JP2021077854A - 積層セラミックキャパシタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
本発明の一実施形態は、互いに対向する第1面及び第2面、第1面及び第2面を連結する第3面及び第4面を含むセラミック本体と、セラミック本体の内部に配置され、第1及び第2面に露出し、且つ第3面又は第4面に一端が露出する複数の内部電極と、第1面及び第2面に露出する内部電極の端部上に配置された第1サイドマージン部及び第2サイドマージン部と、を含み、第1及び第2サイドマージン部はチタン酸バリウム系母材粉末及び副成分を含み、副成分は、ランタン系希土類元素を含む第1副成分として、テルビウム(Tb)を含み、テルビウム(Tb)を除いた第1副成分(RE)の含有量に対するテルビウム(Tb)の含有量の割合が0.110≦Tb/RE≦2.333を満たす積層セラミックキャパシタを提供する。
【選択図】図2
Description
本発明の一実施形態による第1及び第2サイドマージン部113、114に含まれる誘電体磁器組成物は、Ba及びTiを含む母材主成分を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、ランタン系希土類元素を含む第1副成分として、テルビウム(Tb)を含む。これに加えて、上記母材粉末100モルに対して、Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、La、Yb、及びPrのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩である0.0超過4.0モル以下の含有量を有する第1副成分を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体磁器組成物は、Ba元素を含み、酸化物及び炭酸塩からなる群より選択される1つ以上を含む第2副成分を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体磁器組成物は、Si及びAlのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩、あるいはSiを含むガラス(Glass)の化合物のうち少なくとも一つを含む第3副成分を含むことができる。
母材主成分は100nm級以下のBaTiO3粉末を用いた。尚、この際の副成分組成は下記表1のとおりである。
111 積層体
112 誘電体層
113、114 第1及び第2サイドマージン部
121 第1内部電極
122 第2内部電極
131、132 第1及び第2外部電極
212a セラミックグリーンシート
221a、222a ストライプ状の第1及び第2内部電極パターン
210 セラミックグリーンシート積層体
220 棒状の積層体
Claims (15)
- 互いに対向する第1面及び第2面、前記第1面及び第2面を連結する第3面及び第4面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置され、前記第1及び第2面に露出し、且つ前記第3面又は第4面に一端が露出する複数の内部電極と、
前記第1面及び第2面に露出する前記内部電極の端部上に配置された第1サイドマージン部及び第2サイドマージン部と、を含み、
前記第1及び第2サイドマージン部はチタン酸バリウム系母材粉末及び副成分を含み、
前記副成分は、ランタン系希土類元素を含む第1副成分として、テルビウム(Tb)を含み、前記テルビウム(Tb)を除いた第1副成分(RE)の含有量に対する前記テルビウム(Tb)の含有量の割合が0.110≦Tb/RE≦2.333を満たす、積層セラミックキャパシタ。 - 前記テルビウム(Tb)の含有量は、前記母材粉末100モルに対して0.15モル≦Tb≦1.35モルを満たす、請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記副成分は、マグネシウム(Mg)及びバリウム(Ba)を含み、前記バリウム(Ba)の含有量に対する前記マグネシウム(Mg)の含有量の割合が0.125≦Mg/Ba≦0.500を満たす、請求項1または2に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記マグネシウム(Mg)の含有量は、前記母材粉末100モルに対して0.25モル≦Mg≦1.0モルを満たす、請求項3に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記バリウム(Ba)の含有量は、前記母材粉末100モルに対して0.5モル≦Ba≦3.0モルを満たす、請求項3または4に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記副成分は、
前記Baを含む酸化物又は炭酸塩である第2副成分と、
前記母材粉末100モルに対して、Si及びAlのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩、あるいはSiを含むガラス(Glass)の化合物のうち少なくとも一つを0.0超過4.5モル未満含む第3副成分と、を含み、
前記バリウム(Ba)及びケイ素(Si)の合計含有量に対する前記マグネシウム(Mg)の含有量の割合が0.09≦Mg/(Ba+Si)≦0.19を満たす、請求項3から5のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。 - 前記副成分は、
前記母材粉末100モルに対して、Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、La、Yb、及びPrのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩である0.0超過4.0モル以下の含有量の第1副成分を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。 - 前記第1及び第2サイドマージン部に含まれる誘電体組成とセラミック本体に含まれる誘電体組成物とが互いに異なる、請求項1から7のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 互いに対向する第1面及び第2面、前記第1面及び第2面を連結する第3面及び第4面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置され、前記第1及び第2面に露出し、且つ前記第3面又は第4面に一端が露出する複数の内部電極と、
前記第1面及び第2面に露出する前記内部電極の端部上に配置された第1サイドマージン部及び第2サイドマージン部と、を含み、
前記第1及び第2サイドマージン部はチタン酸バリウム系母材粉末及び副成分を含み、
前記副成分は、ランタン系希土類元素を含む第1副成分として、テルビウム(Tb)を含み、
前記テルビウム(Tb)を除いた第1副成分(RE)の含有量に対する前記テルビウム(Tb)の含有量の割合が0.110≦Tb/RE≦2.333を満たし、
前記第1及び第2サイドマージン部に含まれる誘電体組成と前記セラミック本体に含まれる誘電体組成とが互いに異なり、前記第1及び第2サイドマージン部に含まれる前記テルビウム(Tb)の含有量は、前記セラミック本体に含まれるテルビウム(Tb)の含有量よりも多い、積層セラミックキャパシタ。 - 前記第1及び第2サイドマージン部に含まれるテルビウム(Tb)の含有量は、前記母材粉末100モルに対して0.15モル≦Tb≦1.35モルを満たす、請求項9に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記副成分は、マグネシウム(Mg)及びバリウム(Ba)を含み、前記バリウム(Ba)の含有量に対する前記マグネシウム(Mg)の含有量の割合が0.125≦Mg/Ba≦0.500を満たす、請求項9または10に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記マグネシウム(Mg)の含有量は、前記母材粉末100モルに対して0.25モル≦Mg≦1.0モルを満たす、請求項11に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記バリウム(Ba)の含有量は、前記母材粉末100モルに対して0.5モル≦Ba≦3.0モルを満たす、請求項11または12に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記副成分は、
前記Baを含む酸化物又は炭酸塩である第2副成分と、
前記母材粉末100モルに対して、Si及びAlのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩、あるいはSiを含むガラス(Glass)の化合物のうち少なくとも一つを0.0超過4.5モル未満含む第3副成分と、を含み、
前記バリウム(Ba)及びケイ素(Si)の合計含有量に対する前記マグネシウム(Mg)の含有量の割合が0.09≦Mg/(Ba+Si)≦0.19を満たす、請求項11から13のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。 - 前記副成分は、
前記母材粉末100モルに対して、Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、La、Yb、及びPrのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩である0.0超過4.0モル以下の含有量の第1副成分を含む、請求項9から14のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
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