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。

例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。

実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。

（構成１）
第１磁極と、
第２磁極と、
前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた積層体と、
を備え、
前記積層体は、
第１磁性部材と、
前記第１磁性部材と、前記第２磁極との間に設けられた第２磁性部材と、
前記第１磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第１層と、
前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられＣｕを含む第２層と、
を含み、
前記第１磁性部材は、複数の第１磁性領域と、第１非磁性領域と、を含み、
前記複数の第１磁性領域の１つから前記複数の第１磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１磁極から前記第２磁極への第１方向に沿い、
前記第１非磁性領域は、前記複数の第１磁性領域の前記１つと、前記複数の第１磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
前記複数の第１磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含み、
前記第１非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素を含み、
前記第１非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第１非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記第１層におけるＣｕの濃度よりも低く、
前記第２磁性部材は、複数の第２磁性領域と、第２非磁性領域と、を含み、
前記複数の第２磁性領域の１つから前記複数の第２磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
前記第２非磁性領域は、前記複数の第２磁性領域の前記１つと、前記複数の第２磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
前記複数の第２磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第３元素を含み、
前記第２非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第４元素を含み、
前記第２非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第２非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記第２層におけるＣｕの濃度よりも低い、磁気ヘッド。

（構成２）
複数の前記第１非磁性領域が設けられ、
前記複数の第１磁性領域の前記１つは、前記複数の第１非磁性領域の１つと、前記複数の第１非磁性領域の別の１つと、の間にあり、
複数の前記第２非磁性領域が設けられ、
前記複数の第２磁性領域の前記１つは、前記複数の第２非磁性領域の１つと、前記複数の第２非磁性領域の別の１つと、の間にある、構成１記載の磁気ヘッド。

（構成３）
前記第１磁性部材の前記第１方向に沿う厚さは、前記第２磁性部材の前記第１方向に沿う厚さよりも薄い、構成１または２に記載の磁気ヘッド。

（構成４）
前記複数の第１磁性領域は、前記第２元素を含まない、または、前記複数の第１磁性領域に含まれる前記第２元素の濃度は、前記第１非磁性領域における前記第２元素の濃度よりも低く、
前記第１非磁性領域は、前記第１元素を含まない、または、前記第１非磁性領域に含まれる前記第１元素の濃度は、前記複数の第１磁性領域における前記第１元素の濃度よりも低く、
前記複数の第２磁性領域は、前記第４元素を含まない、または、前記複数の第２磁性領域に含まれる前記第４元素の濃度は、前記第２非磁性領域における前記第４元素の濃度よりも低く、
前記第２非磁性領域は、前記第３元素を含まない、または、前記第２非磁性領域に含まれる前記第３元素の濃度は、前記複数の第２磁性領域における前記第３元素の濃度よりも低い、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成５）
前記積層体は、前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられた第２磁極側中間層を含み、
前記第２磁極側中間層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成６）
前記積層体は、
前記第１層と前記第２磁性部材との間に設けられた第３磁性部材と、
前記第３磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第３層と、
をさらに含み、
前記第３磁性部材は、複数の第３磁性領域と、第３非磁性領域と、を含み、
前記複数の第３磁性領域の１つから前記複数の第３磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
前記第３非磁性領域は、前記複数の第３磁性領域の前記１つと、前記複数の第３磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
前記複数の第３磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第５元素を含み、
前記第３非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第６元素を含み、
前記第３非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第３非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記第３層におけるＣｕの濃度よりも低い、構成１〜５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成７）
複数の前記第３非磁性領域が設けられ、
前記複数の第３磁性領域の前記１つは、前記複数の第３非磁性領域の１つと、前記複数の第３非磁性領域の別の１つと、の間にある、構成６記載の磁気ヘッド。

（構成８）
前記積層体は、前記第１磁極と前記第１磁性部材との間に設けられた第１中間非磁性層をさらに含み、
前記第１中間非磁性層は、Ｔａ、Ｒｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成９）
前記第１中間非磁性層の前記第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上７ｎｍ以下である、構成８記載の磁気ヘッド。

（構成１０）
前記積層体は、
前記第１層と前記第２磁性部材との間に設けられた第３磁性部材と、
前記第３磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第３層と、
をさらに含み、
前記第３磁性部材は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性部材は、前記第２元素を含まない、または、前記第３磁性部材に含まれる前記第２元素の濃度は、前記第１非磁性領域における前記第２元素の濃度よりも低い、構成１〜５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成１１）
前記積層体は、前記第１磁極と前記第１磁性部材との間に設けられた第１磁極側中間層を含み、
前記第１磁極側中間層は、第１材料、第２材料及び第３材料よりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第１材料は、アモルファス磁性体を含み、
前記第２材料は、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３材料は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＮｂよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む、構成１０記載の磁気ヘッド。

（構成１２）
前記第１磁極側中間層の前記第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上７ｎｍ以下である、構成１１記載の磁気ヘッド。

（構成１３）
前記複数の第１磁性領域の前記１つ前記第１方向に沿う厚さは、０．１５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であり、
前記第１非磁性領域の前記第１方向に沿う厚さは、０．１５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下である、構成１〜１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成１４）
第１磁極と、
第２磁極と、
前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた積層体と、
を備え、
前記積層体は、
第１磁性部材と、
前記第１磁性部材と、前記第２磁極との間に設けられた第２磁性部材と、
前記第１磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第１層と、
前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられＣｕを含む第２層と、
を含み、
前記第１磁性部材は、複数の第１磁性領域と、第１非磁性領域と、を含み、
前記複数の第１磁性領域の１つから前記複数の第１磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１磁極から前記第２磁極への第１方向に沿い、
前記第１非磁性領域は、前記複数の第１磁性領域の前記１つと、前記複数の第１磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
前記複数の第１磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含み、
前記第１非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素を含み、
前記第１非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第１非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記複数の第１層におけるＣｕの濃度よりも低く、
前記第２磁性部材は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、磁気ヘッド。

（構成１５）
前記第１磁性部材の前記第１方向に沿う厚さは、前記第２磁性部材の前記第１方向に沿う厚さよりも薄い、構成１４記載の磁気ヘッド。

（構成１６）
前記複数の第１磁性領域は、前記第２元素を含まない、または、前記複数の第１磁性領域に含まれる前記第２元素の濃度は、前記第１非磁性領域における前記第２元素の濃度よりも低く、
前記第１非磁性領域は、前記第１元素を含まない、または、前記第１非磁性領域に含まれる前記第１元素の濃度は、前記複数の第１磁性領域における前記第１元素の濃度よりも低く、
前記第２磁性部材は、前記第２元素を含まない、または、前記第２磁性部材に含まれる前記第２元素の濃度は、前記第１非磁性領域における前記第２元素の前記濃度よりも低い、構成１４または１５に記載の磁気ヘッド。

（構成１７）
前記積層体は、
前記第１層と前記第２磁性部材との間に設けられた第３磁性部材と、
前記第３磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第３層と、
をさらに含み、
前記第３磁性部材は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性部材は、前記第２元素を含まない、または、前記第３磁性部材に含まれる前記第２元素の濃度は、前記第１非磁性領域における前記第２元素の濃度よりも低い、構成１４〜１６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成１８）
前記積層体は、前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられた第２磁極側中間層を含み、
前記第２磁極側中間層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１４〜１７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成１９）
前記積層体は、前記第１磁極と前記第１磁性部材との間に設けられた第１磁極側中間層を含み、
前記第１磁極側中間層は、第１材料、第２材料及び第３材料よりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第１材料は、アモルファス磁性体を含み、
前記第２材料は、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３材料は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＮｂよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む、構成１４〜１８のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成２０）
構成１〜１９のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
電気回路と、
を備え、
前記電気回路は、前記磁気ヘッドに電流を供給可能であり、
前記電流は、前記第２磁性部材から前記第１磁性部材への向きを有する、磁気記録装置。

実施形態によれば、安定した動作が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置が提供できる。

本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる、磁極、磁性部材、磁性領域、非磁性領域、積層体、磁性層及び非磁性層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１Ｍ〜１３Ｍ…第１〜第３磁性部材、 １１Ｍｔ〜１３Ｍｔ…第１〜第３磁性部材厚さ、 １１ｍ〜１３ｍ…第１〜第３磁性領域、 １１ｍｔ〜１３ｍｔ…第１〜第３磁性領域厚さ、 １１ｎ〜１３ｎ…第１〜第３非磁性領域、 １１ｎｔ〜１３ｎｔ…第１〜第３非磁性領域厚さ、 ２０Ｄ…電気回路、 ２０Ｓ…積層体、 ２１〜２３…第１〜第３層、 ２５ａ、２５ｂ…第１、第２磁極側中間層、 ２５ｃ…磁性中間層、 ２７ｎ…中間非磁性層、 ３０Ｄ…記録回路、 ３０Ｆ…媒体対向面、 ３０ｃ…コイル、 ３０ｉ…絶縁部、 ３１…第１磁極、 ３２…第２磁極、 ３３…シールド、 ６０…記録部、 ７０…再生部、 ７１…磁気再生素子、 ７２ａ、７２ｂ…第１、第２再生シールド、 ８０…磁気記録媒体、 ８１…磁気記録層、 ８２…媒体基板、 ８３…磁化、 ８５…媒体移動方向、 θ１…角度、 １１０、１１０ａ、１１１、１１２、１２０、１２１…磁気ヘッド、 １５０…磁気記録装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９…ヘッドスライダ、 １５９Ａ…空気流入側、 １５９Ｂ…空気流出側、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ…スピンドルモータ、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 ２１０…磁気記録装置、 ＡＲ、ＡＲ１…矢印、 Ｄ１…方向、 Ｉｓ…電流、 Ｉｗ…記録電流、 Ｔ１、Ｔ２…第１、第２端子、 Ｗ１、Ｗ２…第１、第２配線

Claims (10)

1. 第１磁極と、
   第２磁極と、
   前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた積層体と、
   を備え、
   前記積層体は、
   第１磁性部材と、
   前記第１磁性部材と、前記第２磁極との間に設けられた第２磁性部材と、
   前記第１磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第１層と、
   前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられＣｕを含む第２層と、
   を含み、
   前記第１磁性部材は、複数の第１磁性領域と、第１非磁性領域と、を含み、
   前記複数の第１磁性領域の１つから前記複数の第１磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１磁極から前記第２磁極への第１方向に沿い、
   前記第１非磁性領域は、前記複数の第１磁性領域の前記１つと、前記複数の第１磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
   前記複数の第１磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含み、
   前記第１非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素を含み、
   前記第１非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第１非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記第１層におけるＣｕの濃度よりも低く、
   前記第２磁性部材は、複数の第２磁性領域と、第２非磁性領域と、を含み、
   前記複数の第２磁性領域の１つから前記複数の第２磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
   前記第２非磁性領域は、前記複数の第２磁性領域の前記１つと、前記複数の第２磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
   前記複数の第２磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第３元素を含み、
   前記第２非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第４元素を含み、
   前記第２非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第２非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記第２層におけるＣｕの濃度よりも低い、磁気ヘッド。
2. 前記第１磁性部材の前記第１方向に沿う厚さは、前記第２磁性部材の前記第１方向に沿う厚さよりも薄い、請求項１記載の磁気ヘッド。
3. 前記積層体は、前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられた第２磁極側中間層を含み、
   前記第２磁極側中間層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
4. 前記積層体は、
   前記第１層と前記第２磁性部材との間に設けられた第３磁性部材と、
   前記第３磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第３層と、
   をさらに含み、
   前記第３磁性部材は、複数の第３磁性領域と、第３非磁性領域と、を含み、
   前記複数の第３磁性領域の１つから前記複数の第３磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
   前記第３非磁性領域は、前記複数の第３磁性領域の前記１つと、前記複数の第３磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
   前記複数の第３磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第５元素を含み、
   前記第３非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第６元素を含み、
   前記第３非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第３非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記第３層におけるＣｕの濃度よりも低い、請求項１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
5. 前記積層体は、前記第１磁極と前記第１磁性部材との間に設けられた第１中間非磁性層をさらに含み、
   前記第１中間非磁性層は、Ｔａ、Ｒｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
6. 前記積層体は、
   前記第１層と前記第２磁性部材との間に設けられた第３磁性部材と、
   前記第３磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第３層と、
   をさらに含み、
   前記第３磁性部材は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第３磁性部材は、前記第２元素を含まない、または、前記第３磁性部材に含まれる前記第２元素の濃度は、前記第１非磁性領域における前記第２元素の濃度よりも低い、請求項１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
7. 第１磁極と、
   第２磁極と、
   前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた積層体と、
   を備え、
   前記積層体は、
   第１磁性部材と、
   前記第１磁性部材と、前記第２磁極との間に設けられた第２磁性部材と、
   前記第１磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第１層と、
   前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられＣｕを含む第２層と、
   を含み、
   前記第１磁性部材は、複数の第１磁性領域と、第１非磁性領域と、を含み、
   前記複数の第１磁性領域の１つから前記複数の第１磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１磁極から前記第２磁極への第１方向に沿い、
   前記第１非磁性領域は、前記複数の第１磁性領域の前記１つと、前記複数の第１磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
   前記複数の第１磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含み、
   前記第１非磁性領域は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素を含み、
   前記第１非磁性領域は、Ｃｕを含まない、または、前記第１非磁性領域に含まれる前記Ｃｕの濃度は、前記複数の第１層におけるＣｕの濃度よりも低く、
   前記第２磁性部材は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、磁気ヘッド。
8. 前記第１磁性部材の前記第１方向に沿う厚さは、前記第２磁性部材の前記第１方向に沿う厚さよりも薄い、請求項７記載の磁気ヘッド。
9. 前記積層体は、
   前記第１層と前記第２磁性部材との間に設けられた第３磁性部材と、
   前記第３磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられＣｕを含む第３層と、
   をさらに含み、
   前記第３磁性部材は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第３磁性部材は、前記第２元素を含まない、または、前記第３磁性部材に含まれる前記第２元素の濃度は、前記第１非磁性領域における前記第２元素の濃度よりも低い、請求項７または８に記載の磁気ヘッド。
10. 請求項１〜９のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
    電気回路と、
    を備え、
    前記電気回路は、前記磁気ヘッドに電流を供給可能であり、
    前記電流は、前記第２磁性部材から前記第１磁性部材への向きを有する、磁気記録装置。

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