JP2021059480A5 - - Google Patents
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Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019186235A JP7319501B2 (ja) | 2019-10-09 | 2019-10-09 | 基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板及び半導体装置 |
| US17/014,272 US11764059B2 (en) | 2019-10-09 | 2020-09-08 | Method for manufacturing substrate, method for manufacturing semiconductor device, substrate, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019186235A JP7319501B2 (ja) | 2019-10-09 | 2019-10-09 | 基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板及び半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021059480A JP2021059480A (ja) | 2021-04-15 |
| JP2021059480A5 true JP2021059480A5 (enExample) | 2022-04-14 |
| JP7319501B2 JP7319501B2 (ja) | 2023-08-02 |
Family
ID=75379644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019186235A Active JP7319501B2 (ja) | 2019-10-09 | 2019-10-09 | 基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板及び半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11764059B2 (enExample) |
| JP (1) | JP7319501B2 (enExample) |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007013058A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP4744958B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | 半導体素子及びその製造方法 |
| DE102005046707B3 (de) | 2005-09-29 | 2007-05-03 | Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg | SiC-PN-Leistungsdiode |
| JP4857697B2 (ja) | 2005-10-05 | 2012-01-18 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
| JP5659558B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2015-01-28 | 富士電機株式会社 | 超接合半導体装置の製造方法 |
| JP5621442B2 (ja) | 2010-09-14 | 2014-11-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014146748A (ja) | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体基板 |
| JP6244826B2 (ja) | 2013-11-01 | 2017-12-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化珪素基板、炭化珪素基板製造方法、半導体素子 |
| JP6287642B2 (ja) * | 2014-07-01 | 2018-03-07 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016163004A (ja) | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2017168666A (ja) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP6703915B2 (ja) | 2016-07-29 | 2020-06-03 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体基板の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6683083B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-04-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6833742B2 (ja) | 2018-02-07 | 2021-02-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置、基板、半導体装置の製造方法、及び、基板の製造方法 |
| JP7073767B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2022-05-24 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素基板の製造方法 |
| JP7023882B2 (ja) | 2019-02-04 | 2022-02-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法、基板の製造方法、半導体装置、基板、及び、基板の製造装置 |
-
2019
- 2019-10-09 JP JP2019186235A patent/JP7319501B2/ja active Active
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2020
- 2020-09-08 US US17/014,272 patent/US11764059B2/en active Active
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