JP2021064655A - 配線構造及びターゲット材 - Google Patents

Abstract

【課題】銅を含む配線層を備えた配線構造において、該配線層の導電性を損なうことなく、電蝕を防止し且つ配線層の体積抵抗率の上昇を抑制すること。【解決手段】配線構造１０は、窒化ケイ素又は純度９０質量％以上の酸化ケイ素からなる層１１と、該層１１上に設けられた中間層１２と、該中間層１２上に設けられた配線層１３とを備える。配線層１３は銅を含む。中間層１２はジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる。中間層１２に含まれる銅及びジルコニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が２モル％以上３３モル％以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、配線構造に関する。また本発明は、該配線構造の製造に用いられるターゲット材に関する。

液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイや有機ＥＬといった表示デバイスのタッチパネル等に用いられる回路基板の配線膜として、近年、低抵抗であり、高融点の材料である銅が注目されている。しかし銅は、回路に用いられている材料の一種であるケイ素系材料との密着性が良好でないことから、銅の配線膜とケイ素系材料との間に密着層を配して両者の密着性を高める必要がある。この目的のために、特許文献１及び２には、ＳｉＯ_２からなる絶縁性薄膜の表面に、Ｃｕ−Ｍｇ−Ａｌからなる高密着性バリア膜を形成し、その上に純銅薄膜を形成して、高密着性バリア膜と純銅薄膜とからなる電極層を形成することが記載されている。

また本出願人は先に、ガラス基板と、該ガラス基板上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられた銅を含む配線層とを備えた配線構造であって、該中間層がジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる配線構造を提案した（特許文献３）。

国際公開第２０１１／００２４７７０号パンフレット 国際公開第２０１１／００５２４７１号パンフレット 国際公開第２０１９／００９３３４８号パンフレット

しかし、特許文献１及び２に記載の技術では、純銅薄膜に回路を形成するときに用いられるエッチング液が不可避的に回路中に残存した場合、該純銅薄膜と、Ｃｕ−Ｍｇ−Ａｌからなる高密着性バリア膜との間で電蝕が生じることがある。また、これらの文献に記載のＣｕ−Ｍｇ−Ａｌは、密着性の向上の点でも改良の余地がある。

特許文献３に記載の技術によれば、ガラスとの密着性を高めることができるが、ガラス以外のケイ素系材料との密着性は検討されていない。

したがって本発明の課題は、銅を含む配線層を備えた配線構造において、該配線層の導電性を損なうことなく、電蝕を防止し且つ配線層とケイ素系材料との体積抵抗率の上昇を抑え、更には密着性を高める技術を提供することにある。

本発明は、窒化ケイ素又は純度９０質量％以上の酸化ケイ素からなる層と、該層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられた配線層とを備えた配線構造であって、
前記配線層は銅を含み、
前記中間層はジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなり、
前記中間層に含まれる銅及びジルコニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が２モル％以上３３モル％以下である配線構造を提供するものである。

本発明の配線構造は、銅を含む配線層と中間層とを同一のエッチング液によって一括エッチングでき、且つ電蝕の発生が起こりづらいものであり、また配線層の体積抵抗率の上昇を抑制され、更には配線層とケイ素系材料との密着性が向上したものである。

図１は、本発明の配線構造の一実施形態を示す厚み方向に沿う断面の模式図である。 図２は、本発明の配線構造の別の実施形態を示す厚み方向に沿う断面の模式図である。 図３は、配線抵抗測定用ＴＥＧ形成パターンの上面の模式図である。

以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき図面を参照しながら説明する。図１には、本発明の配線構造の一実施形態が示されている。同図に示す配線構造１０は、例えば薄膜トランジスタなどの各種の半導体デバイスとして用いられるものである。配線構造１０は窒化ケイ素（ＳｉＮ）又は純度９０質量％以上の酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）からなる層（以下、これらの層を総称して「ケイ素含有層」という。）１１を備えている。

ケイ素含有層１１上には、銅を含む配線層１３が設けられている。銅を含む配線層とは、純銅又は銅合金からなる電気回路の配線のことであり、一般には各種の薄膜形成方法によってケイ素含有層１１上に形成された薄膜層から構成されている。

配線層１３が銅合金から構成されている場合、該銅合金としては、例えば合金成分としてマンガン、マグネシウム、ビスマス及びインジウム等から選択される１種又は２種以上の元素を含む銅基合金が挙げられる。これらの合金成分は、銅基合金中に０．０１モル％以上２５モル％以下の割合で含有させることができる。配線層１３が銅合金からなる場合、該銅合金は、後述する金属層１４を構成する合金とは異種又は同種のものが用いられる。

配線層１３が銅から構成されている場合、該配線層１３は銅本来の導電性を有するものであれば、銅以外の他の元素を微量含むことは許容される。導電性を確保し、後述する中間層１２とともにエッチングを容易とする観点からは、銅及び不可避不純物からなる合金であることが好ましく、酸素等のガス成分を除いた純度で３Ｎ以上の純度であることが更に好ましい。

配線層１３の厚みは、配線構造１０の具体的な用途に応じて任意に設定可能であり、例えば１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下に設定することができる。配線層１３の厚みを１００ｎｍ以上にすることで、配線構造として必要な導電性が確保される。また配線層１３の厚みを２０００ｎｍ以下に設定することで、多層積層基板に用いるときの障害にならず、また幅方向に対して過度に厚くならないことから高精細化に対応できる。更に、回路基板製造時の量産性が損なわれにくい。こうした観点から、配線層１３の厚みは、更に好ましくは１５０ｎｍ以上１２００ｎｍ以下であり、一層好ましくは２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下である。

配線層１３とケイ素含有層１１との間には、これら両者の密着性を向上させるための中間層１２が形成されている。図１においては中間層１２が、ケイ素含有層１１と直接に接しており、且つ配線層１３とも直接に接している状態が示されている。つまり図１に示す実施形態においては、中間層１２とケイ素含有層１１との間には何らの層も介在していない。同様に同実施形態においては、中間層１２と配線層１３との間にも何らの層も介在していない。

中間層１２は、配線層１３とケイ素含有層１１との密着性を向上させる観点から、ジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる材料から構成されている。すなわち中間層１２は、銅−ジルコニウム（Ｃｕ−Ｚｒ）合金からなる（以下、「ジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金」を、「銅−ジルコニウム合金」ともいう。）。この合金組成を有する中間層１２をケイ素含有層１１と配線層１３との間に設けることで、ケイ素含有層１１と配線層１３との密着性が効果的に向上することが、本発明者の検討の結果判明した。また、ジルコニウムは銅との拡散性が低い元素であることから、配線構造１０を高温環境下で用いた場合であっても配線層１３の導電性が低下しづらいという利点がある。このように、銅−ジルコニウム合金を中間層１２として用いることで、配線層１３の導電性を損なわずに、配線層１３とケイ素含有層１１との密着性を高めることができる。これらの利点は、後述する銅−ジルコニウム−ケイ素合金や、銅−ジルコニウム−ハフニウム合金や、銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金を中間層１２として用いた場合にも同様に言えることである。

しかも、銅−ジルコニウム合金は、塩化銅や硫酸過水などの公知のエッチング液によって容易にエッチングできる。したがって、銅−ジルコニウム合金からなる中間層１２を用いることで、エッチング時に溶解されない合金がケイ素含有層１１上に残ることに起因する、ショート不良が発生しづらいという利点もある。その上、該エッチング液は、銅を含む配線層１３もエッチングすることができるので、銅−ジルコニウム合金からなる中間層１２を設けることで、配線層１３と中間層１２とを同一のエッチング液によって一括エッチングできるという利点もある。更に、銅−ジルコニウム合金からなる中間層１２と、銅を含む配線層１３とは、酸化還元電位が近似しているので、エッチング液が不可避的に残存した場合であっても電蝕が発生しづらいという利点もある。これらの利点は、後述する銅−ジルコニウム−ケイ素合金や、銅−ジルコニウム−ハフニウム合金や、銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金を中間層１２として用いた場合にも同様に言えることである。

上述した配線層１３とケイ素含有層１１との密着性の向上を顕著なものとする観点や、電蝕の発生を一層抑制する観点から、ケイ素含有層１１は、上述のとおり窒化ケイ素からなるか、又は純度９０質量％以上、特に９７質量％以上、とりわけ９９質量％以上の酸化ケイ素からなる。したがって、例えば二酸化ケイ素の純度が低い一般のガラスは、本発明のケイ素含有層１１からは除外される。

同様に、中間層１２とケイ素含有層１１との密着性の向上を一層顕著なものとする観点や、電蝕の発生を一層抑制する観点から、中間層１２を構成する銅−ジルコニウム合金は、銅及びジルコニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が２モル％以上３３モル％以下であり、２.５モル％以上２５モル％以下であることが更に好ましく、５モル％以上１０モル％以下であることが一層更に好ましい。

中間層１２に含まれるジルコニウムによる、配線層１３とケイ素含有層１１との密着性を確保しつつ、配線構造１０の製造時のエッチング性を容易にする観点や、電蝕の発生を一層抑制する観点から、中間層１２は、更にケイ素又はハフニウムを含有することが好ましい。中間層１２が、ケイ素及びハフニウムを含有することも好ましい。つまり中間層１２は、ジルコニウムと、ケイ素又はハフニウムとを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる材料、換言すれば銅−ジルコニウム−ケイ素（Ｃｕ−Ｚｒ−Ｓｉ）合金（以下、「ジルコニウム及びケイ素を含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金」を、「銅−ジルコニウム−ケイ素合金」ともいう。）から構成されているか、銅−ジルコニウム−ハフニウム（Ｃｕ−Ｚｒ−Ｈｆ）合金（以下、「ジルコニウム及びハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金」を、「銅−ジルコニウム−ハフニウム合金」ともいう。）から構成されているか、又は銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム（Ｃｕ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｈｆ）合金（以下、「ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金」を、「銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金」ともいう。）から構成されていることが好ましい。

中間層１２が銅−ジルコニウム−ケイ素合金から構成されている場合、銅−ジルコニウム−ケイ素合金は、銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が、２モル％以上３３モル％以下であることが好ましい。ジルコニウムのモル数の割合を２モル％以上とすることで、配線層１３からケイ素含有層１１まで、それぞれの層間で密着性の向上が図れる。また、電蝕の発生の一層の抑制が図れる。ジルコニウムのモル数の割合を３３モル％以下とすることで、配線構造の形成工程におけるエッチング性向上、及び中間層形成時の製造プロセスでの膜形成の容易さを確保できる。こうした観点から銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合は、２.５モル％以上２５モル％以下であることがより好ましく３モル％以上２３モル％以下であることが更に好ましく、５モル％以上９モル％以下であることが一層好ましい。ケイ素についても同様の観点から、銅−ジルコニウム−ケイ素合金は、銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対するケイ素のモル数の割合が、２モル％以上３３モル％以下であることが好ましく、２.５モル％以上２５モル％以下であることがより好ましく、３モル％以上２３モル％以下であることが更に好ましく、５モル％以上９モル％以下であることが一層好ましい。

中間層１２を構成する銅−ジルコニウム−ケイ素合金は、銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対する、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計の割合が４モル％以上４０モル％以下であることが好ましい。ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計の割合を４モル％以上とすることで、密着性の向上が図れる。また、電蝕の発生の一層の抑制が図れる。ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計の割合を４０モル％以下とすることで、ジルコニウム濃度を低く抑えて配線構造の形成工程におけるエッチングの容易さを確保できる。こうした観点から、銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対する、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計の割合は６モル％以上３０モル％以下であることが好ましく、１０モル％以上３０モル％以下であることが更に好ましく、１１モル％以上１８モル％以下であることが更に好ましい。

中間層１２が銅−ジルコニウム−ハフニウム合金から構成されている場合、銅−ジルコニウム−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が、２モル％以上３３モル％以下であることが好ましい。ジルコニウムのモル数の割合を２モル％以上とすることで、配線層１３とケイ素含有層１１との密着性の向上が図れる。また、電蝕の発生の一層の抑制が図れる。ジルコニウムのモル数の割合を３３モル％以下とすることで、配線構造の形成工程におけるエッチング性向上、及び中間層形成時の製造プロセスでの膜形成の容易さを確保できる。こうした観点から銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合は、３．０モル％以上２５モル％以下であることが更に好ましく、５．２モル％以上９．９モル％以下であることが一層好ましい。ハフニウムについても同様の観点から、銅−ジルコニウム−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対するハフニウムのモル数の割合が、０．０１モル％以上１．６５モル％以下であることが好ましく、０．０４６モル％以上１．３モル％以下であることが更に好ましく、０．１１モル％以上１．０モル％以下であることが一層好ましい。

中間層１２を構成する銅−ジルコニウム−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対する、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計の割合が２モル％以上３３モル％以下であることが好ましい。ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計の割合を２モル％以上とすることで、密着性の向上が図れる。また、電蝕の発生の一層の抑制が図れる。ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計の割合を３３モル％以下とすることで、ジルコニウム濃度を低く抑えて配線構造の形成工程におけるエッチングの容易さを確保できる。こうした観点から、銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対する、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計の割合は３．１モル％以上２０モル％以下であることが好ましく、５．３モル％以上１０．１モル％以下であることが更に好ましい。

中間層１２が銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金から構成されている場合、銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が、２モル％以上３３モル％以下であることが好ましい。ジルコニウムのモル数の割合を２モル％以上とすることで、配線層１３とケイ素含有層１１との密着性の向上が図れる。また、電蝕の発生の一層の抑制が図れる。ジルコニウムのモル数の割合を３３モル％以下とすることで、配線構造の形成工程におけるエッチング性向上、及び中間層形成時の製造プロセスでの膜形成の容易さを確保できる。こうした観点から銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合は、３モル％以上２３モル％以下であることが更に好ましく、４モル％以上１０モル％以下であることが一層好ましく、５モル％以上９モル％以下であることが更に一層好ましい。ケイ素及びハフニウムについても同様の観点から、銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対するケイ素及びハフニウムのモル数の合計の割合が、２モル％以上３３モル％以下であることが好ましく、３モル％以上２３モル％以下であることが更に好ましく、４モル％以上１０モル％以下であることが一層好ましく、５モル％以上１０モル％以下であることが一層好ましい。

中間層１２を構成する銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対する、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計の割合が４モル％以上４０モル％以下であることが好ましい。ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計の割合を４モル％以上とすることで、密着性の向上が図れる。また、電蝕の発生の一層の抑制が図れる。ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計の割合を４０モル％以下とすることで、ジルコニウム濃度を低く抑えて配線構造の形成工程におけるエッチングの容易さを確保できる。こうした観点から、銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対する、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計の割合は５モル％以上３０モル％以下であることが好ましく、９モル％以上２０モル％以下であることが更に好ましい。

中間層１２が銅−ジルコニウム合金から構成される場合、該銅−ジルコニウム合金は、上述のとおり、ジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金である。また、中間層１２が銅−ジルコニウム−ケイ素合金から構成される場合、該銅−ジルコニウム−ケイ素合金は、上述のとおり、ジルコニウム及びケイ素を含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金であることが好ましい。また、中間層１２が銅−ジルコニウム−ハフニウム合金から構成される場合、該銅−ジルコニウム−ハフニウム合金は、上述のとおり、ジルコニウム及びハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金であることが好ましい。更に、中間層１２が銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金から構成される場合、該銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金は、上述のとおり、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金であることが好ましい。

銅−ジルコニウム合金、銅−ジルコニウム−ケイ素合金、銅−ジルコニウム−ハフニウム合金及び銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金が他の元素を含むか否かにかかわらず、不可避不純物の割合は、銅及びジルコニウムのモル数の合計、又は銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計、又は銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計、又は銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対して、２モル％以下であることが好ましく、１モル％以下であることが更に好ましい。不可避不純物の割合は、少なければ少ないほど好ましい。

中間層１２は例えば各種の薄膜形成方法によって形成することができる。薄膜形成方法としては、スパッタリングや真空蒸着など、従来公知の方法を採用することができる。薄膜形成方法として例えばスパッタリングを行うに際しては、銅−ジルコニウム合金源として、ジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなるターゲット材を用い、スパッタリング装置のチャンバ内を一旦１０^−４Ｐａ以下まで真空状態にした後に、該チャンバ内をＡｒ雰囲気などとした状態下に、圧力０．１〜５．０Ｐａでスパッタリングすることが好ましい。銅−ジルコニウム−ケイ素合金源としては、ジルコニウム及びケイ素を含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなるターゲット材を用いることが好ましい。銅−ジルコニウム−ハフニウム合金源としては、ジルコニウム及びハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなるターゲット材を用いることが好ましい。銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金源としては、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなるターゲット材を用いることが好ましい。これらのターゲット材における合金組成は、中間層１２を構成する合金の組成と同様であり、同一の組成でもよい。つまり、このターゲット材は銅−ジルコニウム合金、又は銅−ジルコニウム−ケイ素合金、又は銅−ジルコニウム−ハフニウム合金、又は銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金からなるものであり、配線構造１０において、ケイ素含有層１１と配線層１３との間の密着性を向上させるための中間層１２の形成に用いられるものである。なお、このターゲット材には、中間層１２と同様の理由により、銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウム以外の他の元素、例えば酸素を微量含むことは許容されるが、当該元素の含有量は、少なければ少ないほど好ましい。一方、より高純度のものは精製工程によるコストが高くなるため、当該元素の含有量が５００ｐｐｍ以上のものが好ましく、５０００ｐｐｍ以上のものがより好ましい。

前記のターゲット材が銅−ジルコニウム−ケイ素合金からなるスパッタリングターゲットである場合、該ターゲット中の銅−ジルコニウム−ケイ素（１：１：１）金属間化合物相の割合は、中間層１２とケイ素含有層１１との密着性の向上を一層顕著なものとする観点や、電蝕の発生を一層抑制する観点から、３％以上４０％以下であることが好ましい。前記の割合は、後述の実施例における〔スパッタリングターゲット中の金属間化合物相の割合〕に記載の方法で算出される。

なお、前記のターゲット材は、スパッタリングに用いられることは勿論のこと、アークイオンプレーティング等の真空蒸着など、各種の物理気相成長法（ＰＶＤ）のターゲット材としても好適に用いられる。

前記のターゲット材は当該技術分野において公知の種々の方法で製造することができる。例えば真空中で溶融させた銅及びジルコニウム並びに必要に応じてケイ素及び／又はハフニウムを原料とし、鋳造して合金化させる。次に、得られた鋳塊を用いてターゲット材を製造する。ターゲット材に加工する加工方法に特に制限はなく、例えば熱間鍛造でもよく、冷間鍛造でもよく、あるいは熱間圧延でもよい。また、ワイヤーソーで切り出し加工を行い、板材に形成してもよい。前記のターゲット材をスパッタリングターゲットとして用いる場合には、得られた板材を、スパッタリングの冶具であるバッキングプレートにインジウムなどのボンディング材を用いて貼り付ければよい。なお本発明において、ターゲット材とは、平面研削やボンディング等のターゲット材仕上げ工程前の状態も包含する。また、ターゲット材の形状は平板に限定されず、円筒形状のものも含まれる。本発明においてスパッタリングターゲットとは、こうした単数又は複数のターゲット材をバッキングプレート等にボンディングされるなどしてスパッタリングに供されるものをいう。

上述の方法で形成された中間層１２の厚みは好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。中間層１２の厚みを１０ｎｍ以上に設定することで、ケイ素含有層１１上にくまなく中間層１２を形成することができ、ケイ素含有層１１と配線層１３との密着性を確実に向上させることができる。また、中間層１２の厚みを１００ｎｍ以下に設定することで、配線構造の体積抵抗率を不必要に高めることなく、且つ製造する際の生産性が損なわれないようにすることができる。この中間層１２の厚みはケイ素含有層１１と配線層１３との密着性を向上させる範囲において前記範囲で任意に設定可能であり、更に好ましくは１５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、一層好ましくは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定することができる。

配線層１３はケイ素含有層１１と対向する面である第１面１３ａを有している。また配線層１３は、第１面１３ａと反対側に位置する面である第２面１３ｂを有している。第１面１３ａは、上述した中間層１２と接している。第２面１３ｂ上には、後述する絶縁層１５が設けられている。図１には、配線層１３と絶縁層１５とは直接に接しており、両層１３，１５間に他の層が介在していない状態が示されている。絶縁層１５は、配線層１３の第２面１３ｂの全域を覆うように形成されている。したがって配線層１３の第２面１３ｂに露出した領域は存在していない。

本発明においては、ケイ素含有層１１と中間層１２との相互の密着性、更には第１面１３ａを介した中間層１２と配線層１３との相互の密着性が重要である。この密着性を高めるためにアニール処理（熱処理）を行うことが好ましい。このアニール処理の温度は一般に１００℃以上であり、より好ましくは３００℃以上、更に好ましくは５００℃以上である。アニール処理の時間は、一般に１５分以上１２０分以下である。このアニール処理は配線層１３の成膜後であれば、任意の時期に行ってもよい。例えば、後述する絶縁層１５の成膜後や、レジストのパターニング後でもよい。また上述のアニール条件を満たす範囲で成膜工程と同時に行ってもよい。アニール処理は例えば大気下で行うことができる。

図１に示すとおり、配線層１３の上には絶縁層１５が設けられている。絶縁層１５は、配線層１３の酸化を防止するとともに、異物等によるショートを防止する目的で付加的に設けられるものである。この目的のために絶縁層１５は耐酸化性の高い材料から構成されている。耐酸化性の高い材料としては、例えば窒化物、炭化物及び酸化物などが挙げられる。これらの材料のうち、非酸化物からなる材料から絶縁層１５を構成することが、耐酸化性を発揮させられる点から好ましい。非酸化物としては、例えば窒化物及び炭化物が挙げられ、特に窒化物を用いることが、耐酸化性を最大限に発揮させられる点から好ましい。窒化物としては、例えば金属又は半金属の窒化物が好適に用いられ、その例としては成膜が還元雰囲気で行えて配線層１３の酸化の進行を抑制できる材料である窒化ケイ素などが挙げられる。酸化物としては、ＳｉＯ_２などのケイ素を含む酸化物、及びＹ_２Ｏ_３などの希土類を含む酸化物等が、薄膜トランジスタの安定性の点から好ましい。

絶縁層１５は、耐酸化性を最大限に発揮させる観点から、配線層１３及び中間層１２の側面を含む全体を被覆するように設けられている。これに代えて、配線層１３の第２面１３ｂ側の全域にのみ絶縁層を設けてもよい。

図２には本発明の別の実施形態が示されている。なお、図２において本実施形態に関し特に説明しない点については、先に説明した図１に示す実施形態に関する説明が適宜適用される。また図２において図１と同じ部材には同じ符号を付してある。本実施形態の配線構造１０は、配線層１３上に絶縁層１５を備えるものである。配線層１３と絶縁層１５との間には金属層１４が配されている。図２においては、金属層１４が、配線層１３と直接に接しているとともに、絶縁層１５とも直接に接している状態が示されている。

絶縁層１５と同様に、金属層１４も付加的に用いられる層である。図２に示したように、配線層１３上であって、且つ絶縁層１５より下に金属層１４を設けることで配線層１３の酸化が一層効果的に防止される。金属層１４及び絶縁層１５は、配線層１３の酸化防止のために択一的に用いることができる。すなわち、配線層１３上に金属層１４のみを設けてもよく、あるいは配線層１３上に絶縁層１５のみを設けてもよい。また、本実施形態のように配線層１３上に金属層１４及び絶縁層１５をこの順で設けてもよい。一般に絶縁層１５の成膜は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法などにより、成膜温度を高めた状態で行われる。そのことに起因する熱負荷によって配線層１３の導電性低下につながる可能性があるので、その点からは金属層１４を設けた方が好ましい。いずれの態様であっても、絶縁層１５の厚みは配線層１３の酸化を防止し得る程度であればよく、好ましくは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定することができ、更に好ましくは８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下に設定することができる。

配線構造１０において、上述した金属層１４としては、ジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金、すなわち、銅−ジルコニウム合金が好適に用いられる。更に好適には、ジルコニウム、並びにケイ素及び／又はハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金、すなわち、銅−ジルコニウム−ケイ素合金、銅−ジルコニウム−ハフニウム合金、又は銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金が用いられる。これらの合金組成を有する金属層１４を配線層１３の上に設けることで、配線構造１０の形成時のエッチング工程において、同一のエッチング液を用いた一括エッチングによって中間層１２及び配線層１３をともに任意の配線パターンに除去することが容易となる。更にはこうした層構造とすることで配線層１３に含まれる銅の酸化が効果的に抑制されることが、本発明者の検討の結果判明した。このことに起因して、配線構造１０は、酸化性雰囲気下でアニールした後であっても、アニールに起因する酸化の影響を受けづらいものとなる。

上述した酸化抑制の効果を一層顕著なものとする観点から、金属層１４を構成する銅−ジルコニウム合金は、銅及びジルコニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合を５モル％以上３３モル％以下とすることが好ましく、５モル％以上２５モル％以下とすることが更に好ましく、１０モル％以上２０モル％以下とすることが一層好ましい。

金属層１４が銅−ジルコニウム−ケイ素合金からなる場合には、該銅−ジルコニウム−ケイ素合金は、銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が、耐熱性を付与する観点から１モル％以上が好ましい。一方、金属層１４をエッチング容易なものとしつつ、製造プロセスでの膜形成の容易さを確保する観点から３３モル％以下とすることが好ましく、１モル％以上２５モル％以下とすることが更に好ましく、２モル％以上２０モル％以下とすることが一層好ましく、４モル％以上１０モル％以下とすることがより一層好ましい。また、同様の観点から、金属層１４を構成する銅−ジルコニウム−ケイ素合金は、銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対するケイ素のモル数の割合を１モル％以上３３モル％以下とすることが好ましく、１モル％以上２５モル％以下とすることが更に好ましく、２モル％以上２０モル％以下とすることが一層好ましく、４モル％以上１０モル％以下とすることがより一層好ましい。

更に、酸化抑制の効果を一層顕著なものとする観点から、金属層１４が銅−ジルコニウム−ケイ素合金から構成される場合には、該銅−ジルコニウム−ケイ素合金は、銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対する、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計の割合が２モル％以上４０モル％以下であることが好ましく、２モル％以上２５モル％以下であることが更に好ましく、４モル％以上２０モル％以下であることが一層好ましく、８モル％以上１６モル％以下であることがより一層好ましい。

金属層１４が銅−ジルコニウム−ハフニウム合金からなる場合には、該銅−ジルコニウム−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が、耐熱性を付与する観点から３モル％以上が好ましい。一方、金属層１４をエッチング容易なものとしつつ、製造プロセスでの膜形成の容易さを確保する観点から３３モル％以下とすることが好ましく、５モル％以上２５モル％以下とすることが更に好ましく、１０モル％以上２０モル％以下とすることが一層好ましい。また、同様の観点から、金属層１４を構成する銅−ジルコニウム−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対するハフニウムのモル数の割合を０．０１モル％以上１．６５モル％以下とすることが好ましく、０．０２モル％以上１．３モル％以下とすることが更に好ましく、０．０４６モル％以上１．０モル％以下とすることが一層好ましく、０．１１モル％以上１．０モル％以下とすることがより一層好ましい。

更に、酸化抑制の効果を一層顕著なものとする観点から、金属層１４が銅−ジルコニウム−ハフニウム合金から構成される場合には、該銅−ジルコニウム−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対する、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計の割合が３モル％以上３３モル％以下であることが好ましく、５モル％以上２５モル％以下であることが更に好ましく、１０モル％以上２０モル％以下であることが一層好ましい。

金属層１４が銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金からなる場合には、該銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が、耐熱性を付与する観点から３モル％以上が好ましい。一方、金属層１４をエッチング容易なものとしつつ、製造プロセスでの膜形成の容易さを確保する観点から３３モル％以下とすることが好ましく、５モル％以上２５モル％以下とすることが更に好ましく、１０モル％以上２０モル％以下とすることが一層好ましい。また、同様の観点から、金属層１４を構成する銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対するケイ素及びハフニウムのモル数の合計の割合を３モル％以上３３モル％以下とすることが好ましく、５モル％以上２５モル％以下とすることが更に好ましく、１０モル％以上２０モル％以下とすることが一層好ましい。

更に、酸化抑制の効果を一層顕著なものとする観点から、金属層１４が銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金から構成される場合には、該銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金は、銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対する、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計の割合が２モル％以上３３モル％以下であることが好ましく、４モル％以上２５モル％以下であることが更に好ましく、６モル％以上２０モル％以下であることが一層好ましく、１０モル％以上１８．１モル％以下であることがより一層好ましい。

金属層１４を構成する銅−ジルコニウム合金、又は銅−ジルコニウム−ケイ素合金、又は銅−ジルコニウム−ハフニウム合金、又は銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金は、上述のとおり、ジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金であるか、又はジルコニウム及びケイ素を含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金であるか、又はジルコニウム及びハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金であるか、又はジルコニウム、ケイ素及びハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる合金であることが好ましい。

銅−ジルコニウム合金、銅−ジルコニウム−ケイ素合金、銅−ジルコニウム−ハフニウム合金、及び銅−ジルコニウム−ケイ素−ハフニウム合金が他の元素を含むか否かにかかわらず、不可避不純物の割合は、銅及びジルコニウムのモル数の合計、又は銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計、又は銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計、又は銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムのモル数の合計に対して、２モル％以下であることが好ましく、１モル％以下であることが更に好ましい。不可避不純物の割合は、少なければ少ないほど好ましい。金属層１４は例えば各種の薄膜形成方法によって形成することができる。薄膜形成方法としては、スパッタリングや真空蒸着など、従来公知の方法を採用することができる。

金属層１４の厚みは、配線構造１０の具体的な用途に応じて任意に設定可能であり、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定することができる。金属層１４の厚みを１０ｎｍ以上に設定することで、保護の対象である配線層１３に含まれる銅の酸化を効果的に防止することができる。また、金属層１４の厚みを１００ｎｍ以下に設定することで、金属層１４の生産性が損なわれないようにすることができる。

また、金属層１４は、配線層１３の酸化防止という目的を果たすために必要な部分を覆っていればよい。本実施形態では、配線層１３の第２面１３ｂ側の全域にのみ設けられたが、必要に応じて配線層１３及び中間層１２の側面を含む全体を被覆するように設けてもよい。

図２に示す実施形態の配線構造１０は、ケイ素含有層１１上に中間層１２を設ける工程と、中間層１２上に銅を含む配線層１３を設ける工程と、配線層１３上に金属層１４を設ける工程と、これらの層１２，１３，１４を有する積層構造を熱処理する工程とを備えた方法によって好適に製造される。そして、この製造方法によれば、配線構造１０の製造過程において、大気下などの酸化性雰囲気下で熱処理を行った場合でも配線層１３の酸化を防止することができる。

本実施形態の配線構造１０によれば、先に説明した図１に示す実施形態の配線構造が有する利点である、（ｉ）ケイ素含有層１１と配線層１３との密着性、（ii）元素の拡散に起因する高温下での配線層１３の電気抵抗の上昇の抑制、及び（iii）エッチング容易性に加え、（iv）配線層１３の酸化の抑制という相反する特性をすべて満たすことができるという利点がある。

以上の各実施形態の配線構造１０は、このまま用いてもよく、あるいは後加工して各種の電子デバイスとして用いてもよい。電子デバイスとしては、例えば薄膜トランジスタなどの各種の半導体デバイスが挙げられる。

以上、本発明をその好ましい実施形態に基づき説明したが、本発明は前記実施形態に制限されない。例えば図１に示す実施形態においては、配線層１３上に絶縁層１５が設けられていたが、該絶縁層１５を設けなくてもよい。また図２に示す実施形態においては、配線層１３上に金属層１４及び絶縁層１５が設けられていたが、該絶縁層１５を設けなくてもよい。また、金属層１４及び絶縁層１５の双方を設けなくてもよい。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り「％」は「質量％」を意味する。

〔実施例１〕
以下の表１に示す組成となるように、各種出発原料のインゴットを精秤して、これらインゴットをカーボン製の坩堝に投入した。高周波誘導真空溶解炉中でこれらのインゴットを真空加熱して溶融させた。それによって得た溶湯をカーボン製の鋳型で鋳造し、鋳塊を得た。得られた鋳塊を、ワイヤーソーを用いて切り出した後、旋盤加工によって厚み５ｍｍに加工した。このようにして得られたターゲット材の一面を、バッキングプレートにインジウムでロウ付けし、中間層用のスパッタリングターゲットを作製した。

前記で得られた中間層用のスパッタリングターゲット、６Ｎの純度の配線層用純銅のスパッタリングターゲットを用いて積層構造を作製した。まず、中間層用のスパッタリングターゲットを用い、下記条件でスパッタリングを実施して、ＳｉＮ基板又は純度９９％のＳｉＯ_２基板上に厚み２５ｎｍの中間層を形成した。次に、純銅のスパッタリングターゲットを用い同条件でスパッタリングを実施し、該中間層上に厚み４００ｎｍの配線層を形成し、積層構造を得た。

≪スパッタリング条件≫
・スパッタ方式：ＤＣマグネトロンスパッタ
・排気装置 ：ロータリーポンプ＋クライオポンプ
・到達真空度 ：１×１０^−４Ｐａ以下
・Ａｒ圧力 ：０．４Ｐａ
・基板温度 ：室温（２５℃）
・スパッタ電力：１０００Ｗ（電力密度３．１Ｗ／ｃｍ^２）
・使用基板 ：５０ｍｍ（縦）×５０ｍｍ（横）×７００μｍ（厚み）

〔実施例２ないし５〕
銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムの割合が表１に示す値となるように仕込み量を変更してスパッタリングターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、実施例１と同様にして中間層を得た。次に、純銅のスパッタリングターゲットを用い同条件でスパッタリングを実施し、該中間層上に厚み４００ｎｍの配線層を形成した。更に、各実施例において中間層と同一組成の金属層用のスパッタリングターゲットを用い、中間層と同条件でスパッタリングを実施して、該配線層上に厚み５０ｎｍの金属層を形成した。これ以外は実施例１と同様にして図２に示す積層構造を得た。

〔実施例６〕
銅、ジルコニウム、ケイ素及びハフニウムの割合が表１に示す値となるように仕込み量を変更してスパッタリングターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、実施例１と同様にして中間層及び配線層を得たのち、該中間層上には金属層を形成しなかった。以下実施例１と同様にして図１に示す積層構造を得た。

〔比較例１〕
中間層の形成に、表１に示す組成を有する銅−ジルコニウム−ケイ素合金スパッタリングターゲットを用いた。これ以外は実施例１と同様にして、積層構造を得た。

〔比較例２及び３〕
中間層の形成に、表１に示す組成を有する銅−マグネシウム−アルミニウム合金スパッタリングターゲットを用いた。これ以外は実施例１と同様にして、積層構造を得た。

〔比較例４〕
中間層の形成に、チタンスパッタリングターゲットを用いた。これら以外は実施例１と同様にして、積層構造を得た。

〔比較例５〕
中間層の形成に、モリブデンスパッタリングターゲットを用いた。これら以外は実施例１と同様にして、積層構造を得た。

〔評価〕
実施例及び比較例で得られた積層構造について、以下の方法でピール試験を行った。また、エッチング容易性を以下の方法で評価した。また、電蝕防止効果について、以下の方法で評価した。更に、実施例で用いたスパッタリングターゲット中の合金の割合を以下の方法で評価した。それらの結果を表１に示す。

〔ピール試験〕
ＪＩＳ Ｋ５６００−５−６に準拠しピール試験を行った。ＮＴカッターｅＬ−５００を用いて積層構造に、１ｍｍ×１ｍｍの格子パターンを２５マス形成した。ＴＱＣ社製テープ８７０５Ｂを格子カット部分に貼り、積層構造が透けて見えるように指でテープをこすった。テープ付着後５分以内にテープを引きはがした。格子マスのうち５％を超える領域が剥離したものを剥離個数としてカウントした。試験はＳｉＮ基板とＳｉＯ_２基板を用いて行った。

〔エッチング後の配線パターンの明確性〕
実施例及び比較例で得られた積層構造（基板はＳｉＮ）を硫酸過水（Ｈ_２Ｓ０_４：０．０５％，Ｈ_２Ｏ_２：５．５％の水溶液）で３分間エッチングした。エッチング後の配線構造をＳＥＭによって観察し、配線パターンの形成の良否を以下の基準で評価した。
Ｅ：配線パターンが極めて明確である。
Ｇ：配線パターンが明確である。
Ｆ：配線パターンが明確であるが、逆テーパー状にエッチングされてしまった。
Ｐ：中間層が基板上に残留している部分が多く観察される。

〔電蝕防止性〕
実施例及び比較例で得られた積層構造（基板はＳｉＮ）を図３に示す所定形状のパターンとなるように硫酸過水でエッチングした。その後、サムコ社製ＰＥ−ＣＶＤ装置（ＰＤ−２２０２Ｌ）を用いて下記条件でＣＶＤを実施し、配線層上に厚み２００ｎｍのＳｉＮ絶縁層を形成し、配線構造を得た。更にアニール処理（熱処理）を大気下で行った。アニール処理の温度は４５０℃に設定し、アニール処理時間は３０分とした。その後、ＳｉＮ絶縁層をＣＦ_４／О_２のドライエッチガスにて除去し、ＳＥＭにて配線構造を観察した。電蝕状況を以下の基準で評価した。
Ｅ：電蝕が全く観察されなかった。
Ｇ：電蝕が若干観察された。
Ｐ：甚だしい電蝕が観察された。

≪ＣＶＤ条件≫
・成膜ガス：ＳｉＨ_４：１０ｃｍ^３／ｍｉｎ、Ｈ_２：９０ｃｍ^３／ｍｉｎ、ＮＨ_３：１０ｃｍ^３／ｍｉｎ、Ｎ_２：２１０ｃｍ^３／ｍｉｎ
・成膜温度：３５０℃
・成膜圧力：８０Ｐａ
・電力：２５０Ｗ

〔耐酸化性の評価〕
得られた配線構造の体積抵抗率をアニール処理前とアニール処理後のそれぞれで測定した。測定には４端子抵抗測定装置（Ｂ−１５００Ａ：アジレントテクノロジー社製）を用いた。測定手順を以下に示す。
まず、アニール処理前の配線構造の状態で、予め金属層及び配線層からなる導電部の配線抵抗を測定する。具体的には、図３に示す電流印加パッドＰｉ，Ｐｉ間で電流値を掃引させ、電圧測定パッドＰｖ，Ｐｖ間の電圧値を測定することで配線抵抗値を得る。得られた配線抵抗値、前記導電部の線幅、長さ、及び膜厚より、導電部の体積抵抗率を算出する。その値をアニール処理前の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）とする。
次に、アニール処理後の配線構造において、アニール処理前の体積抵抗率の測定と同様の方法で体積抵抗率を算出する。その値をアニール処理後の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）とする。
そして、アニール処理前とアニール処理後での体積抵抗率の変化率を算出する。体積抵抗率の変化率（％）は、｛（アニール処理後の体積抵抗率−アニール処理前の体積抵抗率）／アニール処理前の体積抵抗率｝×１００から算出する。

〔スパッタリングターゲット中の金属間化合物相の割合〕
スパッタリングターゲット中の金属間化合物相の割合は、実施例１ないし４の配線構造の製造に用いたスパッタリングターゲット材の表面を対象として、エネルギー分散型Ｘ線（ＥＤＸ）分析により算出した。詳細には、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（日本電子社製、ドライＳＤ１００ＧＶ）を用いて、元素分析を行った。分析結果に対して多変量イメージ解析ソフト（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、ＮＳＳ４）を用いて相分離を行い、画像全体の面積に対する銅−ジルコニウム−ケイ素（１：１：１）金属間化合物相の面積の割合（％）を算出した。

表１に示す結果から明らかなとおり、各実施例においては、ＳｉＮ及びＳｉＯ_２からなる基板と銅配線との密着性がそれぞれ高く、また銅配線の体積抵抗率の上昇が抑制されていることが判る。また、各実施例の配線構造においては、電蝕の発生が効果的に防止されていることが判る。更に、各実施例の配線構造は、エッチングによる配線パターンの形成が極めて良好に行われていることが判る。
これに対して比較例１では、基板と銅配線との密着性が低いことが判る。比較例２及び３では、中間層と銅配線との間で電蝕が発生していることが判る。比較例４は、密着性は高いものの、配線抵抗が大きく上昇しており、銅配線に中間層材料が拡散していることが推測される。また、チタンがエッチングされずに残留していることが判る。比較例５では、電蝕が発生しており、且つ、エッチング形状が逆テーパー状になっていた。

１０ 配線構造
１１ ケイ素含有層
１２ 中間層
１３ 配線層
１３ａ 第１面
１３ｂ 第２面
１４ 金属層
１５ 絶縁層

Claims (14)

1. 窒化ケイ素又は純度９０質量％以上の酸化ケイ素からなる層と、該層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられた配線層とを備えた配線構造であって、
   前記配線層は銅を含み、
   前記中間層はジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなり、
   前記中間層に含まれる銅及びジルコニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が２モル％以上３３モル％以下である配線構造。
2. 前記中間層が更にケイ素又はハフニウムを含有する請求項１に記載の配線構造。
3. 前記中間層に含まれる銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が２モル％以上３３モル％以下である請求項２に記載の配線構造。
4. 前記中間層に含まれる銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対するケイ素のモル数の割合が２モル％以上３３モル％以下である請求項２に記載の配線構造。
5. 前記中間層に含まれる銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対するジルコニウムのモル数の割合が２モル％以上３３モル％以下である請求項２に記載の配線構造。
6. 前記中間層に含まれる銅、ジルコニウム及びハフニウムのモル数の合計に対するハフニウムのモル数の割合が０．０１モル％以上１．６５モル％以下である請求項２に記載の配線構造。
7. 前記配線層上に、絶縁層を備えた請求項１ないし５のいずれか一項に記載の配線構造。
8. 前記絶縁層が窒化物からなる請求項７に記載の配線構造。
9. 前記窒化物が窒化ケイ素からなる請求項８に記載の配線構造。
10. 前記配線層上と前記絶縁層の間に金属層を備え、該金属層はジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる、請求項７ないし９のいずれか一項に記載の配線構造。
11. 前記金属層が更にケイ素を含有する請求項１０に記載の配線構造。
12. 請求項１に記載の配線構造の製造に用いるターゲット材であって、
    ジルコニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなるターゲット材。
13. 請求項３に記載の配線構造の製造に用いるターゲット材であって、
    ジルコニウム及びケイ素を含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなるターゲット材。
14. 請求項５に記載の配線構造の製造に用いるターゲット材であって、
    ジルコニウム及びハフニウムを含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなるターゲット材。

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