JP2020038742A - 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気ヘッドは、磁極、第１シールド領域、第２シールド領域及び第１積層体を含む。前記磁極から前記第１シールド領域への方向は、第１方向に沿う。前記磁極から前記第２シールド領域への方向は、前記第１方向と交差する。前記第１積層体は、前記磁極と前記第２シールド領域との間に設けられる。前記第１積層体は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、前記第１磁性層と前記第２シールド領域との間に設けられた第２導電層と、を含む。前記第１方向は、前記磁極が対向する磁気記録媒体と、前記磁極と、の間の相対的な移動方向に沿う。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置に関する。

磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記憶媒体に情報が記録される。磁気ヘッド及び磁気記録再生装置において、記録密度の向上が望まれる。

特開２０１２−１２３８９４号公報

本発明の実施形態は、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、磁極、第１シールド領域、第２シールド領域及び第１積層体を含む。前記磁極から前記第１シールド領域への方向は、第１方向に沿う。前記磁極から前記第２シールド領域への方向は、前記第１方向と交差する。前記第１積層体は、前記磁極と前記第２シールド領域との間に設けられる。前記第１積層体は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、前記第１磁性層と前記第２シールド領域との間に設けられた第２導電層と、を含む。前記第１方向は、前記磁極が対向する磁気記録媒体と、前記磁極と、の間の相対的な移動方向に沿う。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。 図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。 図３は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。 図４は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。 図５は、実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。 図６は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図７は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。 図８（ａ）及び図８（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１（ａ）、図１（ｂ）及び図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。
図１（ａ）は、図１（ｂ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の矢印ＡＲ１からみた平面図である。図２は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。

図１（ｂ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１０は、磁極３０、第１シールド領域３１、第２シールド領域３２及び第１積層体ＳＢ１を含む。この例では、第３シールド領域３３及び第２積層体ＳＢ２がさらに設けられている。図１（ａ）に示す断面においては、第２シールド領域３２、第１積層体ＳＢ１、第３シールド領域３３及び第２積層体ＳＢ２は見えない。図１（ａ）において、第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２の位置が、破線で示されている。

図１（ａ）に示すように、コイル３０ｃ及び第４シールド領域３４がさらに設けられている。

磁極３０から第１シールド領域３１への方向は、第１方向Ｄ１に沿う（図１（ａ）及び図１（ｂ）参照）。第１方向を、Ｘ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＺ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

磁極３０は、例えば、主磁極である。磁極３０は、第１面３０Ｆを含む。第１面３０Ｆは、磁気記録媒体８０と対向する。第１面３０Ｆは、例えば、媒体対向面に対応する。第１面３０Ｆは、例えば、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）に対応する。

第１シールド領域３１と第４シールド領域３４との間に、磁極３０が位置する。コイル３０ｃの少なくとも一部は、磁極３０と第１シールド領域３１との間に位置する。この例では、コイル３０ｃの一部は、磁極３０と第４シールド領域３４との間に位置する。

コイル３０ｃに記録用電気回路（第２電気回路３０Ｄ）が電気的に接続される。記録用電気回路からコイル３０ｃに記録電流が供給される。磁極３０から記録電流に応じた磁界（記録磁界）が生じる。記録磁界が磁気記録媒体８０に加わり、磁気記録媒体８０に情報が記録される。このように、記録用電気回路（第２電気回路３０Ｄ）は、記録される情報に対応した電流（記録電流）をコイル３０ｃに供給可能である。

例えば、第１面３０Ｆに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向である。第１方向Ｄ１（Ｘ軸方向）は、磁極３０が対向する磁気記録媒体８０と、磁極３０と、の間の相対的な移動方向に沿う。第１方向Ｄ１と、磁気記録媒体８０と磁極３０との間の相対的な移動方向と、の間の角度は、±２５度以下である。この角度は、±２０度以下でも良い。第１方向Ｄ１とダウントラック方向との間の角度の絶対値は、第１方向Ｄ１とクロストラック方向との間の角度の絶対値よりも小さい。

第１シールド領域３１は、例えば、「trailing shield」に対応する。第４シールド領域３４は、例えば、「leading shield」に対応する。第１シールド領域３１は、例えば、補助磁極である。第１シールド領域３１は、磁極３０とともに、磁気コアを形成可能である。例えば、第４シールド領域３４は、磁極３０とともに磁気コアを形成しても良い。

図１（ａ）に示すように、例えば、磁極３０の周りに絶縁部３０ｉが設けられている。

図１（ｂ）に示すように、磁極３０から第２シールド領域３２への方向（例えば第２方向Ｄ２）は、上記の第１方向Ｄ１（Ｘ軸方向）と交差する。磁極３０から第３シールド領域３３への方向（例えば第３方向Ｄ３）は、上記の第１方向Ｄ１（Ｘ軸方向）と交差する。

例えば、第３シールド領域３３から第２シールド領域３２への方向は、第１方向Ｄ１（Ｘ軸方向）と交差する。第３シールド領域３３から第２シールド領域３２への方向は、例えば、Ｙ軸方向に沿う。磁極３０の少なくとも一部は、第３シールド領域３３から第２シールド領域３２への上記の方向（例えばＹ軸方向）において、第３シールド領域３３と第２シールド領域３２との間に設けられる。

第２シールド領域３２は、例えば、第１サイドシールドに対応する。第３シールド領域３３は、例えば、第２サイドシールドに対応する。

図１（ｂ）に示すように、第１積層体ＳＢ１は、磁極３０と第２シールド領域３２との間に設けられる。

第１積層体ＳＢ１は、第１磁性層１１、第１導電層２１及び、第２導電層２２を含む。第１磁性層１１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１磁性層１１は、例えば、ＦｅＣｏ層またはＦｅＮｉ層などである。第１磁性層１１は、例えば、強磁性である。第１磁性層１１は、例えば、強磁性金属を含む。

第１導電層２１は、磁極３０と第１磁性層１１との間に設けられる。第２導電層２２は、第１磁性層１１と第２シールド領域３２との間に設けられる。第１導電層２１及び第２導電層２２は、例えば、非磁性である。第１導電層２１及び第２導電層２２は、例えば、非磁性金属を含む。

１つの例において、第１導電層２１は、磁極３０及び第１磁性層１１と接する。１つの例において、第２導電層２２は、第１磁性層１１及び第２シールド領域３２と接する。

第２積層体ＳＢ２は、磁極３０と第３シールド領域３３との間に設けられる。第２積層体ＳＢ２は、第２磁性層１２、第３導電層２３及び、第４導電層２４を含む。第２磁性層１２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層１２は、例えば、ＦｅＣｏ層またはＦｅＮｉ層などである。第２磁性層１２は、例えば、強磁性である。第２磁性層１２は、例えば、強磁性金属を含む。

第３導電層２３は、磁極３０と第２磁性層１２との間に設けられる。第４導電層２４は、第２磁性層１２と第３シールド領域３３との間に設けられる。第３導電層２３及び第４導電層２４は、例えば、非磁性である。第３導電層２３及び第４導電層２４は、例えば、非磁性金属を含む。

１つの例において、第３導電層２３は、磁極３０及び第２磁性層１２と接する。１つの例において、第４導電層２４は、第２磁性層１２及び第３シールド領域３３と接する。

例えば、磁極３０から第２シールド領域３２への方向（第２方向Ｄ２）に沿う、第１磁性層１１の厚さを厚さｔ１１とする。厚さｔ１１は、例えば、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。

磁極３０から第２シールド領域３２への方向（第２方向Ｄ２）に沿う、第１導電層２１の厚さを厚さｔ２１とする。第２方向Ｄ２に沿う、第２導電層２２の厚さを厚さｔ２２とする。厚さｔ２１及び厚さｔ２２のそれぞれは、例えば、０．３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。

後述するように、このような厚さにより、例えば、第１磁性層１１の磁化が、所望の向きになり易い。

例えば、磁極３０から第３シールド領域３３への方向（第３方向Ｄ３）に沿う、第２磁性層１２の厚さを厚さｔ１２とする。厚さｔ１２は、例えば、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。

磁極３０から第３シールド領域３３への方向（第３方向Ｄ３）に沿う、第３導電層２３の厚さを厚さｔ２３とする。第３方向Ｄ３に沿う、第４導電層２４の厚さを厚さｔ２４とする。厚さｔ２３及び厚さｔ２４のそれぞれは、例えば、０．３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。

後述するように、このような厚さにより、例えば、第２磁性層１２の磁化が、所望の向きになり易い。

図２に示すように、１つの例において、第１〜第３端子Ｔ１〜Ｔ３が設けられる。第１端子Ｔ１は、磁極３０と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、第２シールド領域３２と電気的に接続される。第３端子Ｔ３は、第３シールド領域３３と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、第２シールド領域３２及び第３シールド領域３３の少なくともいずれかと電気的に接続されても良い。第２端子Ｔ２が、第２シールド領域３２及び第３シールド領域３３と電気的に接続される場合、第３端子Ｔ３は省略されても良い。

例えば、第１〜第３配線Ｗ１〜Ｗ３が設けられても良い。第１配線Ｗ１は、第１端子Ｔ１と電気的に接続される。第２配線Ｗ２は、第２端子Ｔ２と電気的に接続される。第３配線Ｗ３は、第３端子Ｔ３と電気的に接続される。

例えば、第１〜第３配線Ｗ１〜Ｗ３は、第１電気回路２０Ｄに電気的に接続される。第１電気回路２０Ｄは、第１電流ｉ１を第１積層体ＳＢ１に供給可能である。第１電気回路２０Ｄは、第２電流ｉ２を第２積層体ＳＢ２に供給可能である。

第１電流ｉ１は、例えば、磁極３０及び第２シールド領域３２を介して、第１積層体ＳＢ１に供給される。第１電流ｉ１は、第１導電層２１、第１磁性層１１及び第２導電層２２を流れる。第１電流ｉ１の向きに関しては、後述する。

第２電流ｉ２は、例えば、磁極３０及び第３シールド領域３３を介して、第２積層体ＳＢ２に供給される。第２電流ｉ２は、第３導電層２３、第２磁性層１２及び第４導電層２４を流れる。第２電流ｉ２の向きに関しては、後述する。

第１電流ｉ１及び第２電流ｉ２は、直流成分を有する。これらの電流は、例えば、直流電流である。

例えば、第１導電層２１の材料は、第２導電層２２の材料と異なっても良い。例えば、第３導電層２３の材料は、第４導電層２４の材料と異なっても良い。

このような積層体（第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２の少なくともいずれか）に電流が流れると、積層体に含まれる磁性層（第１磁性層１１及び第２磁性層１２の少なくともいずれか）の磁化の向きが制御できる。例えば、磁性層の磁化が、磁極３０から出る磁界の向きとは逆向きの成分を有するようになる。これにより、磁極３０から出る磁界の向きの分布を適正に制御できる。

第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２は、第１積層体ＳＢ１を介さない他の電気的接続を持たないことが好ましい。第１端子Ｔ１及び第３端子Ｔ３は、第２積層体ＳＢ２を介さない他の電気的接続を持たないことが好ましい。

図３は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。
コイル３０ｃに記録電流を流すことにより、磁極３０から磁界が生じる。磁極３０から出た磁界の一部（磁界Ｈ１）は、磁気記録媒体８０に向かう。一方、磁極３０から出た磁界の別の一部（磁界Ｈ２）は、第２シールド領域３２への成分を有する。このとき、第１積層体ＳＢ１に電流（第１電流ｉ１）を流すと、第１磁性層１１の磁化１１Ｍが、磁界Ｈ２と逆向きの成分を有する。これにより、磁界Ｈ２は、第１磁性層１１を通過し難くなる。その結果、磁界Ｈ２は、磁気記録媒体８０へ向かい易くなる。これにより、クロストラック方向の端部（第２シールド領域３２側の端部）において、記録磁界の強度を急峻に変化させることができる。

同様に、磁極３０から出た磁界の別の一部（磁界Ｈ３）は、第３シールド領域３３への成分を有する。第２積層体ＳＢ２に電流（第２電流ｉ２）を流すと、第２磁性層１２の磁化１２Ｍが、磁界Ｈ３と逆向きの成分を有する。これにより、磁界Ｈ３は、第２磁性層１２を通過し難くなる。その結果、磁界Ｈ３は、磁気記録媒体８０へ向かい易くなる。これにより、クロストラック方向の端部（第３シールド領域３３側の端部）において、記録磁界の強度を急峻に変化させることができる。

実施形態においては、例えば、クロストラック方向の記録磁界の分布を制御できる。例えば、記録磁界の端部における急峻度を向上できる。これにより、例えば、複数のトラックのクロストラック方向の間隔を狭くしても良好な記録再生特性が得られる。

実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供できる。

例えば、瓦記録（shingle Recording）が行われる場合がある。瓦記録においては、記録された第１トラックの一部に、第２トラックが重ねられて、第２トラックが記録される。クロストラック方向の記録磁界の分布を良好に制御できることで、瓦記録をより良好に実施できる。

実施形態において、第１積層体ＳＢ１を設けることで、第２シールド領域３２の側における記録磁界の分布が制御できる。第２積層体ＳＢ２を設けることで、第３シールド領域３３の側における記録磁界の分布が制御できる。実施形態において、第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２の一方を設けても良い。

１つの例において、第１導電層２１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。この場合において、第２導電層２２は、例えば、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。この場合、第１導電層２１から第２導電層２２への向きの第１電流ｉ１を通電可能である。この場合に、第１磁性層１１の磁化１１Ｍが、磁極３０から出る磁界と逆の成分を有するようになる。

別の例において、第１導電層２１は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む。この場合において、第２導電層２２は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。この場合、第２導電層２２から第１導電層２１への向きの第１電流ｉ１を通電可能である。この場合に、第１磁性層１１の磁化１１Ｍが、磁極３０から出る磁界と逆の成分を有するようになる。

第１電流ｉ１により第１磁性層１１の磁化１１Ｍが磁極３０から出る磁界と逆の成分を有する状態になったときの第１積層体ＳＢ１の電気抵抗は、この第１電流ｉ１を流さないときの電気抵抗から変化しても良い。

例えば、磁極３０と第２シールド領域３２との間に第１電流ｉ１を流したときの、磁極３０と第２シールド領域３２との間の電気抵抗を第１電気抵抗とする。磁極３０と第２シールド領域３２との間に第３電流を流したときの、磁極３０と第２シールド領域３２との間の電気抵抗を第２電気抵抗とする。第１電気抵抗は、第２電気抵抗とは異なる。この第３電流の向きは、第１電流ｉ１の向きと逆である。

例えば、第１電流ｉ１により、第１磁性層１１の磁化１１Ｍが、磁極３０からの磁界に対して反転する。例えば、上記の第３電流が流れたときは、第１磁性層１１の磁化１１Ｍが、磁極３０からの磁界に対して反転しない。１つの例において、第１電気抵抗は、第２電気抵抗よりも高い。

例えば、磁極３０と第３シールド領域３３との間に第２電流ｉ２を流したときの、磁極３０と第３シールド領域３３との間の電気抵抗を第３電気抵抗とする。磁極３０と第３シールド領域３３との間に第４電流を流したときの、磁極３０と第３シールド領域３３との間の電気抵抗を第４電気抵抗とする。第４電気抵抗は、第３電気抵抗とは異なる。この第４電流の向きは、第２電流ｉ２の向きと逆である。

例えば、第２電流ｉ２により、第２磁性層１２の磁化１２Ｍが、磁極３０からの磁界に対して反転する。例えば、上記の第４電流が流れたときは、第２磁性層１２の磁化１２Ｍが、磁極３０からの磁界に対して反転しない。１つの例において、第３電気抵抗は、第４電気抵抗よりも高い。

上記の電気抵抗の差は、例えば、磁気抵抗効果に基づく。

１つの例において、第１導電層２１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。このとき、第２導電層２２は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。このとき、第３導電層２３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。このとき、第４導電層２４は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。このとき、第１導電層２１から第２導電層２２への向きの第１電流ｉ１を通電可能である。このとき、第３導電層２３から第４導電層２４への向きの第２電流ｉ２を通電可能である。

１つの例において、第２導電層２２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。このとき、第１導電層２１は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。このとき、第４導電層２４は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。このとき、第３導電層２３は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。このとき、第２導電層２２から第１導電層２１への向きの第１電流ｉ１を通電可能である。このとき、第４導電層２４から第３導電層２３への向きの第２電流ｉ２を通電可能である。

第１導電層２１と第２導電層２２とに、互いに異なる導電材料を用いることで、第１磁性層１１の磁化１１Ｍは、反転しやすくなる。第３導電層２３と第４導電層２４とに、互いに異なる導電材料を用いることで、第２磁性層１２の磁化１２Ｍは、反転しやすくなる。

以下、磁気ヘッドの特性のシミュレーション結果の例について説明する。シミュレーションの第１モデルにおいて、第１磁性層１１のＺ軸方向に沿う高さＨＴ（図２参照）は、４０ｎｍである。第１磁性層１１の長さＬ１（図１（ｂ）参照）は、６０ｎｍである。図１（ｂ）に示すように、長さＬ１は、第１面３０Ｆを含む平面に沿う方向における、第１磁性層１１の長さである。長さＬ１は、磁極３０から第２シールド領３２域への方向に対して垂直な方向における、第１磁性層１１の長さである。第２磁性層１２のＺ軸方向に沿う高さは、第１磁性層１１の高さＨＴと同じである。第２磁性層１２の長さは、第１磁性層１１の長さＬ１と同じである。第１磁性層１１及び第２磁性層１２は、磁極３０のＹ軸方向の中心を通りＸ軸方向に沿う軸に対して、対称な位置に設けられる（図１（ｂ）参照）。

第１磁性層１１及び第２磁性層１２には、ＦｅＮｉ合金が用いられる場合のパラメータが適用される。第１磁性層１１及び第２磁性層１２のそれぞれの飽和磁化は、１Ｔ（テスラ）である。

厚さｔ１１及び厚さｔ１２（図１（ｂ）参照）のそれぞれは、１０ｎｍである。厚さｔ２１及び厚さｔ２３（図１（ｂ）参照）のそれぞれは、１５ｎｍである。厚さｔ２２及び厚さｔ２４（図１（ｂ）参照）のそれぞれは、１５ｎｍである。磁極３０と第２シールド領域３２との間の距離、及び、磁極３０と第３シールド領域３３との間の距離のそれぞれは、４０ｎｍである。第１モデルにおいて、第１積層体ＳＢ１に第１電流ｉ１（図２参照）が流れる。第２積層体ＳＢ２に第２電流ｉ２（図２参照）が流れる。

第２モデルにおいては、第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２が設けられない。第２モデルにおいては、磁極３０と第２シールド領域３２との間の領域、及び、磁極３０と第３シールド領域３３との間の領域は、絶縁層（絶縁部３０ｉと同じ材料）が設けられる。第２モデルにおいて、磁極３０と第２シールド領域３２との間の距離、及び、磁極３０と第３シールド領域３３との間の距離のそれぞれは、４０ｎｍである。

第３モデルは、第１モデルと同じ構成を有する。第３モデルにおいては、第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２に電流が供給されない。

図４は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図４は、上記の第１〜第３モデルＭ１〜Ｍ３の特性のシミュレーション結果を例示している。図４の横軸は、クロストラック方向（Ｙ軸方向）における位置ｐＹ（ｎｍ）である。位置ｐＹが０ｎｍの位置は、磁極３０の中心に対応する。図４の縦軸は、磁極３０から磁気記録媒体８０に加えられる磁界強度ＨＳ（Ｏｅ）である。この磁界強度ＨＳは、位置ｐＹのダウントラック方向（Ｘ軸方向）における最大の磁界強度である。

図４は、「オフトラックプロファイル」に対応する。オフトラックプロファイルにおいて、位置ｐＹ方向において、磁界強度ＨＳが急峻に変化（例えば、減衰）することが好ましい。磁界強度ＨＳが急峻に変化することで、高い記録密度が得られる。

図４に示すように、第３モデルＭ３においては、第２モデルＭ２と比べて、磁界強度ＨＳの最大値が上昇する。しかしながら、第３モデルＭ３においては、第２モデルＭ２と比べて、磁界強度ＨＳの減衰の急峻度が低下する。これは、第３モデルＭ３においては、サイドシールド（第２シールド領域３２及び第３シールド領域３３）における磁化が飽和することに起因すると考えられる。

これに対して、第１モデルＭ１においては、第２モデルＭ２及び第３モデルＭ３と比べて、磁界強度ＨＳの最大値が上昇する。さらに、第１モデルＭ１においては、第２モデルＭ２及び第３モデルＭ３と比べて、磁界強度ＨＳの減衰の急峻度が高い。第１モデルＭ１においては、高い記録密度が得られる。第１モデルＭ１においては、第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２に電流が流れる。これにより、第１磁性層１１の磁化１１Ｍ、及び、第２磁性層１２の磁化１２Ｍが、反転する。これにより、磁界強度ＨＳの減衰の急峻度が高くなると考えられる。

例えば、図４において、４０ｎｍの位置ｐＹにおける磁界強度ＨＳと、０ｎｍの位置ｐＹにおける磁界強度ＨＳと、から、オフトラック磁界傾度（Ｏｅ／ｎｍ）が算出できる。第１〜第３モデルＭ１〜Ｍ３のそれぞれにおいて、オフトラック磁界傾度（Ｏｅ／ｎｍ）は、磁界強度ＨＳの最大値により規格化できる。第１〜第３モデルＭ１〜Ｍ３のそれぞれにおいて、規格化オフトラック磁界傾度（１／ｎｍ）が導出できる。規格化オフトラック磁界傾度は、負である。規格化オフトラック磁界傾度の絶対値が大きいことは、急峻度が高いことに対応する。オフトラック磁界傾度の絶対値が大きいことが好ましい。

第１モデルＭ１において、規格化オフトラック磁界傾度は、−１．８２×１０^−２／ｎｍである。第２モデルＭ２において、規格化オフトラック磁界傾度は、−１．４×１０^−２／ｎｍである。第３モデルＭ３において、規格化オフトラック磁界傾度は、−１．１×１０^−２／ｎｍである。

以下、第１モデルＭ１において、第１磁性層１１のＺ軸方向に沿う高さＨＴ（図２参照）を変更したときの特性の例について説明する。このとき、第２磁性層１２のＺ軸方向に沿う高さは、第１磁性層１１の高さＨＴと連動して変更される。高さＨＴが２０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ及び８０ｎｍのときにおいて、規格化オフトラック磁界傾度は、約−１．８×１０^−２／ｎｍである。規格化オフトラック磁界傾度は、高さＨＴに実質的に依存しない。

以下、第１モデルＭ１において、第１磁性層１１の長さＬ１（図１（ｂ）参照）を変更したときの特性の例について説明する。このとき、第２磁性層１２の長さは、第１磁性層１１の長さＬ１と連動して変更される。既に説明したように、長さＬ１が６０ｎｍのときの規格化オフトラック磁界傾度は、約−１．８×１０^−２／ｎｍである。長さＬ１が５０ｎｍのときの規格化オフトラック磁界傾度は、約−１．７８×１０^−２／ｎｍである。長さＬ１が４０ｎｍのときの規格化オフトラック磁界傾度は、約−１．７×１０^−２／ｎｍである。長さＬ１が３０ｎｍのときの規格化オフトラック磁界傾度は、約−１．６×１０^−２／ｎｍである。長さＬ１が２０ｎｍのときの規格化オフトラック磁界傾度は、約−１．４９×１０^−２／ｎｍである。規格化オフトラック磁界傾度の絶対値は、長さＬ１が長いと大きくなる。実施形態において、長さＬ１は、例えば、３０ｎｍ以上であることが好ましい。

以下、実施形態に係る磁気ヘッド１１０の動作の例について説明する。以下では、第１積層体ＳＢ１に関して説明する。以下の説明は、第１積層体ＳＢ１を第２積層体ＳＢ２に換え、第２シールド領域３２を第３シールド領域３３に換えることで、第２積層体ＳＢ２に適用できる。

図５は、実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。
図５に示すように、磁極３０と第２シールド領域３２との間に第１積層体ＳＢ１が設けられる。第１積層体ＳＢ１において、第１磁性層１１、第１導電層２１及び第２導電層２２が設けられる。

磁極３０のコイル３０ｃに、第２電気回路３０Ｄ（図１（ａ）参照）から、記録電流が供給される。これにより、磁極３０からギャップ磁界Ｈｇ１が発生する。ギャップ磁界Ｈｇ１は、第１積層体ＳＢ１に印加される。

例えば、磁極３０の磁化３０Ｍおよび第２シールド領域３２の磁化３２Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。第１磁性層１１の磁化１１Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。

このとき、第１電気回路２０Ｄから第１積層体ＳＢ１に電流Ｉｃ（第１電流ｉ１に対応）が供給される。この例では、第２シールド領域３２及び磁極３０を介して、電流Ｉｃが第１積層体ＳＢ１に供給される。電流Ｉｃは、例えば、第２導電層２２から第１導電層２１へ流れる。このとき、電子流Ｊｅが流れる。電子流Ｊｅは、第１導電層２１から第２導電層２２へ流れる。

電子流Ｊｅにより、第１導電層２１と第１磁性層１１との間の界面において、スピントルク２１ｓｐが生じる。このスピントルク２１ｓｐは、透過型である。一方、電子流Ｊｅにより、第１磁性層１１と第２導電層２２との間の界面において、スピントルク２２ｓｐが生じる。スピントルク２２ｓｐは、反射型である。これらのスピントルクにより、第１磁性層１１の磁化１１Ｍは反転する。反転した磁化１１Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１に対して逆向きの成分を有する。

電流Ｉｃは、例えば、第１導電層２１から第２導電層２２に向かって流れても良い。このとき、図５に示すスピントルク２１ｓｐの向き及びスピントルク２２ｓｐの向きが反転する。このとき、スピントルク２１ｓｐは反射型であり、スピントルク２２ｓｐは透過型である。

例えば、スピントルク２１ｓｐ及びスピントルク２２ｓｐを適切に制御することで第１磁性層１１の磁化１１Ｍを反転しやすくなる。第１導電層２１及び第２導電層２２に関して説明した上記の材料の例により、これらのスピントルクを適切に制御できる。

（第２実施形態）
第２実施形態は、磁気記録再生装置に係る。磁気記録再生装置は、例えば、第１実施形態に関して説明した磁気ヘッド１１０（及びその変形の磁気ヘッド）を含む。磁気記録再生装置は、さらに、磁気記録媒体８０と、第１積層体ＳＢ１に電流（第１電流ｉ１）を供給可能な第１電気回路２０Ｄと、を含む。磁気ヘッド１１０が第２積層体ＳＢ２を含む場合、第１電気回路２０Ｄは、第２積層体ＳＢ２に電流（第２電流ｉ２）さらに供給しても良い。

以下、本実施形態に係る磁気記録再生装置の例について説明する。
図６は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図６は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。

ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。

図７は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図７に示すように、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに設けられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を含んでも良い。磁気記録再生装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録再生装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。

ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。

記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。

サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。

アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。

図８（ａ）は、磁気記録再生装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
図８（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。

図８（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。

図８（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。

サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。

実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。

サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。

磁気記録再生装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。

本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。

例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。

本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに設けられた磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を含む。

実施形態は、例えば、以下の構成（例えば技術案）を含む。
（構成１）
磁極と、
第１シールド領域であって、前記磁極から前記第１シールド領域への方向は、第１方向に沿う、前記第１シールド領域と、
第２シールド領域であって、前記磁極から前記第２シールド領域への方向は、前記第１方向と交差した、前記第２シールド領域と、
前記磁極と前記第２シールド領域との間に設けられた第１積層体と、
を備え、
前記第１積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、
前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、
前記第１磁性層と前記第２シールド領域との間に設けられた第２導電層と、
を含む、
前記第１方向は、前記磁極が対向する磁気記録媒体と、前記磁極と、の間の相対的な移動方向に沿う、磁気ヘッド。

（構成２）
磁極と、
第１シールド領域であって、前記磁極から前記第１シールド領域への方向は、第１方向に沿う、前記第１シールド領域と、
第２シールド領域であって、前記磁極から前記第２シールド領域への方向は、前記第１方向と交差した、前記第２シールド領域と、
前記磁極と前記第２シールド領域との間に設けられた第１積層体と、
を備え、
前記第１積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、
前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられ前記磁極及び前記第１磁性層と接する第１導電層と、
前記第１磁性層と前記第２シールド領域との間に設けられ前記第１磁性層及び前記第２シールド領域と接する第２導電層と、
を含む、磁気ヘッド。

（構成３）
前記磁極と電気的に接続された第１端子と、
前記第２シールド領域と電気的に接続された第２端子と、
をさらに備えた、構成１または２に記載の磁気ヘッド。

（構成４）
前記第１導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第１導電層から前記第２導電層への向きの第１電流を通電可能である、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成５）
前記第１導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２導電層から前記第１導電層への向きの第１電流を通電可能である、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成６）
前記磁極と前記第２シールド領域との間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第２シールド領域との間の第１電気抵抗は、前記磁極と前記第２シールド領域との間に別の電流を流したときの前記磁極と前記第２シールド領域との間の第２電気抵抗とは異なり、前記別の電流の向きは、前記第１電流の向きと逆である、構成４または５に記載の磁気ヘッド。

（構成７）
前記磁極から前記第２シールド領域への前記方向に沿う、前記第１磁性層の厚さは、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成８）
前記磁極から前記第２シールド領域への前記方向に沿う、前記第１導電層の厚さ、及び、前記磁極から前記第２シールド領域への前記方向に沿う、前記第２導電層の厚さのそれぞれは、０．３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、構成１〜７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成９）
磁極と、
第１シールド領域と、
第２シールド領域と、
第３シールド領域であって、前記第３シールド領域から前記第２シールド領域への方向は、前記磁極から前記第１シールド領域への第１方向と交差し、前記磁極の少なくとも一部は、前記第３シールド領域から前記第２シールド領域への前記方向において、前記第３シールド領域と前記第２シールド領域との間に設けられた、前記第３シールド領域と、
前記磁極と前記第２シールド領域との間に設けられた第１積層体と、
前記磁極と前記第３シールド領域との間に設けられた第２積層体と、
を備え、
前記第１積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、
前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、
前記第１磁性層と前記第２シールド領域との間に設けられた第２導電層と、
を含み、
前記第２積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第２磁性層と、
前記磁極と前記第２磁性層との間に設けられた第３導電層と、
前記第２磁性層と前記第３シールド領域との間に設けられた第４導電層と、
を含む、磁気ヘッド。

（構成１０）
前記磁極と電気的に接続された第１端子と、
前記第２シールド領域及び前記第３シールド領域の少なくともいずれかと電気的に接続された第２端子と、
さらに備えた構成９記載の磁気ヘッド。

（構成１１）
前記第１導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９または１０に記載の磁気ヘッド。

（構成１２）
前記第１導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９または１０に記載の磁気ヘッド。

（構成１３）
前記第１導電層から前記第２導電層への向きの第１電流を通電可能であり、
前記第３導電層から前記第４導電層への向きの第２電流を通電可能である、構成１１記載の磁気ヘッド。

（構成１４）
前記第２導電層から前記第１導電層への向きの第１電流を通電可能であり、
前記第４導電層から前記第３導電層への向きの第２電流を通電可能である、構成１１記載の磁気ヘッド。

（構成１５）
前記磁極と前記第２シールド領域との間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第２シールド領域との間の第１電気抵抗は、前記磁極と前記第２シールド領域との間に第３電流を流したときの前記磁極と前記第２シールド領域との間の第２電気抵抗とは異なり、前記第３電流の向きは、前記第１電流の向きと逆である、構成１３または１４に記載の磁気ヘッド。

（構成１６）
前記磁極と前記第３シールド領域との間に第２電流を流したときの前記磁極と前記第３シールド領域との間の第３電気抵抗は、前記磁極と前記第３シールド領域との間に第４電流を流したときの前記磁極と前記第３シールド領域との間の第４電気抵抗とは異なり、前記第４電流の向きは、前記第２電流の向きと逆である、構成１３〜１５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成１７）
前記第１導電層は、前記磁極及び前記第１磁性層と接し、
前記第２導電層は、前記第１磁性層及び前記第２シールド領域と接し、
前記第３導電層は、前記磁極及び前記第２磁性層と接し、
前記第４導電層は、前記第２磁性層及び前記第３シールド領域と接する、構成９〜１６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成１８）
前記磁極から前記第２シールド領域への方向に沿う、前記第１磁性層の厚さは、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、構成９〜１７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成１９）
前記磁極から前記第２シールド領域への方向に沿う、前記第１導電層の厚さ、及び、前記磁極から前記第２シールド領域への前記方向に沿う、前記第２導電層の厚さのそれぞれは、０．３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、構成９〜１８のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成２０）
前記磁極から前記第３シールド領域への方向に沿う、前記第３導電層の厚さ、及び、前記磁極から前記第３シールド領域への前記方向に沿う、前記第４導電層の厚さのそれぞれは、０．３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、構成９〜１９のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成２１）
構成１記載の磁気ヘッドと、
前記磁気記録媒体と、
前記第１積層体に電流を供給可能な第１電気回路と、
を備えた磁気記録再生装置。

（構成２２）
構成９〜２０のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体と、
前記第１積層体に電流を供給可能な第１電気回路と、
を備えた磁気記録再生装置。

実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が提供できる。

本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる磁極、シールド領域、積層体、磁性層、導電層及び配線などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録再生装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１、１２…第１、第２磁性層、 １１Ｍ、１２Ｍ…磁化、 ２０Ｄ…第１電気回路、 ２１〜２４…第１〜第４導電層、 ２１ｓｐ、２２ｓｐ…スピントルク、 ３０…磁極、 ３０Ｄ…第２電気回路、 ３０Ｆ…第１面、 ３０Ｍ…磁化、 ３０ｃ…コイル、 ３０ｉ…絶縁部、 ３０Ｍ…磁化、 ３１〜３４…第１〜第４シールド領域、 ３２Ｍ…磁化、 ８０…磁気記録媒体、 １１０…磁気ヘッド、 １５０…磁気記録再生装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９…ヘッドスライダ、 １５９Ａ…空気流入側、 １５９Ｂ…空気流出側、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ…スピンドルモータ、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 ＡＦ、ＡＲ１…矢印、 Ｄ１〜Ｄ３…第１方向、 Ｈ１〜Ｈ３…磁界、 ＨＴ…高さ、 Ｈｇ１…ギャップ磁界、 ＨＳ…磁界強度、 Ｉｃ…電流、 Ｊｅ…電子流、 Ｌ１…長さ、 ＳＢ１、ＳＢ２…第１、第２積層体、 Ｔ１〜Ｔ３…第１〜第３端子、 Ｗ１〜Ｗ３…第１〜第３配線、 ｉ１、ｉ２…第１、第２電流、 ｐＹ…位置、 ｔ１１、ｔ１２、ｔ２１、ｔ２２、ｔ２３、ｔ２４…厚さ

Claims (13)

1. 磁極と、
   第１シールド領域であって、前記磁極から前記第１シールド領域への方向は、第１方向に沿う、前記第１シールド領域と、
   第２シールド領域であって、前記磁極から前記第２シールド領域への方向は、前記第１方向と交差した、前記第２シールド領域と、
   前記磁極と前記第２シールド領域との間に設けられた第１積層体と、
   を備え、
   前記第１積層体は、
   Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、
   前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、
   前記第１磁性層と前記第２シールド領域との間に設けられた第２導電層と、
   を含む、
   前記第１方向は、前記磁極が対向する磁気記録媒体と、前記磁極と、の間の相対的な移動方向に沿う、磁気ヘッド。
2. 磁極と、
   第１シールド領域であって、前記磁極から前記第１シールド領域への方向は、第１方向に沿う、前記第１シールド領域と、
   第２シールド領域であって、前記磁極から前記第２シールド領域への方向は、前記第１方向と交差した、前記第２シールド領域と、
   前記磁極と前記第２シールド領域との間に設けられた第１積層体と、
   を備え、
   前記第１積層体は、
   Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、
   前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられ前記磁極及び前記第１磁性層と接する第１導電層と、
   前記第１磁性層と前記第２シールド領域との間に設けられ前記第１磁性層及び前記第２シールド領域と接する第２導電層と、
   を含む、磁気ヘッド。
3. 前記第１導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第１導電層から前記第２導電層への向きの第１電流を通電可能である、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
4. 前記第１導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第２導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第２導電層から前記第１導電層への向きの第１電流を通電可能である、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
5. 前記磁極と前記第２シールド領域との間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第２シールド領域との間の第１電気抵抗は、前記磁極と前記第２シールド領域との間に別の電流を流したときの前記磁極と前記第２シールド領域との間の第２電気抵抗とは異なり、前記別の電流の向きは、前記第１電流の向きと逆である、請求項３または４に記載の磁気ヘッド。
6. 磁極と、
   第１シールド領域と、
   第２シールド領域と、
   第３シールド領域であって、前記第３シールド領域から前記第２シールド領域への方向は、前記磁極から前記第１シールド領域への第１方向と交差し、前記磁極の少なくとも一部は、前記第３シールド領域から前記第２シールド領域への前記方向において、前記第３シールド領域と前記第２シールド領域との間に設けられた、前記第３シールド領域と、
   前記磁極と前記第２シールド領域との間に設けられた第１積層体と、
   前記磁極と前記第３シールド領域との間に設けられた第２積層体と、
   を備え、
   前記第１積層体は、
   Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、
   前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、
   前記第１磁性層と前記第２シールド領域との間に設けられた第２導電層と、
   を含み、
   前記第２積層体は、
   Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第２磁性層と、
   前記磁極と前記第２磁性層との間に設けられた第３導電層と、
   前記第２磁性層と前記第３シールド領域との間に設けられた第４導電層と、
   を含む、磁気ヘッド。
7. 前記第１導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第３導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第４導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項６記載の磁気ヘッド。
8. 前記第１導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第２導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第３導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第４導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項６記載の磁気ヘッド。
9. 前記第１導電層から前記第２導電層への向きの第１電流を通電可能であり、
   前記第３導電層から前記第４導電層への向きの第２電流を通電可能である、請求項７記載の磁気ヘッド。
10. 前記第２導電層から前記第１導電層への向きの第１電流を通電可能であり、
    前記第４導電層から前記第３導電層への向きの第２電流を通電可能である、請求項９記載の磁気ヘッド。
11. 前記磁極と前記第２シールド領域との間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第２シールド領域との間の第１電気抵抗は、前記磁極と前記第２シールド領域との間に第３電流を流したときの前記磁極と前記第２シールド領域との間の第２電気抵抗とは異なり、前記第３電流の向きは、前記第１電流の向きと逆である、請求項９または１０に記載の磁気ヘッド。
12. 前記磁極と前記第３シールド領域との間に第２電流を流したときの前記磁極と前記第３シールド領域との間の第３電気抵抗は、前記磁極と前記第３シールド領域との間に第４電流を流したときの前記磁極と前記第３シールド領域との間の第４電気抵抗とは異なり、前記第４電流の向きは、前記第２電流の向きと逆である、請求項９〜１１のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
13. 請求項６〜１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
    前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体と、
    前記第１積層体に電流を供給可能な第１電気回路と、
    を備えた磁気記録再生装置。

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