JP2021189378A - 変形装置、露光装置、および物品の製造方法 - Google Patents

変形装置、露光装置、および物品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021189378A
JP2021189378A JP2020097146A JP2020097146A JP2021189378A JP 2021189378 A JP2021189378 A JP 2021189378A JP 2020097146 A JP2020097146 A JP 2020097146A JP 2020097146 A JP2020097146 A JP 2020097146A JP 2021189378 A JP2021189378 A JP 2021189378A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
actuator
electromotive force
induced electromotive
control unit
actuators
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020097146A
Other languages
English (en)
Inventor
新 明賀
Arata Myoga
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2020097146A priority Critical patent/JP2021189378A/ja
Priority to US17/324,168 priority patent/US11333692B2/en
Priority to KR1020210069173A priority patent/KR20210150292A/ko
Priority to CN202110608582.1A priority patent/CN113759493B/zh
Publication of JP2021189378A publication Critical patent/JP2021189378A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
    • G01R23/02—Arrangements for measuring frequency, e.g. pulse repetition rate; Arrangements for measuring period of current or voltage
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/182—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors
    • G02B7/185—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors with means for adjusting the shape of the mirror surface
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0084—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring voltage only
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0825—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a flexible sheet or membrane, e.g. for varying the focus
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • G02B27/0068—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration having means for controlling the degree of correction, e.g. using phase modulators, movable elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/147—Optical correction of image distortions, e.g. keystone
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/28—Reflectors in projection beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

【課題】部材の面を変形させるアクチュエータの異常を効率的に且つ精度よく検出するために有利な技術を提供する。【解決手段】部材２の面２ａを変形させる変形装置１であって、前記面２ａを変形させるために前記部材２に力を加える複数のアクチュエータＡＴと、前記複数のアクチュエータＡＴのうち第１アクチュエータ４に生じる誘導起電力を計測する計測部６と、前記複数のアクチュエータＡＴを制御する制御部８と、を備え、前記制御部８は、前記複数のアクチュエータＡＴのうち前記第１アクチュエータ４とは異なる第２アクチュエータ５を用いて前記部材２を振動させながら前記第１アクチュエータ４の誘導起電力の経時変動を前記計測部６に計測させ、計測された前記誘導起電力の経時変動を周波数スペクトラムに変換し、前記周波数スペクトラムに基づいて前記第１アクチュエータ４の異常を検出する。【選択図】図１

Description

本発明は、部材の面を変形させる変形装置、それを用いた露光装置、および物品の製造方法に関する。
半導体デバイスや液晶表示デバイスなどの製造に用いられる露光装置では、結像特性を向上させるため、投影光学系の光学収差を補正することが求められている。そのため、露光装置では、複数のアクチュエータにより投影光学系のミラーに力を加えて該ミラーを変形させることで、投影光学系の光学収差を補正する光学装置が設けられうる。光学装置では、ミラーの変形を精度よく制御する観点から、コイルと磁石とを有するボイスコイルモータ（以下では「ＶＣＭ」と称することがある）など、ヒステリシスが起こりにくいアクチュエータを用いることが好ましい。
ここで、光学装置では、異常が生じたアクチュエータが存在していると、ミラーを精度よく変形させて光学収差を補正することが不十分になりうる。そのため、各アクチュエータの異常を定期的に検査（検出）することが好ましい。特許文献１には、光学装置における各ＶＣＭの推力変動を補正する方法が提案されている。具体的には、複数のＶＣＭのうち参照ＶＣＭを単位量駆動させたときに他のＶＣＭのコイルに発生する誘導起電力を計測し、その計測結果に基づいて当該他のＶＣＭの推力変動を補正している。
特開２０１５−６５２４６号公報
特許文献１に記載された方法のように参照ＶＣＭを単位量だけ駆動させる場合では、他のＶＣＭのコイルに発生する誘導起電力は微小であり、Ｓ／Ｎ比が非常に小さい。そのため、当該誘導起電力に基づいて各アクチュエータの異常を効率的に且つ精度よく検出することが困難になりうる。
そこで、本発明は、光学素子（ミラー）などの部材の面を変形させるアクチュエータの異常を効率的に且つ精度よく検出するために有利な技術を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての変形装置は、部材の面を変形させる変形装置であって、前記面を変形させるために前記部材に力を加える複数のアクチュエータと、前記複数のアクチュエータのうち第１アクチュエータに生じる誘導起電力を計測する計測部と、前記複数のアクチュエータを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記複数のアクチュエータのうち前記第１アクチュエータとは異なる第２アクチュエータを用いて前記部材を振動させながら前記第１アクチュエータの誘導起電力の経時変動を前記計測部に計測させ、計測された前記誘導起電力の経時変動を周波数スペクトラムに変換し、前記周波数スペクトラムに基づいて前記第１アクチュエータの異常を検出する、ことを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、部材の面を変形させるアクチュエータの異常を効率的に且つ精度よく検出するために有利な技術を提供することができる。
第１実施形態における変形装置の構成を示す概略図 対象ＶＣＭの異常検出方法を示すフローチャート 対象ＶＣＭの誘導起電力の経時変動および周波数スペクトラムの一例を示す図 加振用ＶＣＭの駆動方法により得られる対象ＶＣＭの誘電起電力の経時変動、および周波数スペクトラムを説明するための図 複数のアクチュエータの異常検出方法を示すフローチャート 加振用ＶＣＭの選択例を示す図 第２実施形態における変形装置の構成を示す概略図 第３実施形態における変形装置の構成を示す概略図 第４実施形態における変形装置の構成を示す概略図 露光装置の構成を示す概略図 露光装置における露光シーケンスを示す図 基板における各ショット領域の走査露光を行う様子を示す図
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
以下の各実施形態では、変形させる対象の部材としてミラー（光学素子）を例に説明するが、ミラーを他の光学素子（レンズ、平行平板ガラス、プリズム）や他の部材（マスクステージや基板ステージ）などに置き換えることも可能である。また、ミラー（光学素子）の反射面（光学面）を変形させるためのアクチュエータとしてボイスコイルモータ（ＶＣＭ）を例に説明するが、リニアモータやソレノイドなどの電磁気力を利用するアクチュエータに置き換えることも可能である。当該アクチュエータは、光学素子と該光学素子を支持するベースプレートとの間に配置され、光学素子およびベースプレートのうち一方に固定された磁石と、他方に固定されたコイルとで構成されうる。例えば、当該アクチュエータでは、磁石およびコイルのうち一方が光学素子の光学面の反対側の面に配置されるとともに、他方がベースプレートに配置され、コイルに電流を流すことで光学素子に力を加えて当該光学素子の光学面を変形させることができる。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態における変形装置１の構成を示す概略図である。本実施形態の変形装置１は、ミラー２の反射面２ａ（光学面）を変形させる光学装置である。変形装置１は、例えば、ミラー保持部材２１と、ベースプレート３と、複数のアクチュエータＡＴと、計測部６と、制御部７と、表示部８とを含みうる。
ミラー２は、ミラー保持部材２１を介して、ベースプレート３によって支持されている。ベースプレート３は、変形装置１の筐体（不図示）に取り付けられる。変形装置１は、例えば、受光素子や他の光学系などと組み合わせて用いられる。
複数のアクチュエータＡＴの各々は、ミラー２の反射面２ａを所望の形状に変形させる際（即ち、変形装置１の異常検出時以外）には、ミラー２に力を加えるアクチュエータとして機能しうる。一方、複数のアクチュエータＡＴの各々は、変形装置１の異常検出時には、対象アクチュエータ４（第１アクチュエータ）および加振用アクチュエータ５（第２アクチュエータ）のいずれかに役目が割り当てられる。対象アクチュエータ４は、計測部６で誘導起電力を計測して異常を検出する対象となるアクチュエータである。本実施形態では、対象アクチュエータ４としてボイスコイルモータ（ＶＣＭ）が用いられ、以下では対象ＶＣＭ４と呼ぶことがある。また、加振用アクチュエータ５は、対象アクチュエータ４（対象ＶＣＭ４）の異常を検出する際に、ミラー２の裏面２ｂ（反射面２ａとは反対側の面）に力を加えてミラー２を振動させる（加振する）ためのアクチュエータである。本実施形態では、加振用アクチュエータ５としてボイスコイルモータ（ＶＣＭ）が用いられ、以下では加振用ＶＣＭ５と呼ぶことがある。
ここで、対象アクチュエータ４および加振用アクチュエータ５は、それらの役割が入れ換えられてもよく、例えば、変形装置１の異常検出時に複数のアクチュエータＡＴの中から適宜選択されうる。また、本実施形態では、対象アクチュエータ４と加振用アクチュエータ５とで同じ種類のアクチュエータ（ＶＣＭ）が用いられるが、それに限られず、互いに異なる種類のアクチュエータが用いられてもよい。即ち、加振用アクチュエータ５として、ＶＣＭとは異なるアクチュエータが用いられてもよい。複数のアクチュエータＡＴの数は、限定されるものではなく、ミラー２の反射面２ａに要求される形状精度などに応じて任意に設定されうる。
対象ＶＣＭ４は、ミラー２の裏面２ｂに配置される可動子４１と、ベースプレート３に配置される固定子４２とを含む。本実施形態では、可動子側であるミラー２に配線などの付加物が配置されないように、可動子４１を磁石とし、固定子４２をコイルとしている。同様に、加振用ＶＣＭ５は、本実施形態では、ミラー２の裏面２ｂに配置される可動子５１としての磁石と、ベースプレート３に配置される固定子５２としてのコイルとを含み、ミラー２の裏面２ｂに力を加える。対象ＶＣＭ４の数および加振用ＶＣＭ５の数は、変形装置１の異常（即ち、対象ＶＣＭ４の異常）の検出精度に応じて任意に設定されうる。但し、例えば１つの加振用ＶＣＭ５でのミラー２の加振によって複数の対象ＶＣＭ４の異常を検出することができるように、対象ＶＣＭ４の数より加振用ＶＣＭ５の数の方が少ないことが好ましい。
計測部６は、例えば、複数のアクチュエータＡＴのそれぞれに対応して設けられ、複数の対象ＶＣＭ４のそれぞれに発生する誘導起電力（誘導起電圧）を計測する。本実施形態では、計測部６は、複数のアクチュエータＡＴのうち加振用ＶＣＭ５を用いてミラー２を振動させることにより対象ＶＣＭ４のコイルに発生した誘導起電力を計測する。
制御部７は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータで構成され、変形装置１の全体を制御する。本実施形態では、制御部７は、駆動制御部７ａと、処理部７ｂ（演算部）と、記憶部７ｃとを含みうる。駆動制御部７ａは、複数のアクチュエータＡＴの各々の駆動を制御する。処理部７ｂは、計測部６で計測された誘導起電力に基づいて対象ＶＣＭ４の異常を検出する。記憶部７ｃは、メモリなどの記憶媒体を有し、各種データや情報を記憶する。
また、本実施形態の変形装置１は表示部８（ディスプレイ）を備える。表示部８は、複数のアクチュエータＡＴのうち、制御部７（処理部７ｂ）により異常が検出されたアクチュエータＡＴ（対象ＶＣＭ４）の位置情報を表示しうる。ここで、本実施形態において、表示部８は、変形装置１の構成要素であるが、それに限られず、変形装置１とは異なる外部装置の構成要素であってもよい。この場合、変形装置１の制御部７（処理部７ｂ）は、異常が検出されたアクチュエータＡＴ（対象ＶＣＭ４）の位置情報を当該外部装置に送信（出力）することによって、変形装置１の異常をユーザ（オペレータ）に報知することができる。
［対象ＶＣＭの異常検出方法］
上述した変形装置１では、例えば経時劣化などにより、各アクチュエータＡＴに異常が生じることがある。各アクチュエータとして用いられるＶＣＭは、磁石（可動子）とコイル（固定子）とが非接触で構成されており、直接的に異常を検出することができるのはコイルのみである。そのため、ミラー２から磁石が剥離したり脱落したりといった磁石の異常に関しては、磁石とコイルとの間隔を変化させたときにコイルに発生する誘導起電力を測定した結果に基づいて間接的に検出する必要がある。
しかしながら、ミラー２に外力を与えて磁石とコイルとの間隔を所定量（単位量）だけ変化させる場合、それにより当該コイルで発生する誘導起電力は微小であり、Ｓ／Ｎ比が非常に小さい。そのため、当該誘導起電力の測定結果を加工せずにそのまま用いるだけでは、アクチュエータＡＴ（磁石）の異常を検出することが困難になりうる。そこで、本実施形態の制御部７は、加振用ＶＣＭ５を用いてミラー２を振動させながら対象ＶＣＭ４（コイル）の誘導起電力の経時変動（経時的な変動）を計測部６に計測させる。そして、計測された誘導起電力の経時変動を周波数スペクトラムに変換し、当該周波数スペクトラムに基づいて対象ＶＣＭ４の異常を検出する。周波数スペクトラムは、周波数ごとの（即ち、周波数に対する）誘導起電力の強度を示す情報として定義され、例えば、周波数を横軸とし、誘導起電力の強度を縦軸としたグラフとして表されうる。
ここで、本実施形態で検出可能な異常の種類としては、可動子４１（磁石）の位置変化、可動子４１の温度変化による透磁率の変化、可動子４１の破損、可動子４１のミラー２への未実装、剥がれ、脱落などが挙げられる。可動子４１の位置変化が生じた場合、固定子４２（コイル）への鎖交磁束が変化するため、鎖交磁束の増減に応じて誘導起電力が変化する。可動子４１の透磁率が変化した場合、透磁率の変化量に応じて誘導起電力が変化する。また、可動子の未実装、破損、剥がれや脱落が発生した場合には誘導起電力が著しく減少する。
図２は、本実施形態における対象ＶＣＭ４の異常の検出方法を示すフローチャートである。ここでは、説明を分かり易くするため、１つの加振用ＶＣＭ５を用いて、１つの対象ＶＣＭ４の異常を検出する例について説明する。なお、図２に示すフローチャートの各工程は、制御部７によって制御されうる。
ステップＳ１０１では、制御部７は、駆動制御部７ａにより加振用ＶＣＭ５の駆動を開始することによりミラー２の加振を開始する。加振用ＶＣＭ５の駆動方法としては、インパルス状の駆動、パルス状の駆動、ステップ上の駆動、単一周波数における周期的な駆動など、任意の駆動方法を用いることができるが、ミラー２を連続的に振動させるための周期的な駆動が用いられるとよい。
例えば、制御部７は、周期的な駆動として、ミラー２の振動周波数に単一の周波数成分が含まれるように加振用ＶＣＭ５を制御（駆動）してもよいし、ミラー２の振動周波数に複数の周波数成分が含まれるように加振用ＶＣＭ５を制御してもよい。複数の周波数成分が含まれるような加振用ＶＣＭ５の制御方法としては、ミラー２の振動周波数をスイープさせるように加振用ＶＣＭ５を制御する方法や、ミラー２の振動周波数にホワイトノイズが含まれるように加振用ＶＣＭ５を制御する方法が挙げられる。また、制御部７は、ミラー２の振動周波数がミラー２の共振周波数を含むように加振用ＶＣＭ５を制御してもよい。このようにミラー２の共振周波数を含むように加振用ＶＣＭ５を制御すると、ミラー２の振動を容易に増加させることができる。ここで、ミラー２の振動周波数をスイープさせる範囲としては、ミラー２の寸法や重量などに応じて適宜変更可能であるが、一例として２０Ｈｚから１２０Ｈｚまでの範囲に設定されうる。また、ホワイトノイズとは、可聴覚周波数成分を含むノイズのことである。
ステップＳ１０２では、制御部７は、対象ＶＣＭ４のコイルで発生した誘導起電力の経時変動（経時的な変動）を計測部６に計測させる。例えば、制御部７は、所定期間において、加振用ＶＣＭ５によりミラー２を振動させながら、対象ＶＣＭ４のコイルで発生した誘導起電力を計測部６に連続的に計測させることにより、対象ＶＣＭ４の誘導起電力の経時変動を得ることができる。また、制御部７は、対象ＶＣＭ４の誘導起電力の経時変動の計測が終了したらステップＳ１０３に進み、加振用ＶＣＭ５によるミラー２の加振を終了させる。
図３（ａ）は、計測部６で計測された対象ＶＣＭ４の誘導起電力の経時変動の一例を示している。誘導起電力の経時変動は、計測開始からの経過時間に対する誘導起電力の強度を示す情報として定義され、図３（ａ）に示すように、計測開始からの経過時間ｔを横軸とし、計測部６で計測された誘導起電力の強度Ｖを縦軸としたグラフとして表されうる。また、図３（ａ）では、対象ＶＣＭ４に異常がある場合に計測された誘導起電力の経時変動を実線で示し、対象ＶＣＭ４に異常がない場合に計測された誘導起電力の経時変動を破線で示している。図３（ａ）に示すように、計測部６で計測された誘導起電力の経時変動そのものでは、誘導起電力の計測値がノイズや二次高調波などに埋もれてしまい、対象ＶＣＭ４が異常であるか否かの検出が困難であることが分かる。
ステップＳ１０４では、制御部７（処理部７ｂ）は、ステップＳ１０２で計測された誘導起電力の経時変動を周波数スペクトラムに変換する。例えば、制御部７は、ステップＳ１０２で計測された誘導起電力の経時変動に対して高速フーリエ変換（ＦＦＴ）を行うことにより、対象ＶＣＭ４の誘導起電力の周波数スペクトラムを求める（算出する）ことができる。
図３（ｂ）は、対象ＶＣＭ４の誘導起電力の経時変動についての計測結果に対して高速フーリエ変換を行うことにより得られた周波数スペクトラムの一例を示している。周波数スペクトラムは、上述したように、周波数に対する誘導起電力の強度を示す情報として定義され、図３（ｂ）に示すように、周波数ｆを横軸とし、誘導起電力の強度Ｖを縦軸としたグラフとして表されうる。また、図３（ｂ）では、対象ＶＣＭ４に異常がある場合の周波数スペクトラムを実線で示し、対象ＶＣＭ４に異常がない場合の周波数スペクトラムを破線で示している。図３（ｂ）に示すように、対象ＶＣＭ４に異常がない場合（破線）では、ミラー２の振動周波数に対応する周波数に誘導起電力のピークが得られるのに対し、磁石の剥離や脱落など対象ＶＣＭ４に異常がある場合（実線）では当該ピークが得られないことが分かる。つまり、周波数スペクトラムを用いることにより、対象ＶＣＭ４が異常であるか否かを効率的に且つ精度よく判断することが可能となる。
ステップＳ１０５では、制御部７は、ステップＳ１０４で求めた周波数スペクトラムと基準周波数スペクトラムとを比較し、それらの差分を求める。基準周波数スペクトラムとしては、対象ＶＣＭ４に異常がない状態で事前に取得された当該対象ＶＣＭ４の周波数スペクトラム（例えば、図３（ｂ）の破線で示される周波数スペクトラム）が用いられうる。
ステップＳ１０６では、制御部７は、ステップＳ１０５で求めた差分が閾値以上であるか否かを判断する。制御部７は、当該差分が閾値以上である場合にはＳ１０７に進み、対象ＶＣＭ４が異常であると判断することができる。一方、制御部７は、当該差分が閾値未満である場合にはＳ１０８に進み、対象ＶＣＭ４が異常ではないと判断することができる。このように、本実施形態では、対象ＶＣＭ４の誘導起電力の経時変動を周波数スペクトラムに変換することにより、当該周波数スペクトラムに基づいて対象ＶＣＭ４の異常を効率よく且つ精度よく検出することができる。
ここで、加振用ＶＣＭ５の駆動方法（ミラー２の振動方法）に応じて得られる対象ＶＣＭ４の誘電起電力の経時変動、および周波数スペクトラムについて説明する。
図４（ａ）は、ミラー２の振動周波数に単一の周波数成分が含まれるように加振用ＶＣＭ５を制御した例を示している。この場合の特徴としては、ミラー２の加振量を大きくすることができるため、ミラー２を大きく振動させ、対象ＶＣＭ４のコイルに発生する誘導起電力を大きくすることができる。
図４（ｂ）は、ミラー２の振動周波数に複数の周波数成分が含まれるように加振用ＶＣＭ５を制御した例（ミラー２の振動周波数をスイープさせた例）を示している。この場合の特徴としては、加振量を大きくすることができるとともに、周波数スペクトラムにおいて、ミラー２の振動周波数における周波数成分の数に応じた数のピークを得ることができるため、対象ＶＣＭ４の異常に関する解析の幅を広げることができる。例えば、図４（ｂ）に示すように、２つの周波数成分を用いた場合には、周波数スペクトラムにおいて２つのピークを得ることができ、当該２つのピークに基づいて対象ＶＣＭ４の異常を検出することができる。そのため、対象ＶＣＭ４の異常の誤検出を低減し、精度よく対象ＶＣＭ４の異常の検出を行うことができる。
図４（ｃ）は、ミラー２の振動周波数にノイズ（ホワイトノイズ）が含まれるように加振用ＶＣＭ５を制御した例を示している。この場合の特徴としては、伝達関数を計測して、ミラー２の加振に適した周波数を調べることができる。また、ミラー２の振動周波数に複数の周波数成分が含まれることとなるため、複数の周波数成分について一度に対象ＶＣＭ４の誘導起電力を計測することができる。その結果、解析時間を短縮することができるとともに、解析の幅を広げる（即ち、対象ＶＣＭ４の異常の誤検出を低減する）ことができる。
［複数のアクチュエータについての異常検出方法］
次に、変形装置１に用いられる複数のアクチュエータＡＴの各々について異常の検出する方法について説明する。図５は、複数のアクチュエータＡＴの異常検出方法を示すフローチャートである。図５に示すフローチャートの各工程は、制御部７によって行われうる。
ステップＳ２０１では、制御部７は、複数のアクチュエータＡＴの中から、ミラー２を振動させるために駆動される加振用ＶＣＭ５を選択する。複数のアクチュエータＡＴのうち、加振用ＶＣＭ５として選択されなかったアクチュエータは、誘導起電力を計測して異常を検出する対象ＶＣＭ４に設定され、ミラー２に力を加えるアクチュエータとしての駆動（即ち、コイルへの給電）が停止される。例えば、制御部７は、複数の対象ＶＣＭ４が配置されるミラー２の領域を１つの加振用ＶＣＭ５で加振することができるように、加振用ＶＣＭ５を選択しうる。
一例として、本工程において制御部７は、図６（ａ）に示すように加振用ＶＣＭ５ａ〜５ｄを選択しうる。図６（ａ）は、本工程において、ミラー２に対して配置された複数のアクチュエータＡＴの中から加振用ＶＣＭ５を選択する例を示している。図６（ａ）では、複数のアクチュエータＡＴのうち、ミラー２の外周部に配置され且つミラー保持部材２１を中心として４５度ずつ位置が異なる４つのアクチュエータＡＴが加振用ＶＣＭ５ａ〜５ｄとして選択されている。また、図６（ａ）では、各加振用ＶＣＭ５ａ〜５ｄによってそれぞれ加振することができるミラー２の範囲９ａ〜９ｄが示されている。各範囲９ａ〜９ｄには、複数のアクチュエータＡＴが対象ＶＣＭ４としてそれぞれ配置されている。
図６（ａ）に示す例では、ミラー２の外周部に配置されたアクチュエータＡＴを加振用ＶＣＭ５として選択したが、ミラー２の内周部に配置されたアクチュエータＡＴを加振用ＶＣＭ５として選択してもよい。また、加振用ＶＣＭ５の数は、任意に決めることができ、加振用ＶＣＭ５の配置は、図６（ａ）に示すように、ミラー２の中心に対して点対称になるように決定するとミラー２の振動の偏りが少なくなるため、有効である。
ここで、加振用ＶＣＭ５の数が少なければ相対的により多くの対象ＶＣＭ４の誘導起電力の測定を行うことができるが、ミラー２の振動量は減少する。一方、加振用ＶＣＭ５の数が多いと誘導起電力を測定できる対象ＶＣＭ４の数は減少するが、ミラー２の振動量を増やすことができる。加振用ＶＣＭ５によりミラー２が振動すると、ミラー２の裏面２ｂに取り付けられた対象ＶＣＭ４の可動子４１（磁石）が振動する。可動子４１が振動することにより対象ＶＣＭ４の固定子４２（コイル）を貫く鎖交磁束が変化し、該固定子４２（コイル）に誘導起電力を発生させることができる。
ステップＳ２０２では、制御部７は、ステップＳ２０１で選択した加振用ＶＣＭ５ａ〜５ｄを用いてミラー２の加振を開始する。本工程において、制御部７は、加振用ＶＣＭ５ａ〜５ｄを同位相で駆動してもよいが、加振用ＶＣＭ５を駆動させる位相（駆動位相、制御位相）をずらすことでミラー２の振動を大きくすることができる。例えば、加振用ＶＣＭ５ａ，５ｂを同位相とし、加振用ＶＣＭ５ｃ，５ｄを、加振用ＶＣＭ５ａ，５ｂに対して逆位相で駆動させる。この場合、ミラー２全体を効率的に振動させ、ミラー２の振動量（変形量）を大きくすることができる。また、加振用ＶＣＭ５がミラー２の中心に対して対称に配置されている場合は逆位相が有効であるが、非対称で配置されている場合などには逆位相以外の位相で振動させた方が有効となることがある。このような位相差の求め方としてはミラー２のモーダル解析や加振時の動解析などを行い、ミラー２全体の振動の様子から求めるとよい。
ステップＳ２０３では、制御部７は、各対象ＶＣＭ４のコイルで発生した誘導起電力の経時変動を計測部６に計測させ、各対象ＶＣＭ４の誘導起電力の経時変動の計測が終了したら、加振用ＶＣＭ５ａ〜５ｄによるミラー２の加振を終了させる。本工程では、複数の対象ＶＣＭ４について、誘導起電力の経時変動の測定が並行して行われうる。なお、ステップＳ２０３は、図２に示すフローチャートにおけるステップＳ１０２〜Ｓ１０３と同様の工程であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
ステップＳ２０４では、制御部７は、ステップＳ２０３で計測された各対象ＶＣＭ４の誘導起電力の経時変動を周波数スペクトラムに変換する。ステップＳ２０５では、制御部７は、各対象ＶＣＭ４について、ステップＳ２０４で求めた周波数スペクトラムと基準周波数スペクトラムとを比較し、それらの差分を求める。比較方法としては、ステップＳ２０４で求めた周波数スペクトラムと基準周波数スペクトラムとを任意の周波数で絶対値や相関係数を比較することなどが挙げられる。加振用ＶＣＭ５の駆動方法が、インパルス状の駆動、パルス状の駆動、またはステップ状の駆動である場合には広帯域に周波数が分布するため、相関係数の比較を行うことが有効である。一方、単一周波数で駆動を行う場合には周波数分布のピークが駆動周波数に集中するため、ピークが発生する単一周波数における誘導起電力の絶対値比較が有効である。なお、ステップＳ２０４〜Ｓ２０５は、図２に示すフローチャートにおけるステップＳ１０４〜Ｓ１０５と同様の工程であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
ステップＳ２０６では、制御部７は、各対象ＶＣＭ４について異常が生じているか否かを判断する。例えば、制御部７は、ステップＳ２０５で求めた差分が閾値以上である場合には、対象ＶＣＭ４に異常が生じていると判断することができる。一方、制御部７は、当該差分が閾値未満である場合には、対象ＶＣＭ４に異常が生じていないと判断することができる。なお、ステップＳ２０６は、図２に示すフローチャートにおけるステップＳ１０６〜Ｓ１０８と同様の工程であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
ステップＳ２０７では、制御部７は、複数のアクチュエータＡＴの全てについて異常の検出を行ったか否かを判断する。例えば、加振用ＶＣＭ５として選択されたアクチュエータＡＴについては異常の検出が行われていない。また、図６（ａ）に示すように、ステップＳ２０１で選択された加振用ＶＣＭ５ａ〜５ｄにより加振することができるミラー２の範囲９ａ〜９ｄに配置されていないアクチュエータＡＴについては異常の検出が行われていない。このように異常の検出が行われていないアクチュエータＡＴがある場合にはステップＳ２０８に進む。一方、全てのアクチュエータＡＴについて異常の検出が行われた場合にはステップＳ２１５に進み、制御部７は、ミラー２が所望の形状になるように対象ＶＣＭ４の駆動（即ち、コイルへの給電）を開始する。
ここで、ステップＳ２０７では、ステップＳ２０６で異常が生じていると判断された対象ＶＣＭ４がある場合にステップＳ２０８に進み、異常が生じていると判断された対象ＶＣＭ４がない場合にステップＳ２１５に進むようにしてもよい。なお、異常が生じていると判断された対象ＶＣＭ４が少数の場合には、対象ＶＣＭ４自体で異常が発生している可能性が高い。一方、異常が生じていると判断された対象ＶＣＭ４が多数の場合には、加振用ＶＣＭ５で異常が発生しておりミラー２の加振を正常に行うことができなかった可能性が高い。
ステップＳ２０８では、制御部７は、複数のアクチュエータＡＴの中から、ミラー２を振動させるために駆動される加振用ＶＣＭ５を再選択する。例えば、制御部７は、ステップＳ２０１で加振用ＶＣＭ５として選択されなかったアクチュエータＡＴの中から、加振用ＶＣＭ５を選択する。即ち、制御部７は、ステップＳ２０１で加振用ＶＣＭ５として選択されたアクチュエータＡＴとは異なるアクチュエータＡＴを、加振用ＶＣＭ５として選択しうる。一例として、本工程において制御部７は、図６（ｂ）に示すように加振用ＶＣＭ５ａ’〜５ｄ’を選択しうる。図６（ｂ）は、本工程において、ミラー２に対して配置された複数のアクチュエータＡＴの中から加振用ＶＣＭ５を選択する例を示している。図６（ｂ）では、各加振用ＶＣＭ５ａ’〜５ｄ’によってそれぞれ加振することができるミラー２の範囲９ａ’〜９ｄ’が示されている。各範囲９ａ’〜９ｄ’には、図６（ａ）の各範囲９ａ〜９ｄに含まれなったアクチュエータＡＴが対象ＶＣＭ４としてそれぞれ配置されている。
ステップＳ２０９〜Ｓ２１３は、上述したステップＳ２０２〜Ｓ２０６とそれぞれ同様の工程である。ステップＳ２０９では、制御部７は、ステップＳ２０８で選択した加振用ＶＣＭ５ａ’〜５ｄ’を用いてミラー２の加振を開始する。ステップＳ２１０では、制御部７は、各対象ＶＣＭ４のコイルで発生した誘導起電力の経時変動を計測部６に計測させ、各対象ＶＣＭ４の誘導起電力の経時変動の計測が終了したら、加振用ＶＣＭ５ａ’〜５ｄ’によるミラー２の加振を終了させる。ステップＳ２１１では、制御部７は、ステップＳ２１０で計測された各対象ＶＣＭ４の誘導起電力の経時変動を周波数スペクトラムに変換する。ステップＳ２１２では、制御部７は、各対象ＶＣＭ４について、ステップＳ２１１で求めた周波数スペクトラムと基準周波数スペクトラムとを比較する。ステップＳ２１３では、制御部７は、各対象ＶＣＭ４について異常が生じているか否かを判断する。
ステップＳ２１４では、制御部７は、複数のアクチュエータＡＴのうち、異常が検出されたアクチュエータＡＴの位置情報を表示部８（ディスプレイ）に表示する。例えば、制御部７は、異常が検出されたアクチュエータＡＴと異常が検出されなかったアクチュエータＡＴとを、色分け等により認識可能な態様で表示部８に表示しうる。ここで、制御部７は、異常が検出されたアクチュエータＡＴの位置情報の他、各アクチュエータＡＴの誘導起電力の計測結果や、当該計測結果から求めた周波数スペクトルなどを表示部８に表示してもよい。
上述したように、本実施形態の変形装置１は、加振用ＶＣＭ５を用いてミラー２を振動させながら対象ＶＣＭ４（コイル）の誘導起電力の経時変動を計測部６に計測させる。そして、計測された誘導起電力の経時変動を周波数スペクトラムに変換し、当該周波数スペクトラムに基づいて対象ＶＣＭ４の異常を検出する。これにより、計測部６で計測された誘導起電力が微小であっても、アクチュエータＡＴの異常を効率的に且つ精度よく検出することができる。
＜第２実施形態＞
図７は、本発明の第２実施形態における変形装置１の構成を示す概略図である。本実施形態の変形装置１は、図７に示すように、加振用ＶＣＭ５の代わりに、ミラー２を振動させるために駆動されるアクチュエータＡＴとして、ピエゾ素子などの接触式のアクチュエータ５３を有する。アクチュエータ５３は、ベースプレート３に配置されてミラー２を支持する。アクチュエータ５３の配置、駆動方法については、上述した第１実施形態において加振用ＶＣＭ５をアクチュエータ５３に置き換えればよいだけであるため、ここでの詳細な説明は省略する。
＜第３実施形態＞
図８は、本発明の第３実施形態における変形装置１の構成を示す概略図である。本実施形態における変形装置１では、図８に示すように、ミラー保持部材２１をアクチュエータ５３として機能させるものである。ミラー２は、アクチュエータ５３を介してベースプレート３によって支持される。本実施形態では、ミラー２を固定している保持部材としてのアクチュエータ５３によりミラー２を加振することができる。よって、ミラー２の振動を阻害する固定箇所が減少するため、ミラー２を大きく振動させることが可能であり、各対象ＶＣＭ４に大きな誘導起電力を生じさせる上で有効である。
＜第４実施形態＞
図９は、本発明の第４実施形態における変形装置１の構成を示す概略図である。本実施形態の変形装置１は、ミラー２（光学素子）の代わりに、プレートチャック１１（マスクチャック、基板チャック）などの部材の面（マスク保持面、基板保持面）を変形させるために用いられうる。本実施形態では、上記の第１〜第３実施形態におけるミラー２をプレートチャック１１に置き換えたものである。
プレートチャック１１は、保持部材１２を介してベースプレート３によって支持される。プレートチャックの表面１１ａ（保持面）は、ミラー２と同様に、プレートチャックの表面１１ａとは反対の面（裏面）１１ｂに配置されたアクチュエータＡＴにより、所望の形状に変形される。アクチュエータＡＴの配置、駆動方法は、上述した第１実施形態と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
＜露光装置の実施形態＞
図１０は、本発明の一側面としての露光装置５００の構成を示す概略図である。露光装置５００は、マスクのパターンを基板に転写（形成）するリソグラフィ装置である。露光装置５００は、照明光学系ＩＬと、投影光学系ＰＯと、マスク５５０を保持して移動するマスクステージＭＳと、基板５６０を保持して移動する基板ステージＷＳとを有する。また、露光装置５００は、基板５６０を露光する処理を制御する制御部５１０を有する。なお、本実施形態で用いられるＸＹＺ座標軸は、第１〜第４実施形態で用いたＸＹＺ座標軸と必ずしも一致するものではない。
光源（不図示）から射出された光は、照明光学系ＩＬに含まれるスリット（不図示）によって、例えば、Ｙ方向に長い円弧状の照明領域を、マスク５５０の上に形成する。マスク５５０および基板５６０は、マスクステージＭＳおよび基板ステージＷＳによってそれぞれ保持され、投影光学系ＰＯを介して、光学的に共役な位置（投影光学系ＰＯの物体面及び像面）に配置される。投影光学系ＰＯは、所定の投影倍率を有し、マスク５５０のパターンを基板５６０に投影する光学系である。マスクステージＭＳおよび基板ステージＷＳを、投影光学系ＰＯの物体面と平行な方向（例えば、Ｘ方向）に、投影光学系ＰＯの投影倍率に応じた速度比で相対的に走査する。これにより、マスク５５０のパターンを基板５６０上に転写することができる。
投影光学系ＰＯは、例えば、図８に示すように、平面ミラー５２０と、凹面ミラー５３０と、凸面ミラー５４０とを含む。照明光学系ＩＬから射出され、マスク５５０を通過した光は、平面ミラー５２０の第１面５２０ａによって光路を折り曲げられ、凹面ミラー５３０の第１面５３０ａに入射する。凹面ミラー５３０の第１面５３０ａで反射した光は、凸面ミラー５４０で反射し、凹面ミラー５３０の第２面５３０ｂに入射する。凹面ミラー５３０の第２面５３０ｂで反射した光は、平面ミラー５２０の第２面５２０ｂによって光路を折り曲げられ、基板５６０の上に結像する。このように構成された投影光学系ＰＯでは、凸面ミラー５４０の表面が光学的な瞳となる。
露光装置５００において、上述した第１〜第３実施形態の変形装置１は、投影光学系ＰＯに含まれるミラーの反射面を変形させる光学装置として用いられる。一例として、変形装置１は、凹面ミラー５３０の反射面を変形させる光学装置として用いられうる。これにより、凹面ミラー５３０の反射面（第１面５３０ａおよび第２面５３０ｂ）を所定の形状に変形させることが可能となり、投影光学系ＰＯの収差を高精度に補正することができる。また、上述した第４実施形態の変形装置１は、マスクステージＭＳのマスクチャックにおけるマスク５５０の保持面を変形させる装置として、および／または、基板ステージＷＳの基板チャックにおける基板５６０の保持面を変形させる装置として用いられうる。なお、露光装置５００における制御部５１０は、変形装置１における制御部７を含むように構成されてもよい。
ここで、上述した露光装置５００における変形装置１（アクチュエータＡＴ）の異常検出の実施タイミングについて説明する。図１１は、露光装置５００における露光シーケンスを示す図である。
ステップＳ３０１では、表面にレジストが塗布された基板５６０を露光装置５００内に搬入する。ステップＳ３０２では、基板５６０に形成されたマークの位置を検出し、露光装置５００に対して基板５６０のＸＹ方向の位置合わせを行う。ステップＳ３０３では、基板５６０上の所定の面位置を測定し、基板５６０の面形状を取得する。ステップＳ３０４では、基板５６０の対象ショット領域の露光を開始するための基板５６０の所定位置に露光領域ＥＲが配置されるように基板５６０を移動させる（ステップ移動）。そして、ステップＳ３０３で測定した面形状に合わせて、プレート１１０のＺ方向の位置合わせを行い、フォーカスを補正する。なお、露光領域ＥＲとは、投影光学系ＰＯからの光が照射される基板上の領域のことである。
ステップＳ３０５では、露光領域ＥＲ（投影光学系ＰＯ）と基板５６０と相対的に走査して、対象ショット領域の走査露光を行う。ステップＳ３０６では、基板５６０上に未露光のショット領域があるか否かを判断する。未露光のショット領域がある場合にはステップＳ３０３に戻り、当該未露光のショット領域を対象ショット領域として走査露光を行う。一方、未露光のショット領域がない場合にはステップＳ３０７に進み、基板５６０を露光装置５００から搬出する。
図１２には、基板５６０における複数（４個）のショット領域５６０ａ〜５６０ｄの各々について上記の走査露光を行う様子（換言すると、基板５６０上で露光領域ＥＲを移動させる様子）が示されている。図１２では、ステップＳ３０５の走査露光における基板５６０上での露光領域ＥＲの移動が矢印１００によって示されており、ステップＳ３０３のステップ移動における基板５６０上での露光領域ＥＲの移動が矢印１０１によって示されている。
第１実施形態で説明した変形装置１（アクチュエータＡＴ）の異常検出は、図１１に示すフローチャートにおけるステップＳ３０５以外の工程において実施することができる。即ち、変形装置１の異常検出は、ステップＳ３０１〜Ｓ３０４、Ｓ３０６〜Ｓ３０７における任意のタイミングで実施することができ、例えば、走査露光を繰り返し行う際のステップ移動（ステップＳ３０３、図１２の矢印１０１）において実施することができる。
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像（加工）する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
１：変形装置、２：ミラー、３：ベースプレート、４：対象アクチュエータ（第１アクチュエータ）、５：加振用アクチュエータ（第２アクチュエータ）、６：計測部、７：制御部、８：表示部

Claims (16)

  1. 部材の面を変形させる変形装置であって、
    前記面を変形させるために前記部材に力を加える複数のアクチュエータと、
    前記複数のアクチュエータのうち第１アクチュエータに生じる誘導起電力を計測する計測部と、
    前記複数のアクチュエータを制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記複数のアクチュエータのうち前記第１アクチュエータとは異なる第２アクチュエータを用いて前記部材を振動させながら前記第１アクチュエータの誘導起電力の経時変動を前記計測部に計測させ、計測された前記誘導起電力の経時変動を周波数スペクトラムに変換し、前記周波数スペクトラムに基づいて前記第１アクチュエータの異常を検出する、ことを特徴とする変形装置。
  2. 前記制御部は、前記第１アクチュエータに生じる前記誘導起電力の経時変動を前記計測部に計測させる際、前記部材の振動周波数に単一の周波数成分が含まれるように前記第２アクチュエータを制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の変形装置。
  3. 前記制御部は、前記第１アクチュエータに生じる前記誘導起電力の経時変動を前記計測部に計測させる際、前記部材の振動周波数に複数の周波数成分が含まれるように前記第２アクチュエータを制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の変形装置。
  4. 前記制御部は、前記第１アクチュエータに生じる前記誘導起電力の経時変動を前記計測部に計測させる際、前記部材の振動周波数をスイープさせるように前記第２アクチュエータを制御する、ことを特徴とする請求項３に記載の変形装置。
  5. 前記制御部は、２０Ｈｚから１２０Ｈｚまでの範囲において前記部材の振動周波数をスイープさせるように前記第２アクチュエータを制御する、ことを特徴とする請求項４に記載の変形装置。
  6. 前記制御部は、前記第１アクチュエータに生じる前記誘導起電力の経時変動を前記計測部に計測させる際、前記部材の振動周波数にホワイトノイズが含まれるように前記第２アクチュエータを制御する、ことを特徴とする請求項３に記載の変形装置。
  7. 前記制御部は、前記第１アクチュエータに生じる前記誘導起電力の経時変動を前記計測部に計測させる際、前記部材の振動周波数が前記部材の共振周波数を含むように前記第２アクチュエータを制御する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の変形装置。
  8. 前記制御部は、複数の前記第２アクチュエータを用いて前記部材を振動させながら前記第１アクチュエータの前記誘導起電力の経時変動を前記計測部に計測させる際、前記複数の第２アクチュエータで駆動位相が互いにずれるように前記複数の第２アクチュエータを制御する、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の変形装置。
  9. 前記制御部は、前記誘導起電力の経時変動から変換された前記周波数スペクトラムを基準周波数スペクトラムと比較することにより、前記第１アクチュエータの異常を検出する、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の変形装置。
  10. 前記制御部は、前記第２アクチュエータを用いて前記部材を振動させながら、複数の前記第１アクチュエータの各々について前記誘導起電力の経時変動を並行して前記計測部に計測させる、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の変形装置。
  11. 前記複数のアクチュエータは、前記部材と前記部材を支持するベースプレートとの間に配置され、
    前記第１アクチュエータは、前記部材および前記ベースプレートのうち一方に固定された磁石と、他方に固定されたコイルとで構成され、
    前記計測部は、前記コイルの誘導起電力を計測する、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の変形装置。
  12. 前記第１アクチュエータと前記第２アクチュエータとは、同じ種類のアクチュエータである、ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の変形装置。
  13. 前記第１アクチュエータと前記第２アクチュエータとは、互いに異なる種類のアクチュエータである、ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の変形装置。
  14. 前記第１アクチュエータの数は、前記第２アクチュエータの数より少ない、ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の変形装置。
  15. 基板を露光する露光装置であって、
    マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系を含み、
    前記投影光学系は、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の変形装置を含み、
    前記変形装置は、前記部材の面として、前記投影光学系に含まれる光学素子の光学面を変形させる、ことを特徴とする露光装置。
  16. 請求項１５に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
JP2020097146A 2020-06-03 2020-06-03 変形装置、露光装置、および物品の製造方法 Pending JP2021189378A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020097146A JP2021189378A (ja) 2020-06-03 2020-06-03 変形装置、露光装置、および物品の製造方法
US17/324,168 US11333692B2 (en) 2020-06-03 2021-05-19 Deformation apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing article
KR1020210069173A KR20210150292A (ko) 2020-06-03 2021-05-28 변형 장치, 노광 장치, 및 물품의 제조 방법
CN202110608582.1A CN113759493B (zh) 2020-06-03 2021-06-01 变形装置、曝光装置和制造物品的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020097146A JP2021189378A (ja) 2020-06-03 2020-06-03 変形装置、露光装置、および物品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021189378A true JP2021189378A (ja) 2021-12-13

Family

ID=78787284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020097146A Pending JP2021189378A (ja) 2020-06-03 2020-06-03 変形装置、露光装置、および物品の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11333692B2 (ja)
JP (1) JP2021189378A (ja)
KR (1) KR20210150292A (ja)
CN (1) CN113759493B (ja)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900001241B1 (ko) * 1985-04-17 1990-03-05 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 광 노출 장치
JPH0758191A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Toshiba Corp ウェハステージ装置
JP2001038362A (ja) * 1999-07-30 2001-02-13 Ska Kk 電磁界処理装置
US6313567B1 (en) * 2000-04-10 2001-11-06 Motorola, Inc. Lithography chuck having piezoelectric elements, and method
CN1322509C (zh) * 2002-10-28 2007-06-20 松下电器产业株式会社 头定位控制装置、配备该装置的盘装置及头定位控制方法
US7221463B2 (en) * 2003-03-14 2007-05-22 Canon Kabushiki Kaisha Positioning apparatus, exposure apparatus, and method for producing device
JP2005159189A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Canon Inc 電磁アクチュエータ駆動装置およびそれを用いた画像形成装置
JP2007026633A (ja) * 2005-06-14 2007-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクチュエータ制御方法とディスク装置
JP2015065246A (ja) 2013-09-24 2015-04-09 キヤノン株式会社 光学装置、光学系、露光装置及び物品の製造方法
JP6539130B2 (ja) * 2015-06-30 2019-07-03 キヤノン株式会社 撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113759493B (zh) 2023-08-11
US11333692B2 (en) 2022-05-17
CN113759493A (zh) 2021-12-07
US20210382099A1 (en) 2021-12-09
KR20210150292A (ko) 2021-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6336274B2 (ja) 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品の製造方法
JP4112263B2 (ja) リソグラフィ投影装置、位置決めシステムおよびデバイス製造方法
JP6168957B2 (ja) 光学装置、投影光学系、露光装置および物品の製造方法
JP2015065246A (ja) 光学装置、光学系、露光装置及び物品の製造方法
KR20020062201A (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스
JP5447388B2 (ja) 誤差補償付きオートフォーカスシステム
JP2015212775A (ja) 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品の製造方法
JP2016092309A (ja) 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品の製造方法
JP2021189378A (ja) 変形装置、露光装置、および物品の製造方法
JP5513658B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2014239088A (ja) 照明光学系、照明方法、並びに露光方法及び装置
JP2017129685A (ja) 光学装置、投影光学系、露光装置およびデバイス製造方法
JP4752286B2 (ja) 位置調整装置の制御方法、位置調整装置、及び露光装置
JP6929024B2 (ja) 光学装置、露光装置及び物品の製造方法
JP6854638B2 (ja) 光学装置、露光装置、および物品の製造方法
JP2003173960A (ja) 露光装置
JP6853659B2 (ja) 決定方法、光学装置、投影光学系、露光装置及び物品の製造方法
US20230221547A1 (en) Optical scanning device and control method thereof
JP6875925B2 (ja) 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品製造方法
JP2006266687A (ja) 試料検査装置及び試料検査方法
WO2018043314A1 (ja) 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品の製造方法
KR20210092130A (ko) 노광 장치, 및 물품의 제조 방법
JP2014096471A (ja) 計測方法及び装置、照明方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JPH1038758A (ja) ｉ線用レンズの波面収差測定装置及び方法
JP2023097199A (ja) 走査用ミラー装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20210103

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210113

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230522

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240129