CN113763994A - 磁头及磁记录装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间且包括Cu的第1层及设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间且包括Cu的第2层。所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。

Description

磁头及磁记录装置

本申请以日本专利申请2020-095415(申请日2020年6月1日)为基础，根据该申请而享受优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的内容的全部。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁头及磁记录装置。

背景技术

在磁记录装置中，设置使用了包括磁性层的层叠体的磁头。在磁记录装置中，期望稳定的动作。

发明内容

本发明的实施方式提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。

用于解决课题的手段

根据本发明的实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间且包括Cu的第1层及设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间且包括Cu的第2层。所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。从所述多个第1磁性区域的1个向所述多个第1磁性区域的另外的1个的方向沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向。所述第1非磁性区域处于所述多个第1磁性区域的所述1个与所述多个第1磁性区域的所述另外的1个之间。所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。所述第1非磁性区域不包括Cu，或者，所述第1非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第1层中的Cu的浓度低。所述第2磁性构件包括多个第2磁性区域和第2非磁性区域。从所述多个第2磁性区域的1个向所述多个第2磁性区域的另外的1个的方向沿着所述第1方向。所述第2非磁性区域处于所述多个第2磁性区域的所述1个与所述多个第2磁性区域的所述另外的1个之间。所述多个第2磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第3元素。所述第2非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第4元素。所述第2非磁性区域不包括Cu，或者，所述第2非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第2层中的Cu的浓度低。根据上述构成的磁头，能够提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。

附图说明

图1是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。

图2是例示实施方式的磁记录装置的示意性剖视图。

图3是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。

图4是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。

图5是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。

图6是例示第2实施方式的磁头的示意性剖视图。

图7是例示第2实施方式的磁头的示意性剖视图。

图8(a)～图8(d)是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

图9是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

图10是例示实施方式的磁头的示意性立体图。

图11是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性立体图。

图12是例示实施方式的磁记录装置的示意性立体图。

图13(a)及图13(b)是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性立体图。

标号说明

11M～13M…第1～第3磁性构件，11Mt～13Mt…第1～第3磁性构件厚度，11m～13m…第1～第3磁性区域，11mt～13mt…第1～第3磁性区域厚度，11n～13n…第1～第3非磁性区域，11nt～13nt…第1～第3非磁性区域厚度，20D…电路，20S…层叠体，21～23…第1～第3层，25a、25b…第1、第2磁极侧中间层，25c…磁性中间层，27n…中间非磁性层，30D…记录电路，30F…介质相对面，30c…线圈，30i…绝缘部，31…第1磁极，32…第2磁极，33…屏蔽件，60…记录部，70…再现部，71…磁再现元件，72a、72b…第1、第2再现屏蔽件，80…磁记录介质，81…磁记录层，82…介质基板，83…磁化，85…介质移动方向，θ1…角度，110、110a、111、112、120、121…磁头，150…磁记录装置，154…悬架，155…臂，156…音圈马达，157…轴承部，158…头万向节组件，159…头滑动件，159A…空气流入侧，159B…空气流出侧，160…头堆叠组件，161…支承框架，162…线圈，180…记录用介质盘，180M…主轴马达，181…记录介质，190…信号处理部，210…磁记录装置，AR、AR1…箭头，D1…方向，Is…电流，Iw…记录电流，T1、T2…第1、第2端子，W1、W2…第1、第2布线。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。

附图是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实相同。即使在表示相同部分的情况下，有时也根据附图以互相的尺寸、比率不同的方式表示。

在本申请说明书和各图中，对与关于已经出现的图在之前叙述了的要素同样的要素标注同一标号，详细的说明适当省略。

(第1实施方式)

图1是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。

图2是例示实施方式的磁记录装置的示意性剖视图。

如图2所示，第1实施方式的磁记录装置210包括磁头110和电路20D。例如，在磁头110设置有记录部60。如后所述，磁头110也可以包括再现部。

磁记录装置210也可以包括磁记录介质80。通过磁头110的记录部60来向磁记录介质80记录信息。磁记录介质80例如是垂直记录介质。关于磁记录介质80的例子后述。

如图1所示，磁头110包括第1磁极31、第2磁极32及层叠体20S。层叠体20S设置于第1磁极31与第2磁极32之间。第1磁极31例如是主磁极。第2磁极32例如是拖尾屏蔽件。在实施方式中，也可以是，第2磁极32是主磁极，第1磁极31是拖尾屏蔽件。

第1磁极31及第2磁极32例如形成磁路。在第1磁极31(或/及第2磁极32)设置有线圈30c。例如，从记录电路30D向线圈30c供给记录电流Iw。从第1磁极31产生与向线圈30c流动的记录电流Iw相应的记录磁场。产生的记录磁场的至少一部分朝向磁记录介质80。记录磁场的至少一部分向磁记录介质80施加。磁记录介质80中的被施加了记录磁场的部分的磁化的朝向由记录磁场控制。由此，向磁记录介质80记录与记录磁场的朝向相应的信息。例如，记录磁场的至少一部分朝向磁记录介质80后，朝向第2磁极32。

从第1磁极31向第2磁极32的方向D1例如沿着X轴方向。将相对于X轴方向垂直的1个方向设为Z轴方向。将相对于X轴方向及Z轴方向垂直的方向设为Y轴方向。

能够向层叠体20S供给电流Is。例如，如后所述，经由第1磁极31及第2磁极32而向层叠体20S供给电流Is。

在1个例子中，通过电流Is，层叠体20S中包含的磁性层的磁化的朝向反转。由此，记录磁场高效地向磁记录介质80施加。在别的例子中，通过电流Is，层叠体20S中包含的磁性层的磁化振荡。由此，例如，实施MAMR(Microwave Assisted Magnetic Recording：微波辅助磁记录)。在第1实施方式中，通过电流Is，层叠体20S中包含的磁性层的磁化的朝向反转。

如图2所示，第1磁极31包括介质相对面30F。介质相对面30F例如是ABS(AirBearing Surface：空气轴承表面)。介质相对面30F例如与磁记录介质80相对。

例如，相对于介质相对面30F垂直的方向对应于Z轴方向。Z轴方向例如是高度方向。X轴方向例如是沿磁道(down-track)方向。Y轴方向例如是穿磁道(cross-track)方向。

如图2所示，电路20D与层叠体20S电连接。在该例子中，层叠体20S与第1磁极31及第2磁极32电连接。在磁头110设置有第1端子T1及第2端子T2。第1端子T1经由第1布线W1及第1磁极31而与层叠体20S电连接。第2端子T2经由第2布线W2及第2磁极32而与层叠体20S电连接。从电路20D向层叠体20S供给电流Is(例如，直流电流)。

如图2所示，在记录部60中，也可以设置屏蔽件33。在屏蔽件33与第2磁极32之间设置第1磁极31。在屏蔽件33、第1磁极31及第2磁极32的周围设置绝缘部30i。

图1对应于从图2的箭头AR1观察时的图。

如图1所示，磁头110的层叠体20S包括第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22。第2磁性构件12M设置于第1磁性构件11M与第2磁极32之间。

第1层21设置于第1磁性构件11M与第2磁性构件12M之间。第1层21包括Cu。第1层21例如是Cu层。第1层21是非磁性层。

第2层22设置于第2磁性构件12M与第2磁极32之间。第2层22包括Cu。第2层22例如是Cu层。第2层22是非磁性层。

将从第1磁性构件11M向第2磁性构件12M的方向设为第1方向。将第1方向设为X轴方向。第1方向例如沿着图2所例示的方向D1。第1方向(X轴方向)例如对应于层叠方向。第1层21及第2层22实质上沿着X-Y平面。

如图1所示，第1磁性构件11M包括多个第1磁性区域11m和第1非磁性区域11n。从多个第1磁性区域11m的1个向多个第1磁性区域11m的另外的1个的方向沿着从第1磁极31向第2磁极32的第1方向。第1方向例如可以实质上是X轴方向。

第1非磁性区域11n处于多个第1磁性区域11m的1个与多个第1磁性区域11m的另外的1个之间。在该例子中，设置多个第1非磁性区域11n。多个第1磁性区域11m的1个处于多个第1非磁性区域11n的1个与多个第1非磁性区域11n的另外的1个之间。

多个第1磁性区域11m包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。多个第1非磁性区域11n包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。第1非磁性区域11n不包括Cu。或者，第1非磁性区域11n中包含的Cu的浓度比第1层21中的Cu的浓度低。

第2磁性构件12M包括多个第2磁性区域12m和第2非磁性区域12n。从多个第2磁性区域12m的1个向多个第2磁性区域12m的另外的1个的方向沿着上述的第1方向(例如X轴方向)。第2非磁性区域12n处于多个第2磁性区域12m的1个与多个第2磁性区域12m的另外的1个之间。在该例子中，设置多个第2非磁性区域12n。多个第2磁性区域12m的1个处于多个第2非磁性区域12n的1个与多个第2非磁性区域12n的另外的1个之间。

多个第2磁性区域12m包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第3元素。第2非磁性区域12n包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第4元素。第2非磁性区域12n不包括Cu。或者，第2非磁性区域12n中包含的Cu的浓度比第2层22中的Cu的浓度低。

在该例子中，层叠体20S还包括第1中间非磁性层27n及第2磁极侧中间层25b。第1中间非磁性层27n处于第1磁极31与第1磁性构件11M之间。第1中间非磁性层27n例如包括从由Ta、Ru及Cr构成的群选择出的至少1个。通过设置第1中间非磁性层27n，第1磁极31与第1磁性构件11M之间的磁耦合实质上被切断。

第2磁极侧中间层25b设置于第2磁性构件12M与第2磁极32之间。第2磁极侧中间层25b包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。第2磁极侧中间层25b例如包括FeCo。通过设置第2磁极侧中间层25b，层叠体20S中包含的磁性层的磁化容易控制。第2磁极侧中间层25b与第2磁极32相接而磁耦合。第2磁极侧中间层25b的磁化的朝向与第2磁极32的磁化的朝向相同。例如，即使接受来自第2磁性构件12M的自旋转移矩，第2磁极侧中间层25b的磁化的紊乱也是稍微的。例如，第2磁性构件12M的磁化稳定地反转。第2磁极侧中间层25b例如具有正的自旋极化。第2磁极32也可以具有第2磁极侧中间层25b的功能。在该情况下，第2磁极侧中间层25b能够省略。

在实施方式中，在第1磁性构件11M中，在包括第1元素(例如Fe等)的多个第1磁性区域11m之间设置包括第2元素(例如Cr等)的第1非磁性区域11n。例如，多个第1磁性区域11m和多个第1非磁性区域11n可以交替地设置。通过这样的构成，第1磁性构件11M能够具有稳定的大的负的自旋极化。第2磁性构件12M也能够稳定地具有负的自旋极化。

例如，在包括第1元素(例如Fe等)和第2元素(例如Cr)的合金中，呈现互相非固溶的平衡状态。在该合金中，存在分离成包括第1元素的区域(例如颗粒)和包括第2元素的区域(例如颗粒)而混合的倾向。在包括第1元素的区域(例如颗粒)小的情况下，容易产生负的自旋极化。例如，Fe与Cr的界面处的负的自旋极化被相加。由此，容易产生负的自旋极化。

另一方面，若施加热等，则自旋极化容易成为正。关于此，可认为通过施加热而包括第1元素的区域(例如颗粒)变大而且包括第1元素的多个区域之间的距离变长是原因。例如，通过Fe颗粒变大，正的自旋极化变大。Fe与Cr的界面的量(每单位体积的面积)减少，Fe与Cr的界面处的负的自旋极化减少。

这样，在包括第1元素(例如Fe等)和第2元素(例如Cr)的合金中，在热处理等中自旋极化的极性变化，自旋极化容易成为正。

相对于此，在实施方式中，例如，在包括第1元素(例如Fe等)的2个第1磁性区域11m之间，包括第2元素的第1非磁性区域11n交替地排列。例如，第1磁性区域11m是层状，第1非磁性区域11n也是层状。由此，即使进行热处理，这些区域也稳定。能够抑制这些区域混合。通过第1磁性区域11m的厚度充分薄，负的自旋极化被维持。第1磁性区域11m与第1非磁性区域11n之间的界面稳定，能够以高的密度存在。通过第1非磁性区域11n的厚度充分薄，相邻的多个第1磁性区域11m的磁化成为一体。由此，例如，第1磁性构件11M能够稳定地具有负的自旋极化。同样，第2磁性构件12M也能够稳定地具有负的自旋极化。

在实施方式中，这样的第1磁性构件11M及第2磁性构件12M与第1层21及第2层22组合。若向层叠体20S供给电流Is，则例如第1磁性构件11M例如作为自旋注入层发挥功能。第2磁性构件12M的磁化反转。通过层叠体20S中包含的磁性构件的磁化反转，从第1磁极31出来后的记录磁场难以通过层叠体20S。其结果，记录磁场向磁记录介质80有效地施加。例如，即使在减小了记录间隙(第1磁极31与第2磁极32之间的距离)的情况下，记录磁场也向磁记录介质80有效地施加。

第1磁性构件11M例如是负的自旋注入层。在该情况下，来自第2磁极32(或第2磁极侧中间层25b)的正的自旋注入和来自第1磁性构件11M的负的自旋注入重叠。例如，在第1磁性构件11M具有正的自旋极化的情况下，来自第2磁极32(或第2磁极侧中间层25b)的正的自旋注入和来自第1磁性构件11M的正的自旋注入以互相抵消的方式作用。在实施方式中，通过使用如上所述的第1磁性构件11M，第2磁性构件12M的磁化有效地反转。

在实施方式中，在进行热处理等后，第1磁性构件11M及第2磁性构件12M中的磁的特性也稳定，能够得到高的耐热性。根据实施方式，能够提供能够实现稳定的动作的磁头。

在实施方式中，多个第1磁性区域11m的1个的沿着第1方向(X轴方向)的长度(第1磁性区域厚度11mt)例如为0.15nm以上且1.5nm以下。第1非磁性区域11n的沿着第1方向的长度(第1非磁性区域厚度11nt)例如为0.15nm以上且1.5nm以下。

通过第1磁性区域厚度11mt为0.15nm(例如单原子层的厚度)以上，例如，第1磁性区域11m容易成为具有强磁性的膜。通过第1磁性区域厚度11mt为1.5nm以下，例如，容易得到大的负的自旋极化。通过第1非磁性区域厚度11nt为0.15nm(例如单原子层的厚度)以上，例如，容易发现由第1非磁性区域11n引起的负的自旋极化。通过第1非磁性区域厚度11nt为1.5nm以下，容易将第1磁性区域11m与第1非磁性区域11n之间的界面的密度维持得高。通过第1非磁性区域厚度11nt为1.5nm以下，例如，相邻的多个第1磁性区域11m之间的磁耦合容易稳定。

在实施方式中，第1磁性区域厚度11mt在实用上例如可以设为成为多个第1磁性区域11m的1个中的第1元素的峰值的1/2的2个位置之间的沿着第1方向的距离(半值全宽(full width at half maximum，半峰全宽))。第1非磁性区域厚度11nt在实用上例如可以设为成为多个第1非磁性区域11n的1个中的第2元素的峰值的1/2的2个位置之间的沿着第1方向的距离(半值全宽)。

在实施方式中，多个第2磁性区域12m的1个的沿着第1方向(X轴方向)的长度(第2磁性区域厚度12mt)例如为0.15nm以上且1.5nm以下。第2非磁性区域12n的沿着第1方向的长度(第2非磁性区域厚度12nt)例如为0.15nm以上且1.5nm以下。

通过第2磁性区域厚度12mt为0.15nm(例如单原子层的厚度)以上，例如，第2磁性区域12m容易成为具有强磁性的膜。通过第2磁性区域厚度12mt为1.5nm以下，例如，容易得到大的负的自旋极化。通过第2非磁性区域厚度12nt为0.15nm(例如单原子层的厚度)以上，例如，容易发现由第2非磁性区域12n引起的负的自旋极化。通过第2非磁性区域厚度12nt为1.5nm以下，容易将第2磁性区域12m与第2非磁性区域12n之间的界面的密度维持得高。通过第2非磁性区域厚度12nt为1.5nm以下，例如，相邻的多个第2磁性区域12m之间的磁耦合容易稳定。

在实施方式中，第2磁性区域厚度12mt在实用上例如可以设为成为多个第2磁性区域12m的1个中的第3元素的峰值的1/2的2个位置之间的沿着第1方向的距离(半值全宽)。第2非磁性区域厚度12nt在实用上例如可以设为成为多个第2非磁性区域12n的1个中的第4元素的峰值的1/2的2个位置之间的沿着第1方向的距离(半值全宽)。

在实施方式中，多个第1磁性区域11m实质上不包括第2元素(从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个)。或者，多个第1磁性区域11m中包含的第2元素的浓度比第1非磁性区域11n中的第2元素的浓度低。

第1非磁性区域11n实质上不包括第1元素(从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个)。或者，第1非磁性区域11n中包含的第1元素的浓度比多个第1磁性区域11m中的第1元素的浓度低。

多个第2磁性区域12m实质上不包括第4元素(从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个)。或者，多个第2磁性区域12m中包含的第4元素的浓度比第2非磁性区域12n中的第4元素的浓度低。

第2非磁性区域12n实质上不包括第3元素(从由Fe、Co及Ni的群选择出的至少1个)。或者，第2非磁性区域12n中包含的第3元素的浓度比多个第2磁性区域12m中的第3元素的浓度低。

如图1所示，第1磁性构件11M的沿着第1方向(X轴方向)的厚度(第1磁性构件厚度11Mt)比第2磁性构件12M的沿着第1方向的厚度(第2磁性构件厚度12Mt)薄。在该情况下，通过向层叠体20S供给的电流Is具有从第2磁性构件12M向第1磁性构件11M的朝向，层叠体20S中包含的磁性构件的磁化有效地反转。

第1磁性构件厚度11Mt例如为第2磁性构件厚度12Mt的1.5倍以上且5倍以下。例如，第1磁性构件11M的磁化通过来自第2磁性构件12M的自旋转移矩而反转。另一方面，第2磁性构件12M的磁化通过来自第1磁性构件11M的自旋转移矩及第2磁极32(或第2磁极侧中间层25b)的自旋转移矩而反转。即使使第2磁性构件12M比第1磁性构件11M厚，第2磁性构件12M的磁化也能够反转。例如，能够增大将第1磁性构件11M及第2磁性构件12M合起来的磁化反转体积。例如，记录能力提高。

在实施方式中，第1层21的沿着第1方向(X轴方向)的厚度例如为1nm以上且4nm以下。第2层22的沿着第1方向(X轴方向)的厚度例如为1nm以上且4nm以下。通过这样的厚度，例如，磁性构件的磁化的控制能够稳定地进行。

如已经说明那样，也可以设置第1中间非磁性层27n。第1中间非磁性层27n的沿着第1方向(X轴方向)的厚度例如为1nm以上且7nm以下。通过这样的厚度，第1磁极31与第1磁性构件11M之间的磁耦合能够稳定地切断。

图3是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。

如图3所示，在实施方式的磁头110a中，层叠体20S除了第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22之外，还包括磁性中间层25c。在磁头110a中，第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22的构成可以与磁头110是同样的。以下，对磁性中间层25c的例子进行说明。

磁性中间层25c设置于第2磁性构件12M与第2层22之间。磁性中间层25c例如包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。磁性中间层25c例如具有正的自旋极化。通过设置磁性中间层25c，例如，第2磁极侧中间层25b的磁化容易稳定。在磁性中间层25c的材料中，例如，负的自旋极化可以比第2磁性构件12M弱。中间层25c例如可以是Fe层。中间层25c例如也可以是包括Fe和Cr的合金层。在该合金中，Cr的组成比为30at％以下。中间层25c例如也可以是NiFe合金层。

图4是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。

如图4所示，在实施方式的磁头111中，层叠体20S除了第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22之外，还包括第3磁性构件13M及第3层23。在磁头111中，第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22的构成可以与磁头110是同样的。以下，对第3磁性构件13M及第3层23的例子进行说明。

第3磁性构件13M设置于第1层21与第2磁性构件12M之间。第3层23设置于第3磁性构件13M与第2磁性构件12M之间。第3层23包括Cu。第3层23例如可以是Cu层。

第3磁性构件13M包括多个第3磁性区域13m和第3非磁性区域13n。从多个第3磁性区域13m的1个向多个第3磁性区域13m的另外的1个的方向沿着第1方向(例如X轴方向)。第3非磁性区域13n处于多个第3磁性区域13m的1个与多个第3磁性区域13m的另外的1个之间。在该例子中，设置有多个第3非磁性区域13n。多个第3磁性区域13m的1个处于多个第3非磁性区域13n的1个与多个第3非磁性区域13n的另外的1个之间。

多个第3磁性区域13m包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第5元素。第3非磁性区域13n(例如可以是多个第3非磁性区域13n的1个)包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第6元素。

第3非磁性区域13n不包括Cu。或者，第3非磁性区域13n中包含的Cu的浓度比第3层23中的Cu的浓度低。

例如，第3层23实质上不包括上述的第6元素。或者，第3层23中的第6元素的浓度比第3非磁性区域13n中的第6元素的浓度低。

例如，多个第3磁性区域13m不包括第6元素(从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个)。或者，多个第3磁性区域13m中包含的第6元素的浓度比第3非磁性区域13n中的第6元素的浓度低。

第3非磁性区域13n不包括第5元素(从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个)。第3非磁性区域13n中包含的第1元素的浓度比多个第3磁性区域13m中的第5元素的浓度低。

在包括这样的第3磁性构件13M的磁头111中也是，通过供给电流Is，层叠体20S中包含的磁性构件的磁化稳定地反转。在磁头111中也是，记录磁场向磁记录介质80有效地施加。例如，即使在减小了记录间隙的情况下，记录磁场也向磁记录介质80有效地施加。在进行了热处理等后，第1磁性构件11M、第2磁性构件12M及第3磁性构件13M中的磁的特性也稳定，能够得到高的耐热性。根据实施方式，能够提供能够实现稳定的动作的磁头。

在磁头111中也是，例如，第1磁性构件厚度11Mt比第2磁性构件厚度12Mt薄。向层叠体20S供给的电流Is具有从第2磁性构件12M向第1磁性构件11M的朝向。在磁头111中也是，也可以设置第1中间非磁性层27n。第1中间非磁性层包括从由Ta、Ru及Cr构成的群选择出的至少1个。第1中间非磁性层27n的沿着第1方向(例如X轴方向)的厚度例如为1nm以上且7nm以下。

图5是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。

如图5所示，在实施方式的磁头112中，层叠体20S除了第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22之外，还包括第3磁性构件13M及第3层23。在磁头112中，第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22的构成可以与磁头110是同样的。以下，对磁头112中的第3磁性构件13M及第3层23的例子进行说明。

在磁头112中也是，第3磁性构件13M设置于第1层21与第2磁性构件12M之间。第3层23设置于第3磁性构件13M与第2磁性构件12M之间，包括Cu。

第3磁性构件13M包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。第3磁性构件13M实质上不包括第2元素(从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个)。或者，第3磁性构件13M中包含的第2元素的浓度比第1非磁性区域11n中的第2元素的浓度低。

在磁头112中，第3磁性构件13M具有正的自旋极化。在磁头112中也是，通过供给电流Is，层叠体20S中包含的磁性构件的磁化反转。记录磁场向磁记录介质80有效地施加。在磁头112中也是，能够提供能够实现稳定的动作的磁头。

如图5所示，在磁头112中，层叠体20S包括第1磁极侧中间层25a。第1磁极侧中间层25a设置于第1磁极31与第1磁性构件11M之间。第1磁极侧中间层25a例如包括从由第1材料、第2材料及第3材料构成的群选择出的至少1个。第1材料包括非晶磁性体。第2材料包括从由Ni及Co构成的群选择出的至少1个。第3材料包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个和从由Pd、Pt、Ir、Ta、Ru、Rh、Mo、W、Zr、Hf及Nb构成的群选择出的至少1个。第1磁极侧中间层25a例如是磁性层。通过设置这样的第1磁极侧中间层25a，例如，第1磁极31与第1磁性构件11M之间的磁耦合容易维持。例如，基于电流Is的磁化的反转容易稳定地得到。例如，第1磁性构件11M的磁化的朝向容易与第1磁极31的磁化的朝向相同。例如，能够将第1磁性构件11M与第1磁极31之间的自旋极化信息的传递衰减。例如，能够抑制第1磁性构件11M的负的自旋极化接受第1磁极31的正的自旋极化的影响而下降。

第1磁极侧中间层25a的沿着第1方向(X轴方向)的厚度例如为1nm以上且7nm以下。

在磁头112中也是，例如，第1磁性构件厚度11Mt比第2磁性构件厚度12Mt薄。向层叠体20S供给的电流Is具有从第2磁性构件12M向第1磁性构件11M的朝向。能够得到稳定的磁化反转。

(第2实施方式)

图6是例示第2实施方式的磁头的示意性剖视图。

如图6所示，实施方式的磁头120也包括第1磁极31、第2磁极32及层叠体20S。层叠体20S设置于第1磁极31与第2磁极32之间。磁头120也可以与磁记录介质80、电路20D及记录电路30D等使用。磁头120是磁记录装置210(参照图2)的一部分。第1磁极31、第2磁极32及层叠体20S包含于记录部60(参照图2)。

如图6所示，层叠体20S包括第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22。第2磁性构件12M设置于第1磁性构件11M与第2磁极32之间。第1层21设置于第1磁性构件11M与第2磁性构件12M之间。第1层21包括Cu。第1层21例如是Cu层。第2层22设置于第2磁性构件12M与第2磁极32之间。第2层22包括Cu。第2层22例如是Cu层。

第1磁性构件11M包括多个第1磁性区域11m和第1非磁性区域11n。从多个第1磁性区域11m的1个向多个第1磁性区域11m的另外的1个的方向沿着从第1磁极31向第2磁极32的第1方向(例如X轴方向)。第1非磁性区域11n处于多个第1磁性区域11m的1个与多个第1磁性区域11m的另外的1个之间。

如图6所示，在该例子中，设置多个第1非磁性区域11n。多个第1磁性区域11m的1个处于多个第1非磁性区域11n的1个与多个第1非磁性区域11n的另外的1个之间。

多个第1磁性区域11m包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。第1非磁性区域11n(例如，可以是多个第1非磁性区域11n的1个)包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。第1非磁性区域11n不包括Cu。或者，第1非磁性区域11n中包含的Cu的浓度比第1层21中的Cu的浓度低。与关于第1实施方式说明的内容同样，第1磁性构件11M例如具有负的自旋极化。

第2磁性构件12M包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。第2磁性构件12M例如具有正的自旋极化。

例如，第1磁性构件11M作为自旋注入层发挥功能。第2磁性构件12M例如作为振荡层发挥功能。层叠体20S作为自旋转矩振荡器的至少一部分发挥功能。

如图6所示，第1磁性构件11M的沿着第1方向(例如X轴方向)的厚度(第1磁性构件厚度11Mt)比第2磁性构件12M的沿着第1方向的厚度(第2磁性构件厚度12Mt)薄。例如，从电路20D向层叠体20S供给电流Is。电流Is具有从第2磁性构件12M向第1磁性构件11M的朝向。

通过这样的电流Is，第2磁性构件12M的磁化振荡。从层叠体20S产生交流磁场。交流磁场向磁记录介质80的特定的区域施加。在被施加了交流磁场的特定的区域中，磁化的朝向容易局部地变化。例如，实施MAMR。

在实施方式中，在第1磁性构件11M中，能够稳定地得到负的自旋极化。由此，能够得到稳定的振荡，能够实施稳定的MAMR。例如，向层叠体20S供给了阈值以上的电流Is时的SNR(Signal-to-Noise Ratio：信噪比)比不供给电流时的SNR高。根据实施方式，通过实施MAMR，即使提高记录密度也能够维持高的SNR，能够得到稳定的动作。在第2实施方式中，也能够提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。

作为自旋转矩振荡器，存在使用具有正的自旋极化的2个磁性层的参考例。若将该参考例放置于第1磁极31与第2磁极32之间，则通过正的自旋极化的自旋注入，由自旋转移矩引起的振荡(磁化反转特性)被抑制。在参考例中，自旋转移矩抵消地作用。

相对于此，在实施方式中，通过基于具有负的自旋极化的第1磁性构件11M的自旋注入，产生与来自第1磁极31及第2磁极32的正的自旋注入的协同效应。第1磁性构件11M的自旋转移矩和来自第1磁极31及第2磁极32的自旋转移矩被相加，得到大的自旋转移矩。在实施方式中，例如，第1磁极31及第2磁极32的至少任一者作为自旋转矩振荡器的一部分而利用。根据实施方式，能够得到良好的振荡特性。

在磁头120中，多个第1磁性区域11m实质上不包括第2元素(从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个)。或者，多个第1磁性区域11m中包含的第2元素的浓度比第1非磁性区域11n中的第2元素的浓度低。

在磁头120中，第1非磁性区域11n实质上不包括第1元素(从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个)。或者，第1非磁性区域11n中包含的第1元素的浓度比多个第1磁性区域11m中的第1元素的浓度低。

在磁头120中，第2磁性构件12M实质上不包括第2元素(从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个)。或者，第2磁性构件12M中包含的第2元素的浓度比第1非磁性区域11n中的第2元素的浓度低。

如图6所示，层叠体20S也可以包括第1磁极侧中间层25a。第1磁极侧中间层25a设置于第1磁极31与第1磁性构件11M之间。第1磁极侧中间层25a例如包括从由第1材料、第2材料及第3材料构成的群选择出的至少1个。第1材料包括非晶磁性体。第2材料包括从由Ni及Co构成的群选择出的至少1个。第3材料包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个和从由Pt、Pd、Ir、Ta、Ru、Rh、Mo、W、Zr、Hf及Nb构成的群选择出的至少1个。通过设置这样的第1磁极侧中间层25a，例如，第1磁极31与第1磁性构件11M之间的磁耦合被有效地切断。

第1磁极侧中间层25a的沿着第1方向(例如X轴方向)的厚度例如为1nm以上且7nm以下。

如图6所示，层叠体20S也可以包括第2磁极侧中间层25b。第2磁极侧中间层25b设置于第2磁性构件12M与第2磁极32之间。第2磁极侧中间层25b包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。第2磁极侧中间层25b例如具有正的自旋极化。通过设置第2磁极侧中间层25b，例如，能够稳定地控制磁化。例如，容易得到稳定的振荡。例如，第2磁极侧中间层25b与第2磁极32相接而磁耦合。例如，第2磁极侧中间层25b的磁化的朝向与第2磁极32的磁化的朝向相同。即使接受来自第2磁性构件12M的自旋转移矩，第2磁极侧中间层25b的磁化的朝向的紊乱也是稍微的。例如，在第2磁性构件12M中，容易得到稳定的振荡。第2磁极32也可以具有第2磁极侧中间层25b的功能。在该情况下，第2磁极侧中间层25b能够省略。

图7是例示第2实施方式的磁头的示意性剖视图。

如图7所示，在实施方式的磁头121中，层叠体20S除了第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22之外，还包括第3磁性构件13M及第3层23。磁头121中的第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22的构成可以与磁头120中的第1磁性构件11M、第2磁性构件12M、第1层21及第2层22的构成是同样的。以下，对磁头121中的第3磁性构件13M及第3层23的例子进行说明。

第3磁性构件13M设置于第1层21与第2磁性构件12M之间。第3层23设置于第3磁性构件13M与第2磁性构件12M之间。第3层23包括Cu。第3层23例如可以是Cu层。如后所述，第3层23也可以除了Cu之外还包括其他元素。

第3磁性构件13M包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。第3磁性构件13M不包括第2元素(从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个)。或者，第3磁性构件13M中包含的第2元素的浓度比第1非磁性区域11n中的第2元素的浓度低。

在磁头121中，第3磁性构件13M例如具有正的自旋极化。通过设置第3磁性构件13M及第3层23，例如，能够得到更稳定的振荡。

在磁头121中，第3层23也可以除了Cu之外，还包括作为从由Pd、Pt、Cr、Ta、Ru、Ni、Fe、Co、Ir、Mo、Ta、Hf、Nb、Mn、Ti、V及Rh构成的群选择出的至少1个的第7元素。通过第3层23包括第7元素，例如能够抑制自旋转移矩。例如，第3层23的自旋转移矩比第1层21的自旋转移矩小，比第2层22的自旋转移矩小。由此，在第2磁性构件12M中，能够得到更稳定的振荡。例如，在第2磁性构件12M中，能够得到更稳定的磁化反转。

第1层21不包括上述的第7元素。或者，第1层21中的第7元素的浓度比第3层23中的第7元素的浓度低。第2层22不包括第7元素。或者，第2层22中的第7元素的浓度比第3层23中的第7元素的浓度低。

如图7所示，在磁头121中也是，层叠体20S也可以包括设置于第1磁极31与第1磁性构件11M之间的第1磁极侧中间层25a。如已经说明那样，第1磁极侧中间层25a包括从由上述的第1材料、第2材料及第3材料构成的群选择出的至少1个。第1磁极31与第1磁性构件11M之间的磁耦合被有效地切断。

在磁头121中也是，层叠体20S也可以包括设置于第2磁性构件12M与第2磁极32之间的第2磁极侧中间层25b。在磁头121中也是，包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。

以下，对第1磁性构件11M的例子进行说明。

图8(a)～图8(d)是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

如图8(a)所示，第1磁性区域11m的数量可以比第1非磁性区域11n的数量多。例如，第1层21可以与多个第1磁性区域11m的1个相接。

如图8(b)所示，第1非磁性区域11n的数量也可以比第1磁性区域11m的数量多。例如，第1层21也可以与第1非磁性区域11n相接。

如图8(c)及图8(d)所示，第1磁性区域11m的数量还可以与第1非磁性区域11n的数量相同。如图8(c)所示，第1层21可以与多个第1磁性区域11m的1个相接。如图8(c)所示，第1层21也可以与第1非磁性区域11n相接。

关于图8(a)～图8(d)说明的第1磁性构件11M的构成能够应用于第1实施方式的第2磁性构件12M及第3磁性构件13M的至少任一者。

图9是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

如图9所示，从第1磁极31向第2磁极32的方向D1也可以相对于X轴方向倾斜。方向D1对应于层叠体20S的层叠方向。X轴方向沿着第1磁极31的介质相对面30F。将方向D1与介质相对面30F之间的角度设为角度θ1。角度θ1例如为15度以上且30度以下。角度θ1也可以为0度。

在方向D1相对于X轴方向倾斜的情况下，层的厚度对应于沿着方向D1的长度。方向D1相对于X轴方向倾斜的构成可以应用于上述的实施方式。

以下，对与实施方式的磁头及磁记录装置相关的一些例子进行说明。以下，示出使用磁头110的情况的例子。

图10是例示实施方式的磁头的示意性立体图。

如图10所示，磁头110例如包括记录部60及再现部70。通过磁头110的记录部60来向磁记录介质80记录信息。通过再现部70来将记录于磁记录介质80的信息再现。

磁记录介质80例如包括介质基板82和设置于介质基板82上的磁记录层81。磁记录层81的磁化83由记录部60控制。

再现部70例如包括第1再现屏蔽件72a、第2再现屏蔽件72b及磁再现元件71。磁再现元件71设置于第1再现屏蔽件72a与第2再现屏蔽件72b之间。磁再现元件71能够输出与磁记录层81的磁化83相应的信号。

如图10所示，磁记录介质80在介质移动方向85的方向上相对于磁头110相对地移动。通过磁头110，在任意的位置处控制与磁记录层81的磁化83对应的信息。通过磁头110，在任意的位置处再现与磁记录层81的磁化83对应的信息。

图11是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性立体图。

图11例示了头滑动件。

磁头110设置于头滑动件159。头滑动件159例如包括Al₂O₃/TiC等。头滑动件159在磁记录介质80上一边浮起或接触一边相对于磁记录介质80相对地运动。

头滑动件159例如具有空气流入侧159A及空气流出侧159B。磁头110配置于头滑动件159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头110在磁记录介质上一边浮起或接触一边相对于磁记录介质相对地运动。

图12是例示实施方式的磁记录装置的示意性立体图。

图13(a)及图13(b)是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性立体图。

如图12所示，在实施方式的磁记录装置150中，使用旋转致动器。记录用介质盘180装配于主轴马达180M。记录用介质盘180通过主轴马达180M而向箭头AR的方向旋转。主轴马达180M对来自驱动装置控制部的控制信号进行响应。本实施方式的磁记录装置150也可以包括多个记录用介质盘180。磁记录装置150也可以包括记录介质181。记录介质181例如是SSD(Solid State Drive：固态驱动器)。对于记录介质181，例如使用快闪存储器等非易失性存储器。例如，磁记录装置150也可以是混合HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)。

头滑动件159进行向记录用介质盘180记录的信息的记录及再现。头滑动件159设置于薄膜状的悬架154的顶端。在头滑动件159的顶端附近设置实施方式的磁头(例如磁头110)。

若记录用介质盘180旋转，则悬架154的压靠压力和在头滑动件159的介质相对面(ABS)产生的压力平衡。头滑动件159的介质相对面与记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定的浮起量。在实施方式中，头滑动件159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触行走型。

悬架154连接于臂155(例如致动器臂)的一端。臂155例如具有绕线管部等。绕线管部保持驱动线圈。在臂155的另一端设置音圈马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈及磁路。驱动线圈向臂155的绕线管部卷绕。磁路包括永久磁体及相对磁轭。在永久磁体与相对磁轭之间设置驱动线圈。悬架154具有一端和另一端。磁头(例如磁头110)设置于悬架154的一端。臂155连接于悬架154的另一端。

臂155由滚珠轴承保持。滚珠轴承设置于轴承部157的上下的2处。臂155能够通过音圈马达156而旋转及滑动。磁头能够向记录用介质盘180的任意的位置移动。

图13(a)例示了磁记录装置的一部分的构成，是头堆叠组件160的放大立体图。

图13(b)是例示成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万向节组件：HGA)158的立体图。

如图13(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向节组件158及支承框架161。头万向节组件158从轴承部157延伸。支承框架161从轴承部157延伸。支承框架161的延伸方向与头万向节组件158的延伸方向相反。支承框架161支承音圈马达156的线圈162。

如图13(b)所示，头万向节组件158具有从轴承部157延伸的臂155和从臂155延伸的悬架154。

在悬架154的顶端设置头滑动件159。在头滑动件159设置实施方式的磁头(例如磁头110)。

实施方式的磁头组件(头万向节组件)158包括实施方式的磁头(例如磁头110)、设置有磁头的头滑动件159、悬架154及臂155。头滑动件159设置于悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。

悬架154例如具有信号的记录及再现用的引线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于浮起量调整的加热器用的引线(未图示)。悬架154还可以具有例如振荡元件用等的引线(未图示)。这些引线与设置于磁头的多个电极电连接。

在磁记录装置150中，设置信号处理部190。信号处理部190使用磁头来进行信号相对于磁记录介质的记录及再现。信号处理部190的输入输出线例如连接于头万向节组件158的电极焊盘，与磁头电连接。

实施方式的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式的磁头、可动部、位置控制部及信号处理部。可动部能够使磁记录介质和磁头离开或者以接触的状态相对地移动。位置控制部将磁头向磁记录介质的预定记录位置对位。信号处理部进行使用了磁头的信号相对于磁记录介质的记录及再现。

例如，作为上述的磁记录介质，使用记录用介质盘180。上述的可动部例如包括头滑动件159。上述的位置控制部例如包括头万向节组件158。

实施方式也可以包括以下的技术方案。

(技术方案1)

一种磁头，包括：

第1磁极；

第2磁极；及

层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，

所述层叠体包括：

第1磁性构件；

第2磁性构件，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间；

第1层，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu；及

第2层，设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间，包括Cu，

所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域，

从所述多个第1磁性区域的1个向所述多个第1磁性区域的另外的1个的方向沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向，

所述第1非磁性区域处于所述多个第1磁性区域的所述1个与所述多个第1磁性区域的所述另外的1个之间，

所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素，

所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素，

所述第1非磁性区域不包括Cu，或者，所述第1非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第1层中的Cu的浓度低，

所述第2磁性构件包括多个第2磁性区域和第2非磁性区域，

从所述多个第2磁性区域的1个向所述多个第2磁性区域的另外的1个的方向沿着所述第1方向，

所述第2非磁性区域处于所述多个第2磁性区域的所述1个与所述多个第2磁性区域的所述另外的1个之间，

所述多个第2磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第3元素，

所述第2非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第4元素，

所述第2非磁性区域不包括Cu，或者，所述第2非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第2层中的Cu的浓度低。

(技术方案2)

根据技术方案1所述的磁头，

设置有多个所述第1非磁性区域，

所述多个第1磁性区域的所述1个处于所述多个第1非磁性区域的1个与所述多个第1非磁性区域的另外的1个之间，

设置有多个所述第2非磁性区域，

所述多个第2磁性区域的所述1个处于所述多个第2非磁性区域的1个与所述多个第2非磁性区域的另外的1个之间。

(技术方案3)

根据技术方案1或2所述的磁头，

所述第1磁性构件的沿着所述第1方向的厚度比所述第2磁性构件的沿着所述第1方向的厚度薄。

(技术方案4)

根据技术方案1～3中任一项所述的磁头，

所述多个第1磁性区域不包括所述第2元素，或者，所述多个第1磁性区域中包含的所述第2元素的浓度比所述第1非磁性区域中的所述第2元素的浓度低，

所述第1非磁性区域不包括所述第1元素，或者，所述第1非磁性区域中包含的所述第1元素的浓度比所述多个第1磁性区域中的所述第1元素的浓度低，

所述多个第2磁性区域不包括所述第4元素，或者，所述多个第2磁性区域中包含的所述第4元素的浓度比所述第2非磁性区域中的所述第4元素的浓度低，

所述第2非磁性区域不包括所述第3元素，或者，所述第2非磁性区域中包含的所述第3元素的浓度比所述多个第2磁性区域中的所述第3元素的浓度低。

(技术方案5)

根据技术方案1～4中任一项所述的磁头，

所述层叠体包括设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁极侧中间层，

所述第2磁极侧中间层包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。

(技术方案6)

根据技术方案1～5中任一项所述的磁头，

所述层叠体还包括：

第3磁性构件，设置于所述第1层与所述第2磁性构件之间；及

第3层，设置于所述第3磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu，

所述第3磁性构件包括多个第3磁性区域和第3非磁性区域，

从所述多个第3磁性区域的1个向所述多个第3磁性区域的另外的1个的方向沿着所述第1方向，

所述第3非磁性区域处于所述多个第3磁性区域的所述1个与所述多个第3磁性区域的所述另外的1个之间，

所述多个第3磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第5元素，

所述第3非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第6元素，

所述第3非磁性区域不包括Cu，或者，所述第3非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第3层中的Cu的浓度低。

(技术方案7)

根据技术方案6所述的磁头

设置有多个所述第3非磁性区域，

所述多个第3磁性区域的所述1个处于所述多个第3非磁性区域的1个与所述多个第3非磁性区域的另外的1个之间。

(技术方案8)

根据技术方案1～7中任一项所述的磁头，

所述层叠体还包括设置于所述第1磁极与所述第1磁性构件之间的第1中间非磁性层，

所述第1中间非磁性层包括从由Ta、Ru及Cr构成的群选择出的至少1个。

(技术方案9)

根据技术方案8所述的磁头

所述第1中间非磁性层的沿着所述第1方向的厚度为1nm以上且7nm以下。

(技术方案10)

根据技术方案1～5中任一项所述的磁头，

所述层叠体还包括：

第3磁性构件，设置于所述第1层与所述第2磁性构件之间；及

第3层，设置于所述第3磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu，

所述第3磁性构件包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个，

所述第3磁性构件不包括所述第2元素，或者，所述第3磁性构件中包含的所述第2元素的浓度比所述第1非磁性区域中的所述第2元素的浓度低。

(技术方案11)

根据技术方案10所述的磁头，

所述层叠体包括设置于所述第1磁极与所述第1磁性构件之间的第1磁极侧中间层，

所述第1磁极侧中间层包括从由第1材料、第2材料及第3材料构成的群选择出的至少1个，

所述第1材料包括非晶磁性体，

所述第2材料包括从由Ni及Co构成的群选择出的至少1个，

所述第3材料包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个和从由Pd、Pt、Ir、Ta、Ru、Rh、Mo、W、Zr、Hf及Nb构成的群选择出的至少1个。

(技术方案12)

根据技术方案11所述的磁头，

所述第1磁极侧中间层的沿着所述第1方向的厚度为1nm以上且7nm以下。

(技术方案13)

根据技术方案1～12中任一项所述的磁头，

所述多个第1磁性区域的所述1个的沿着所述第1方向的厚度为0.15nm以上且1.5nm以下，

所述第1非磁性区域的沿着所述第1方向的厚度为0.15nm以上且1.5nm以下。

(技术方案14)

一种磁头，具备：

第1磁极；

第2磁极；及

层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，

所述层叠体包括：

第1磁性构件；

第2磁性构件，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间；

第1层，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu；及

第2层，设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间，包括Cu，

所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域，

从所述多个第1磁性区域的1个向所述多个第1磁性区域的另外的1个的方向沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向，

所述第1非磁性区域处于所述多个第1磁性区域的所述1个与所述多个第1磁性区域的所述另外的1个之间，

所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素，

所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素，

所述第1非磁性区域不包括Cu，或者，所述第1非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第1层中的Cu的浓度低，

所述第2磁性构件包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。

(技术方案15)

根据技术方案14所述的磁头，

所述第1磁性构件的沿着所述第1方向的厚度比所述第2磁性构件的沿着所述第1方向的厚度薄。

(技术方案16)

根据技术方案14或15所述的磁头，

所述多个第1磁性区域不包括所述第2元素，或者，所述多个第1磁性区域中包含的所述第2元素的浓度比所述第1非磁性区域中的所述第2元素的浓度低，

所述第1非磁性区域不包括所述第1元素，或者，所述第1非磁性区域中包含的所述第1元素的浓度比所述多个第1磁性区域中的所述第1元素的浓度低，

所述第2磁性构件不包括所述第2元素，或者，所述第2磁性构件中包含的所述第2元素的浓度比所述第1非磁性区域中的所述第2元素的所述浓度低。

(技术方案17)

根据技术方案14～16中任一项所述的磁头，

所述层叠体还包括：

第3磁性构件，设置于所述第1层与所述第2磁性构件之间；及

第3层，设置于所述第3磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu，

所述第3磁性构件包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个，

所述第3磁性构件不包括所述第2元素，或者，所述第3磁性构件中包含的所述第2元素的浓度比所述第1非磁性区域中的所述第2元素的浓度低。

(技术方案18)

根据技术方案14～17中任一项所述的磁头，

所述层叠体包括设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁极侧中间层，

所述第2磁极侧中间层包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。

(技术方案19)

根据技术方案14～18中任一项所述的磁头，

所述层叠体包括设置于所述第1磁极与所述第1磁性构件之间的第1磁极侧中间层，

所述第1磁极侧中间层包括从由第1材料、第2材料及第3材料构成的群选择出的至少1个，

所述第1材料包括非晶磁性体，

所述第2材料包括从由Ni及Co构成的群选择出的至少1个，

所述第3材料包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个和从由Pd、Pt、Ir、Ta、Ru、Rh、Mo、W、Zr、Hf及Nb构成的群选择出的至少1个。

(技术方案20)

一种磁记录装置，具备：

技术方案1～19中任一项所述的磁头；及

电路，

所述电路能够向所述磁头供给电流，

所述电流具有从所述第2磁性构件向所述第1磁性构件的朝向。

根据实施方式，能够提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。

在本申请说明书中，“垂直”及“平行”不仅是严格的垂直及严格的平行，例如包括制造工序中的偏差等，只要实质上垂直及实质上平行即可。

以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于这些具体例。例如，关于磁头中包含的磁极、磁性构件、磁性区域、非磁性区域、层叠体、磁性层及非磁性层等各要素的具体的构成，只要通过本领域技术人员从公知的范围适当选择而能够同样地实施本发明且得到同样的效果，就包含于本发明的范围。

将各具体例的任2个以上的要素在技术上可能的范围内组合而成的技术也是，只要包含本发明的主旨就包含于本发明的范围。

除此之外，本领域技术人员能够基于作为本发明的实施方式而上述了的磁头及磁记录装置适当设计变更而实施的全部的磁头及磁记录装置也是，只要包含本发明的主旨就属于本发明的范围。

除此之外，在本发明的思想范畴中，若是本领域技术人员，则能够想到各种变更例及修正例，应该了解，这些变更例及修正例也属于本发明的范围。

虽然说明了本发明的一些实施方式，但这些实施方式作为例子而提示，并未意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他的各种各样的方式实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其等同的范围。

Claims (10)

1.一种磁头，具备：

第1磁极；

第2磁极；及

层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，

所述层叠体包括：

第1磁性构件；

第2磁性构件，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间；

第1层，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu；及

第2层，设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间，包括Cu，

所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域，

从所述多个第1磁性区域的1个向所述多个第1磁性区域的另外的1个的方向沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向，

所述第1非磁性区域处于所述多个第1磁性区域的所述1个与所述多个第1磁性区域的所述另外的1个之间，

所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素，

所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素，

所述第1非磁性区域不包括Cu，或者，所述第1非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第1层中的Cu的浓度低，

所述第2磁性构件包括多个第2磁性区域和第2非磁性区域，

从所述多个第2磁性区域的1个向所述多个第2磁性区域的另外的1个的方向沿着所述第1方向，

所述第2非磁性区域处于所述多个第2磁性区域的所述1个与所述多个第2磁性区域的所述另外的1个之间，

所述多个第2磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第3元素，

所述第2非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第4元素，

所述第2非磁性区域不包括Cu，或者，所述第2非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第2层中的Cu的浓度低。

2.根据权利要求1所述的磁头，

所述第1磁性构件的沿着所述第1方向的厚度比所述第2磁性构件的沿着所述第1方向的厚度薄。

3.根据权利要求1所述的磁头，

所述层叠体包括设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁极侧中间层，

所述第2磁极侧中间层包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。

4.根据权利要求1所述的磁头，

所述层叠体还包括：

第3磁性构件，设置于所述第1层与所述第2磁性构件之间；及

第3层，设置于所述第3磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu，

所述第3磁性构件包括多个第3磁性区域和第3非磁性区域，

从所述多个第3磁性区域的1个向所述多个第3磁性区域的另外的1个的方向沿着所述第1方向，

所述第3非磁性区域处于所述多个第3磁性区域的所述1个与所述多个第3磁性区域的所述另外的1个之间，

所述多个第3磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第5元素，

所述第3非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第6元素，

所述第3非磁性区域不包括Cu，或者，所述第3非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第3层中的Cu的浓度低。

5.根据权利要求1所述的磁头，

所述层叠体还包括设置于所述第1磁极与所述第1磁性构件之间的第1中间非磁性层，

所述第1中间非磁性层包括从由Ta、Ru及Cr构成的群选择出的至少1个。

6.根据权利要求1所述的磁头，

所述层叠体还包括：

第3磁性构件，设置于所述第1层与所述第2磁性构件之间；及

第3层，设置于所述第3磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu，

所述第3磁性构件包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个，

所述第3磁性构件不包括所述第2元素，或者，所述第3磁性构件中包含的所述第2元素的浓度比所述第1非磁性区域中的所述第2元素的浓度低。

7.一种磁头，具备：

第1磁极；

第2磁极；及

层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，

所述层叠体包括：

第1磁性构件；

第2磁性构件，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间；

第1层，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu；及

第2层，设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间，包括Cu，

所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域，

从所述多个第1磁性区域的1个向所述多个第1磁性区域的另外的1个的方向沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向，

所述第1非磁性区域处于所述多个第1磁性区域的所述1个与所述多个第1磁性区域的所述另外的1个之间，

所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素，

所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素，

所述第1非磁性区域不包括Cu，或者，所述第1非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述多个第1层中的Cu的浓度低，

所述第2磁性构件包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。

8.根据权利要求7所述的磁头，

所述第1磁性构件的沿着所述第1方向的厚度比所述第2磁性构件的沿着所述第1方向的厚度薄。

9.根据权利要求7所述的磁头，

所述层叠体还包括：

第3磁性构件，设置于所述第1层与所述第2磁性构件之间；及

第3层，设置于所述第3磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu，

所述第3磁性构件包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个，

所述第3磁性构件不包括所述第2元素，或者，所述第3磁性构件中包含的所述第2元素的浓度比所述第1非磁性区域中的所述第2元素的浓度低。

10.一种磁记录装置，具备：

权利要求1所述的磁头；及

电路，

所述电路能够向所述磁头供给电流，

所述电流具有从所述第2磁性构件向所述第1磁性构件的朝向。

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