JP7319605B2 - 磁気ヘッド及び磁気記録装置 - Google Patents
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Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図1に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド111は、記録部60を含む。磁気ヘッドは、磁気記録装置210に含まれる。磁気記録装置210は、磁気ヘッド111及び磁気記録媒体80を含む。磁気ヘッド111の記録部60により、磁気記録媒体80に情報が記録される。磁気記録媒体80は、例えば、垂直記録媒体である。磁気記録媒体80の例については、後述する。
図2に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド112においては、積層体20は、第2中間層42をさらに含む。第2中間層42は、第1磁性層21と第1層28との間に設けられる。第2中間層42は、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaよりなる第2群から選択された少なくとも1つを含む。第2中間層42は、例えば、ダンピングを低下させる層として機能する。第2中間層42を設けることで、動作電流をより低減できる。
図3に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド113においては、積層体20は、第2中間層42に加えて第3中間層43をさらに含む。第3中間層43は、第2中間層42と第1層28との間に設けられる。第3中間層43は、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる第3群から選択された少なくとも1つを含む。第3中間層43は、例えば、スピンを減衰する(例えば消す)層として機能する。第3中間層43を設けることで、動作電流をより低減できる。
図4に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド114においては、積層体20は、第2中間層42を含まず、第3中間層43を含む。第3中間層43は、第1磁性層21と第1層28との間に設けられる。第3中間層43は、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる第3群から選択された少なくとも1つを含む。この場合も、第3中間層43は、例えば、スピンを減衰する(例えば消す)層として機能する。第3中間層43を設けることで、動作電流をより低減できる。
図5に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド121においても、記録部60は、磁極30、シールド31及び積層体20を含む。積層体20は、第1磁性層21、第1層28及び第1中間層41を含む。第1層28は、第1磁性層21とシールド31との間に設けられる。第1層28は、シールド31と接する。第1層28は、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。
図6に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド122においては、積層体20は、第2中間層42をさらに含む。第2中間層42は、第1磁性層21と第1層28との間に設けられる。第2中間層42は、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaよりなる第2群から選択された少なくとも1つを含む。第2中間層42により、例えば、ダンピングを低下させることができる。第2中間層42を設けることで、動作電流をより低減できる。
図7に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド123においては、積層体20は、第3中間層43をさらに含む。第3中間層43は、第2中間層42と第1層28との間に設けられる。第3中間層43は、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる第3群から選択された少なくとも1つを含む。第3中間層43により、例えば、スピンが減衰または消える。第3中間層43を設けることで、動作電流をより低減できる。
図8に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド124においては、積層体20は、第2中間層42を含まず、第3中間層43を含む。第3中間層43は、第1磁性層21と第1層28との間に設けられる。第3中間層43は、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる第3群から選択された少なくとも1つを含む。この場合も、第3中間層43は、例えば、スピンを減衰する(例えば消す)層として機能する。第3中間層43を設けることで、動作電流をより低減できる。
図9(a)、図9(b)、図10(a)及び図10(b)は、第2実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図9(a)に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド131aは、記録部60を含む。記録部60は、磁極30と、シールド31と、磁極30とシールド31との間に設けられた積層体20と、を含む。積層体20は、第1磁性層21、第2磁性層22、第1層28、第1中間層41及びシールド側第1中間層41Sを含む。第2磁性層22は、第1磁性層21と磁極30との間に設けられる。
図11(a)、図11(b)、図12(a)及び図12(b)に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド132a~132dにおいては、積層体20は、シールド側第3中間層43Sをさらに含む。シールド側第3中間層43Sは、第1磁性層21とシールド側第1中間層41Sとの間に設けられる。シールド側第3中間層43Sは、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む。これ以外を除いて、磁気ヘッド132a~132dは、磁気ヘッド131a~131dと同様の構成を有する。シールド側第3中間層43Sは、例えば、スピンを減衰する(例えば消す)層として機能する。例えば、動作電流をより低減できる。
図13(a)に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド141aは、記録部60を含む。記録部60は、磁極30と、シールド31と、磁極30とシールド31との間に設けられた積層体20と、を含む。積層体20は、第1磁性層21、第2磁性層22、第1層28、第1中間層41及び磁極側第1中間層41Pを含む。第2磁性層22は、第1磁性層21とシールド31との間に設けられる。
図15(a)、図15(b)、図16(a)及び図16(b)に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド142a~142dにおいては、積層体20は、磁極側第3中間層43Pをさらに含む。磁極側第3中間層43Pは、磁極側第1中間層41Pと第1磁性層21との間に設けられる。磁極側第3中間層43Pは、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、これ以外を除いて、磁気ヘッド142a~142dは、磁気ヘッド141a~141dと同様の構成を有する。磁極側第3中間層43Pは、例えば、スピンを減衰する(例えば消す)層として機能する。例えば、動作電流をより低減できる。
図17(a)に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド145aは、記録部60を含む。記録部60は、磁極30と、シールド31と、磁極30とシールド31との間に設けられた積層体20と、を含む。積層体20は、第1磁性層21、第2磁性層22、第1層28、第1中間層41及び第2層29を含む。
図19(a)、図19(b)、図20(a)及び図20(b)に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド146a~146dにおいて、積層体20は、シールド側第2中間層42Sをさらに含む。シールド側第2中間層42Sは、第1磁性層21と第2層29との間に設けられる。シールド側第2中間層42Sは、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaから選択された少なくとも1つを含む。シールド側第2中間層42Sは、例えば、ダンピングを低下させる層として機能する。シールド側第2中間層42Sを設けることで、動作電流をより低減できる。
図21(a)、図21(b)、図22(a)及び図22(b)に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド147a~147dにおいて、積層体20は、シールド側第3中間層43Sをさらに含む。シールド側第3中間層43Sは、第1磁性層21とシールド側第2中間層42Sとの間に設けられる。シールド側第3中間層43Sは、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む。シールド側第3中間層43Sは、例えば、スピンを減衰する(例えば消す)層として機能する。シールド側第3中間層43Sを設けることで、動作電流をより低減できる。
図23は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図23に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド(例えば、磁気ヘッド111)において、シールド31から磁極30への第1方向D1は、X軸方向に対して傾斜しても良い。第1方向D1は、積層体20の積層方向に対応する。X軸方向は、磁極30の媒体対向面30Fに沿う。第1方向D1と媒体対向面30Fとの間の角度を角度θ1とする。角度θ1は、例えば、15度以上30度以下である。角度θ1は、0度でも良い。
図25は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図24に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド111は、磁気記録媒体80と共に用いられる。実施形態に係る磁気記録装置210は、磁気ヘッド111及び磁気記録媒体80を含む。この例では、磁気ヘッド111は、記録部60及び再生部70を含む。磁気ヘッド111の記録部60により、磁気記録媒体80に情報が記録される。再生部70により、磁気記録媒体80に記録された情報が再生される。
図26は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド111は、ヘッドスライダ159に設けられる。ヘッドスライダ159は、例えばAl2O3/TiCなどを含む。ヘッドスライダ159は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
図28(a)及び図28(b)は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図27に示すように、実施形態に係る磁気記録装置150においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク180は、スピンドルモータ180Mに装着される。記録用媒体ディスク180は、スピンドルモータ180Mにより矢印ARの方向に回転する。スピンドルモータ180Mは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置150は、複数の記録用媒体ディスク180を備えても良い。磁気記録装置150は、記録媒体181を含んでもよい。記録媒体181は、例えば、SSD(Solid State Drive)である。記録媒体181には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置150は、ハイブリッドHDD(Hard Disk Drive)でも良い。
図28(b)は、ヘッドスタックアセンブリ160の一部となる磁気ヘッドアセンブリ(ヘッドジンバルアセンブリ:HGA)158を例示する斜視図である。
(構成1)
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1層と、
前記第1磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr及びRuよりなる第1群から選択された少なくとも1つを含む第1中間層と、
を含む、磁気ヘッド。
前記シールドから前記磁極への向きを有する電流が前記積層体に流れる、構成1記載の磁気ヘッド。
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1層と、
前記第1磁性層と前記磁極との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr及びRuよりなる第1群から選択された少なくとも1つを含む第1中間層と、
を含む、磁気ヘッド。
前記磁極から前記シールドへの向きを有する電流が前記積層体に流れる、構成3記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、第2中間層をさらに含み、
前記第2中間層は、前記第1磁性層と前記第1層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaよりなる第2群から選択された少なくとも1つを含む、構成1~4のいずれか1つに記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、第3中間層をさらに含み、
前記第3中間層は、前記第2中間層と前記第1層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる第3群から選択された少なくとも1つを含む、構成5記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、第3中間層をさらに含み、
前記第3中間層は、前記第1磁性層と前記第1層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる第3群から選択された少なくとも1つを含む、構成1~4のいずれか1つに記載の磁気ヘッド。
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記磁極との間に設けられた第2磁性層と、
前記第2磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr及びRuよりなる第1群から選択された少なくとも1つを含む第1中間層と、
前記第1磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる群から選択された少なくとも1つを含むシールド側第1中間層と、
を含む、磁気ヘッド。
前記シールドから前記磁極への向きを有する電流が前記積層体に流れる、構成8記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、シールド側第3中間層をさらに含み、
前記シールド側第3中間層は、前記第1磁性層と前記シールド側第1中間層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成8または9に記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、磁極側第2中間層をさらに含み、
前記磁極側第2中間層は、前記第2磁性層と前記第1層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaから選択された少なくとも1つを含む、構成8~10のいずれか1つに記載磁気ヘッド。
前記積層体は、磁極側第3中間層をさらに含み、
前記磁極側第3中間層は、前記第1層と前記磁極側第2中間層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成10記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、磁極側第3中間層をさらに含み、
前記磁極側第3中間層は、前記第2磁性層と前記第1層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成8~11のいずれか1つに記載の磁気ヘッド。
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記シールドとの間に設けられた第2磁性層と、
前記第2磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr及びRuよりなる第1群から選択された少なくとも1つを含む第1中間層と、
前記磁極と前記第1磁性層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる群から選択された少なくとも1つを含む磁極側第1中間層と、
を含む、磁気ヘッド。
前記磁極から前記シールドへの向きを有する電流が前記積層体に流れる、構成14記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、磁極側第3中間層をさらに含み、
前記磁極側第3中間層は、前記第1層と前記第1磁性層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成14または15に記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、シールド側第2中間層をさらに含み、
前記シールド側第2中間層は、前記第2磁性層と前記第1層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaから選択された少なくとも1つを含む、構成14~16のいずれか1つに記載磁気ヘッド。
前記積層体は、シールド側第3中間層をさらに含み、
前記シールド側第3中間層は、前記シールド側第2中間層と前記第1層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成17記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、磁極側第3中間層をさらに含み、
前記磁極側第3中間層は、前記第2磁性層と前記第1層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成14~17のいずれか1つに記載の磁気ヘッド。
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第1磁性層と、
前記磁極と前記第1磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
前記磁極と前記第2磁性層との間に設けられ前記磁極と接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr及びRuよりなる第1群から選択された少なくとも1つを含む第1中間層と、
前記第1磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第2層と、
を含む、磁気ヘッド。
前記積層体は、磁極側第2中間層をさらに含み、
前記磁極側第2中間層は、前記第2磁性層と前記第1層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaから選択された少なくとも1つを含む、構成20または21に記載磁気ヘッド。
前記積層体は、磁極側第3中間層をさらに含み、
前記磁極側第3中間層は、前記第1層と前記磁極側第2中間層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成21記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、磁極側第3中間層をさらに含み、
前記磁極側第3中間層は、前記第2磁性層と前記第1層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成20記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、シールド側第2中間層をさらに含み、
前記シールド側第2中間層は、前記第1磁性層と前記第2層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaから選択された少なくとも1つを含む、構成20~23のいずれか1つに記載磁気ヘッド。
前記積層体は、シールド側第3中間層をさらに含み、
前記シールド側第3中間層は、前記第1磁性層と前記磁極側第2中間層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成24記載の磁気ヘッド。
前記積層体は、磁極側第3中間層をさらに含み、
前記磁極側第3中間層は、前記第1磁性層と前記第2層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiから選択された少なくとも1つを含む、構成20~23のいずれか1つに記載の磁気ヘッド。
前記記録部は、前記磁極に設けられたコイルをさらに含む、構成1~26のいずれか1つに記載の磁気ヘッド。
構成1~27のいずれか1つに記載の磁気ヘッドと、
前記記録部により情報が記録される磁気記録媒体と、
を備えた磁気記録装置。
Claims (10)
- 磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1層と、
前記第1磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr及びRuよりなる第1群から選択された少なくとも1つを含む第1中間層と、
を含む、磁気ヘッド。 - 前記シールドから前記磁極への向きを有する電流が前記積層体に流れる、請求項1記載の磁気ヘッド。
- 前記積層体は、第2中間層をさらに含み、
前記第2中間層は、前記第1磁性層と前記第1層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaよりなる第2群から選択された少なくとも1つを含む、請求項1または2に記載の磁気ヘッド。 - 前記積層体は、第3中間層をさらに含み、
前記第3中間層は、前記第2中間層と前記第1層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる第3群から選択された少なくとも1つを含む、請求項3記載の磁気ヘッド。 - 前記積層体は、第3中間層をさらに含み、
前記第3中間層は、前記第1磁性層と前記第1層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる第3群から選択された少なくとも1つを含む、請求項1または2に記載の磁気ヘッド。 - 磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1層と、
前記第1磁性層と前記磁極との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr及びRuよりなる第1群から選択された少なくとも1つを含む第1中間層と、
第2中間層と、
第3中間層と、
を含み、
前記第2中間層は、前記第1磁性層と前記第1層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru及びTaよりなる第2群から選択された少なくとも1つを含み、
前記第3中間層は、前記第2中間層と前記第1層との間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる第3群から選択された少なくとも1つを含む、磁気ヘッド。 - 前記磁極から前記シールドへの向きを有する電流が前記積層体に流れる、請求項6記載の磁気ヘッド。
- 磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記磁極との間に設けられた第2磁性層と、
前記第2磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr及びRuよりなる第1群から選択された少なくとも1つを含む第1中間層と、
前記第1磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn及びNiよりなる群から選択された少なくとも1つを含むシールド側第1中間層と、
を含む、磁気ヘッド。 - 磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第1磁性層と、
前記磁極と前記第1磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
前記磁極と前記第2磁性層との間に設けられ前記磁極と接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられ、Cu、Ag、Au、Al、Cr及びRuよりなる第1群から選択された少なくとも1つを含む第1中間層と、
前記第1磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr及びPtCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第2層と、
を含む、磁気ヘッド。 - 請求項1~9のいずれか1つに記載の磁気ヘッドと、
前記記録部により情報が記録される磁気記録媒体と、
を備えた磁気記録装置。
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