CN111210847B - 磁头及磁记录再现装置 - Google Patents

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Abstract

提供能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、磁性层、第1导电层及第2导电层。磁性层设置于磁极与第1屏蔽件之间。第1导电层设置于第1屏蔽件与磁性层之间，与第1屏蔽件及磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。第2导电层设置于磁极与磁性层之间。第2导电层包括第1区域及第2区域。第1区域与磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。第2区域设置于第1区域与磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。

Description

磁头及磁记录再现装置
本申请以日本专利申请2018-219270(申请日2018年11月22日)为基础，根据该申请而享受优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁头及磁记录再现装置。
背景技术
使用磁头向HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等磁存储介质记录信息。在磁头及磁记录再现装置中，期望记录密度的提高。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。
根据本发明的实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、磁性层、第1导电层及第2导电层。所述磁性层设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间。所述第1导电层设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，与所述第1屏蔽件及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。第2导电层设置于所述磁极与所述磁性层之间。所述第2导电层包括第1区域及第2区域。所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。所述第2区域设置于所述第1区域与所述磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。
根据上述构成，能够提供能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。
附图说明
图1的(a)及(b)是例示第1实施方式的磁头的示意性的剖视图。
图2是例示第1实施方式的磁头的动作的示意性的剖视图。
图3是例示磁头的特性的图表。
图4是例示第2实施方式的磁头的示意性的剖视图。
图5是例示实施方式的磁记录再现装置的一部分的示意性的立体图。
图6是例示实施方式的磁记录再现装置的示意性的立体图。
图7的(a)及(b)是例示实施方式的磁记录再现装置的一部分的示意性的立体图。
标号说明
20…层叠体，20D…第1电路，21、22…第1、第2导电层，22a、22b…第1、第2区域，25…磁性层，25M…磁化，30…磁极，30D…第2电路，30F…磁极面，30M…磁化，30c…线圈，30e…端部，30i…绝缘部，31…第1屏蔽件，32…第2屏蔽件，80…磁记录介质，110、119、120…磁头，150…磁记录再现装置，154…悬架，155…臂，156…音圈马达，157…轴承部，158…头万向架组件，159…头滑块，159A…空气流入侧，159B…空气流出侧，160…头堆叠组件，161…支撑框架，162…线圈，180…记录用介质盘，180M…主轴马达，181…记录介质，190…信号处理部，AR…箭头，D1…第1方向，H2…磁场，I1、I2…第1、第2电流，M1…朝向，T1、T2…第1、第2端子，W1、W2…第1、第2配线，t21、t22a、t22b、t25…厚度。
具体实施方式
以下，关于本发明的各实施方式，参照附图来说明。
附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实相同。即使在表示相同部分的情况下，有时也由附图以彼此的尺寸、比率不同的方式表示。
在本申请说明书和各图中，对与关于已经出现的图前述的要素同样的要素，标注同一标号，适当省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1的(a)及(b)是例示第1实施方式的磁头的示意性的剖视图。
图1的(b)是图1的(a)的一部分的放大图。
如图1的(a)所示，实施方式的磁头110包括磁极30、第1屏蔽件31及层叠体20。在该例中，还设置有第2屏蔽件32及线圈30c。
磁极30位于第1屏蔽件31与第2屏蔽件32之间。例如，线圈30c的至少一部分位于磁极30与第1屏蔽件31之间。在该例中，线圈30c的一部分位于磁极30与第2屏蔽件32之间。
在线圈30c电连接有记录用电路(第2电路30D)。从记录用电路向线圈30c供给记录电流。从磁极30产生与记录电流相应的磁场(记录磁场)。记录磁场向磁记录介质80施加，向磁记录介质80记录信息。这样，记录用电路(第2电路30D)能够将与记录的信息对应的电流(记录电流)向线圈30c供给。
如图1的(b)所示，层叠体20包括磁性层25、第1导电层21及第2导电层22。磁性层25设置于磁极30与第1屏蔽件31之间。
第1导电层21设置于第1屏蔽件31与磁性层25之间。第1导电层21与第1屏蔽件31及磁性层25接触。第2导电层22设置于磁极30与磁性层25之间。
如图1的(a)所示，例如，在磁极30、第1屏蔽件31、第2屏蔽件32、线圈30c、磁性层25、第1导电层21及第2导电层22的周围设置有绝缘部30i。在图1的(b)中，省略了绝缘部30i。
磁极30例如是主磁极。在磁极30的端部30e设置有磁极面30F。磁极面30F例如沿着磁头110的ABS(Air Bearing Surface：空气支承面)。磁极面30F与磁记录介质80相对。
将相对于磁极面30F垂直的方向设为Z轴方向。将相对于Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将相对于Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。
Z轴方向例如是高度方向。X轴方向例如是沿磁道(down-track)方向。Y轴方向是穿磁道(cross-track)方向。
例如，在磁极面30F的附近，磁极30沿着X轴方向而离开第1屏蔽件31。例如，在磁极面30F的附近，第2屏蔽件32沿着X轴方向而离开磁极30。磁头110和磁记录介质80实质上沿着X轴方向而相对移动。由此，向磁记录介质80的任意的位置记录信息。
第1屏蔽件31例如对应于“trailing shield”。第2屏蔽件32例如对应于“leadingshield”。第1屏蔽件31例如是辅助磁极。第1屏蔽件31能够与磁极30一起形成磁芯。例如，也可以设置侧屏蔽件(未图示)等追加的屏蔽件。
如图1的(b)所示，第1电流I1流向第1导电层21及第2导电层22。在图1的(b)所示的例中，第1电流I1具有从第1屏蔽件31向磁极30的朝向。第1电流I1具有从第1导电层21向第2导电层22的朝向。
例如，第1导电层21也可以与第1屏蔽件31电连接。第2导电层22也可以与磁极30电连接。在该情况下，也可以经由磁极30及第1屏蔽件31而供给上述的第1电流I1。
如图1的(a)所示，也可以设置第1配线W1及第2配线W2。第1配线W1与磁极30电连接。第2配线W2与第1屏蔽件31电连接。也可以设置第1端子T1及第2端子T2。第1端子T1经由第1配线W1与磁极30电连接。第2端子T2经由第2配线W2与第1屏蔽件31电连接。
上述的第1电流I1例如从第1电路20D(参照图1的(a))供给。例如，能够经由第1端子T1、第1配线W1、第2配线W2及第2端子T2而从第1电路20D向磁极30及第1屏蔽件31供给第1电流I1。
在实施方式中，通过第1电流I1流向层叠体20，能够使从磁极30出来的磁场高效地朝向磁记录介质80。可认为这是因为，通过第1电流I1，磁性层25的磁化的朝向相对于从磁极30出来的磁场反转，其结果，从磁极30出来的磁场难以通过磁性层25，容易朝向磁记录介质80。
在实施方式中，第1导电层21例如包括选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。
第2导电层22包括第1区域22a及第2区域22b。第1区域22a与磁性层25接触。第1区域22a例如包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。第2区域22b设置于第1区域22a与磁极30之间。第2区域22b例如包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。在该例中，第2区域22b与第1区域22a及磁极30接触。
通过这样的构成，能够减小磁性层25的磁化的朝向相对于从磁极30出来的磁场反转的电流。通过小的第1电流I1，磁性层25的磁化的朝向反转，从磁极30出来的磁场高效地朝向磁记录介质80。由此，例如能够提高记录密度。由此，例如，磁记录装置的可靠性提高。
以下，对磁头110中的动作及特性的例子进行说明。
图2是例示第1实施方式的磁头的动作的示意性的剖视图。
在图2中，描绘了磁极30、第1屏蔽件31及磁性层25，省略了其他构件(第1导电层21及第2导电层22等)。
磁性层25具有磁化25M。从磁极30产生磁场H2(记录磁场)。磁场H2的至少一部分成为记录磁场。在磁性层25的磁化25M未如上述那样反转的情况下，磁场H2进入磁性层25。另一方面，如图2所示，当供给第1电流I1而磁性层25的磁化25M的朝向相对于磁场H2反转时，磁场H2难以朝向磁性层25。由此，磁场H2的大部分变成朝向磁记录介质80。磁场H2的大部分作为记录磁场而通过磁记录介质80，进入第1屏蔽件31。因而，大部分磁场H2(记录磁场)容易向磁记录介质80施加。即使在减小了写间隙时，磁场H2也向磁记录介质80有效地施加。
在实施方式中，即使在减小了写间隙时，也能够抑制从磁极30出来的磁场H2经由磁性层25而直接朝向第1屏蔽件31。其结果，从磁极30出来的磁场H2的大部分朝向磁记录介质80，记录磁场有效地向磁记录介质80施加。由此，能够提高记录密度。
图3是例示磁头的特性的图表。
图3的横轴是第1电流I1的大小。图3的纵轴是磁性层25的磁化25M的朝向M1。例如，在初始状态下，朝向M1是“-1”的朝向。当朝向M1反转时，朝向M1成为“1”。
在图3中，除了实施方式的磁头110的特性的例子之外，也示出了参考例的磁头119的特性的例子。在磁头119中，在第2导电层22仅设置有第2区域22b，未设置第1区域22a。在磁头119中，第2区域22b与磁性层25接触。
如图3所示，当第1电流I1变大时，磁性层25的磁化25M的朝向M1反转。如图3所示，磁头110中的产生反转的电流比磁头119中的产生反转的电流小。
这样，通过第2导电层22包括第1区域22a，能够减小使磁化25M的朝向M1反转的电流。
第2区域22b中包含的第2元素包括选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种。在这样的第2元素中，自旋扩散长度短。当包含这样的第2元素的层与磁性层25接触时，可认为磁性层25中的阻尼常数变大。或者，可认为维持大的阻尼常数。因而，为了使磁化25M反转，需要大的电流。
相对于此，在实施方式中，在磁性层25与第2区域22b之间插入第1区域22a。第1区域22a中包含的第1元素包括选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种。这样的第1元素例如自旋扩散长度长。在包含这样的第1元素的区域与磁性层25接触的情况下，可认为磁性层25中的阻尼常数变小。或者，可认为维持小的阻尼常数。因而，磁化25M能够通过小的电流而反转。
在实施方式中，能够高效地得到磁性层25的磁化25M的反转。在小的电流下，从磁极30出来的磁场高效地朝向磁记录介质80。记录密度提高。由于电流小，所以能够抑制发热等。磁头的特性稳定。容易得到高的可靠性。
在实施方式的一例中，第1区域22a不包含第2元素。或者，第1区域22a中的第2元素的浓度比第2区域22b中的第2元素的浓度低。
在实施方式的一例中，第2区域22b不包含第1元素。或者，第2区域22b中的第1元素的浓度比第1区域22a中的第1元素的浓度低。
在实施方式的一例中，第1区域22a及第2区域22b是层状。在实施方式中，这些区域的边界也可以不被明确地观察到。第1区域22a及第2区域22b的中间区域也可以被观察到。
例如，第1区域22a的第2区域22b侧的部分也可以包含第2元素。第2区域22b的第1区域22a侧的部分也可以包含第1元素。
第2导电层22中的第2元素的浓度也可以在从第2区域22b向第1区域22a的朝向上减少。第2导电层22中的第1元素的浓度也可以在从第1区域22a向第2区域22b的朝向上减少。
在实施方式中，第1导电层21也可以包括多个层叠膜。该多个层叠膜分别包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。
在实施方式中，第1区域22a也可以包括多个层叠膜。该多个层叠膜分别包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。
在实施方式中，第2区域22b也可以包括多个层叠膜。该多个层叠膜分别包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。
如图1的(b)所示，将沿着从磁性层25朝向第1导电层21的方向的方向设为第1方向D1。例如，第1方向D1相对于从磁性层25朝向第1导电层21的方向平行。第1方向D1对应于层叠体20的层叠方向。
第1方向D1上的第1导电层21的厚度t21例如为1nm以上且10nm以下。由此，例如，能够切断第1屏蔽件31及磁性层25的磁耦合。例如，能够从第1屏蔽件31向磁性层25高效地注入自旋。
第1方向D1上的第1区域22a的厚度t22a例如为1nm以上且10nm以下。由此，例如，能够抑制由第2区域22b的影响引起的磁性层25的阻尼的增加。
第1方向D1上的第2区域22b的厚度t22b例如为1nm以上且10nm以下。由此，例如，能够切断磁极30与磁性层25的磁耦合。例如，能够抑制从磁极30向磁性层25的自旋注入。
第1方向D1上的磁性层25的厚度t25例如为3nm以上且30nm以下。由此，例如能够以记录头的可靠性没有问题的大小的第1电流I1使磁性层25的磁化方向反转。例如，能够从磁性层25产生对于记录密度的提高而言有效的磁场。
磁性层25例如包含Fe及Co。在该情况下，磁性层25中的Fe的组分例如为50atm％以上且95atm％以下。通过这样的材料，例如能够减少磁性层25的阻尼。
磁性层25也可以包含Fe及Ni。在该情况下，磁性层25中的Fe的组分例如为10atm％以上且30atm％以下。通过这样的材料，例如能够使磁性层25成为结晶磁各向异性小且感应磁各向异性小的软磁性体。
如上所述，磁性层25的磁化25M通过第1电流I1而反转。通过磁性层25的磁化25M的反转，在包括磁极30、层叠体20及第1屏蔽件31的层叠构造中，电阻也可以变化。
例如，关于磁性层25与磁极30及第1屏蔽件31电连接的情况如下。向线圈30c流动记录电流且流动了从磁极30向第1屏蔽件31的电流时的电阻也可以与向线圈30c流动记录电流且流动了从第1屏蔽件31向磁极30的电流时的电阻不同。通过电阻的差，也可以得到与磁化25M的反转的有无相关的信息。例如，向线圈30c流动记录电流且流动了从磁极30向第1屏蔽件31的第1电流I1时的电阻也可以与向线圈30c流动记录电流且向第1屏蔽件31与磁极30之间流动了比第1电流I1小的电流时的电阻不同。
在第1实施方式中，如已经说明那样，第2区域22b设置于第1区域22a与磁极30之间。在图1的(b)的例子中，第2区域22b与第1区域22a接触，并与磁极30接触。在第1实施方式的其他例中，在第1区域22a与磁极30之间也可以设置别的区域。别的区域包含第1元素及第2元素中的至少任一方。例如，也可以设置磁极30/别的第1区域22a/第2区域22b/第1区域22a/磁极25的结构。例如，也可以设置磁极30/别的第2区域22b/别的第1区域22a/第2区域22b/第1区域22a/磁极25的结构。在该情况下，也在第2区域22b与磁极30之间设置至少1个第1区域22a。在磁性层25中，得到小的阻尼常数，磁化25M能够通过小的电流而反转。记录密度能够提高。
当层叠体20中包含的膜的数量变大时，例如能够提高平坦性。例如，在利用研磨等来形成磁极面30F(ABS)时，依赖于材料而研磨率不同，其结果，有时会在磁极面30F形成凹凸。通过增大层叠体20中包含的膜的数量，能够抑制磁极面30F上的凹凸。
(第2实施方式)
图4是例示第2实施方式的磁头的示意性的剖视图。
如图4所示，实施方式的磁头120也包括磁极30、第1屏蔽件31及层叠体20。在该例中也是，还设置有第2屏蔽件32及线圈30c。层叠体20包括磁性层25、第1导电层21及第2导电层22。在磁头120中，第1导电层21及第2导电层22的位置与磁头110不同。磁头120中的除此以外的构成可以设为与磁头110中的构成同样。以下，对磁头120中的层叠体20的例子进行说明。
在磁头120中，磁性层25设置于磁极30与第1屏蔽件31之间。第1导电层21设置于磁极30与磁性层25之间。第1导电层21与磁极30及磁性层25接触。第1导电层21包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。
第2导电层22设置于第1屏蔽件31与磁性层25之间。第2导电层22包括第1区域22a及第2区域22b。第1区域22a与磁性层25接触。第1区域22a包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。第2区域22b设置于第1区域22a与第1屏蔽件31之间。第2区域22b包含第2元素，该第2元素包括选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种。在该例中，第2区域22b与第1区域22a及第1屏蔽件31接触。
在磁头120中，从磁极30向第1屏蔽件31流动第2电流I2。通过该第2电流I2，磁性层25的磁化25M相对于从磁极30出来的磁场反转。
在具有这样的构成的磁头120中，也能够高效地得到磁性层25的磁化25M的反转。在小的电流下，从磁极30出来的磁场高效地朝向磁记录介质80。记录密度提高。由于电流小，所以能够抑制发热等。磁头的特性稳定。容易得到高的可靠性。
关于磁头120中的磁性层25、第1导电层21、第1区域22a及第2区域22b，能够应用关于磁头110说明的构成。
在第2实施方式中，如已经说明那样，第2区域22b设置于第1区域22a与第1屏蔽件31之间。在图4的例中，第2区域22b与第1区域22a接触，并与第1屏蔽件31接触。在第2实施方式的其他例中，在第1区域22a与第1屏蔽件31之间也可以设置别的区域。别的区域包含第1元素及第2元素中的至少任一方。例如，也可以设置磁极25/第1区域22a/第2区域22b/别的第1区域22a/第1屏蔽件31的结构。例如，也可以设置磁性层25/第1区域22a/别的第2区域22b/别的第1区域22a/第2区域22b/第1屏蔽件31的结构。在该情况下，也在第2区域22b与磁极30之间设置至少1个第1区域22a。在磁性层25中，得到小的阻尼常数，磁化25M能够通过小的电流而反转。记录密度能够提高。
当层叠体20中包含的膜的数量变大时，例如能够提高平坦性。例如，能够抑制由材料导致的研磨率之差引起的磁极面30F中的凹凸。
(第3实施方式)
第3实施方式涉及磁存储装置。本实施方式的磁存储装置包括磁头、磁记录介质80(例如，后述的记录用介质盘180)及第1电路20D(参照图1的(a))。向磁记录介质利用磁头(磁极30)记录信息。作为第3实施方式中的磁头，使用第1实施方式或第2实施方式的任意的磁头及其变形的磁头。以下，对使用磁头110的情况进行说明。
如已说明那样，第1电路20D能够向磁极30与第1屏蔽件31之间供给电流(第1电流I1或第2电流I2)。实施方式的磁存储装置也可以还包括第2电路30D(参照图1的(a))。如已说明那样，第2电路30D能够将与向磁记录介质80记录的信息对应的电流(记录电流)向线圈30c供给。
磁头110也可以向磁记录介质80进行瓦记录。能够进一步提高记录密度。
以下，对本实施方式的磁记录再现装置的例子进行说明。
图5是例示实施方式的磁记录再现装置的一部分的示意性的立体图。
图5例示出头滑块。
磁头110设置于头滑块159。头滑块159例如包含Al2O3/TiC等。头滑块159一边在磁记录介质上浮起或接触一边相对于磁记录介质相对运动。
头滑块159例如具有空气流入侧159A及空气流出侧159B。磁头110配置于头滑块159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头110一边在磁记录介质上浮起或接触一边相对于磁记录介质相对运动。
图6是例示实施方式的磁记录再现装置的示意性的立体图。
如图6所示，在实施方式的磁记录再现装置150中，使用旋转致动器。记录用介质盘180设置于主轴马达180M。记录用介质盘180通过主轴马达180M而向箭头AR的方向旋转。主轴马达180M对来自驱动装置控制部的控制信号进行响应。本实施方式的磁记录再现装置150也可以具备多个记录用介质盘180。磁记录再现装置150也可以包括记录介质181。记录介质181例如是SSD(Solid State Drive：固态驱动器)。记录介质181例如使用快闪存储器等非易失性存储器。例如，磁记录再现装置150也可以是混合HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)。
头滑块159进行向记录用介质盘180记录的信息的记录及再现。头滑块159设置于薄膜状的悬架154的前端。在头滑块159的前端附近设置有实施方式的磁头。
当记录用介质盘180旋转时，悬架154的压靠压力与在头滑块159的介质相对面(ABS)产生的压力平衡。头滑块159的介质相对面与记录用介质盘180的表面间的距离成为预定的浮起量。在实施方式中，头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触行走型。
悬架154连接于臂155(例如致动器臂)的一端。臂155例如具有线轴部等。线轴部保持驱动线圈。在臂155的另一端设置有音圈马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈及磁路。驱动线圈卷绕于臂155的线轴部。磁路包括永磁体及相对轭。在永磁体与相对轭之间设置有驱动线圈。悬架154具有一端和另一端。磁头设置于悬架154的一端。臂155连接于悬架154的另一端。
臂155由球轴承保持。球轴承设置于轴承部157的上下的2部位。臂155能够通过音圈马达156而旋转及滑动。磁头能够移动到记录用介质盘180的任意的位置。
图7的(a)及(b)是例示实施方式的磁记录再现装置的一部分的示意性的立体图。
图7的(a)例示出磁记录再现装置的一部分的构成，是头堆叠组件160的放大立体图。图7的(b)是例示成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万向架组件：HGA)158的立体图。
如图7的(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向架组件158及支撑框架161。头万向架组件158从轴承部157延伸。支撑框架161从轴承部157延伸。支撑框架161的延伸方向与头万向架组件158的延伸方向相反。支撑框架161支撑音圈马达156的线圈162。
如图7的(b)所示，头万向架组件158具有从轴承部157延伸出的臂155和从臂155延伸出的悬架154。
在悬架154的前端设置有头滑块159。在头滑块159设置有实施方式的磁头。
实施方式的磁头组件(头万向架组件)158包括实施方式的磁头、设置有磁头的头滑块159、悬架154及臂155。头滑块159设置于悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
悬架154例如具有信号的记录及再现用的引线(未图示)。悬架154也可以具有例如用于浮起量调整的加热器用的引线(未图示)。悬架154也可以具有例如用于自旋扭矩振荡器用等的引线(未图示)。这些引线与设置于磁头的多个电极电连接。
在磁记录再现装置150中，设置信号处理部190。信号处理部190使用磁头来进行向磁记录介质的信号的记录及再现。信号处理部190的输入输出线例如连接于头万向架组件158的电极焊盘，信号处理部190与磁头电连接。
本实施方式的磁记录再现装置150包括磁记录介质、实施方式的磁头、可动部、位置控制部及信号处理部。可动部使磁记录介质和磁头在分离或接触的状态下能够相对移动。位置控制部将磁头与磁记录介质的预定记录位置对位。信号处理部进行使用磁头的向磁记录介质的信号的记录及再现。
例如，作为上述的磁记录介质，使用记录用介质盘180。上述的可动部例如包括头滑块159。上述的位置控制部例如包括头万向架组件158。
本实施方式的磁记录再现装置150具备磁记录介质、实施方式的磁头组件及使用设置于磁头组件的磁头来进行向磁记录介质的信号的记录及再现的信号处理部。
实施方式也可以包括以下的构成(例如，技术方案)。
(构成1)
一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件；
磁性层，设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间；
第1导电层，设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，与所述第1屏蔽件及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种；及
第2导电层，设置于所述磁极与所述磁性层之间，所述第2导电层包括第1区域及第2区域，所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素，所述第2区域设置于所述第1区域与所述磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。
(构成2)
根据构成1所述的磁头，从所述第1屏蔽件向所述磁极流动电流。
(构成3)
一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件；
磁性层，设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间；
第1导电层，设置于所述磁极与所述磁性层之间，与所述磁极及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种；及
第2导电层，设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，所述第2导电层包括第1区域及第2区域，所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素，所述第2区域设置于所述第1区域与所述第1屏蔽件之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。
(构成4)
根据构成3所述的磁头，从所述磁极向所述第1屏蔽件流动电流。
(构成5)
根据构成1～4中任一个所述的磁头，还具备与所述磁极电连接的第1配线和与所述第1屏蔽件电连接的第2配线。
(构成6)
根据构成1～5中任一个所述的磁头，还具备与所述磁极电连接的第1端子和与所述第1屏蔽件电连接的第2端子。
(构成7)
根据构成1～6中任一个所述的磁头，
所述第1区域不包含所述第2元素，或者，
所述第1区域中的所述第2元素的浓度比所述第2区域中的所述第2元素的浓度低。
(构成8)
根据构成1～7中任一个所述的磁头，
所述第2区域不包含所述第1元素，或者，
所述第2区域中的所述第1元素的浓度比所述第1区域中的所述第1元素的浓度低。
(构成9)
根据构成1～6中任一个所述的磁头，所述第1区域的所述第2区域侧的部分包含所述第2元素。
(构成10)
根据构成1～6中任一个所述的磁头，所述第2区域的所述第1区域侧的部分包含所述第1元素。
(构成11)
根据构成1～6中任一个所述的磁头，所述第2导电层中的所述第2元素的浓度在从所述第2区域向所述第1区域的朝向上减少。
(构成12)
根据构成1～6中任一个所述的磁头，所述第2导电层中的所述第1元素的浓度在从所述第1区域向所述第2区域的朝向上减少。
(构成13)
根据构成1～12中任一个所述的磁头，沿着从所述磁性层朝向所述第1导电层的方向的第1方向上的所述第1导电层的厚度为1nm以上且10nm以下。
(构成14)
根据构成1～12中任一个所述的磁头，沿着从所述磁性层朝向所述第1导电层的方向的第1方向上的所述第1区域的厚度为1nm以上且10nm以下。
(构成15)
根据构成1～12中任一个所述的磁头，沿着从所述磁性层朝向所述第1导电层的方向的第1方向上的所述第2区域的厚度为1nm以上且10nm以下。
(构成16)
根据构成1～15中任一个所述的磁头，
所述磁性层包含Fe及Co，
所述磁性层中的Fe的组分为50atm％以上且95atm％以下。
(构成17)
根据构成1～15中任一个所述的磁头，
所述磁性层包含Fe及Ni，
所述磁性层中的Fe的组分为10atm％以上且30atm％以下。
(构成18)
根据构成1或2所述的磁头，所述第2区域与所述第1区域及所述磁极接触。
(构成19)
根据构成3或4所述的磁头，所述第2区域与所述第1区域及所述第1屏蔽件接触。
(构成20)
一种磁记录再现装置，具备：
构成1～19中任一个所述的磁头；
磁记录介质，通过所述磁头被记录信息；及
第1电路，能够向所述磁极与所述第1屏蔽件之间供给电流。
(构成21)
根据构成20所述的磁记录再现装置，所述磁头向所述磁记录介质进行瓦记录。
(构成22)
根据构成20或21所述的磁记录再现装置，
还具备第2电路，
所述磁头还包括线圈，
所述线圈的至少一部分位于所述磁极与所述第1屏蔽件之间，
所述第2电路能够将与所述信息对应的电流向所述线圈供给。
根据实施方式，能够提供能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。
本申请说明书中，“垂直”及“平行”不仅包括严格的垂直及严格的平行，也包括例如制造工序中的偏差等，只要实质上垂直及实质上平行即可。
以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于这些具体例。例如，关于磁头中包含的磁极、第1屏蔽件、磁性层、导电层、绝缘层及配线等各要素的具体构成，只要通过本领域技术人员从公知的范围适当选择而能够同样地实施本发明并得到同样的效果，就包含于本发明的范围。
另外，将各具体例的任2个以上的要素在技术上可能的范围内组合而得到的技术只要包含本发明的主旨，就包含于本发明的范围。
除此之外，本领域技术人员基于作为本发明的实施方式而上述的磁头及磁记录再现装置适当进行设计变更而能够实施的所有磁头及磁记录再现装置，也是只要包含本发明的主旨就属于本发明的范围。
除此之外，在本发明的思想的范畴中，若是本领域技术人员，则能够想到各种变更例及修正例，应该了解，这些变更例及修正例也属于本发明的范围。
虽然说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式作为例子而提出，并非意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种形态来实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其均等的范围。

Claims (10)

1.一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件；
磁性层，设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间；
第1导电层，设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，与所述第1屏蔽件及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种元素；及
第2导电层，设置于所述磁极与所述磁性层之间，所述第2导电层包括第1区域及第2区域，所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素，所述第2区域设置于所述第1区域与所述磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。
2.根据权利要求1所述的磁头，
从所述第1屏蔽件向所述磁极流动电流。
3.根据权利要求1所述的磁头，
还具备与所述磁极电连接的第1配线和与所述第1屏蔽件电连接的第2配线。
4.根据权利要求1所述的磁头，
所述第1区域的所述第2区域侧的部分包含所述第2元素。
5.根据权利要求1所述的磁头，
所述第2区域的所述第1区域侧的部分包含所述第1元素。
6.根据权利要求1所述的磁头，
所述磁性层包含Fe及Co，
所述磁性层中的Fe的组分为50atm%以上且95atm%以下。
7.一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件；
磁性层，设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间；
第1导电层，设置于所述磁极与所述磁性层之间，与所述磁极及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种元素；及
第2导电层，设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，所述第2导电层包括第1区域及第2区域，所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素，所述第2区域设置于所述第1区域与所述第1屏蔽件之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。
8.根据权利要求7所述的磁头，
从所述磁极向所述第1屏蔽件流动电流。
9.一种磁记录再现装置，具备：
权利要求1所述的磁头；
磁记录介质，通过所述磁头被记录信息；及
第1电路，能够向所述磁极与所述第1屏蔽件之间供给电流。
10.根据权利要求9所述的磁记录再现装置，
还具备第2电路，
所述磁头还包括线圈，
所述线圈的至少一部分位于所述磁极与所述第1屏蔽件之间，
所述第2电路能够将与所述信息对应的电流向所述线圈供给。
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