JP2021111428A - 磁気ヘッド及び磁気記録装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気ヘッドは、記録部を含む。前記記録部は、磁極と、シールドと、前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、を含む。前記積層体は、第１磁性層と、前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、を含む。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録装置に関する。
磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記憶媒体に情報が記録される。磁気ヘッド及び磁気記録装置において、記録密度の向上が望まれる。
特開２０１９−５７３３７号公報
本発明の実施形態は、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、記録部を含む。前記記録部は、磁極と、シールドと、前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、を含む。前記積層体は、第１磁性層と、前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、を含む。
図１は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図３は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図４は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図５は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図６は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図７は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図８は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図１９（ａ）及び図１９（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図２０（ａ）及び図２０（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図２３は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図２４は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図２５は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図２６は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図２７は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図２８（ａ）及び図２８（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１１は、記録部６０を含む。磁気ヘッドは、磁気記録装置２１０に含まれる。磁気記録装置２１０は、磁気ヘッド１１１及び磁気記録媒体８０を含む。磁気ヘッド１１１の記録部６０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。磁気記録媒体８０は、例えば、垂直記録媒体である。磁気記録媒体８０の例については、後述する。
図１に示すように、磁気ヘッド１１１は、磁極３０、シールド３１及び積層体２０を含む。積層体２０は、磁極３０とシールド３１との間に設けられる。シールド３１は、例えば、トレーリングシールドである。
図１に示すように、積層体２０は、第１磁性層２１、第１層２８、及び、第１中間層４１を含む。
第１層２８は、第１磁性層２１と磁極３０との間に設けられる。第１層２８は、磁極３０と接する。第１層２８は、例えば、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１層２８は、例えば、反強磁性体層である。
第１中間層４１は、第１磁性層２１とシールド３１との間に設けられる。第１中間層４１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む。第１中間層４１は、例えば、スピンを透過させる層として機能する。
第１磁性層２１は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含む。第１磁性層２１における第１元素の濃度は、５０原子％以上である。第１磁性層２１は、例えば、ＦｅＣｏ合金またはＮｉＦｅ合金を含む。
磁極３０は、例えば、主磁極である。磁極３０及びシールド３１は、例えば、磁気回路を形成する。後述するように、磁極３０（または／及びシールド３１）にコイルが設けられる。磁極３０から、コイルに流れる記録電流に応じた記録磁界が発生する。発生した記録磁界の少なくとも一部は、磁気記録媒体８０に向かう。記録磁界の少なくとも一部が、磁気記録媒体８０に印加される。磁気記録媒体８０のうちの、記録磁界が印加された部分の磁化の向きが、記録磁界により制御される。これにより、磁気記録媒体８０に、記録磁界の向きに応じた情報が記録される。例えば、記録磁界の少なくとも一部は、磁気記録媒体８０に向かった後に、シールド３１に向かう。
磁極３０からシールド３１への方向を第１方向とする。第１方向は、Ｘ軸方向に沿う。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。
積層体２０に電流が供給されることが可能である。例えば、後述するように、磁極３０及びシールド３１を介して、積層体２０に電流が供給される。電流は、後述する電気回路２０Ｄ（図２５参照）から供給される。
図１に示すように、シールド３１から磁極３０への向きを有する電流ｊｃ１が積層体２０に供給される。積層体２０に、磁極３０からシールド３１への向きの電子流ｊｅ１が流れる。例えば、電流ｊｃ１（及び電子流ｊｅ１）は、第１磁性層２１の磁化２１Ｍを反転させる大きさに設定される。
このような電流ｊｃ１により、第１磁性層２１の磁化２１Ｍの向きは、磁極３０の磁化３０Ｍの向き（及びシールド３１の磁化３１Ｍの向き）と反対の成分を有する。これにより、磁極３０から発生した記録磁界は、積層体２０中を通り難くなる。これにより、磁極３０から発生した記録磁界の多くの部分が、磁気記録媒体８０に向い易くなる。記録磁界が効率良く磁気記録媒体８０に印加される。
例えば、記録密度を高めるために磁極３０とシールド３１との間の距離を短くすると、磁極３０から発生した記録磁界は、磁気記録媒体８０に向かわずにシールド３１に入り易くなる。このとき、実施形態においては、第１磁化２１Ｍが反転することで、磁極３０とシールド３１との間の距離が短い場合でも、記録磁界は、効果的に磁気記録媒体８０に向かう。磁極３０とシールド３１との間の距離（記録ギャップ）が短い場合でも、記録磁界を効果的に磁気記録媒体８０に印加できる。これにより、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置が提供できる。
実施形態においては、第１磁性層２１と磁極３０との間に、磁極３０と接する第１層２８が設けられる。既に説明したように、第１層２８は、反強磁性体層である。第１層２８を設けることで、例えば、磁極３０と第１磁性層２１との間の動的なカップリングが抑制される。これは、第１層２８により、磁極３０の表面における、磁化の強磁性共鳴周波数及び／またはダンピングが変調されるためであると考えられる。動的なカップリングが抑制されることで、第１磁性層２１の磁化２１Ｍが反転する電流（動作電流）を低減できる。動作電流が低減できることで、積層体２０を小型化ができ、記録ギャップを小さくできる。これにより、例えば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッドを提供できる。
図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図２に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１２においては、積層体２０は、第２中間層４２をさらに含む。第２中間層４２は、第１磁性層２１と第１層２８との間に設けられる。第２中間層４２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａよりなる第２群から選択された少なくとも１つを含む。第２中間層４２は、例えば、ダンピングを低下させる層として機能する。第２中間層４２を設けることで、動作電流をより低減できる。
図３は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図３に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１３においては、積層体２０は、第２中間層４２に加えて第３中間層４３をさらに含む。第３中間層４３は、第２中間層４２と第１層２８との間に設けられる。第３中間層４３は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる第３群から選択された少なくとも１つを含む。第３中間層４３は、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。第３中間層４３を設けることで、動作電流をより低減できる。
図４は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図４に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１４においては、積層体２０は、第２中間層４２を含まず、第３中間層４３を含む。第３中間層４３は、第１磁性層２１と第１層２８との間に設けられる。第３中間層４３は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる第３群から選択された少なくとも１つを含む。この場合も、第３中間層４３は、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。第３中間層４３を設けることで、動作電流をより低減できる。
図５は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図５に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１２１においても、記録部６０は、磁極３０、シールド３１及び積層体２０を含む。積層体２０は、第１磁性層２１、第１層２８及び第１中間層４１を含む。第１層２８は、第１磁性層２１とシールド３１との間に設けられる。第１層２８は、シールド３１と接する。第１層２８は、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
第１中間層４１は、第１磁性層２１と磁極３０との間に設けられる。第１中間層４１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む。
図５に示すように、磁気ヘッド１２１において、磁極３０からシールド３１への向きを有する電流ｊｃ１が積層体２０に流れる。積層体２０に、シールド３１から磁極３０への向きの電子流ｊｅ１が流れる。例えば、電流ｊｃ１（及び電子流ｊｅ１）は、第１磁性層２１の磁化２１Ｍを反転させる大きさに設定される。
磁気ヘッド１２１においても、第１層２８が設けられることで、シールド３１と第１磁性層２１との間の動的なカップリングが抑制される。これにより動作電流が低減できることで、積層体２０を小型化ができ、記録ギャップを小さくできる。これにより、例えば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッドを提供できる。
図６は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図６に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１２２においては、積層体２０は、第２中間層４２をさらに含む。第２中間層４２は、第１磁性層２１と第１層２８との間に設けられる。第２中間層４２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａよりなる第２群から選択された少なくとも１つを含む。第２中間層４２により、例えば、ダンピングを低下させることができる。第２中間層４２を設けることで、動作電流をより低減できる。
図７は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図７に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１２３においては、積層体２０は、第３中間層４３をさらに含む。第３中間層４３は、第２中間層４２と第１層２８との間に設けられる。第３中間層４３は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる第３群から選択された少なくとも１つを含む。第３中間層４３により、例えば、スピンが減衰または消える。第３中間層４３を設けることで、動作電流をより低減できる。
図８は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図８に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１２４においては、積層体２０は、第２中間層４２を含まず、第３中間層４３を含む。第３中間層４３は、第１磁性層２１と第１層２８との間に設けられる。第３中間層４３は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる第３群から選択された少なくとも１つを含む。この場合も、第３中間層４３は、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。第３中間層４３を設けることで、動作電流をより低減できる。
（第２実施形態）
図９（ａ）、図９（ｂ）、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図９（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１３１ａは、記録部６０を含む。記録部６０は、磁極３０と、シールド３１と、磁極３０とシールド３１との間に設けられた積層体２０と、を含む。積層体２０は、第１磁性層２１、第２磁性層２２、第１層２８、第１中間層４１及びシールド側第１中間層４１Ｓを含む。第２磁性層２２は、第１磁性層２１と磁極３０との間に設けられる。
第１層２８は、第２磁性層２２と磁極３０との間に設けられる。第１層２８は、磁極３０と接する。第１層２８は、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
第１中間層４１は、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられる。第１中間層４１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む。第１中間層４１は、例えば、スピンを透過させる層として機能する。
シールド側第１中間層４１Ｓは、第１磁性層２１とシールド３１との間に設けられる。シールド側第１中間層４１Ｓは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。シールド側第１中間層４１Ｓは、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。
例えば、シールド３１から磁極３０への向きを有する電流ｊｃ１が積層体２０に流れる。磁極３０からシールド３１への向きを有する電子流ｊｅ１が積層体２０に流れる。このような電流ｊｃ１（電子流ｊｅ１）により、積層体２０において交流磁界が発生する。第１磁性層２１、第２磁性層２２及び第１中間層４１は、ＳＴＯ（spin-torque oscillator）として機能する。第１磁性層２１は、例えば、スピン注入層として機能する。第２磁性層２２は発振層として機能する。第２磁性層２２の磁化２２Ｍが回転する。
積層体２０で発生した交流磁界（高周波磁界）は、磁気記録媒体８０の一部に印加される。印加された部分において、磁化が変化しやすくなる。例えば、ＭＡＭＲ（Microwave Assisted Magnetic Recording）が行われる。
実施形態においては、第２磁性層２２と磁極３０との間に、磁極３０と接する第１層２８が設けられる。第１層２８は、例えば、反強磁性体層である。第１層２８を設けることで、例えば、磁極３０と第２磁性層２２との間の動的なカップリングが抑制される。これは、第１層２８により、磁極３０の表面における、磁化の強磁性共鳴周波数及び／またはダンピングが変調されるためであると考えられる。動的なカップリングが抑制されることで、発振が生じる電流（動作電流）を低減できる。動作電流が低減できることで、積層体２０を小型化ができ、記録ギャップを小さくできる。これにより、例えば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッドを提供できる。
図９（ｂ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１３１ｂにおいて、積層体２０は、磁極側第２中間層４２Ｐをさらに含む。磁極側第２中間層４２Ｐは、第２磁性層２２と第１層２８との間に設けられる。磁極側第２中間層４２Ｐは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。この例において、磁極側第２中間層４２Ｐは、例えば、ダンピングを低下させる層として機能する。磁極側第２中間層４２Ｐを設けることで、動作電流をより低減できる。
図１０（ａ）に示すように実施形態に係る磁気ヘッド１３１ｃにおいて、積層体２０は、磁極側第３中間層４３Ｐをさらに含む。磁極側第３中間層４３Ｐは、第１層２８と磁極側第２中間層４２Ｐとの間に設けられる。磁極側第３中間層４３Ｐは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む。磁極側第３中間層４３Ｐは、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。磁極側第３中間層４３Ｐを設けることで、動作電流をより低減できる。
図１０（ｂ）に示すように実施形態に係る磁気ヘッド１３１ｄにおいて、積層体２０は、磁極側第３中間層４３Ｐを含み、磁極側第２中間層４２Ｐは、省略される。この構成においても、例えば、動作電流をより低減できる。
図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１３２ａ〜１３２ｄにおいては、積層体２０は、シールド側第３中間層４３Ｓをさらに含む。シールド側第３中間層４３Ｓは、第１磁性層２１とシールド側第１中間層４１Ｓとの間に設けられる。シールド側第３中間層４３Ｓは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む。これ以外を除いて、磁気ヘッド１３２ａ〜１３２ｄは、磁気ヘッド１３１ａ〜１３１ｄと同様の構成を有する。シールド側第３中間層４３Ｓは、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。例えば、動作電流をより低減できる。
図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図１３（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１４１ａは、記録部６０を含む。記録部６０は、磁極３０と、シールド３１と、磁極３０とシールド３１との間に設けられた積層体２０と、を含む。積層体２０は、第１磁性層２１、第２磁性層２２、第１層２８、第１中間層４１及び磁極側第１中間層４１Ｐを含む。第２磁性層２２は、第１磁性層２１とシールド３１との間に設けられる。
第１層２８は、第２磁性層２２とシールド３１との間に設けられる。第１層２８は、シールド３１と接する。第１層２８は、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
第１中間層４１は、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられる。第１中間層４１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む。第１中間層４１は、例えば、スピンを透過させる層として機能する。
磁極側第１中間層４１Ｐは、磁極３０と第１磁性層２１との間に設けられる。磁極側第１中間層４１Ｐは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。磁極側第１中間層４１Ｐは、例えば、スピンを減衰させる（例えば、消す）層として機能する。
例えば、磁極３０からシールド３１への向きを有する電流ｊｃ１が積層体２０に流れる。シールド３１から磁極３０への向きを有する電子流ｊｅ１が積層体２０に流れる。このような電流ｊｃ１（電子流ｊｅ１）により、積層体２０において交流磁界が発生する。第１磁性層２１、第２磁性層２２及び第１中間層４１は、ＳＴＯとして機能する。第１磁性層２１は、例えば、スピン注入層として機能する。第２磁性層２２は発振層として機能する。第２磁性層２２の磁化２２Ｍが回転する。
積層体２０で発生した交流磁界（高周波磁界）は、磁気記録媒体８０の一部に印加される。例えば、ＭＡＭＲが行われる。
実施形態においては、第２磁性層２２とシールド３１との間に、シールド３１と接する第１層２８が設けられる。第１層２８は、例えば、反強磁性体層である。第１層２８を設けることで、例えば、シールド３１と第２磁性層２２との間の動的なカップリングが抑制される。これは、第１層２８により、シールド３１の表面における、磁化の強磁性共鳴周波数及び／またはダンピングが変調されるためであると考えられる。動的なカップリングが抑制されることで、発振が生じる電流（動作電流）を低減できる。動作電流が低減できることで、積層体２０を小型化ができ、記録ギャップを小さくできる。これにより、例えば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッドを提供できる。
図１３（ｂ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１４１ｂにおいて、積層体２０は、シールド側第２中間層４２Ｓをさらに含む。シールド側第２中間層４２Ｓは、第２磁性層２２と第１層２８との間に設けられる。シールド側第２中間層４２Ｓは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。この例において、シールド側第２中間層４２Ｓは、例えば、ダンピングを低下させる層として機能する。シールド側第２中間層４２Ｓを設けることで、動作電流をより低減できる。
図１４（ａ）に示すように実施形態に係る磁気ヘッド１４１ｃにおいて、積層体２０は、シールド側第３中間層４３Ｓをさらに含む。シールド側第２中間層４２Ｓは、シールド側第３中間層４３Ｓと第１層２８との間に設けられる。シールド側第３中間層４３Ｓは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む。シールド側第３中間層４３Ｓは、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。シールド側第３中間層４３Ｓを設けることで、動作電流をより低減できる。
図１４（ｂ）に示すように実施形態に係る磁気ヘッド１４１ｄにおいて、積層体２０は、シールド側第３中間層４３Ｓを含み、シールド側第２中間層４２Ｓは、省略される。この構成においても、例えば、動作電流をより低減できる。
図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１４２ａ〜１４２ｄにおいては、積層体２０は、磁極側第３中間層４３Ｐをさらに含む。磁極側第３中間層４３Ｐは、磁極側第１中間層４１Ｐと第１磁性層２１との間に設けられる。磁極側第３中間層４３Ｐは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、これ以外を除いて、磁気ヘッド１４２ａ〜１４２ｄは、磁気ヘッド１４１ａ〜１４１ｄと同様の構成を有する。磁極側第３中間層４３Ｐは、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。例えば、動作電流をより低減できる。
図１７（ａ）、図１７（ｂ）、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図１７（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１４５ａは、記録部６０を含む。記録部６０は、磁極３０と、シールド３１と、磁極３０とシールド３１との間に設けられた積層体２０と、を含む。積層体２０は、第１磁性層２１、第２磁性層２２、第１層２８、第１中間層４１及び第２層２９を含む。
第２磁性層２２は、第１磁性層２１と磁極３０との間に設けられる。
第１層２８は、磁極３０と第２磁性層２２との間に設けられ、磁極３０と接する。第１層２８は、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１層２８は、例えば、反強磁性体層である。
第１中間層４１は、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられる。第１中間層４１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む。
第２層２９は、第１磁性層２１とシールド３１との間に設けられ、シールド３１と接する。第２層２９は、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２層２９は、例えば、反強磁性体層である。
磁気ヘッド１４５ａにおいて、積層体２０で発生した交流磁界（高周波磁界）は、磁気記録媒体８０の一部に印加される。印加された部分において、磁化が変化しやすくなる。例えば、ＭＡＭＲが行われる。
実施形態においては、第２磁性層２２と磁極３０との間に、磁極３０と接する第１層２８が設けられる。例えば、磁極３０と第２磁性層２２との間の動的なカップリングが抑制される。第１磁性層２１とシールド３１との間に、シールド３１と接する第２層２９が設けられる。例えば、シールド３１と第１磁性層２１との間の動的なカップリングが抑制される。例えば、発振が生じる電流（動作電流）を低減できる。動作電流が低減できることで、積層体２０を小型化ができ、記録ギャップを小さくできる。これにより、例えば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッドを提供できる。
図１７（ｂ）に示す磁気ヘッド１４５ｂのように、積層体２０は、磁極側第２中間層４２Ｐをさらに含んでも良い。磁極側第２中間層４２Ｐは、第２磁性層２２と第１層２８との間に設けられる。磁極側第２中間層４２Ｐは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａから選択された少なくとも１つを含む。磁極側第２中間層４２Ｐは、例えば、ダンピングを低下させる層として機能する。磁極側第２中間層４２Ｐを設けることで、動作電流をより低減できる。
図１８（ａ）に示す磁気ヘッド１４５ｃのように、積層体２０は、磁極側第３中間層４３Ｐをさらに含んでも良い。磁極側第３中間層４３Ｐは、第１層２８と磁極側第２中間層４２Ｐとの間に設けられる。磁極側第３中間層４３Ｐは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む。磁極側第３中間層４３Ｐは、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。磁極側第３中間層４３Ｐを設けることで、動作電流をより低減できる。
図１８（ｂ）に示す磁気ヘッド１４５ｄのように、積層体２０は、磁極側第３中間層４３Ｐを含み、磁極側第２中間層４２Ｐが省略されても良い。磁極側第３中間層４３Ｐは、第２磁性層２２と第１層２８との間に設けられる。磁極側第３中間層４３Ｐは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む。
図１９（ａ）、図１９（ｂ）、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図１９（ａ）、図１９（ｂ）、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１４６ａ〜１４６ｄにおいて、積層体２０は、シールド側第２中間層４２Ｓをさらに含む。シールド側第２中間層４２Ｓは、第１磁性層２１と第２層２９との間に設けられる。シールド側第２中間層４２Ｓは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａから選択された少なくとも１つを含む。シールド側第２中間層４２Ｓは、例えば、ダンピングを低下させる層として機能する。シールド側第２中間層４２Ｓを設けることで、動作電流をより低減できる。
図２１（ａ）、図２１（ｂ）、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図２１（ａ）、図２１（ｂ）、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１４７ａ〜１４７ｄにおいて、積層体２０は、シールド側第３中間層４３Ｓをさらに含む。シールド側第３中間層４３Ｓは、第１磁性層２１と磁極側第２中間層４２Ｓとの間に設けられる。シールド側第３中間層４３Ｓは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む。シールド側第３中間層４３Ｓは、例えば、スピンを減衰する（例えば消す）層として機能する。シールド側第３中間層４３Ｓを設けることで、動作電流をより低減できる。
実施形態において、シールド側第３中間層４３Ｓが設けられ、シールド側第２中間層４２Ｓは省略されても良い。この場合、磁極側第３中間層４３Ｓは、第１磁性層２１と第２層２９との間に設けられる。磁極側第３中間層４３Ｓは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む。シールド側第３中間層４３Ｓを設けることで、動作電流をより低減できる。
第１実施形態及び第２実施形態において、第１層２８及び第２層２９の少なくともいずれかの厚さ（第１方向Ｄ１に沿う長さ）は、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。厚さが１ｎｍ以上であることにより、例えば、磁極３０の表面における、磁化の強磁性共鳴周波数及び／またはダンピングが変調する効果が得易くなる。厚さが１０ｎｍ以上であることにより、例えば、記録ギャップが広くなりすぎて書き込み能力が低下することが抑制できる。
第１実施形態において、第１磁性層２１の厚さは、２ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。このような厚さにより、例えば、第１磁化２１Ｍが反転することによる書き込み能力の増強効果が得易くなる。このような厚さにおいて、記録ギャップが広くなりすぎて書き込み能力が低下することが抑制できる。
第２実施形態において、第１磁性層２１の厚さは、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。第２磁性層２２の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。このような厚さにおいて、積層体２０で発生した交流磁界（高周波磁界）による書き込み能力の増強効果が得易くなる。このような厚さにおいて、記録ギャップが広くなりすぎて書き込み能力が低下することを抑制ができる。
第１〜第５中間層４１〜４５の少なくともいずれかの厚さは、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。このような厚さにより、例えば、磁気的なカップリングを切ることができ、効率的なスピン注入を得ることが容易になる。このような厚さにおいて、記録ギャップが広くなりすぎて書き込み能力が低下することを抑制できる。
以下、実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録媒体の例について説明する。
図２３は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図２３に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド（例えば、磁気ヘッド１１１）において、シールド３１から磁極３０への第１方向Ｄ１は、Ｘ軸方向に対して傾斜しても良い。第１方向Ｄ１は、積層体２０の積層方向に対応する。Ｘ軸方向は、磁極３０の媒体対向面３０Ｆに沿う。第１方向Ｄ１と媒体対向面３０Ｆとの間の角度を角度θ１とする。角度θ１は、例えば、１５度以上３０度以下である。角度θ１は、０度でも良い。
第１方向Ｄ１が、Ｘ軸方向に対して傾斜する場合、層の厚さは、第１方向Ｄ１に沿う長さに対応する。第１方向Ｄ１がＸ軸方向に対して傾斜する構成は、第１実施形態または第２実施形態に係る任意の磁気ヘッドに適用されて良い。
以下、実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録媒体の例について説明する。以下では、磁気ヘッド１１１の例について説明する。
図２４は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図２５は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図２４に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１１は、磁気記録媒体８０と共に用いられる。実施形態に係る磁気記録装置２１０は、磁気ヘッド１１１及び磁気記録媒体８０を含む。この例では、磁気ヘッド１１１は、記録部６０及び再生部７０を含む。磁気ヘッド１１１の記録部６０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。再生部７０により、磁気記録媒体８０に記録された情報が再生される。
磁気記録媒体８０は、例えば、媒体基板８２と、媒体基板８２の上に設けられた磁気記録層８１と、を含む。磁気記録層８１の磁化８３が記録部６０により制御される。
再生部７０は、例えば、第１再生磁気シールド７２ａ、第２再生磁気シールド７２ｂ、及び磁気再生素子７１を含む。磁気再生素子７１は、第１再生磁気シールド７２ａと第２再生磁気シールド７２ｂとの間に設けられる。磁気再生素子７１は、磁気記録層８１の磁化８３に応じた信号を出力可能である。
図２４に示すように、磁気記録媒体８０は、媒体移動方向８５の方向に、磁気ヘッド１１１に対して相対的に移動する。磁気ヘッド１１１により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が制御される。磁気ヘッド１１１により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が再生される。
図２５に示すように、磁気ヘッド１１１において、コイル３０ｃが設けられる。記録回路３０Ｄから、コイル３０ｃに記録電流Ｉｗが供給される。磁極３０から、記録電流Ｉｗに応じた記録磁界が磁気記録媒体８０に印加される。
図２５に示すように、磁極３０は、媒体対向面３０Ｆを含む。媒体対向面３０Ｆは、例えば、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）である。媒体対向面３０Ｆは、例えば、磁気記録媒体８０に対向する。
媒体対向面３０Ｆに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向である。
図２５に示すように、電気回路２０Ｄが、積層体２０に電気的に接続される。この例では、積層体２０は、磁極３０及びシールド３１と電気的に接続される。磁気ヘッド１１１に、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２が設けられる。第１端子Ｔ１は、配線Ｗ１及び磁極３０を介して積層体２０と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、配線Ｗ２及びシールド３１を介して積層体２０と電気的に接続される。電気回路２０Ｄから、例えば、電流（例えば、直流電流）が積層体２０に供給される。
図２５に示すように、記録部６０において、第２シールド３２が設けられても良い。第２シールド３２とシールド３１との間に磁極３０が設けられる。シールド３１、シールド３１及び磁極３０の周りに、絶縁部３０ｉが設けられる。
実施形態に係る磁気記録装置２１０は、磁気ヘッド１１１と、磁気ヘッド１１１により情報が記録される磁気記録媒体８０と、を含む。以下、実施形態に係る磁気記録装置の例について説明する。磁気記録装置は、磁気記録再生装置でも良い。磁気ヘッドは、記録部と再生部とを含んでも良い。
図２６は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図２６は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１１は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１１は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１１は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
図２７は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図２８（ａ）及び図２８（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図２７に示すように、実施形態に係る磁気記録装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
図２８（ａ）は、磁気記録装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
図２８（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
図２８（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。
図２８（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントランスファトルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
磁気記録装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
を含む、磁気ヘッド。
（構成２）
前記シールドから前記磁極への向きを有する電流が前記積層体に流れる、構成１記載の磁気ヘッド。
（構成３）
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
を含む、磁気ヘッド。
（構成４）
前記磁極から前記シールドへの向きを有する電流が前記積層体に流れる、構成３記載の磁気ヘッド。
（構成５）
前記積層体は、第２中間層をさらに含み、
前記第２中間層は、前記第１磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａよりなる第２群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成６）
前記積層体は、第３中間層をさらに含み、
前記第３中間層は、前記第２中間層と前記第１層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる第３群から選択された少なくとも１つを含む、構成５記載の磁気ヘッド。
（構成７）
前記積層体は、第３中間層をさらに含み、
前記第３中間層は、前記第１磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる第３群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成８）
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含むシールド側第１中間層と、
を含む、磁気ヘッド。
（構成９）
前記シールドから前記磁極への向きを有する電流が前記積層体に流れる、構成８記載の磁気ヘッド。
（構成１０）
前記積層体は、シールド側第３中間層をさらに含み、
前記シールド側第３中間層は、前記第１磁性層と前記シールド側第１中間層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成８または９に記載の磁気ヘッド。
（構成１１）
前記積層体は、磁極側第２中間層をさらに含み、
前記磁極側第２中間層は、前記第２磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａから選択された少なくとも１つを含む、構成８〜１０のいずれか１つに記載磁気ヘッド。
（構成１２）
前記積層体は、磁極側第３中間層をさらに含み、
前記磁極側第３中間層は、前記第１層と前記磁極側第２中間層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成１０記載の磁気ヘッド。
（構成１３）
前記積層体は、磁極側第３中間層をさらに含み、
前記磁極側第３中間層は、前記第２磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成８〜１１のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１４）
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む磁極側第１中間層と、
を含む、磁気ヘッド。
（構成１５）
前記磁極から前記シールドへの向きを有する電流が前記積層体に流れる、構成１４記載の磁気ヘッド。
（構成１６）
前記積層体は、磁極側第３中間層をさらに含み、
前記磁極側第３中間層は、前記第１層と前記第１磁性層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成１４または１５に記載の磁気ヘッド。
（構成１７）
前記積層体は、シールド側第２中間層をさらに含み、
前記磁極側第２中間層は、前記第２磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａから選択された少なくとも１つを含む、構成１４〜１６のいずれか１つに記載磁気ヘッド。
（構成１８）
前記積層体は、シールド側第３中間層をさらに含み、
前記磁極側第３中間層は、前記シールド側第２中間層と前記第１層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成１７記載の磁気ヘッド。
（構成１９）
前記積層体は、磁極側第３中間層をさらに含み、
前記磁極側第３中間層は、前記第２磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成１４〜１７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成２０）
磁極と、
シールドと、
前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
を含む記録部を備え、
前記積層体は、
第１磁性層と、
前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第２磁性層と、
前記磁極と前記第２磁性層との間に設けられ前記磁極と接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第２層と、
を含む、磁気ヘッド。
（構成２１）
前記積層体は、磁極側第２中間層をさらに含み、
前記磁極側第２中間層は、前記第２磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａから選択された少なくとも１つを含む、構成２０または２１に記載磁気ヘッド。
（構成２２）
前記積層体は、磁極側第３中間層をさらに含み、
前記磁極側第３中間層は、前記第１層と前記磁極側第２中間層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成２１記載の磁気ヘッド。
（構成２３）
前記積層体は、磁極側第３中間層をさらに含み、
前記磁極側第３中間層は、前記第２磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成２０記載の磁気ヘッド。
（構成２４）
前記積層体は、シールド側第２中間層をさらに含み、
前記シールド側第２中間層は、前記第１磁性層と前記第２層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａから選択された少なくとも１つを含む、構成２０〜２３のいずれか１つに記載磁気ヘッド。
（構成２５）
前記積層体は、シールド側第３中間層をさらに含み、
前記シールド側第３中間層は、前記第１磁性層と前記磁極側第２中間層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成２４記載の磁気ヘッド。
（構成２６）
前記積層体は、磁極側第３中間層をさらに含み、
前記磁極側第３中間層は、前記第１磁性層と前記第２層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉから選択された少なくとも１つを含む、構成２０〜２３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成２７）
前記記録部は、前記磁極に設けられたコイルをさらに含む、構成１〜２６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成２８）
構成１〜２７のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記記録部により情報が記録される磁気記録媒体と、
を備えた磁気記録装置。
実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置が提供できる。
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる磁極、シールド、第２シールド、積層体、磁性層、非磁性層、層及び配線などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
２０…積層体、 ２０Ｄ…電気回路、 ２１、２２…第１、第２磁性層、 ２１Ｍ、２２Ｍ…磁化、 ２８…第１層、 ２９…第２層、 ３０…磁極、 ３０Ｄ…記録回路、 ３０Ｆ…媒体対向面、 ３０Ｍ…磁化、 ３０ｃ…コイル、 ３０ｉ…絶縁部、 ３１…シールド、 ３１Ｍ…磁化、 ３２…第２シールド、 ４１…第１中間層、 ４１Ｐ…磁極側第１中間層、 ４１Ｓ…シールド側第１中間層、 ４２…第２中間層、 ４２Ｐ…磁極側第２中間層、 ４２Ｓ…シールド側第２中間層、 ４３…第３中間層、 ４３Ｐ…磁極側第３中間層、 ４３Ｓ…シールド側第３中間層、 ６０…記録部、 ７０…再生部、 ７１…磁気再生素子、 ７２ａ、７２ｂ…第１、第２再生磁気シールド、 ８０…磁気記録媒体、 ８１…磁気記録層、 ８２…媒体基板、 ８３…磁化、 ８５…媒体移動方向、 θ１…角度、 １１１〜１１４、１２１〜１２４、１３１ａ〜１３１ｄ、１３２ａ〜１３２ｄ、１４１ａ〜１４１ｄ、１４２ａ〜１４２ｄ、１４５ａ〜１４５ｄ、１４６ａ〜１４６ｄ、１４７ａ〜１４７ｄ…磁気ヘッド、 １５０…磁気記録装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９…ヘッドスライダ、 １５９Ａ…空気流入側、 １５９Ｂ…空気流出側、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ…スピンドルモータ、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 ２１０…磁気記録装置、 ＡＲ…矢印、 Ｄ１…第１方向、 Ｉｗ…記録電流、 Ｔ１、Ｔ２…第１、第２端子、 Ｗ１、Ｗ２…配線、 ｊｃ１…電流、 Ｊｅ１…電子流

Claims (11)

  1. 磁極と、
    シールドと、
    前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
    を含む記録部を備え、
    前記積層体は、
    第１磁性層と、
    前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
    前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
    を含む、磁気ヘッド。
  2. 前記シールドから前記磁極への向きを有する電流が前記積層体に流れる、請求項１記載の磁気ヘッド。
  3. 磁極と、
    シールドと、
    前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
    を含む記録部を備え、
    前記積層体は、
    第１磁性層と、
    前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
    前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
    を含む、磁気ヘッド。
  4. 前記磁極から前記シールドへの向きを有する電流が前記積層体に流れる、請求項３記載の磁気ヘッド。
  5. 前記積層体は、第２中間層をさらに含み、
    前記第２中間層は、前記第１磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＴａよりなる第２群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
  6. 前記積層体は、第３中間層をさらに含み、
    前記第３中間層は、前記第２中間層と前記第１層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる第３群から選択された少なくとも１つを含む、請求項５記載の磁気ヘッド。
  7. 前記積層体は、第３中間層をさらに含み、
    前記第３中間層は、前記第１磁性層と前記第１層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる第３群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
  8. 磁極と、
    シールドと、
    前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
    を含む記録部を備え、
    前記積層体は、
    第１磁性層と、
    前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第２磁性層と、
    前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられ前記磁極と接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
    前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
    前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含むシールド側第１中間層と、
    を含む、磁気ヘッド。
  9. 磁極と、
    シールドと、
    前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
    を含む記録部を備え、
    前記積層体は、
    第１磁性層と、
    前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられた第２磁性層と、
    前記第２磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
    前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
    前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｍｎ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む磁極側第１中間層と、
    を含む、磁気ヘッド。
  10. 磁極と、
    シールドと、
    前記磁極と前記シールドとの間に設けられた積層体と、
    を含む記録部を備え、
    前記積層体は、
    第１磁性層と、
    前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第２磁性層と、
    前記磁極と前記第２磁性層との間に設けられ前記磁極と接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
    前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ及びＲｕよりなる第１群から選択された少なくとも１つを含む第１中間層と、
    前記第１磁性層と前記シールドとの間に設けられ前記シールドと接し、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｄＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｈＭｎ、ＭｎＣｒ及びＰｔＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第２層と、
    を含む、磁気ヘッド。
  11. 請求項１〜１０のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
    前記記録部により情報が記録される磁気記録媒体と、
    を備えた磁気記録装置。
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