JP2021132126A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. チャンバにおける基板処理方法であって、
   前記チャンバは、基板を載置する載置台と、前記載置台に対向する上部電極と、前記チャンバ内に処理ガスを供給するためのガス供給口とを備え、
   ａ）前記載置台に基板を提供する工程と、
   ｂ）前記チャンバ内に第１の処理ガスを供給する工程と、
   ｃ）前記上部電極に負の直流電圧を連続的に供給しながら、ＲＦ信号を連続的に供給することにより、前記第１の処理ガスからプラズマを生成する工程と、
   ｄ）前記上部電極に負の直流電圧を連続的に供給しながら、パルス状のＲＦ信号を供給することにより、前記第１の処理ガスからプラズマを生成する工程と
   を含み、
   前記ｃ）と前記ｄ）とは交互に繰り返し実行され、
   前記ｃ）の１回あたりの期間は３０秒以下である、基板処理方法。
2. 前記ｄ）の１回あたりの期間は６０秒以下である、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記ｄ）において、
   前記パルス状のＲＦ信号の１周期に対する前記ＲＦ信号が供給される期間の比は、９０％以上である、請求項１または２に記載の基板処理方法。
4. 前記ｄ）において、
   前記パルス状のＲＦ信号の１周期の期間は、５０ミリ秒以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
5. 前記ｄ）において、
   前記パルス状のＲＦ信号の周波数は２０Ｈｚ以上である、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 前記ｄ）において、
   前記パルス状のＲＦ信号のデューティ比は９０％以上である、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 前記ｄ）において、
   前記ＲＦ信号の供給が遮断されている期間に前記上部電極に供給される負の直流電圧の絶対値は、前記ＲＦ信号が供給されている期間に前記上部電極に供給される負の直流電圧の絶対値より大きい、請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
8. 前記基板は、導電膜と、前記導電膜上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、予め定められたパターンが形成されたマスク膜とを有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
9. 前記絶縁膜は、酸化膜であり、
   前記導電膜は、シリコンまたはタングステンの膜である、請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記第１の処理ガスには、
    炭素およびフッ素を含有するガス、酸素含有ガス、および希ガスが含まれる、請求項１から９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
11. 前記炭素およびフッ素を含有するガスは、Ｃ₄Ｆ₈ガスまたはＣ₄Ｆ₆ガスであり、
    前記酸素含有ガスは、Ｏ₂ガスまたはＣＯガスであり、
    前記希ガスは、Ａｒガスである、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. ｅ）前記ｃ）および前記ｄ）の繰り返しの後に実行される、前記チャンバ内に窒素含有ガスおよび希ガスを含む第２の処理ガスを供給する工程と、
    ｆ）前記チャンバ内に前記ＲＦ信号を供給することにより前記第２の処理ガスからプラズマを生成し、前記ｃ）および前記ｄ）によって前記基板に形成されたホール内に残存するポリマーを除去する工程と
    をさらに含む、請求項１０または１１に記載の基板処理方法。
13. 前記窒素含有ガスは、Ｎ₂ガスであり、
    前記希ガスは、Ａｒガスである、請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記ｃ）および前記ｄ）において、
    前記パルス状のＲＦ信号の電圧のピークツーピークの大きさが予め定められた範囲内となるように制御される、請求項１から１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
15. ａ）チャンバに配置された基板載置台に基板を提供する工程と、
    ｂ）前記チャンバ内に第１の処理ガスを供給する工程と、
    ｃ）前記基板載置台に対向するように設けられた上部電極に負の直流電圧を連続的に供給しながら、ＲＦ信号を前記チャンバに連続的に供給することにより、前記チャンバ内で前記第１の処理ガスからプラズマを生成する工程と、
    ｄ）前記上部電極に負の直流電圧を連続的に供給しながら、パルス状のＲＦ信号を供給することにより、前記第１の処理ガスからプラズマを生成する工程と、
    を含み、
    前記ｃ）と前記ｄ）とは交互に繰り返し実行され、
    前記ｃ）の処理期間が前記ｄ）の処理期間よりも短い、基板処理方法。
16. チャンバと、
    前記チャンバ内に設けられた上部電極と、
    前記上部電極に対向し、基板を載置する載置台と、
    ＲＦ信号を供給するＲＦ信号供給部と、
    前記上部電極に負の直流電圧を供給する電圧供給部と、
    制御装置と
    を備え、
    前記制御装置は、
    ａ）前記載置台に前記基板を提供する工程と、
    ｂ）前記チャンバ内に第１の処理ガスを供給する工程と、
    ｃ）前記上部電極に負の直流電圧を連続的に供給しながら、前記チャンバ内にＲＦ信号を連続的に供給することにより、前記第１の処理ガスからプラズマを生成する工程と、
    ｄ）前記上部電極に負の直流電圧を連続的に供給しながら、パルス状の前記ＲＦ信号を供給することにより、前記第１の処理ガスからプラズマを生成する工程と
    を含み、
    前記ｃ）と前記ｄ）とは交互に繰り返し実行され、
    前記ｃ）の１回あたりの期間は３０秒以下である、基板処理装置。
17. チャンバと、
    前記チャンバ内に設けられた上部電極と、
    前記上部電極に対向し、基板を載置する載置台と、
    ＲＦ信号を供給するＲＦ信号供給部と、
    前記上部電極に負の直流電圧を供給する電圧供給部と、
    制御装置と
    を備え、
    前記制御装置は、
    ａ）チャンバに配置された基板載置台に基板を提供する工程と、
    ｂ）前記チャンバ内に第１の処理ガスを供給する工程と、
    ｃ）前記基板載置台に対向するように設けられた上部電極に負の直流電圧を連続的に供給しながら、ＲＦ信号を前記チャンバに連続的に供給することにより、前記チャンバ内で前記第１の処理ガスからプラズマを生成する工程と、
    ｄ）前記上部電極に負の直流電圧を連続的に供給しながら、パルス状のＲＦ信号を供給することにより、前記第１の処理ガスからプラズマを生成する工程と、
    を含み、
    前記ｃ）と前記ｄ）とは交互に繰り返し実行され、
    前記ｃ）の処理期間が前記ｄ）の処理期間よりも短い、基板処理方法。