JP2021145390A - ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生 - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 51
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 72
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
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- H03K3/53—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32128—Radio frequency generated discharge using particular waveforms, e.g. polarised waves
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/01—Details
- H03K3/017—Adjustment of width or dutycycle of pulses
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/64—Generators producing trains of pulses, i.e. finite sequences of pulses
- H03K3/72—Generators producing trains of pulses, i.e. finite sequences of pulses with means for varying repetition rate of trains
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K7/00—Modulating pulses with a continuously-variable modulating signal
- H03K7/08—Duration or width modulation ; Duty cycle modulation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2485—Electric or electronic means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
105 ナノ秒パルサ
110 負荷
111 プラズマ
115,116 インダクタ
120 キャパシタ
125 ダイオード
130 プルダウンレジスタ
140 有効負荷電流発生器
142 有効負荷ダイオード
143 有効負荷キャパシタ
350,450,550 回路
706 パルサ・変圧器段
707 抵抗出力段
710 導線段
711 阻止キャパシタ・DCバイアス電源段
〔付記1〕
高電圧波形発生器であって、
発生器インダクタと、
前記発生器インダクタと電気及び/又は誘導結合される高電圧ナノ秒パルサであって、
複数の第1高電圧パルスを包含する第1パルスバーストであって、前記複数の第1パルスの各パルスがパルス幅を有し、第1バースト周期を有する第1パルスバーストと、
複数の第2高電圧パルスを包含する第2パルスバーストであって、前記複数の第2パルスの各パルスがパルス幅を有し、第2バースト周期を有する第2パルスバーストと、
を前記発生器インダクタにチャージするように構成される高電圧ナノ秒パルサと、
前記ナノ秒パルサ及び前記発生器インダクタと結合されるプラズマであって、プラズマにおける電圧が、
第1出力パルス幅と第1出力電圧とを有する第1プラズマパルスであって、前記第1出力パルス幅が前記第1バースト周期と実質的に等しく前記第1出力電圧が前記複数の第1パルスの各パルスのパルス幅に実質的に比例する、第1プラズマパルスと、
第2出力パルス幅と第2出力電圧とを有する第2プラズマパルスであって、前記第2出力パルス幅が前記第2バースト周期と実質的に等しく、前記第2出力電圧が前記複数の第2パルスの各パルスのパルス幅に実質的に比例する、第2プラズマパルスと、
に従って変化する、プラズマと、
を包含する高電圧波形発生器。
〔付記2〕
前記第1パルスバーストと前記第2パルスバーストのいずれか又は両方が500Vより大きい振幅を有する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記3〕
前記第1プラズマパルスと前記第2プラズマパルスのいずれか又は両方が500Vより大きい振幅を有する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記4〕
前記第2パルスバーストが前記第1パルスバーストの振幅と異なる振幅を有する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記5〕
前記複数の第1高電圧パルスのうち一つ以上の振幅が前記複数の第1高電圧パルスのうち他の一つ以上の振幅と異なっている、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記6〕
前記第1プラズマパルスの電圧が前記第2プラズマパルスの電圧と異なっている、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記7〕
前記発生器インダクタ及び前記高電圧ナノ秒パルサと電気及び/又は誘導結合されるプルダウンレジスタをさらに包含する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記8〕
変圧器をさらに包含する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記9〕
前記第1バースト周期及び/又は前記第2バースト周期が約50msより短い、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記10〕
前記第1プラズマパルスと前記第2プラズマパルスのいずれか又は両方が前記プラズマ内で電位を確立する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記11〕
前記第1プラズマパルスと前記第2プラズマパルスのいずれか又は両方が前記プラズマ内でイオンを加速させる、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記12〕
前記複数の第1パルス及び/又は前記複数の第2パルスのいずれか又は両方が約50kHzより高い周波数を有する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記13〕
前記複数の第1パルスのうち少なくとも一つのパルスがパルス幅を有する、及び/又は、前記複数の第2パルスのうち少なくとも一つのパルスが500nsより短いパルス幅を有する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記14〕
前記発生器インダクタが漂遊インダクタンスを包含する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記15〕
前記発生器インダクタが約20μHより低いインダクタンスを有する、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記16〕
前記ピーク出力パワーが10kWより大きい、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記17〕
前記プラズマの性質が実質的に容量性である、付記1に記載の高電圧波形発生器。
〔付記18〕
プラズマ内に高電圧波形を発生させる為の方法であって、
複数の第1高電圧パルスを包含する第1パルスバーストを発生させることであって、前記複数の第1パルスの各パルスがパルス幅と500Vより高い電圧とを有し、前記第1パルスバーストが第1バースト周期を有することと、
前記第1パルスバーストを発生器インダクタにチャージすることと、
第1出力パルス幅と第1出力電圧とを有する第1出力パルスを出力することであって、前記第1出力パルス幅が前記第1バースト周期と実質的に等しく、前記第1出力電圧が前記複数の第1パルスの各々の前記パルス幅に実質的に比例することと、
複数の高電圧パルスを包含する第2パルスバーストを発生させることであって、前記複数の第2パルスの各パルスがパルス幅を有し、前記第2パルスバーストが第2バースト周期を有することと、
前記第2パルスバーストを発生器インダクタにチャージすることと、
第1出力パルス幅と第2出力電圧とを有する第2出力パルスを出力することであって、前記第2出力パルス幅が前記第2バースト周期と実質的に等しく、前記第2出力電圧が前記複数の第2パルスの各々の前記パルス幅に実質的に比例することと、
を包含する方法。
〔付記19〕
前記第1出力パルスと前記第2出力パルスとがプラズマに印加される、付記18に記載の方法。
〔付記20〕
前記第1出力パルスと前記第2出力パルスとがプラズマ内でイオンを加速させる、付記18に記載の方法。
〔付記21〕
前記発生器インダクタのチャージが前記発生器インダクタにエネルギーを通過させることを包含する、付記18に記載の方法。
〔付記22〕
前記複数の第1パルスのうち少なくとも一つのパルスがパルス幅を有する、及び/又は、前記複数の第2パルスのうち少なくとも一つのパルスが500nsより短いパルス幅を有する、付記18に記載の方法。
〔付記23〕
前記複数の第1パルスのうち少なくとも一つのパルスが異なるパルス幅を有する、及び/又は、前記複数の第2パルスのうち少なくとも一つのパルスが異なるパルス幅を有する、付記18に記載の方法。
〔付記24〕
前記複数の第1パルスのうち一つ以上の振幅が前記複数の第1パルスのうち他の一つ以上の振幅と異なっている、付記18に記載の方法。
〔付記25〕
高電圧波形発生器であって、
発生器インダクタと、
前記発生器インダクタと電気結合される一つ以上のソリッドステートスイッチを有する高電圧ナノ秒パルサであって、バースト周期を有するパルスバーストを生成するように構成される高電圧ナノ秒パルサであり、前記パルスバーストが異なるパルス幅を有する複数のパルスを包含する、高電圧ナノ秒パルサと、
前記高電圧ナノ秒パルサ及び前記発生器インダクタと電気結合されるプラズマであって、プラズマにおける電圧が、前記バースト周期と実質的に等しいパルス幅を持つ出力パルスを有し、プラズマにおける電圧が、前記複数のパルスの前記パルス幅に実質的に比例するように変化する、プラズマと、
を包含する高電圧波形発生器。
〔付記26〕
前記複数のパルスの少なくとも部分集合がパルス幅を有してパルス幅が徐々に大きくなり、前記プラズマにおける電圧の絶対値が増加する、付記25に記載の高電圧波形発生器。
〔付記27〕
前記複数のパルスの少なくとも部分集合がパルス幅を有してパルス幅が徐々に小さくなり、前記プラズマにおける電圧の絶対値が減少する、付記25に記載の高電圧波形発生器。
〔付記28〕
前記プラズマにおける電圧が前記プラズマ内でイオンを加速させる、付記25に記載の高電圧波形発生器。
Claims (28)
- 高電圧波形発生器であって、
発生器インダクタと、
前記発生器インダクタと電気及び/又は誘導結合される高電圧ナノ秒パルサであって、
複数の第1高電圧パルスを包含する第1パルスバーストであって、前記複数の第1パルスの各パルスがパルス幅を有し、第1バースト周期を有する第1パルスバーストと、
複数の第2高電圧パルスを包含する第2パルスバーストであって、前記複数の第2パルスの各パルスがパルス幅を有し、第2バースト周期を有する第2パルスバーストと、
を前記発生器インダクタにチャージするように構成される高電圧ナノ秒パルサと、
前記ナノ秒パルサ及び前記発生器インダクタと結合されるプラズマであって、プラズマにおける電圧が、
第1出力パルス幅と第1出力電圧とを有する第1プラズマパルスであって、前記第1出力パルス幅が前記第1バースト周期と実質的に等しく前記第1出力電圧が前記複数の第1パルスの各パルスのパルス幅に実質的に比例する、第1プラズマパルスと、
第2出力パルス幅と第2出力電圧とを有する第2プラズマパルスであって、前記第2出力パルス幅が前記第2バースト周期と実質的に等しく、前記第2出力電圧が前記複数の第2パルスの各パルスのパルス幅に実質的に比例する、第2プラズマパルスと、
に従って変化する、プラズマと、
を包含する高電圧波形発生器。 - 前記第1パルスバーストと前記第2パルスバーストのいずれか又は両方が500Vより大きい振幅を有する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記第1プラズマパルスと前記第2プラズマパルスのいずれか又は両方が500Vより大きい振幅を有する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記第2パルスバーストが前記第1パルスバーストの振幅と異なる振幅を有する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記複数の第1高電圧パルスのうち一つ以上の振幅が前記複数の第1高電圧パルスのうち他の一つ以上の振幅と異なっている、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記第1プラズマパルスの電圧が前記第2プラズマパルスの電圧と異なっている、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記発生器インダクタ及び前記高電圧ナノ秒パルサと電気及び/又は誘導結合されるプルダウンレジスタをさらに包含する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 変圧器をさらに包含する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記第1バースト周期及び/又は前記第2バースト周期が約50msより短い、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記第1プラズマパルスと前記第2プラズマパルスのいずれか又は両方が前記プラズマ内で電位を確立する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記第1プラズマパルスと前記第2プラズマパルスのいずれか又は両方が前記プラズマ内でイオンを加速させる、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記複数の第1パルス及び/又は前記複数の第2パルスのいずれか又は両方が約50kHzより高い周波数を有する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記複数の第1パルスのうち少なくとも一つのパルスがパルス幅を有する、及び/又は、前記複数の第2パルスのうち少なくとも一つのパルスが500nsより短いパルス幅を有する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記発生器インダクタが漂遊インダクタンスを包含する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記発生器インダクタが約20μHより低いインダクタンスを有する、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記ピーク出力パワーが10kWより大きい、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- 前記プラズマの性質が実質的に容量性である、請求項1に記載の高電圧波形発生器。
- プラズマ内に高電圧波形を発生させる為の方法であって、
複数の第1高電圧パルスを包含する第1パルスバーストを発生させることであって、前記複数の第1パルスの各パルスがパルス幅と500Vより高い電圧とを有し、前記第1パルスバーストが第1バースト周期を有することと、
前記第1パルスバーストを発生器インダクタにチャージすることと、
第1出力パルス幅と第1出力電圧とを有する第1出力パルスを出力することであって、前記第1出力パルス幅が前記第1バースト周期と実質的に等しく、前記第1出力電圧が前記複数の第1パルスの各々の前記パルス幅に実質的に比例することと、
複数の高電圧パルスを包含する第2パルスバーストを発生させることであって、前記複数の第2パルスの各パルスがパルス幅を有し、前記第2パルスバーストが第2バースト周期を有することと、
前記第2パルスバーストを発生器インダクタにチャージすることと、
第1出力パルス幅と第2出力電圧とを有する第2出力パルスを出力することであって、前記第2出力パルス幅が前記第2バースト周期と実質的に等しく、前記第2出力電圧が前記複数の第2パルスの各々の前記パルス幅に実質的に比例することと、
を包含する方法。 - 前記第1出力パルスと前記第2出力パルスとがプラズマに印加される、請求項18に記載の方法。
- 前記第1出力パルスと前記第2出力パルスとがプラズマ内でイオンを加速させる、請求項18に記載の方法。
- 前記発生器インダクタのチャージが前記発生器インダクタにエネルギーを通過させることを包含する、請求項18に記載の方法。
- 前記複数の第1パルスのうち少なくとも一つのパルスがパルス幅を有する、及び/又は、前記複数の第2パルスのうち少なくとも一つのパルスが500nsより短いパルス幅を有する、請求項18に記載の方法。
- 前記複数の第1パルスのうち少なくとも一つのパルスが異なるパルス幅を有する、及び/又は、前記複数の第2パルスのうち少なくとも一つのパルスが異なるパルス幅を有する、請求項18に記載の方法。
- 前記複数の第1パルスのうち一つ以上の振幅が前記複数の第1パルスのうち他の一つ以上の振幅と異なっている、請求項18に記載の方法。
- 高電圧波形発生器であって、
発生器インダクタと、
前記発生器インダクタと電気結合される一つ以上のソリッドステートスイッチを有する高電圧ナノ秒パルサであって、バースト周期を有するパルスバーストを生成するように構成される高電圧ナノ秒パルサであり、前記パルスバーストが異なるパルス幅を有する複数のパルスを包含する、高電圧ナノ秒パルサと、
前記高電圧ナノ秒パルサ及び前記発生器インダクタと電気結合されるプラズマであって、プラズマにおける電圧が、前記バースト周期と実質的に等しいパルス幅を持つ出力パルスを有し、プラズマにおける電圧が、前記複数のパルスの前記パルス幅に実質的に比例するように変化する、プラズマと、
を包含する高電圧波形発生器。 - 前記複数のパルスの少なくとも部分集合がパルス幅を有してパルス幅が徐々に大きくなり、前記プラズマにおける電圧の絶対値が増加する、請求項25に記載の高電圧波形発生器。
- 前記複数のパルスの少なくとも部分集合がパルス幅を有してパルス幅が徐々に小さくなり、前記プラズマにおける電圧の絶対値が減少する、請求項25に記載の高電圧波形発生器。
- 前記プラズマにおける電圧が前記プラズマ内でイオンを加速させる、請求項25に記載の高電圧波形発生器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023006913A JP2023033592A (ja) | 2017-08-25 | 2023-01-20 | ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762550251P | 2017-08-25 | 2017-08-25 | |
US62/550,251 | 2017-08-25 | ||
US201762553187P | 2017-09-01 | 2017-09-01 | |
US62/553,187 | 2017-09-01 | ||
JP2020532871A JP6902167B2 (ja) | 2017-08-25 | 2018-08-27 | ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020532871A Division JP6902167B2 (ja) | 2017-08-25 | 2018-08-27 | ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023006913A Division JP2023033592A (ja) | 2017-08-25 | 2023-01-20 | ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021145390A true JP2021145390A (ja) | 2021-09-24 |
JP2021145390A5 JP2021145390A5 (ja) | 2021-12-23 |
JP7216772B2 JP7216772B2 (ja) | 2023-02-01 |
Family
ID=65439257
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020532871A Active JP6902167B2 (ja) | 2017-08-25 | 2018-08-27 | ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生 |
JP2021101259A Active JP7216772B2 (ja) | 2017-08-25 | 2021-06-18 | ナノ秒パルスを使用する高電圧波形発生器および高電圧波形発生方法 |
JP2023006913A Pending JP2023033592A (ja) | 2017-08-25 | 2023-01-20 | ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020532871A Active JP6902167B2 (ja) | 2017-08-25 | 2018-08-27 | ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023006913A Pending JP2023033592A (ja) | 2017-08-25 | 2023-01-20 | ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
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JP2020529180A (ja) | 2020-10-01 |
US11658007B2 (en) | 2023-05-23 |
US20240055227A1 (en) | 2024-02-15 |
JP6902167B2 (ja) | 2021-07-14 |
KR20210010964A (ko) | 2021-01-28 |
CN111264032A (zh) | 2020-06-09 |
US20210027990A1 (en) | 2021-01-28 |
US20220399188A1 (en) | 2022-12-15 |
JP7216772B2 (ja) | 2023-02-01 |
US20200168436A1 (en) | 2020-05-28 |
KR102601455B1 (ko) | 2023-11-13 |
KR102208429B1 (ko) | 2021-01-29 |
JP2023033592A (ja) | 2023-03-10 |
WO2019040949A1 (en) | 2019-02-28 |
KR102466195B1 (ko) | 2022-11-11 |
KR20220154256A (ko) | 2022-11-21 |
US11387076B2 (en) | 2022-07-12 |
KR20200036947A (ko) | 2020-04-07 |
US20190131110A1 (en) | 2019-05-02 |
US10304661B2 (en) | 2019-05-28 |
CN111264032B (zh) | 2022-08-19 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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