JP2021050349A - 正孔輸送化合物及び組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光デバイスの性能向上のための組成物を提供する。【解決手段】式（Ｉ）の少なくとも１つの基で置換された第１の材料、並びに式（ＩＩａ）及び式（ＩＩｂ）（式中：Ｓｐ１及びＳｐ２はスペーサー基であり；ＮＢは、ノルボルネン基であり；Ａｒ１は、アリール基又はヘテロアリール基を表し；Ｒ１は、各出現時において独立に、Ｈ又は置換基であり；＊は、第１又は第２の材料との結合点を表す。）の群から選択される少なくとも１つの基で置換された第２の材料を含む組成物。組成物は、有機電子デバイスの正孔輸送層を形成するために用いられてもよい。【選択図】なし

Description

アクティブ有機材料を含む電子デバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光
応答性デバイス（特に有機光起電デバイス及び有機光検出器）、有機トランジスタ及びメ
モリ・アレイ・デバイスなどのデバイスにおける使用のために、ますます注目を集めてい
る。アクティブ有機材料を含むデバイスは、低重量、低消費電力及び柔軟性などの利益を
もたらす。さらに、可溶性有機材料の使用は、デバイス製造、例えばインクジェット印刷
又はスピンコーティングにおける溶液処理の利用を可能にする。

ＯＬＥＤは、アノード、カソード、及びアノードとカソードとの間の１又は複数の有機
発光層を保持する基板を備えることがある。

正孔はアノードを通じてデバイスに注入され、電子は該デバイスの動作中にカソードを
通じて注入される。発光材料の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）の正孔及び最低空分子軌道
（ＬＵＭＯ）の電子は結合して、そのエネルギーを光として放出する励起子を生成する。

発光層は、半導体ホスト材料及び発光ドーパントを含むことがあり、ここで、エネルギ
ーはホスト材料から発光ドーパントへ移動する。例えば、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６５
，３６１０，１９８９には、蛍光発光ドーパント（すなわち、一重項励起子の消滅により
光が発せられる発光材料）をドープしたホスト材料が開示されている。

リン光ドーパント（すなわち、三重線励起子の消滅により光が発せられる発光ドーパン
ト）も既知である。

アノードと発光層との間に正孔輸送層が設けられることもある。

「Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈ
ｏｇｒａｐｈｉｃａｌｌｙ Ｐａｔｔｅｒｎａｂｌｅ Ｄｅｅｐ Ｂｌｕｅ Ｅｍｉｔｔ
ｉｎｇ Ｐｏｌｙ（３，６−Ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ−９，９−ｄｉａｌｋｙｌｓｉｌａｆｌ
ｕｏｒｅｎｅ）ｓ」Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ＆Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ（２０
１４），６（１），８３−９３には、フォトリソグラフィーにより青色発光ポリ（シラフ
ルオレン）を堆積させ、ポリマーのノルボルネン置換基を反応させることによるパターニ
ングされた発光層の形成が開示されている。

韓国特許第２００９／０９３１４４号には、トリアリールアミン基で置換されたノルボ
ルネンモノマーの重合が開示されている。

Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（２００７），１９（２３），５６０
２−５６０８には、イリジウム錯体及びその側鎖内のビス（カルバゾリル）フルオレン基
とのノルボルネンベースのコポリマー並びに発光ダイオードにおけるその使用が開示され
ている。

国際公開第２０１３／００５０２６号には、ベンゾシクロブテン基で置換された正孔輸
送ポリマーが開示されている。ＯＬＥＤの正孔輸送層としてのこれらのポリマーの使用が
開示されている。ベンゾシクロブテン基は、架橋されて不溶性の層を与える。ベンゾシク
ロブテン基は互いに反応させてもよく、又は二重結合基と反応させてもよい。

韓国特許第２００９／０９３１４４号 国際公開第２０１３／００５０２６号

Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６５，３６１０，１９８９ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ＆Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ（２０１４），６（１），８３−９３ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（２００７），１９（２３），５６０２−５６０８

本発明の目的は、有機電子デバイス、特に、溶液堆積法によるデバイスの半導電層の堆
積により、１又は複数の層のデバイスが形成される有機発光デバイスの性能を向上させる
ことである。

第１の態様において、本発明は、式（Ｉ）の少なくとも１つの基で置換された第１の材
料、並びに式（ＩＩａ）及び式（ＩＩｂ）の群から選択される少なくとも１つの基で置換
された第２の材料を含む組成物を提供する：

（式中：
Ｓｐ^１は、第１のスペーサー基を表し；
ＮＢは、各出現時において独立に、非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていて
もよいノルボルネン基であり；
ｎ１は０又は１であり；
ｎ１が０である場合、ｍ１は１であり、ｎ１が１である場合、ｍ１は少なくとも１であ
り；
Ｓｐ^２は、第２のスペーサー基を表し；
ｎ２は０又は１であり；
ｎ２が０である場合、ｍ２は１であり、ｎ２が１である場合、ｍ２は少なくとも１であ
り；
Ａｒ^１は、各出現時において独立に、非置換でも、１又は複数の置換基で置換されてい
てもよいアリール基又はヘテロアリール基を表し；
Ｒ^１は、各出現時において独立に、Ｈ又は置換基であり；及び
＊は、第１又は第２の材料との結合点を表す）。

第２の態様において、本発明は、第１の態様による組成物を反応させるステップを含む
、有機電子デバイスの層を形成する方法を提供する。

第３の態様において、本発明は、有機発光デバイスを形成する方法を提供し、本方法は
、アノードの上に正孔輸送層を形成するステップと；正孔輸送層上に発光層を形成するス
テップと；発光層の上にカソードを形成するステップとを含み、ここで、正孔輸送層を形
成するステップは、式（Ｉ）正孔輸送層の少なくとも１つの基で置換された第１の材料を
アノードの上に堆積させるステップと、式（Ｉ）の基を架橋するステップとを含む。この
第３の態様の第１の材料は、本明細書のいずれかの箇所に記載されている通りであっても
よく、本明細書に記載されている任意の堆積法及び架橋法により堆積及び架橋されてもよ
い。正孔輸送層は、第１の材料が唯一の架橋性材料である層を形成及び架橋することによ
って形成されてもよく、この場合、層は実質的に第１の材料からなっていてもよい。正孔
輸送層は、第１の材料、及び本明細書のいずれかの箇所に記載されている通りである第２
の材料の両方を含む層を形成及び架橋することによって形成されてもよい。

第４の態様において、本発明は、有機電子デバイスの層を形成する方法を提供し、本方
法は、第１の材料を含む層を形成するステップと、熱処理により第１の層を架橋するステ
ップとを含む。有機電子デバイスは有機発光デバイスであってもよい。この第４の態様の
第１の材料は、本明細書のいずれかの箇所に記載されている通りであってもよく、本明細
書に記載されている任意の堆積法及び熱架橋法により堆積及び熱架橋されてもよい。層は
、第１の材料が唯一の架橋性材料である層を形成及び熱架橋することによって形成されて
もよく、この場合、層は実質的に第１の材料からなっていてもよい。層は、第１の材料、
及び本明細書のいずれかの箇所に記載されている通りである第２の材料の両方を含む層を
形成及び熱架橋することによって形成されてもよい。

第５の態様において、本発明は、式（Ｉ）の１又は複数の基がコアの芳香族基と結合し
た式（Ｉ）の１又は複数の基で置換されたコアを含む非ポリマー化合物を提供する。コア
は、本明細書に記載されている１又は複数の芳香族基を含む任意のコア基でもよい。

第６の態様において、本発明は、式（Ｉ）の１又は複数の基が繰り返し単位の１又は複
数の芳香族基と結合した式（Ｉ）の１又は複数の基で置換された繰り返し単位を含むポリ
マーを提供する。繰り返し単位は、１又は複数の芳香族基を含む本明細書に記載されてい
る任意の繰り返し単位でもよい。

第５の態様の非ポリマー化合物及び第６の態様のポリマーを反応させて、本明細書のい
ずれかの箇所に記載されている有機電子デバイスの層、例えば有機発光デバイスの正孔輸
送層を形成してもよい。

ここで図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。

本発明の実施形態によるＯＬＥＤの略図である。 本発明の実施形態による組成物の反応により得られた生成混合物及び比較例の組成物の反応により得られた生成混合物のＨＰＬＣトレースを示す図である。 加熱後に除去された可溶な材料と、本発明の実施形態によるポリマー及び比較例のポリマーの加熱温度とのグラフである。 本発明の実施形態によるデバイス及び比較例のデバイスの電界発光スペクトルを示す図である。 本発明の実施形態によるデバイス及び比較例のデバイスの電流密度対電圧のグラフである。 本発明の実施形態によるデバイス及び比較例のデバイスの輝度対電圧のグラフである。 本発明の実施形態によるデバイス及び比較例のデバイスの外部量子効率対電圧のグラフである。 本発明の実施形態による白色デバイス及び比較例のデバイスの電圧対外部量子効率のグラフである。 本発明の実施形態による白色デバイス及び比較例のデバイスの電流密度対電圧のグラフである。

図１は、縮尺は一定ではないが、アノード１０３、カソード１０９、アノードとカソー
ドとの間の発光層１０７及びアノードと発光層との間の正孔輸送層１０５を含む本発明の
実施形態によるＯＬＥＤ１００を示す。デバイス１００は、基板１０１、例えばガラス基
板又はプラスチック基板上に担持されている。

発光層１０７は、パターニングされていなくても、パターニングされて離散的な画素を
形成してもよい。各画素は、サブ画素にさらに分割されてもよい。発光層は、例えばモノ
クロディスプレイ又は他のモノクロデバイスのための単一の発光材料を含んでもよく、あ
るいは、異なる色を発する材料、特に、フルカラーディスプレイのための赤色、緑色及び
青色発光材料を含んでもよい。発光層１０７がパターニングされている場合は、発光層と
同じように正孔輸送層１０５がパターニングされてもよく、又はパターニングされた発光
層１０７が、パターニングされていない正孔輸送層１０５上に形成されてもよい。

正孔輸送層１０５は正孔輸送材料を含む。正孔輸送層は、式（Ｉ）の基を含む第１の材
料と、式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基を含む第２の材料とを反応させることにより形成
される。

正孔輸送層を形成するために、第１及び第２の材料をアノードの上に堆積させる。次に
、式（Ｉ）の基を式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基と反応させる。次に、発光層１０７を
正孔輸送層１０５上に形成させる。

好ましくは、発光層は、溶媒又は溶媒混合物中に溶解又は分散した発光層の１又は複数
の材料の配合物を堆積させ、続いて１又は複数の溶媒を蒸発させることにより形成される
。好ましくは、発光層を形成するために用いられる１又は複数の溶媒により正孔輸送層が
わずかに溶解されるか、又は全く溶解されないように、且つ正孔輸送層の材料と発光層の
１又は複数の材料との間の混合がわずかであるか、又は全くないように、正孔輸送層１０
５を、式（Ｉ）の基と式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基との反応により不溶性にする。好
ましくは、第１の材料及び第２の材料は、反応して架橋された正孔輸送層を形成する。

別の実施形態では、第１の材料は、正孔輸送層１０５を形成するために用いられる唯一
の架橋性材料であり、この場合、正孔輸送層は、式（Ｉ）の基の間の反応により形成され
る。１又は複数の別の層がアノード１０３とカソード１０９との間に設けられてもよい。
別の層は、１又は複数の別の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロッ
キング層及び電子ブロッキング層から選択されてもよい。

好ましいデバイス構造には以下が含まれる：
アノード／正孔輸送層／発光層／カソード
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／カソード
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／カソード。

好ましくは、正孔注入層及び正孔輸送層の両方が存在する。

ＯＬＥＤ１００の発光材料は、蛍光材料、リン光材料又は蛍光材料とリン光材料の混合
物でもよい。発光材料は、ポリマー及び非ポリマーの発光材料から選択されてもよい。例
示的な発光ポリマーは共役ポリマー、例えばポリフェニレン及びポリフルオレンであり、
これらの例は、Ｂｅｒｎｉｕｓ，Ｍ．Ｔ．，Ｉｎｂａｓｅｋａｒａｎ，Ｍ．，Ｏ’Ｂｒｉ
ｅｎ，Ｊ．及びＷｕ，Ｗ．，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｗｉｔｈ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎ
ｇ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ．Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，１２：１７３７−１７５０，２０００に
記載されており、その内容は、参照により本明細書に組み込まれる。発光層１０７は、ホ
スト材料及び蛍光又はリン光発光ドーパントを含んでもよい。例示的なリン光ドーパント
は、第２列又は第３列の遷移金属錯体、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、レニ
ウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金の錯体である。

ＯＬＥＤは白色発光ＯＬＥＤでもよい。白色発光ＯＬＥＤは、単一の白色発光層を含ん
でもよく、又は、組み合わせて白色光を生じる、異なる色を発する２又は複数の層を含ん
でもよい。白色光は、単一の発光層内に与えられるか、あるいは２又は複数の発光層内に
分散される赤色、緑色及び青色発光材料の組み合わせから生じてもよい。好ましい配置に
おいて、デバイスは、赤色発光材料を含む発光層並びに緑色及び青色発光材料を含む発光
層を有する。好ましくは、白色発光ＯＬＥＤのすべての発光材料がリン光である。

白色発光ＯＬＥＤから発せられる光は、２５００〜９０００Ｋの範囲の温度で黒体によ
り発せられる光と同等のＣＩＥ ｘ座標、及び黒体により発せられる前記光のＣＩＥ ｙ
座標の０．０５又は０．０２５以内のＣＩＥ ｙ座標を有してもよく、２７００〜４５０
０Ｋの範囲の温度で黒体により発せられる光と同等のＣＩＥ ｘ座標を有してもよい。

青色発光材料は、４２０〜４９０ｎｍ、より好ましくは４２０〜４８０ｎｍの範囲にピ
ークを持つフォトルミネッセンススペクトルを有してもよい。

緑色発光材料は、４９０ｎｍを超え、最大５８０ｎｍの範囲にピークを持つフォトルミ
ネッセンススペクトルを有してもよく、４９０ｎｍを超え、最大５４０ｎｍの範囲にピー
クを持つフォトルミネッセンススペクトルを有してもよい。

赤色発光材料は、５８０ｎｍを超え、最大６３０ｎｍのそのフォトルミネッセンススペ
クトル内にピークを有してもよく、５８５〜６２５ｎｍのそのフォトルミネッセンススペ
クトル内にピークを有してもよい。

発光層１０７はデバイスの唯一の発光層でもよく、又は光が、デバイスの１又は複数の
別の層から発せられてもよい。デバイスが使用中のとき正孔輸送層１０５及び発光層１０
７が一緒に白色光を発するように、発光ドーパントが正孔輸送層１０５内に与えられても
よい。

別の実施形態（図示せず）では、発光層１０７が、本明細書に記載の組成物の反応によ
り形成されてもよく、この場合、正孔輸送層１０５は存在しても、しなくてもよい。この
実施形態の発光層１０７は、アノードとカソードとの間の唯一の層でもよく、又は例えば
上述の１又は複数の別の層がアノードとカソードとの間に設けられてもよい。

別の実施形態（図示せず）では、第１の材料を架橋することにより形成される電子輸送
層又は電子注入層が発光層１０７とカソード１０９との間に設けられてもよい。第１の材
料は、それ自体と反応させてもよく、あるいは電子輸送層又は電子注入層が、第１の材料
及び第２の材料を含む組成物を反応させることにより形成されてもよい。この実施形態の
デバイスは、アノードとカソードとの間に発光層１０７及び電子輸送層又は電子注入層の
みを含んでもよく、あるいは例えば上述の１又は複数の別の層がアノードとカソードとの
間に設けられてもよい。

式（Ｉ）
式（Ｉ）のノルボルネン基ＮＢは、非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていて
もよい。

Ｓｐ^１は、式−（Ｒ^１１）_ｔ−（式中、ｔは少なくとも１であり、１、２、３、４又は
５でもよく、各Ｒ^１１は：
−アルキルの１又は複数の隣接しないＣ原子が、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲ^２ _２（式中、Ｒ^２は、
各出現時において独立に、置換基、あるいは非置換でも、１又は複数の置換基で置換され
ていてもよいアリール基又はヘテロアリール基である。）で置換されていてもよいＣ_{１−
２０}アルキル；及び
−非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていてもよいアリール又はヘテロアリー
ル
からなる群から独立に選択される。）の基でもよい。

Ｓｐ^１は、１又は複数のノルボルネン基ＮＢで置換されていてもよい。Ｓｐ^１は、分岐
のうちの少なくとも２つがノルボルネン基ＮＢで置換された少なくとも２つの分岐を有す
る分岐鎖基でもよい。

Ｒ^２は、各出現時において独立に、ヒドロカルビル基でもよく、Ｃ_１−２０アルキル、
及び非置換でも、１又は複数のＣ_１−１０アルキル基で置換されていてもよいフェニルか
ら選択されるヒドロカルビル基でもよい。

アリール基又はヘテロアリール基Ｓｐ^１又はＳｐ^１の形成部分は、好ましくは非置換で
も、１又は複数の置換基で置換されていてもよいＣ_６−２０アリール基、好ましくは非置
換でも、１又は複数のＣ_１−１０アルキル基でもよい１又は複数の置換基で置換されてい
てもよいフェニルから選択される。

例示的なスペーサー基Ｓｐ^１には、Ｃ_１−２０アルキル、Ｃ_１−２０アルコキシ、フェ
ニル、フェニル−Ｃ_１−２０アルキル；フェニル−Ｃ_１−２０アルコキシ；ポリエーテル
単位を含む基、例えば式−（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_ｐ−又は−フェニル−（ＯＣ_２Ｈ_５）_ｐ−（式
中、ｐは少なくとも２であり、２〜１０でもよく、フェニルは、非置換であるか、あるい
は１又は複数のＣ_１−２０アルキル基でもよい１又は複数の置換基で置換されている。）
のスペーサー；−（Ｒ^１０）_ｑ−Ｓｉ（Ｒ^２）_２−（Ｒ^１０）_ｑ−（式中、Ｒ^２は上述の
通りであり；Ｒ^１０は、各出現時においてＣ_１−２０ヒドロカルビルであり；ｑは、各出
現時において０又は１である。）が含まれる。Ｒ^１０は、各出現時において、Ｃ_１−２０
アルキル、及び非置換でも、１又は複数のＣ_１−１０アルキル基で置換されていてもよい
フェニルから独立に選択されてもよい。

式（ＩＩａ）及び式（ＩＩｂ）
Ｒ^１は、各出現時において独立に、Ｈ又は置換基である。

ある実施形態において、各Ｒ^１はＨである。

置換基Ｒ^１は、式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基の反応性を高めてもよい。

別の実施形態では、少なくとも１つのＲ^１は置換基である（すなわち、Ｈではない）。
この実施形態によれば、ただ１つのＲ^１が置換基であってもよい。例示的な置換基Ｒ^１は
、以下からなる群から選択されてもよい：
−Ｃ_１−２０アルキル；
−Ｃ_１−２０アルコキシ；
−トリ（ヒドロカルビル）シリル；
−１又は複数のＣ_１−１０アルキル基又はＣ_１−１０アルコキシ基で置換されていても
よいフェニルでもよい１又は複数の置換基で置換されていても、非置換でもよいアリール
又はヘテロアリール。

トリ（ヒドロカルビル）シリルのヒドロカルビルは、Ｃ_１−２０アルキル、及び非置換
でも、１又は複数のＣ_１−１０アルキル基で置換されていてもよいフェニルからなる群か
ら選択されてもよい。

存在する場合、置換基Ｒ^１は、好ましくはＣ_１−１０アルキルから選択される。Ｒ^１は
、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基でもよい。

Ａｒ^１は、非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていてもよいアリール基でもよ
く、Ｃ_６−２０アリール基でもよい。

好ましくは、Ａｒ^１は、非置換でも、１又は複数のＣ_１−１０アルキル基でもよい１又
は複数の置換基で置換されていてもよいフェニルである。

Ｓｐ^２は、各出現時において独立に、上述の基Ｓｐ^１から選択されてもよい。

Ｓｐ^２は、１又は複数の（ヘテロ）アリールシクロブテン基で置換されていてもよい。
Ｓｐ^２は、分岐のうちの少なくとも２つが（ヘテロ）アリールシクロブテン基で置換され
た少なくとも２つの分岐を有する分岐鎖基でもよい。

第１及び第２の材料
式（Ｉ）の基で置換された第１の材料及び式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基で置換され
た第２の材料は、それぞれ独立に、非ポリマー材料、あるいは式（Ｉ）、（ＩＩａ）又は
（ＩＩｂ）の基で置換された繰り返し単位を含むポリマーでもよい。

本明細書において用いられる「非ポリマー材料」は、１の多分散性を有する化合物を意
味し、デンドリマー又はオリゴマーの１の多分散性を有する化合物を含む。オリゴマーは
、限定することなしに、二量体、三量体、四量体又は五量体を含む。好ましくは、非ポリ
マー材料は、約５，０００ダルトン未満の分子量を有する。

非ポリマーの第１の材料は、式（ＩＩＩａ）を有してもよい：

（式中、コア１は、非ポリマーの第１のコア基であり；Ｓｐ^１は、第１のスペーサー基
であり；ｎ１は０又は１であり；ＮＢは、非置換でも、１又は複数の置換基で置換されて
いてもよいノルボルネン基であり；ｎ１が０である場合は、ｍ１は１であり；ｎ１が１で
ある場合は、ｍ１は少なくとも１であり、１、２又は３でもよく；ｐ１は少なくとも１で
あり、１、２、３又は４でもよい）。

非ポリマーの第１の材料は、式（ＩＩＩｂ）：
を有してもよい。

ポリマーの第１の材料は、式（ＩＩＩｃ）：

（式中、ＲＵ１は、第１の繰り返し単位である。）の繰り返し単位を含んでもよい。式
（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位は、０．５〜２５ｍｏｌ％のポリマーの繰り返し単位を生成
してもよく、１〜２０ｍｏｌ％の繰り返し単位を生成してもよい。

式（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位は、式（ＩＩＩｄ）
の繰り返し単位でもよい。

式（ＩＩＩａ）及び式（ＩＩＩｃ）のノルボルネン基ＮＢは、直接又はＳｐ^１を介して
、ノルボルネン基の任意の位置を通じてコア１又はＲＵ１と結合されてもよい。

式（Ｉ）、式（ＩＩＩａ）、式（ＩＩＩｂ）、式（ＩＩＩｃ）又は式（ＩＩＩｄ）のノ
ルボルネン基は、式（ＩＩＩｂ）及び式（ＩＩＩｄ）に示す通り非置換でもよく、あるい
は１又は複数の置換基で置換されていてもよい。例示的な置換基は、１又は複数の隣接し
ないＣ原子が、Ｏ、Ｓ、Ｓ−Ｏ、Ｃ＝Ｏ又はＣＯＯで置換されていてもよいＣ_１−２０ア
ルキル；非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていてもよい、フェニルでもよい芳
香族基；非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていてもよい複素環式芳香族基；ニ
トリル；及びニトロである。Ｃ_１−２０アルキル基は、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル
基でもよい。存在する場合、芳香族基又は複素環式芳香族基の置換基は、Ｃ_１−２０アル
キルから選択されてもよい。

非ポリマーの第２の材料は、式（ＩＶａ）又は式（ＩＶｂ）を有してもよい：

（式中、コア２は、非ポリマーの第２のコア基であり；Ｓｐ^２は、第２のスペーサー基
であり；Ａｒ１は、非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていてもよいアリール基
又はヘテロアリール基であり；Ｒ^１は、各出現時において独立に、Ｈ又は置換基であり；
ｎ２は０又は１であり；ｎ２が０である場合は、ｍ２は１であり；ｎ２が１である場合は
、ｍ２は少なくとも１であり、１、２又は３でもよく；ｐ２は少なくとも１であり、１、
２、３又は４でもよい）。

別の実施形態では、非ポリマーの第２の材料は、式（ＩＩａ）の１又は複数の基及び式
（ＩＩｂ）の１又は複数の基で置換されていてもよい。

ポリマーの第２の材料は、式（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）：

（式中、ＲＵ２は、第２の繰り返し単位である。）の繰り返し単位を含んでもよい。

別の実施形態では、第２の繰り返し単位は、式（ＩＩａ）の１又は複数の基及び式（Ｉ
Ｉｂ）の１又は複数の基で置換されていてもよい。

式（ＩＶａ）及び式（ＩＶｃ）のＡｒ^１は、直接又はＳｐ^２を介して、Ａｒ^１の任意の
位置を通じてコア２又はＲＵ２と結合されてもよい。好ましくは、Ａｒ１は、ベンゾシク
ロブテン環の原子に隣接する環原子を介して結合されない。

式（ＩＩａ）又は式（ＩＩｂ）の１又は複数の基で置換された繰り返し単位、例えば式
（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）の繰り返し単位は、０．５〜２５ｍｏｌ％のポリマーの繰り返
し単位を生成してもよく、１〜２０ｍｏｌ％の繰り返し単位を生成してもよい。

非ポリマー化合物は、式（Ｉ）の少なくとも１つの基（ｐ１は少なくとも１である。）
及び式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の少なくとも１つの基（ｐ２は少なくとも１である。）
、例えば式（ＸＩ）（式中、コア３は、コア１又はコア２に関して本明細書に記載されて
いる任意のコア基から選択されてもよい非ポリマーの第３のコア基である。）の化合物を
含んでもよい：

したがって、本明細書に記載の組成物は、式（Ｉ）の最低１つの基及び式（ＩＩａ）又
は（ＩＩｂ）の少なくとも１つの基で置換された単一の非ポリマー化合物でもよいことを
理解されたい。この場合、第１の材料及び第２の材料は、式（Ｉ）の１又は複数の基及び
式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の１又は複数の基がそれらに置換される同じコア材料である
。

本発明者らは、式（Ｉ）の基がディールス・アルダー型反応において、式（ＩＩａ）又
は（ＩＩｂ）の基と容易に反応することを見出した。いかなる理論によっても制限される
ことは本意ではないが、式（Ｉ）のノルボルネン基の環ひずみが、この基を鎖内の二重結
合基などの二重結合基よりも反応性の高いものにすると考えられる。第１及び第２の材料
が反応して架橋された層を形成する場合、高度に架橋された層が形成されてもよい。本明
細書に記載の組成物は、熱処理及び／又は照射、例えばＵＶ照射により反応させてもよい
。好ましくは、組成物は熱処理により反応させる。好ましくは、熱処理は、１８０℃未満
、より好ましくは１６０℃未満の温度である。熱処理は、少なくとも１３０℃の温度でも
よく、少なくとも１４０℃の温度でもよい。

第１の材料が、ただ１つのノルボルネン基（ｍ１及びｐ１はそれぞれ１である。）を有
する非ポリマー材料であり、第２の材料が、ただ１つの（ヘテロ）アリールシクロブテン
基（ｍ２及びｐ２はそれぞれ１である。）を有する非ポリマー材料である場合は、これら
の材料を反応させて、スキーム１に示すディールス・アルダー付加体を与えてもよい。

スキーム１
第１の非ポリマー材料が２つの式（Ｉ）の基で置換される場合、例えばｍ１＝１及びｐ
１＝２の場合、且つ第２の非ポリマー材料が２つの式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基で置
換される場合、例えばｍ２＝１及びｐ２＝２の場合は、第１及び第２の材料が反応して、
以下の繰り返し構造を有する直鎖状ポリマーを形成してもよい：

第１の非ポリマー材料が、２つを超えるノルボルネン基を含む場合、且つ／又は第２の
非ポリマー材料が、２つを超える（ヘテロ）アリールシクロブテン基で置換される場合は
、第１及び第２の材料が反応して、架橋ポリマーを生成してもよい。

第１及び第２の材料のうちの少なくとも１つがポリマーの繰り返し単位である場合は、
反応は架橋反応でもよい。

スキーム２は、式（ＩＩＩｄ）の繰り返し単位を含む２つのポリマー鎖と、式（ＩＶａ
）（式中、ｍ２は１であり、ｐ２は２である。）の非ポリマー化合物との間の架橋反応を
示すが、ｍ２は１よりも大きくてもよく、且つ／又はｐ２は２よりも大きくてもよく、例
えば３又は４でもよいことを理解されたい：

スキーム２
別の実施形態では、式（ＩＩＩａ）（式中、ｐ１は２以上であり、且つ／又はｍ１は２
以上である。）の非ポリマー化合物を、式（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）の繰り返し単位を含
むポリマーと反応させる。

別の実施形態では、スキーム２の式（ＩＶａ）の非ポリマー化合物は、式（ＩＶｂ）の
非ポリマー化合物で置き換えられている。

スキーム３は、式（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位を含むポリマーと、式（ＩＶｃ）の繰り
返し単位を含むポリマーとの間の架橋反応を示す：

スキーム３
スキーム３の式（ＩＶｃ）の繰り返し単位を含むポリマーは、式（ＩＶｄ）の繰り返し
単位を含むポリマーによって置き換えられてもよいことを理解されたい。

単一のポリマーは、式（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位と式（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）の繰
り返し単位の両方を含んでもよく、この場合、第１及び第２の材料は同じポリマーの繰り
返し単位であり、架橋反応は、そのポリマー鎖間でもよい。したがって、本明細書に記載
の組成物は、式（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位と式（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）の繰り返し単
位の両方を含む単一のポリマーでもよいことを理解されたい。１又は複数の別の架橋材料
、例えば、式（Ｉ）、（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の１又は複数の基を保持する１又は複数
の非ポリマー架橋材料又はポリマー架橋材料が、ポリマーに加えて存在してもよい。

コア基
非ポリマーの第１の材料のコア１は、式（Ｉ）の１又は複数の基のみで置換されていて
もよく、あるいは１又は複数の別の置換基で置換されていてもよい。

非ポリマーの第２の材料のコア２は、式（ＩＩａ）又は式（ＩＩｂ）から選択される１
又は複数の基のみで置換されていてもよく、あるいは、１又は複数の別の置換基で置換さ
れていてもよい。

例示的な別の置換基には、Ｃ_１−４０ヒドロカルビル基、例えばＣ_１−２０アルキル、
非置換のフェニル、及び１又は複数のＣ_１−２０アルキル基で置換されたフェニルが含ま
れる。

コア１及びコア２は、これらが中に存在することになる層の機能に従って選択されても
よい。コア１及びコア２は、正孔輸送基、電子輸送基及び発光基からそれぞれ独立に選択
されてもよい。

好ましくは、コア１及びコア２は、少なくとも１つの芳香族基又は複素環式芳香族基、
より好ましくは少なくとも１つの芳香族基を含む。例示的なコア１基及びコア２基には、
アリーレン基、例えばベンゼン基及びフルオレン基及びアミン基が含まれる。

第１の非ポリマー化合物又は第２の非ポリマー化合物は、式（Ｖ）を有してもよい：

（式中、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、各出現時において、置換又は非置換のアリール
又はヘテロアリールあるいは式（ＩＩａ）（式中、ｎ２＝０；ｇは０、１又は２、好まし
くは０又は１であり；ｃ、ｄ及びｅはそれぞれ独立に１、２又は３である。）の基から独
立に選択され、式中、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４のうちの少なくとも１つは、式（Ｉ）、
（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の少なくとも１つの基で置換され、且つ／又はＡｒ^２及びＡｒ
^４のうちの少なくとも１つは、式（ＩＩａ）（式中、ｎ２＝０）の基である）。

同じＮ原子と直接結合したＡｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^５、及び、存在する場合は、Ａｒ^４か
ら選択される任意の２つの芳香族基又は複素環式芳香族基は、直接結合あるいは二価の結
合原子又は基により結合されてもよい。好ましい二価の結合原子及び基には、Ｏ、Ｓ；置
換されたＮ；及び置換されたＣが含まれる。

好ましくは、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４のそれぞれは独立に、式（Ｉ）、（ＩＩａ）及
び／又は（ＩＩｂ）の基に加えて、非置換でも、１又は複数のＣ_１−２０アルキル基又は
Ｃ_１−２０アルコキシ基でもよい１又は複数の置換基で置換されていてもよいアリール基
である。

好ましくは、Ａｒ^２及びＡｒ^４はそれぞれ独立に、フェニル又は式（ＩＩａ）（式中、
ｎ２＝０）の基である。

ｇ＝１の場合、Ａｒ^３は、好ましくはＣ_６−２０アリール、より好ましくはフェニル又
は多環式芳香族基、例えばナフタレン、ペリレン、アントラセン又はフルオレンである。
Ａｒ^３が多環式芳香族基である場合は、ｄは好ましくは１である。

例示的な非ポリマーの第１及び第２の化合物には、以下に示す化合物（式中、Ｒ^３は、
各出現時において置換基であり、Ｃ_１−２０アルキルでもよく、ｑは０、１、２、３又は
４である。）が含まれる。

繰り返し単位
繰り返し単位ＲＵ１及び／又はＲＵ２を含むポリマーは、好ましくはＲＵ１及び／又は
ＲＵ２並びに１又は複数の共繰り返し単位を含むコポリマーである。共繰り返し単位は、
好ましくは架橋性基を含まない。

好ましくは、ＲＵ１及びＲＵ２は、少なくとも１つの芳香族基又は複素環式芳香族基、
より好ましくは少なくとも１つの芳香族基を含む。好ましくは、繰り返し単位ＲＵ１及び
／又はＲＵ２を含むポリマーは共役ポリマーである。

ＲＵ１及びＲＵ２は、正孔輸送繰り返し単位、電子輸送繰り返し単位及び発光繰り返し
単位から選択されてもよい。

ＲＵ１及びＲＵ２は、これらが中に存在することになる層の機能に従って選択されても
よく、又は必要とされる機能性をもたらす共繰り返し単位と組み合わせて使用されてもよ
い。例えば、正孔輸送層内で使用するための正孔輸送ポリマーは、正孔輸送繰り返し単位
ＲＵ１又はＲＵ２を含んでもよく、あるいは正孔輸送共繰り返し単位を含んでもよい。

共役ポリマーの例示的な繰り返し単位は、アリーレン繰り返し単位、アリーレンビニレ
ン繰り返し単位及びアリールアミン繰り返し単位であり、これらのそれぞれは、共繰り返
し単位、あるいは式（ＩＩＩｃ）、（ＩＩＩｄ）、（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）（式中、Ｒ
Ｕ１又はＲＵ２は、アリーレン、アリーレンビニレン又はアリールアミンである。）の繰
り返し単位でもよい。

アリーレン繰り返し単位の好ましい１つのクラスは、式（ＶＩ）：

（式中、ｗは、各出現時において独立に０、１、２、３又は４であり、１又は２でもよ
く；ｎは１、２又は３であり；Ｒ^７は、各出現時において独立に置換基である。）のフェ
ニレン繰り返し単位などのフェニレン繰り返し単位である。

存在する場合、各Ｒ^７は、以下からなる群から独立に選択されてもよい：
−１又は複数の隣接しないＣ原子が、置換されていてもよいアリール又はヘテロアリー
ル、Ｏ、Ｓ、置換されたＮ、Ｃ＝Ｏあるいは−ＣＯＯ−で置換されていてもよく、１又は
複数のＨ原子がＦで置換されていてもよい、Ｃ_１−２０アルキルでもよいアルキル；
−非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていてもよいアリール基及びヘテロアリ
ール基、好ましくは１又は複数のＣ_１−２０アルキル基で置換されたフェニル；
−それぞれが独立に置換されていてもよいアリール基又はヘテロアリール基、例えば、
式−（Ａｒ^７）_ｒ（式中、各Ａｒ^７は独立にアリール基又はヘテロアリール基であり、ｒ
は少なくとも２である。）の基の直鎖又は分岐鎖、好ましくは、それぞれが非置換でも、
１又は複数のＣ_１−２０アルキル基で置換されていてもよいフェニル基の分岐鎖又は直鎖
；及び
−式（Ｉ）、（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基。

Ｒ^７が、アリール基又はヘテロアリール基、あるいはアリール基又はヘテロアリール基
の直鎖又は分岐鎖を含む場合、その、あるいはそれぞれのアリール基又はヘテロアリール
基は、以下からなる群から選択される１又は複数の置換基Ｒ^８で置換されていてもよい：
１又は複数の隣接しないＣ原子が、Ｏ、Ｓ、置換されたＮ、Ｃ＝Ｏ及び−ＣＯＯ−で置
換されていてもよく、アルキル基の１又は複数のＨ原子が、Ｆで置換されていてもよいア
ルキル、例えばＣ_１−２０アルキル；
ＮＲ^９ _２、ＯＲ^９、ＳＲ^９、ＳｉＲ^９ _３及び
フッ素、ニトロ及びシアノ；
（式中、各Ｒ^９は、アルキル、好ましくはＣ_１−２０アルキル；及びアリール又はヘテ
ロアリール、好ましくは１又は複数のＣ_１−２０アルキル基で置換されていてもよいフェ
ニルからなる群から独立に選択される）。

存在する場合、置換されたＮは、−ＮＲ^６−（式中、Ｒ^６は置換基であり、Ｃ_１−４０
ヒドロカルビル基でもよく、Ｃ_１−２０アルキル基でもよい。）でもよい。

好ましくは、存在する場合、各Ｒ^７は、式（Ｉ）、（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基及び
Ｃ_１−４０ヒドロカルビルから独立に選択される。好ましいＣ_１−４０ヒドロカルビル基
は、Ｃ_１−２０アルキル；非置換の（ｕｎｕｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ）フェニル；１又は
複数のＣ_１−２０アルキル基で置換されたフェニル；及び各フェニルが、非置換でも、１
又は複数の置換基で置換されていてもよいフェニル基の直鎖又は分岐鎖である。

ｎが１である場合は、式（ＶＩ）の例示的な繰り返し単位には以下が含まれる：

特に好ましい式（ＶＩ）の繰り返し単位は式（ＶＩａ）を有する：

式（ＶＩａ）の置換基Ｒ^７は、繰り返し単位の結合位置に隣接し、これが、式（ＶＩａ
）の繰り返し単位と隣接する繰り返し単位との間に立体障害を引き起こし、その結果、式
（ＶＩａ）の繰り返し単位が、１つ又は両方の隣接する繰り返し単位に対して面外にねじ
れてもよい。

ｎが２又は３である例示的な繰り返し単位には以下が含まれる：

好ましい繰り返し単位は式（ＶＩｂ）を有する：

式（ＶＩｂ）の２つのＲ^７基は、これらが結合したフェニル環の間に立体障害を引き起
こし、その結果、２つのフェニル環が互いに対してねじれてもよい。

アリーレン繰り返し単位の別のクラスは、式（ＶＩＩ）の繰り返し単位など、置換され
ていてもよいフルオレン繰り返し単位である：

（式中、Ｒ^８は、各出現時において、同じか、又は異なり、２つの基Ｒ^８が結合されて
環を形成してもよい置換基であり；Ｒ^７は上述の置換基であり；ｄは０、１、２又は３で
ある）。

各Ｒ^８は、以下からなる群から独立に選択されてもよい：
−１又は複数の隣接しないＣ原子が、置換されていてもよいアリール又はヘテロアリー
ル、Ｏ、Ｓ、置換されたＮ、Ｃ＝Ｏあるいは−ＣＯＯ−で置換されていてもよく、１又は
複数のＨ原子がＦで置換されていてもよい、Ｃ_１−２０アルキルでもよいアルキル；
−非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていてもよいアリール基及びヘテロアリ
ール基、好ましくは１又は複数のＣ_１−２０アルキル基で置換されたフェニル；
−それぞれが独立に置換されていてもよいアリール基又はヘテロアリール基、例えば、
式−（Ａｒ^７）_ｒ
（式中、各Ａｒ^７は独立にアリール基又はヘテロアリール基であり、ｒは少なくとも２
であり、２又は３でもよい。）の基の直鎖又は分岐鎖、好ましくは、それぞれが非置換で
も、１又は複数のＣ_１−２０アルキル基で置換されていてもよいフェニル基の分岐鎖又は
直鎖；及び
−式（Ｉ）、（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基。

好ましくは、各Ｒ^８は独立に、式（Ｉ）、（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基あるいはＣ_{１
−４０}ヒドロカルビル基である。好ましいＣ_１−４０ヒドロカルビル基は、Ｃ_１−２０ア
ルキル；非置換の（ｕｎｕｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ）フェニル；１又は複数のＣ_１−２０
アルキル基で置換されたフェニル；及び各フェニルが、非置換でも、１又は複数の置換基
で置換されていてもよいフェニル基の直鎖又は分岐鎖である。

存在する場合、置換されたＮは、−ＮＲ^６−（式中、Ｒ^６は上述の通りである。）でも
よい。

フルオレン繰り返し単位の芳香族炭素原子は、非置換でも、式（ＶＩ）に関して記載さ
れている１又は複数の置換基Ｒ^７で置換されていてもよい。

例示的な置換基Ｒ^７は、１又は複数の隣接しないＣ原子が、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏ及び−ＣＯ
Ｏ−、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、アルコキ
シ、アルキルチオ、フッ素、シアノ及びアリールアルキルで置換されていてもよいアルキ
ル、例えばＣ_１−２０アルキルである。特に好ましい置換基には、Ｃ_１−２０アルキル及
び置換又は非置換のアリール、例えばフェニルが含まれる。アリールの任意選択の置換基
には、１又は複数のＣ_１−２０アルキル基が含まれる。

ポリマー骨格内の隣接する繰り返し単位のアリール基又はヘテロアリール基への、式（
ＶＩＩ）の繰り返し単位の結合度は、（ａ）３位及び／又は６位で繰り返し単位を結合し
て繰り返し単位全体の結合度を制限することにより、且つ／又は（ｂ）隣接する１又は複
数の繰り返し単位とのねじれを生じるために、結合位置に隣接するｉｎ ｏｒ ｍｏｒｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎｓにおいて、繰り返し単位を１又は複数の置換基Ｒ^７で置換すること
により、例えば、３位及び６位のうちの１つ、又は両方にＣ_１−２０アルキル置換基を保
持する２，７−結合されたフルオレンにより制御されてもよい。

式（ＶＩＩ）の繰り返し単位は、２，７−結合された式（ＶＩＩａ）の繰り返し単位で
もよい：

各ｄ＝０の場合、又は任意の置換基Ｒ^７が、式（ＶＩＩａ）の結合する２位又は７位に
隣接する位置に存在しない場合、式（ＶＩＩａ）の繰り返し単位全体に比較的高い結合度
がもたらされることがある。

少なくとも１つのｄが少なくとも１である場合、及び少なくとも１つの置換基Ｒ^７が、
式（ＶＩＩａ）の結合する２位又は７位に隣接する位置に存在する場合、式（ＶＩＩａ）
の繰り返し単位全体に比較的低い結合度がもたらされることがある。各ｄは１でもよく、
式（ＶＩＩａ）の繰り返し単位の３位及び／又は６位が置換基Ｒ^７で置換されて、繰り返
し単位全体に比較的低い結合度がもたらされてもよい。

式（ＶＩＩ）の繰り返し単位は、３，６−結合された式（ＶＩＩｂ）の繰り返し単位で
もよい。

式（ＶＩＩｂ）の繰り返し単位全体の結合度は、対応する式（ＶＩＩａ）の繰り返し単
位と比べて比較的低くてもよい。

別の例示的なアリーレン繰り返し単位は式（ＶＩＩＩ）を有する：

（式中、Ｒ^７、Ｒ^８及びｄは、上述の式（ＶＩ）及び式（ＶＩＩ）に関して記載されて
いる通りである）。Ｒ^７基のいずれかが、その他の任意のＲ^７基と結合されて環を形成し
てもよい。そのように形成された環は、非置換でもよく、１又は複数のＣ_１−２０アルキ
ル基でもよい１又は複数の置換基で置換されていてもよい。

式（ＶＩＩＩ）の繰り返し単位は、式（ＶＩＩＩａ）又は（ＶＩＩＩｂ）を有してもよ
い：

１又は複数の共繰り返し単位は、共役遮断繰り返し単位を含んでもよく、これは、共役
遮断繰り返し単位に隣接する繰り返し単位間にどのような共役経路ももたらさない繰り返
し単位である。

例示的な共役遮断共繰り返し単位には、式（ＩＸ）の共繰り返し単位が含まれる：

（式中：
Ａｒ^４は、各出現時において独立に、非置換でも、１又は複数の置換基で置換されてい
てもよいアリール基又はヘテロアリール基を表し；及び
Ｓｐは、少なくとも１つの炭素原子又はケイ素原子を含むスペーサー基を表す）。

好ましくは、スペーサー基Ｓｐは、Ａｒ^４基を分離する少なくとも１つのｓｐ^３混成炭
素原子を含む。

好ましくは、Ａｒ^４はアリール基であり、Ａｒ^４基は同じでも、異なっていてもよい。
より好ましくは、各Ａｒ^４はフェニルである。

各Ａｒ^４は独立に、非置換でも、１つ、２つ、３つ又は４つの置換基で置換されていて
もよい。１又は複数の置換基は以下から選択されてもよい：
−アルキル基の１又は複数の隣接しないＣ原子が、Ｏ、Ｓ又はＣＯＯ、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^６
又はＳｉＲ^６ _２によって置き換えられてもよく、Ｃ_１−２０アルキル基の１又は複数のＨ
原子がＦによって置き換えられてもよく、式中、Ｒ^６は置換基であり、各出現時において
、Ｃ_１−４０ヒドロカルビル基でもよく、Ｃ_１−２０アルキル基でもよいＣ_１−２０アル
キル；及び
−非置換でも、１又は複数のＣ_１−２０アルキル基で置換されていてもよい、フェニル
でもよいアリール又はヘテロアリール。

Ａｒ^４の好ましい置換基はＣ_１−２０アルキル基であり、これは各出現時において同じ
でも、異なっていてもよい。

例示的な基Ｓｐには、鎖の１又は複数の隣接しないＣ原子が、Ｏ、Ｓ、−ＮＲ^６−、−
ＳｉＲ^６ _２−、−Ｃ（＝Ｏ）−又は−ＣＯＯ−で置換されていてもよく、式中、Ｒ^６が、
各出現時において置換基であり、各出現時においてＣ_１−４０ヒドロカルビル基でもよく
、Ｃ_１−２０アルキル基でもよいＣ_１−２０アルキル鎖が含まれる。好ましくは、Ｓｐは
、２つの基Ａｒ^４の間隔を空ける少なくとも１つのｓｐ３混成炭素原子を含む。

繰り返し単位ＲＵ１及び／又はＲＵ２を含むポリマーは、共繰り返し単位あるいは式（
ＩＩＩｃ）、（ＩＩＩｄ）、（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）の繰り返し単位として、式（Ｘ）
のアリールアミン繰り返し単位を含んでもよい：

（式中、Ａｒ^８、Ａｒ^９及びＡｒ^１０は、各出現時において、置換又は非置換のアリー
ル又はヘテロアリールから独立に選択され、ｇは０、１又は２、好ましくは０又は１であ
り、Ｒ^１３は、各出現時において独立に、Ｈ又は置換基、好ましくは置換基であり、ｃ、
ｄ及びｅはそれぞれ独立に１、２又は３である）。

式（Ｘ）の繰り返し単位は、正孔輸送層又は発光層内で使用するための正孔輸送特性及
び／又は発光層内で使用するための発光特性を持つポリマーを与えてもよい
Ｒ^１３は、ｇが１又は２であるとき、各出現時において同じでも、異なっていてもよい
が、好ましくは、アルキル、例えばＣ_１−２０アルキル、Ａｒ^１１、Ａｒ^１１基の分岐鎖
又は直鎖、あるいは式（Ｉ）、（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）（式中、Ａｒ^１１は、各出現時
において独立に、置換されていてもよいアリール又はヘテロアリールである。）の基から
なる群から選択される。

同じＮ原子と直接結合したＡｒ^８、Ａｒ^９、並びに、存在する場合は、Ａｒ^１０及びＡ
ｒ^１１から選択される任意の２つの芳香族基又は複素環式芳香族基は、直接結合あるいは
二価の結合原子又は基により、別のＡｒ^８、Ａｒ^９、Ａｒ^１０及びＡｒ^１１と結合されて
もよい。好ましい二価の結合原子及び基には、Ｏ、Ｓ；置換されたＮ；及び置換されたＣ
が含まれる。

Ａｒ^８及びＡｒ^１０は、好ましくは非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていて
もよい、Ｃ_６−２０アリール、より好ましくはフェニルである。

ｇ＝０の場合、Ａｒ^９は、好ましくは非置換でも、１又は複数の置換基で置換されてい
てもよい、Ｃ_６−２０アリール、より好ましくはフェニルである。

ｇ＝１の場合、Ａｒ^９は、好ましくは非置換でも、１又は複数の置換基で置換されてい
てもよい、Ｃ_６−２０アリール、より好ましくはフェニル又は多環式芳香族基、例えばナ
フタレン、ペリレン、アントラセン又はフルオレンである
Ｒ^１３は、好ましくはＡｒ^１１あるいはＡｒ^１１基の分岐鎖又は直鎖である。Ａｒ^１１
は、各出現時において、好ましくは非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていても
よいフェニルである。

例示的な基Ｒ^１３には以下が含まれ、これらのそれぞれは、非置換でも、１又は複数の
置換基で置換されていてもよく、式中、＊はＮとの結合点を表す：

ｃ、ｄ及びｅは好ましくはそれぞれ１である。

Ａｒ^８、Ａｒ^９、並びに、存在する場合はＡｒ^１０及びＡｒ^１１はそれぞれ独立に非置
換であるか、あるいは１つ、２つ、３つ又は４つでもよい１又は複数の置換基で置換され
ている。例示的な置換基は以下から選択されてもよい：
−１又は複数の隣接しないＣ原子が、置換されていてもよいアリール又はヘテロアリー
ル（好ましくはフェニル）、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏ又は−ＣＯＯ−で置換されていてもよく、１
又は複数のＨ原子がＦで置換されていてもよい、Ｃ_１−２０アルキルでもよい置換又は非
置換のアルキル；及び
−式（Ｉ）、（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の基。

Ａｒ^８、Ａｒ^９、並びに、存在する場合はＡｒ^１０及びＡｒ^１１の好ましい置換基は、
Ｃ_１−４０ヒドロカルビル、好ましくはＣ_１−２０アルキルあるいは式（Ｉ）、（ＩＩａ
）又は（ＩＩｂ）の基である。

好ましい式（ＩＸ）の繰り返し単位には、式１〜式３の非置換の単位又は置換された単
位が含まれる：

好ましくは、式１の繰り返し単位のＡｒ^８、Ａｒ^１０及びＡｒ^１１はフェニルであり、
Ａｒ^９はフェニル又は多環式芳香族基である。

好ましくは、式２及び式３の繰り返し単位のＡｒ^８、Ａｒ^９及びＡｒ^１１はフェニルで
ある。

好ましくは、式３の繰り返し単位のＡｒ^８及びＡｒ^９はフェニルであり、Ｒ^１３はフェ
ニルあるいはフェニル基の分岐鎖又は直鎖である。

式（Ｘ）の繰り返し単位を含む正孔輸送ポリマーは、式（Ｘ）の繰り返し単位及び１又
は複数の共繰り返し単位を含むホモポリマー又はコポリマーでもよい。

式（Ｘ）の繰り返し単位は、約１０ｍｏｌ％から最大約９５ｍｏｌ％の範囲のモル量で
提供されても、約１０〜７５ｍｏｌ％又は約１０〜５０ｍｏｌ％の範囲のモル量で提供さ
れてもよい。

ポリマーは、１又は２又は複数の異なる式（Ｘ）の繰り返し単位を含んでもよい。

式（ＩＩＩｃ）、式（ＩＩＩｄ）、式（ＩＶｃ）及び式（ＩＶｄ）の例示的なポリマー
の繰り返し単位を以下に示す。

式（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位及び式（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）の繰り返し単位が、同
じポリマーの繰り返し単位である場合は、同じポリマー鎖の架橋性置換基が互いに反応し
ないように、架橋性基を含まない共繰り返し単位が、式（ＩＩＩｃ）の単位と、式（ＩＶ
ｃ）又は（ＩＶｄ）の単位との間に設けられてもよい。式（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位及
び式（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）の繰り返し単位は、当業者に既知の重合法を利用して離し
ておいてもよい。ポリマーが鈴木重合により生成される場合、式（ＩＩＩｃ）の繰り返し
単位及び式（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）の繰り返し単位を生成するためのモノマーが、ハロ
ゲン及びボロン酸又はエステルのうちの１つから選択される反応性の脱離基を含み、１又
は複数の共繰り返し単位が、他のハロゲン及びボロン酸又はエステルから選択される脱離
基を含む場合、式（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位及び式（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）の繰り返
し単位は、非架橋共繰り返し単位により分離されてもよい。

本明細書に記載のポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定される、約１×
１０^３〜１×１０^８、好ましくは１×１０^３〜５×１０^６の範囲のポリスチレン相当の数
平均分子量（Ｍｎ）を適切に有する。本明細書に記載されているポリマーのポリスチレン
相当の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１×１０^３〜１×１０^８、好ましくは１×１０^４〜１
×１０^７でもよい。

本明細書のいずれかの箇所に記載されているポリマーは、適切に非晶性ポリマーである
。

ポリマー合成
共役ポリマーの調製のための好ましい方法は、金属錯体触媒の金属原子がアリール基又
はヘテロアリール基と、モノマーの脱離基との間に挿入される「金属挿入」を含む。例示
的な金属挿入法は、例えば、ＷＯ００／５３６５６に記載されている鈴木重合、及び、例
えば、Ｔ．Ｙａｍａｍｏｔｏ，「Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ａ
ｎｄ Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｓｔａｂｌｅ π−Ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ Ｐｏｌｙ（ａｒ
ｙｌｅｎｅ）ｓ Ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｐｒｏｃｅ
ｓｓｅｓ」，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ １９９３，１
７，１１５３−１２０５に記載されている山本重合である。山本重合の場合、ニッケル錯
体触媒が使用される；鈴木重合の場合、パラジウム錯体触媒が使用される。

例えば、山本重合による直鎖状ポリマーの合成では、２つの反応性ハロゲン基を有する
モノマーが使用される。同様に、鈴木重合の方法によれば、少なくとも１つの反応性基は
、ボロン酸又はボロン酸エステルなどのホウ素誘導体基であり、他の反応性基はハロゲン
である。好ましいハロゲンは塩素、臭素及びヨウ素であり、最も好ましくは臭素である。

したがって、本出願全体にわたって例示される繰り返し単位は、適した脱離基を保持す
るモノマーから誘導されてもよいことを理解されたい。同じく、末端基又は側基は、適切
な脱離基の反応により、ポリマーと結合されてもよい。

鈴木重合を利用して、位置規則性ブロックコポリマー及びランダムコポリマーが調製さ
れてもよい。特に、１つの反応性基がハロゲンであり、他の反応性基がホウ素誘導体基で
あるとき、ホモポリマー又はランダムコポリマーが調製されてもよい。あるいは、第１の
モノマーの両方の反応性基がホウ素であり、第２のモノマーの両方の反応性基がハロゲン
であるとき、ブロックコポリマー又は位置規則性コポリマー、特にＡＢコポリマーが調製
されてもよい。

ハロゲンの代替として、金属挿入に関与することができる他の脱離基には、トシラート
、メシラート及びトリフラートを含む基が含まれる。

正孔注入層
導電性がある正孔注入層は、導電性がある有機材料又は無機材料から形成されてもよい
が、半導体ポリマーの１又は複数の層へのアノードからの正孔注入を助けるために、図１
に示すようにＯＬＥＤのアノード１０３と正孔輸送層１０５との間に設けられてもよい。
ドープされた有機性の正孔注入材料の例には、置換されていてもよい、ドープされたポリ
（エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＴ）、特に、ＥＰ０９０１１７６及びＥＰ０９
４７１２３に開示されているポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）などの電荷平衡ポリ酸を
ドープしたＰＥＤＴ、ポリアクリル酸又はフッ素化スルホン酸、例えばＮａｆｉｏｎ（登
録商標）；ＵＳ５７２３８７３及びＵＳ５７９８１７０に開示されているポリアニリン；
及び置換されていてもよいポリチオフェン又はポリ（チエノチオフェン）が含まれる。導
電性無機材料の例には、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｄ：Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ（１９９６），２９（１１），２７５０−２７５３に開示されているＶＯ
ｘ、ＭｏＯｘ及びＲｕＯｘなどの遷移金属酸化物が含まれる。

カソード
カソード１０９は、ＯＬＥＤの発光層への電子の注入を可能にする仕事関数を有する材
料から選択される。カソードと発光材料の間の不利な相互作用の可能性など、他の要素が
カソードの選択に影響する。カソードは、アルミニウムの層など、単一の材料からなって
いてもよい。あるいは、カソードは、金属などの複数の導電材料、例えばＷＯ９８／１０
６２１に開示されている、例えば、カルシウム及びアルミニウムなどの低仕事関数材料及
び高仕事関数材料の二重層を含んでもよい。カソードは、例えばＷＯ９８／５７３８１、
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００２，８１（４），６３４及びＷＯ０２／８４７５
９に開示されている元素のバリウムを含んでもよい。カソードは、電子注入を助けるため
に、デバイスの有機層と１又は複数の導電性カソード層との間に金属化合物、特にアルカ
リ又はアルカリ土類金属の酸化物又はフッ化物、例えばＷＯ００／４８２５８に開示され
ているフッ化リチウム；Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００１，７９（５），２００
１に開示されているフッ化バリウム；及び酸化バリウムの薄い（例えば、１〜５ｎｍ）層
を含んでもよい。デバイスへの効率的な電子の注入を可能にするため、カソードは、好ま
しくは３．５ｅＶ未満、より好ましくは３．２ｅＶ未満、最も好ましくは３ｅＶ未満の仕
事関数を有する。金属の仕事関数は、例えば、Ｍｉｃｈａｅｌｓｏｎ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．４８（１１），４７２９，１９７７に記載されている。

カソードは不透明でも透明でもよい。透明なカソードは、アクティブマトリックスデバ
イスに特に有利であるが、その理由は、このようなデバイス内の透明なアノードを通る発
光が、発光画素の下に位置する駆動回路により、少なくとも部分的に遮られるためである
。透明なカソードは、透明であるために十分に薄い電子注入材料の層を含む。通常、この
層の横方向の導電率は、その薄さの結果、低くなる。この場合、電子注入材料の層は、イ
ンジウムスズ酸化物など、透明な導電材料のさらに厚い層と組み合わせて使用される。

透明なカソードデバイスは、（もちろん完全に透明なデバイスが望まれていない限り）
透明なアノードを有する必要はなく、したがって、底部発光デバイスのために使用される
透明なアノードは、アルミニウムの層など、反射性材料の層で置き換えられても、補われ
てもよいことを理解されたい。透明なカソードデバイスの例は、例えば、ＧＢ２３４８３
１６に開示されている。

封止
有機光電子デバイスは、水分及び酸素に対して敏感である傾向がある。したがって、基
板は、好ましくは、デバイスへの水分及び酸素の侵入を防ぐための良好なバリア性を有す
る。基板は一般にガラスであるが、特にデバイスの柔軟性が望まれる場合、代替の基板が
使用されてもよい。例えば、基板は、１又は複数のプラスチック層、例えば、プラスチッ
ク層と誘電体バリア層の交互の基板、又は薄いガラスとプラスチックのラミネートを含ん
でもよい。

デバイスは、水分及び酸素の侵入を防ぐために、封止材（図示せず）で封止されてもよ
い。適した封止材には、ガラス板、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、窒化ケイ素、又はポリ
マーと誘電体の交互積層など、適したバリア性を有する膜、あるいは気密容器が含まれる
。透明なカソードデバイスの場合、一酸化ケイ素又は二酸化ケイ素などの透明な封止層は
、ミクロンレベルの厚さまで堆積させてもよいが、１つの好ましい実施形態では、このよ
うな層の厚さは２０〜３００ｎｍの範囲にある。基板又は封止材を透過し得る、大気中の
あらゆる水分及び／又は酸素を吸収するためのゲッター材料が、基板と封止材との間に配
置されてもよい。

配合処理
有機電子デバイスの層、好ましくはＯＬＥＤの層、より好ましくはＯＬＥＤの正孔輸送
層の形成に適した配合物は、本発明の組成物及び１又は複数の適した溶媒から生成されて
もよい。ＯＬＥＤ正孔輸送層の場合、発光層は、本明細書に記載の溶液堆積法により、正
孔輸送層上に形成されてもよい。

配合物は、１又は複数の溶媒中の組成物の溶液でもよく、あるいは１又は複数の成分が
溶解されていない１又は複数の溶媒中の分散物でもよい。好ましくは、配合物は溶液であ
る。

本発明の組成物、特にアルキル置換基を含むポリマーを含む組成物の溶解に適した溶媒
には、１又は複数のＣ_１−１０アルキル基又はＣ_１−１０アルコキシ基で置換されたベン
ゼン、例えばトルエン、キシレン及びメチルアニソールが含まれる。

特に好ましい溶液堆積法には、スピンコーティング及びインクジェット印刷などの印刷
法及びコーティング法が含まれる。

スピンコーティングは、発光層のパターニングが不必要なデバイス−例えば、照明用途
又は単純なモノクロセグメントディスプレイに特に適している。

インクジェット印刷は、高情報量のディスプレイ、特にフルカラーディスプレイに特に
適している。デバイスは、第１の電極の上にパターニングされた層を設け、１色（モノク
ロデバイスの場合。）又は多色（マルチカラー、特にフルカラーデバイスの場合。）の印
刷用のウェルを定めることによってインクジェット印刷されてもよい。パターニングされ
た層は、好ましくは、例えばＥＰ０８８０３０３に記載されているように、パターニング
されてウェルを定めたフォトレジストの層である。正孔輸送層は、本明細書に記載の材料
又は組成物を、パターニングされた層のウェル内にインクジェット印刷し、材料を反応さ
せることにより、好ましくは架橋させることにより形成されてもよい。次に、１又は複数
の発光材料が、正孔輸送層上のウェル内にインクジェット印刷されてもよい。

ウェルの代替として、パターニングされた層内に定められたチャネル内にインクが印刷
されてもよい。特に、フォトレジストがパターニングされて、ウェルとは異なり、複数の
画素の上に延び、チャネル端で開閉されてもよいチャネルが形成されてもよい。

他の溶液堆積法には、浸漬コーティング、フレキソ印刷及びスクリーン印刷が含まれる
。

用途
本明細書に記載の組成物は、１又は複数の層の有機電子デバイスを形成するために用い
られてもよい。好ましくは、本明細書に記載の組成物は、その上に別の層が溶液堆積法に
より形成される架橋された層を形成するために用いられる。

本明細書に記載の組成物及び層形成法は、ＯＬＥＤの電荷輸送層又は発光層；有機光応
答性デバイス、例えば光検出器又は光起電デバイスの半導電層；及び有機薄膜トランジス
タの半導電層又は誘電体層を形成するために用いられてもよい。

有機光応答性デバイスは、アノード、カソード、及びアノードとカソードとの間に本明
細書に記載の組成物から形成される半導電層を含んでもよい。有機半導電層は、電子受容
層、電子供与層、又はアノードとカソードとの間の別の層でもよい。別々の受容層及び供
与層の代わりに、電子受容材料及び電子供与材料のブレンドを含む単層が設けられてもよ
く、この層は、式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）の少なくとも１つの置換基でもよい、式（Ｉ
）の少なくとも１つの置換基で、この層の１又は複数の成分を置換することにより架橋さ
れてもよい。

有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極；ソース電極とドレイン電極と
の間に延び、これらの電極と電気的に接触している有機半導体層；ゲート電極；及び有機
半導電層とゲート電極との間の誘電体層を含んでもよい。

［実施例］
化合物実施例１
非ポリマー化合物実施例１を以下の反応スキームに従って調製した：

段階１
ジエチルエーテル（１２５ｍＬ）中のマグネシウム削片（１０．７７ｇ、０．４５ｍｏ
ｌ）及び１，２−ジブロモエタン（０．５ｍｌ）の溶液に、ブロモベンゼン（４６．４４
ｇ、０．２９５ｍｏｌ）を室温でゆっくりと滴加し、混合物をこの温度でさらに２時間攪
拌した。生じるグリニャール試薬を、無水ＴＨＦ（５００ｍｌ）中の２，７−ジブロモフ
ルレノン（２５ｇ、０．０７４ｍｏｌ）の溶液に０℃で滴加し、反応物をこの温度でさら
に５時間攪拌した。混合物を氷冷水（１００ｍｌ）で急冷してＥｔＯＡｃ（２×３００ｍ
ｌ）で抽出し、合わせた有機抽出液を塩水（５００ｍｌ）で洗い、乾燥（Ｎａ_２ＳＯ_４）
して真空下で濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（２％ＥｔＯＡｃ／ヘキサ
ン）により精製して、段階１生成物（２３ｇ、収率７５％、ＨＰＬＣ純度９７．８％）を
得た。

ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）：４１６（Ｍ^＋），３９９，３３７，２５８，２３９，２２６，
１６７，１５１
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］６．６４（ｓ，１Ｈ
），７．２１−７．２９（ｍ，５Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝１．３２Ｈｚ，２Ｈ），７．
５８（ｄｄ，Ｊ＝１．３２，８．０８Ｈｚ，２Ｈ），７．８３（ｄ，Ｊ＝８．１０Ｈｚ，
２Ｈ）．
段階２
トリフルオロ酢酸（２３０ｍｌ）中のＸＬ１５段階１（２３ｇ、０．０５５ｍｏｌ）の
溶液に、トリエチルシラン（３２．１３ｇ、０．２７６ｍｏｌ）を滴加し、反応混合物を
５０℃で２時間攪拌した。混合物を室温まで徐冷し、トリフルオロ酢酸を真空下で除去し
て、生じる固体をＮａＨＣＯ_３（３００ｍｌ）の水溶液で処理し、ＥｔＯＡｃ（２×３０
０ｍｌ）で抽出し、塩水（３００ｍｌ）で洗い、乾燥（Ｎａ_２ＳＯ_４）して真空下で濃縮
した。固体をメタノール（１００ｍｌ）と共に攪拌し、その後濾過して所望の生成物、段
階２生成物（１９ｇ、収率８６％、ＨＰＬＣ純度９６．９％）を得た。

ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）：４００（Ｍ^＋），３１９，２３９，１６３，１２０
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］５．０２（ｓ，１Ｈ），
７．０５−７．０７（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．３４（ｍ，３Ｈ），７．４３（ｓ，２
Ｈ），７．５１−７．５４（ｍ，２Ｈ），７．６４（ｄ，Ｊ＝８．１２Ｈｚ，２Ｈ）．
段階３
ＴＨＦ：ＡＣＮ（１７５ｍｌ、４：１）中のＸＬ１５段階２（１４ｇ、０．０３５ｍｏ
ｌ）及び５−（５−ｂｒｏｍｏｐｅｎｙｔ−１−イル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−
２−エン（１９．５７ｇ、０．０８０ｍｏｌ）の溶液に、Ａｌｉｑｕａｔ−３３６（０．
７０７ｇ、０．００２ｍｏｌ）、続いてＮａＯＨの水溶液（５６ｍｌ、１０％ｗｔ／ｖｏ
ｌ）を加え、混合物を７０℃で５時間加熱した。室温まで冷却した後、水（１５０ｍｌ）
を加え、混合物をＥｔＯＡｃ（２×２５０ｍｌ）で抽出し、合わせた有機抽出液を乾燥（
Ｎａ_２ＳＯ_４）して真空下で濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（１％Ｅｔ
ＯＡｃ／ヘキサン）により精製して、段階３生成物（１０ｇ、収率５１％、ＨＰＬＣ純度
９７．９％）を得た。

ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）：５６２（Ｍ^＋），４９６，３９９，２３９
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．４２−０．４６（ｍ
，１Ｈ），０．８０−０．９８（ｍ，４Ｈ），１．２２−１．４３（ｍ，５Ｈ），１．７
４−１．９３（ｍ，３Ｈ），２．３７−２．４３（ｍ，２Ｈ），２．６９−２．７５（ｍ
，２Ｈ），５．８４−５．８７（ｍ，１Ｈ），６．０５−６．０９（ｍ，１Ｈ），７．１
１−７．２７（ｍ，７Ｈ），７．２６−７．２７（ｍ，２Ｈ），７．３１−７．３８（ｍ
，２Ｈ）．
化合物実施例１
封管内のエタノール（１６０ｍｌ）中のＸＬ１５段階３（８ｇ、０．０１４ｍｏｌ）、
２−（２，５−ジエチルフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオ
キサボロラン（９．２ｇ、０．０３５ｍｏｌ）、Ｋ_３ＰＯ_４．Ｈ_２Ｏ（９．８ｇ、０．０
４３ｍｏｌ）、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３（０．３８９ｇ、０．０００４ｍｏｌ）及びＸＰｈｏ
ｓ（０．４０６ｇ、０．０００８ｍｏｌ）の混合物をＮ_２で５分間パージし、６０℃で１
２時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、Ｃｅｌｉｔｅプラグに通した；濾液を真
空下で濃縮して褐色固体を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）、続
いて逆相カラムクロマトグラフィー（６％ＴＨＦ：アセトニトリル）により精製して、透
明な粘性のオイルとして化合物実施例１（４．７８ｇ、収率５１％、ＨＰＬＣ純度９９．
４％）を得た。

ＬＣＭＳ（ＡＰＰＩ，ｍ／ｚ）：６６９（Ｍ^＋）
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．４１−０．４４（ｍ
，１Ｈ），０．８７−０．９６（ｍ，４Ｈ），１．０６（ｔ，Ｊ＝７．２０Ｈｚ，３Ｈ）
，１．１７−１．２１（ｍ，４Ｈ），１．２８（ｔ，Ｊ＝７．６０Ｈｚ，３Ｈ），１．３
１−１．３４（ｍ，２Ｈ），１．７９−１．９２（ｍ，２Ｈ），２．４８−２．５３（ｍ
，４Ｈ），２．６５−２．６９（ｍ，４Ｈ），５．８３−５．８５（ｍ，１Ｈ），６．０
５−６．０７（ｍ，１Ｈ），７．１２−７．２９（ｍ，１３Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝８
．００Ｈｚ，２Ｈ），７．８３（ｄ，Ｊ＝７．６０Ｈｚ，２Ｈ）．
本明細書に開示されている他の非ポリマー化合物は、５−（５−ｂｒｏｍｏｐｅｎｙｔ
−１−イル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エンの代わりに、５−ブロモペンテン
、３−ブロモビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン、３−ブロモ−７−
メチルビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン又は３−ブロモ−７メトキ
シビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエンから選択される側鎖を用いて上
述の通り調製することができる。

モノマー実施例１
モノマー実施例１を以下の反応スキームに従って調製した：

窒素下の乾燥ＴＨＦ（２０ｍｌ）中の２，７−ジブロモ−９Ｈ−フルオレン（２ｇ、６
．１７ｍｍｏｌ）の溶液に、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．４ｇ、３０．８６ｍｏ
ｌ）を加え、混合物を７０℃で２時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、乾燥ＴＨ
Ｆ（５ｍｌ）中の５−（３−ブロモプロパ−１−イル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−
２−エン（３．９ｇ、１８．５２ｍｏｌ）を滴加し、次に混合物を７５℃で１６時間攪拌
した。冷却しながら水（５０ｍｌ）を加え、溶液をジクロロメタン（２×５０ｍｌ）で抽
出した。合わせた有機抽出液を水（５０ｍｌ）、塩水（５０ｍｌ）で洗い、乾燥（Ｎａ_２
ＳＯ_４）して減圧下で濃縮し、黄色固体を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（
ヘキサン）により精製して固体を得、これをＭｅＯＨ／ＥｔＯＡｃ（５ｍｌ：３ｍｌ）の
混合物と共に５０℃で３０分間粉砕した。固体を濾過してメタノールで洗い、白色固体と
してモノマー実施例１（１．１６ｇ、収率３２％、ＨＰＬＣによる純度９９．８％）を得
た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．２６−０．３０（ｍ
，２Ｈ），０．５７−０．６３（ｍ，４Ｈ），０．８２−０．８７（ｍ，４Ｈ），１．０
９−１．１９（ｍ，２Ｈ），１．２７−１．２９（ｍ，２Ｈ），１．６４−１．６９（ｍ
，２Ｈ），１．７１−１．７６（ｍ，２Ｈ），１．８６−１．９２（ｍ，４Ｈ），２．５
０（ｍ，２Ｈ，），２．６６（ｍ，２Ｈ），５．７２（ｄｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，５．６Ｈ
ｚ，２Ｈ），６．０３（ｄｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，５．６Ｈｚ，２Ｈ），７．４５−７．４
９（ｍ，４Ｈ），７．５４−７．５６（ｍ，２Ｈ）．
モノマーＢ
モノマーＢを以下の反応スキームに従って調製した：

３−（４−クロロブチル）−７−ネオペンチルビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３
，５−トリエン（Ａ）
窒素下、−７８℃の乾燥ＴＨＦ（４００ｍｌ）中の−７８℃の３−ブロモ−７−ネオペ
ンチルビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン（３３．７ｇ、１２３．８
ｍｍｏｌ、２異性体の混合物としてＧＣ−ＭＳによる純度９３％）の溶液に、内部温度を
−７４℃未満に保つようにｓｅｃ−ブチルリチウムの溶液（１１８ｍｌ、１６４．４ｍｍ
ｏｌ、シクロヘキサン中で１．４Ｍ）を滴加し、反応混合物を−７８℃でさらに１時間攪
拌した。次に、内部温度を−７４℃未満に保つように１−ブロモ−４−クロロブタンの溶
液（１３．５ｍｌ、１１７．７ｍｍｏｌ）を滴加し、混合物を室温まで一晩昇温させた。
次に、この混合物を０℃まで冷却し、２Ｍ ＨＣｌ（１００ｍｌ）を滴加して反応を停止
し、真空下で濃縮した。二相の残留物をヘキサン（３×１２０ｍｌ）で抽出し、合わせた
有機抽出液を水（３×２００ｍｌ）で洗い、乾燥（ＭｇＳＯ_４）して真空下で濃縮乾固し
た。生じるオイルを、シリカプラグ（ヘキサン、ヘキサン：ＤＣＭ ９：１）を用いて精
製し、無色のオイルとして３−（４−クロロブチル）−７−ネオペンチルビシクロ［４．
２．０］オクタ−１，３，５−トリエン（２８ｇ、収率８７％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］１．０（ｓ，９Ｈ），１
．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，１Ｈ），１．７２−１．８４（ｍ，５Ｈ
），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），２．７５（ｄｄ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，１３．
９Ｈｚ，１Ｈ），３．３４（ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，１Ｈ），３．５０（
ｍ，１Ｈ），３．５５（ｔ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，２Ｈ），６．８８（ｓ，１Ｈ），６．９８
（ｍ，２Ｈ）．
３−（４−ヨードブチル）−７−ネオペンチルビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３
，５−トリエン（Ｂ）
アセトン（３００ｍｌ）中の３−（４−クロロブチル）−７−ネオペンチルビシクロ［
４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン（２８．０ｇ、１０５．７ｍｍｏｌ）及びヨ
ウ化ナトリウム（７９．２ｇ、５２８．６ｍｍｏｌ）の混合物を２５時間還流させた。混
合物を室温まで冷却し、水（２５０ｍｌ）を加え、混合物を真空下で濃縮した。二相の残
留物をヘキサン（３×１１０ｍｌ）で抽出し、合わせた有機抽出液を水（５×１００ｍｌ
）で洗い、乾燥（ＭｇＳＯ_４）して真空下で濃縮し、無色のオイルとして３−（４−ヨー
ドブチル）−７−ネオペンチルビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン（
３６．３ｇ、収率９６％、２異性体の混合物としてＨＰＬＣ純度９５．８％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］１．０（ｓ，９Ｈ），１
．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，１Ｈ），１．７１（ｑｕｉｎｔ，２Ｈ）
，１．７７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，１Ｈ），１．８６（ｑｕｉｎｔ，２
Ｈ），２．６０（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），２．７５（ｄｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ，１３
．９Ｈｚ，１Ｈ），３．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ），３．３４（ｄｄ，Ｊ＝５．
２Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，１Ｈ），３．５０（ｍ，１Ｈ），６．８８（ｓ，１Ｈ），６．９
８（ｍ，２Ｈ）．
モノマーＢ段階１
窒素下、−７８℃の乾燥ＴＨＦ（２００ｍｌ）中の１，４−ジブロモ−３，６−（トリ
メチルシリル）ベンゼン（２０．０ｇ、５２．６ｍｍｏｌ）の溶液に、内部温度を−７４
℃未満に保つようにｓｅｃ−ブチルリチウムの溶液４７．８ｍｌ、６８．４ｍｍｏｌ、シ
クロヘキサン中で１．４Ｍ）を滴加した。反応混合物を−７８℃でさらに１時間攪拌した
。次に、内部温度を−７４℃未満に保ちながらＴＨＦ（２０ｍｌ）中の３−（４−ヨード
ブチル）−７−ネオペンチルビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン（１
９．７ｇ、５５．２ｍｍｏｌ）の溶液を滴加し、混合物を室温まで一晩昇温させた。次に
、この混合物を０℃まで冷却し、２Ｍ ＨＣｌ（５０ｍｌ）を滴加して反応を停止し、真
空下で濃縮し、二相の残留物をヘキサン（３×７０ｍｌ）で抽出した。合わせた有機抽出
液を水（３×１００ｍｌ）で洗い、乾燥（ＭｇＳＯ_４）して真空（ｖａｃｃｕｍ）下で濃
縮した。生じるオイルを、シリカプラグ（ヘキサン）を用いて精製し、無色のオイルとし
てモノマーＢ段階１（１８．２ｇ、収率６５％、２異性体の混合物としてＨＰＬＣ純度８
５．８％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．２９（ｓ，９Ｈ），
０．３８（ｓ，９Ｈ），１．０（ｓ，９Ｈ），１．５３−１６．３（ｍ，３Ｈ），１．７
１（ｑｕｉｎｔ，２Ｈ），１．７６（ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，１Ｈ），２
．６３（ｍ，４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，１Ｈ），３．３
３（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，１Ｈ），３．５０（ｍ，１Ｈ），６．８９（
ｓ，１Ｈ），６．９６（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），７．００（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，
１Ｈ），７．２０（ｓ，１Ｈ），７．３５（ｓ，１Ｈ）．
モノマーＢ段階２
窒素下、−７８℃の乾燥ＴＨＦ（２００ｍｌ）中のモノマーＢ段階１（１８．２ｇ、３
４．４ｍｍｏｌ）の溶液に、内部温度を−７４℃未満に保つようにｓｅｃ−ブチルリチウ
ムの溶液（２９．４ｍｌ、４１．２ｍｍｏｌ、シクロヘキサン中で１．４Ｍ）を滴加し、
反応混合物を−７８℃でさらに１時間攪拌した。次に、内部温度を−７４℃未満に保ちな
がらＴＨＦ（２０ｍｌ）中の３−（４−ヨードブチル）−７−ネオペンチルビシクロ［４
．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン（１２．９ｇ、３６．１ｍｍｏｌ）の溶液を滴
加し、混合物を室温まで一晩昇温させた。次に、この混合物を０℃まで冷却し、２Ｍ Ｈ
Ｃｌ（２５ｍｌ）を滴加して反応を停止し、真空下で濃縮し、トルエン（１００ｍｌ）で
希釈した。相を分離して水層を水（５０ｍｌ）で希釈し、トルエン（２×５０ｍｌ）で抽
出した。合わせた有機抽出液を水（３×１００ｍｌ）で洗い、乾燥（ＭｇＳＯ_４）して真
空下で濃縮した。生じる固体をアセトニトリル（２５０ｍｌ）中で３時間攪拌し、濾過し
て真空オーブン内で４０℃で６８時間乾燥し、白色固体としてモノマーＢ段階２（１７．
８ｇ、収率７６％、ＨＰＬＣ純度９５．５％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．２８（ｓ，１８Ｈ）
，１．０（ｓ，１８Ｈ），１．５６（ｄｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），１
．６３（ｍ，４Ｈ），１．７２（ｍ，４Ｈ），１．７６（ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，１３．
９Ｈｚ，２Ｈ），２．６３（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，４Ｈ），２．６７（ｍ，４Ｈ），２．
７５（ｄｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），３．３３（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ
，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），３．４９（ｍ，２Ｈ），６．８９（ｓ，２Ｈ），６．９６（ｄ
，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．００（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．３５（ｓ，２
Ｈ）．
モノマーＢ段階３
窒素下、５℃で遮光したクロロホルム（１８０ｍｌ）中のモノマーＢ段階２（１７．８
ｇ、２６．２ｍｍｏｌ）の溶液に、温度を１０℃未満に保つように酢酸（３２ｍｌ）、続
いてＤＭＦ（７１ｍｌ）を滴加した。混合物を室温まで昇温させ、窒素で３０分間パージ
した。窒素で３０分間パージしたＤＭＦ（３３ｍｌ）中のＮ−ブロモスクシンイミド（９
．６ｇ、５３．７ｍｍｏｌ）の溶液をモノマーＢ段階２の溶液に５℃で滴加し、生じる混
合物を室温まで昇温させ、さらに３時間攪拌した。Ｎ−ブロモスクシンイミドの別の一部
（０．４ｇ、２．２５ｍｍｏｌ）を固体として５℃で加え、反応物を室温で一晩攪拌した
。混合物を１０℃まで冷却し、反応混合物に水（１７０ｍｌ）を加え、相を分離して水層
をＤＣＭ（２×１００ｍｌ）で抽出し、合わせた有機抽出液を水（５×１００ｍｌ）で洗
い、乾燥（ＭｇＳＯ_４）して真空下で濃縮した。生じる固体をアセトニトリル（２５０ｍ
ｌ）中で３時間攪拌し、濾過して真空オーブン内で５０℃で１８時間乾燥し、白色固体と
してモノマーＢ段階３（１６．７ｇ、収率９２％、ＨＰＬＣによる純度９５．６％）を得
た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．９９（ｓ，１８Ｈ）
，１．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），１．６５（ｍ，８Ｈ），１
．７７（ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ
，４Ｈ），２．６７（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，４Ｈ），２．７５（ｄｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ，
１３．９Ｈｚ，２Ｈ），３．３４（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），３．
５０（ｍ，２Ｈ），６．８８（ｓ，２Ｈ），６．９６（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ），７
．００（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．３３（ｓ，２Ｈ）．
モノマーＢ
１，２−ジメトキシエタン（２００ｍｌ）中のモノマーＢ段階３（１６．７ｇ、２４．
１ｍｍｏｌ）及びビス（ピナコラト）ジボロン（１３．５ｇ、５３．０ｍｍｏｌ）の溶液
を窒素で１時間パージし、酢酸カリウム（１４．２ｇ、１４４．７ｍｍｏｌ）を加え、混
合物をさらに２０分間パージした。１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン
パラジウムジクロリド・ジクロロメタン付加物（０．５９ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）を加え
、混合物を１００℃で一晩攪拌した。混合物を室温まで冷却し、シリカ−Ｆｌｏｒｉｓｉ
ｌ−ｃｅｌｉｔｅプラグ（ＤＣＭ：ヘキサン（１：１））に通して濾過して真空下で濃縮
した。生じる残留物をＤＣＭに溶解し、ヘキサンを加え、ＤＣＭを真空下で除去してＤＣ
Ｍ：ヘキサン（１：１）の混合物を得た。溶液をシリカ−Ｆｏｒｉｓｉｌプラグ（ＤＣＭ
：ヘキサン（１：１））に通して濾過し、減圧下で（ｕｎｄｅｒ ｅｄｕｃｅｄ ｐｒｅ
ｓｓｕｒｅ）濃縮乾固した。生じる固体を、トルエン：アセトニトリル、トルエン：ヘキ
サン及びトルエン：アセトニトリル：イソプロパノールから繰り返し再結晶させ、次に、
カラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ＤＣＭ（７：３）〜（６：４））により精製して
生じる固体をトルエンに溶解し、混合物にアセトニトリルを加え、生じるスラリーを濾過
して、白色固体としてモノマーＢ（９．６ｇ、収率５０％、ＨＰＬＣによる純度９９．８
％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．９９（ｓ，１８Ｈ）
，１．３１（ｓ，２４Ｈ），１．５８（ｍ，６Ｈ），１．６６（ｑｕｉｎｔ，４Ｈ），１
．７６（ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），２．５９（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ
，４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），２．８４（ｔ，Ｊ
＝７．９Ｈｚ，４Ｈ），３．３２（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），３．
４８（ｍ，２Ｈ），６．８７（ｓ，２Ｈ），６．９４（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），６
．９９（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｓ，２Ｈ）．
モノマーＣ

モノマーＣ段階１
窒素下、−７８℃の乾燥ＴＨＦ（２００ｍｌ）中の１，４−ジブロモ−３，６−（トリ
メチルシリル）ベンゼン（２４．１ｇ、６３．４ｍｍｏｌ）の溶液に、内部温度を−７４
℃未満に保つようにｓ−ブチルリチウムの溶液（シクロヘキサン中で１．４Ｍ、５４．４
ｍｌ、７６．１ｍｍｏｌ）を滴加し、反応混合物をこの温度でさらに１時間攪拌した。次
に、内部温度を−７４℃未満に保ちながらＴＨＦ（２００ｍｌ）中の６−（１−ヨードペ
ンタ−５−イル）ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン）（２５ｇ、６
６．６ｍｍｏｌ、純度８０％）の溶液を滴加し、混合物を室温まで一晩昇温させた。次に
、この混合物を５℃まで冷却し、２Ｍ ＨＣｌを滴加して反応を停止し、溶媒を減圧下で
除去し、生じる赤色溶液をＤＣＭ（３×１５０ｍｌ）で抽出し、合わせた有機抽出液を水
（２×２５０ｍｌ）で洗い、ＭｇＳＯ_４で乾燥して真空下で濃縮し、赤色のオイルとして
所望の生成物を得た。シリカＦｌｏｒｉｓｉｌプラグ（ヘキサン）を用いて精製し、モノ
マーＣ段階１（１４．４ｇ、収率３８％、ＨＰＬＣ純度８０％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．３２（ｓ，９Ｈ），
０．３９（ｓ，９Ｈ），１．４４−１．５４（４Ｈ），１．６１（ｍ，２Ｈ），１．７２
（ｍ，２Ｈ），２．６６（ｍ，２Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１３．９Ｈｚ
，１Ｈ），３．３３（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，１Ｈ），３．４７（ｍ，１
Ｈ），７．０７（ｍ，２Ｈ），７．１９（ｍ，２Ｈ），７．２４（ｓ，１Ｈ），７．５６
（ｓ，１Ｈ）
モノマーＣ段階２
窒素下、−７８℃の乾燥ＴＨＦ（１５０ｍｌ）中のモノマーＣ段階１（１４．３５ｇ、
２４．２ｍｍｏｌ ＨＰＬＣ純度８０％）の溶液に、内部温度を−７４℃未満に保つよう
にｓｅｃ−ブチルリチウムの溶液（シクロヘキサン中で１．４Ｍ、２０．８ｍｌ、２９．
１ｍｍｏｌ）を滴加し、反応混合物をこの温度でさらに１時間攪拌した。次に、内部温度
を−７４℃未満に保ちながらＴＨＦ（１００ｍｌ）中の６−（１−ヨードペンタ−５−イ
ル）ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン）（９．５４ｇ、２５．４ｍ
ｍｏｌ、ＨＰＬＣ純度８０％）の溶液を滴加し、混合物を室温まで一晩昇温させた。次に
、この混合物を５℃まで冷却し、ＨＣｌ（２Ｍ、１００ｍｌ）を滴加して反応を停止し、
溶媒を減圧下で除去し、生じる溶液をＤＣＭ（３×１５０ｍｌ）で抽出し、合わせた有機
抽出液を水（２×２５０ｍｌ）で洗い、乾燥（ＭｇＳＯ_４）して真空下で濃縮乾固し、赤
色のオイルとして所望の生成物を得た。シリカＦｌｏｒｉｓｉｌプラグ（ヘキサン及び１
０％ＤＣＭ：ヘキサン）を用いて精製し、透明なオイルとしてモノマーＣ段階２（８．２
５ｇ、収率４８％、ＨＰＬＣ純度８０％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．３４（ｓ，１８Ｈ）
，１．４７−１．６２（８Ｈ），１．６５（ｍ，４Ｈ），１．７５（ｍ，４Ｈ），２．７
０（ｂｒｔ，４Ｈ），２．７６（ｄ，Ｊ＝１３．９Ｈｚ，２Ｈ），３．３４（ｄｄ，Ｊ＝
５．１Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），３．４９（ｍ，２Ｈ），７．０９（ｍ，４Ｈ），７
．２０（ｑｕｉｎｔ，４Ｈ），７．３１（ｓ，２Ｈ）
モノマーＣ段階３
窒素下、−０℃で遮光したＣＨＣｌ_３（８０ｍｌ）中のモノマーＣ段階２（８．２５ｇ
、１１．６４ｍｍｏｌ、ＨＰＬＣ純度〜８０％）の溶液に、温度を１０℃未満に保つよう
にＤＭＦ（３３ｍｌ）、続いてＡｃＯＨ（１５ｍｌ）を滴加し、混合物を室温まで昇温さ
せた。温度を２６℃未満に保つようにＤＭＦ（１７ｍｌ）中のＮＢＳ（４．２５ｇ、２９
．８ｍｍｏｌ）の溶液を滴加し、混合物を室温で一晩攪拌させた。ＤＭＦ（２ｍｌ）中の
ＮＢＳ（０．５ｇ、２．８ｍｍｏｌ）の別の一部を滴加し、反応物を室温でさらに５時間
攪拌した。反応混合物に水（８０ｍｌ）を加え、これをＤＣＭ（３×６０ｍｌ）で抽出し
、合わせた有機抽出液を水（３×１００ｍｌ）で洗い、乾燥（ＭｇＳＯ_４）して真空下ま
で濃縮し、オレンジ色のオイルを得た。

ＤＭＦ（８ｍｌ）中のＮＢＳ（２．６５ｇ、１４．８９ｍｍｏｌ）の別の一部を用いて
上述の手順を繰り返し、生じるオイルを、シリカＦｌｏｒｉｓｉｌプラグ（２０％ＤＣＭ
：ヘキサン）を用いて精製し、透明なオイルとしてモノマーＣ段階３（７．９５ｇ、収率
８８％、ＨＰＬＣによる純度７５％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］１．４５（ｍ，４Ｈ），
１．４８−１．５９（４Ｈ），１．６３（ｑｕｉｎｔ，４Ｈ），１．７２（ｍ，４Ｈ），
２．６７（ｂｒｔ，４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），
３．３２（ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），３．４５（ｍ，２Ｈ），７．
０７（ｍ，４Ｈ），７．１８（ｑｕｉｎｔ，４Ｈ），７．４０（ｓ，２Ｈ）
モノマーＣ
１，２−ジメトキシエタンＤＭＥ（１００ｍｌ）中のモノマーＣ段階３（７ｇ、９．０
４ｍｍｏｌ、ＨＰＬＣ純度〜７５％）及びビス（ピナコラト）ジボロン（６．７５ｇ、２
６．５ｍｍｏｌ）の溶液を窒素で１時間パージし、酢酸カリウム（７．１ｇ、７２．４ｍ
ｍｏｌ）を加え、混合物を窒素でさらに２０分間パージし、１，１’−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）フェロセンパラジウムジクロリド・ジクロロメタン付加物（０．３ｇ、０．
３６３ｍｍｏｌ）を加え、混合物を１００℃で一晩攪拌した。濃褐色の溶液を室温まで冷
却し、Ｆｌｏｒｉｓｉｌ−シリカ−ｃｅｌｉｔｅプラグ（ＤＣＭ：ヘキサン（１：１））
に通して濾過し、濃縮乾固した。生じる褐色のオイルを別のプラグ（シリカ−Ｆｌｏｒｉ
ｓｉｌ（ＤＣＭ：ヘキサン１：１））に通して濾過し、透明なオイルを得た。このオイル
は静置すると固化した。生じる固体をトルエン：アセトニトリルから繰り返し再結晶させ
、白色固体としてモノマーＣ（１．１３ｇ、収率１９％、ＨＰＬＣ純度９９．４％）を得
た
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］１．３３（ｓ，２４Ｈ）
，１．４４（ｍ，４Ｈ），１．４６−１．６０（ｍ，８Ｈ），１．７０（ｍ，４Ｈ），２
．７３（ｄｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），２．８３（ｂｒｔ，４Ｈ），３
．３０（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，１３．９Ｈｚ，２Ｈ），３．４５（ｍ，２Ｈ），７．０
５（ｂｒｔ，４Ｈ），７．１７（ｑｕｉｎｔ，４Ｈ），７．５１（ｓ，２Ｈ）
モノマーＥ
モノマーＥを以下の反応スキームに従って調製した：

モノマーＥ段階１
窒素下、室温の乾燥ジエチルエーテル（１０ｍｌ）中のマグネシウム削片（１５．４２
ｇ、６３４ｍｍｏｌ）及びヨウ素（３ペレット）の懸濁液に、穏やかな還流を保つように
乾燥ジエチルエーテル（２９０ｍｌ）中のネオペンチルブロミド（７７ｍｌ、６０１ｍｍ
ｏｌ）の溶液を２時間にわたって滴加し、次に、混合物を１時間還流させ、次に、室温ま
で徐冷した。生じるグリニャール試薬を、乾燥ジエチルエーテル（１０００ｍｌ）中の３
−ブロモビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−７−オン（１００ｇ、
５１０ｍｍｏｌ）の溶液に内部温度を〜０℃に保つように滴加した。反応混合物を室温ま
で一晩昇温させ、次に、この混合物を０℃まで冷却し、希塩酸（３４０ｍｌ、２Ｍ水溶液
）を用いて反応を停止し、室温まで昇温させた。有機相を分離して水（３×１２０ｍｌ）
で洗い、ＭｇＳＯ_４で乾燥し、溶媒を減圧下で除去してオレンジ色のオイル（１３４ｇ）
を得た。オイルをシリカプラグ（ヘキサン：酢酸エチル（９５：５％）を用いて溶離。）
により精製し、オレンジ色のオイルとして、２異性体の混合物として表題化合物（１１１
．１ｇ、０．４０ｍｏｌ、収率７８％、^１Ｈ ＮＭＲによる純度９１．８％）を得た。

ＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ２７０（（Ｂｒ^８１）Ｍ^＋，２％），２６８（（Ｂｒ^７９）Ｍ^＋，
２），２５５（（Ｂｒ^８１）Ｍ^＋−ＯＨ，１１），２５３（（Ｂｒ^７９）Ｍ^＋−ＯＨ，１
１），１９９（（Ｂｒ^８１）Ｍ^＋−ｎｅｏｐｅｎｔｙｌ，１００），１９７（（Ｂｒ^７９
）Ｍ^＋−ｎｅｏｐｅｎｔｙｌ，９９）
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］１．１０（９Ｈ，ｓ），
１．８１（ｄ，Ｊ＝１４．７Ｈｚ，１Ｈ），１．９４（ｄ，Ｊ＝１４．７Ｈｚ，１Ｈ），
３．１６（ｄ，Ｊ＝１４．４Ｈｚ，１Ｈ），３．４８（ｄ，Ｊ＝１４．４Ｈｚ，１Ｈ），
７．０７（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），７．２９（ｓ，１Ｈ），７．３７（ｄ，Ｊ＝７
．６Ｈｚ，１Ｈ），
モノマーＥ段階２
窒素下、０℃のヘキサン（３２５ｍｌ）中のモノマー実施例１段階１（１１１ｇ、３９
５ｍｍｏｌ）及びトリエチルシラン（６７ｍｌ、４１６ｍｍｏｌ）の溶液に、トリフルオ
ロ酢酸（１５９ｍｌ、２０６２ｍｍｏｌ）を１時間にわたって滴加した。反応物を室温ま
で昇温し、２４時間攪拌した。反応混合物を氷：水（２．３Ｌ）の溶液に注ぎ、氷が溶け
るまで１時間攪拌して層を分離した。水性相をヘキサン（５００ｍｌ）で抽出し、合わせ
た有機抽出液を水（３×６００ｍｌ）、酢酸ナトリウム（１０％ｗｔ：ｖｏｌ ５００ｍ
ｌ）、水（３×６００ｍｌ）で洗い、ＭｇＳＯ_４で乾燥し、溶媒を減圧下で除去してオレ
ンジ色のオイル（１５２．７ｇ）を得た。オイルをシリカプラグ（ヘキサンを用いて溶離
。）により精製し、黄色のオイルとして表題化合物（１０３．６４ｇ、３７６ｍｍｏｌ、
^１Ｈ ＮＭＲによる純度９１．８％（２異性体の混合物として。２％のアルケン不純物を
含む。））を得た。

ボラン．ＴＨＦ錯体（１２３ｍｌ、１２３ｍｍｏｌ）の溶液を、乾燥テトラヒドロフラ
ン（１Ｌ）中のモノマー実施例１段階２（１０３．６４ｇ、３７６ｍｍｏｌ）の溶液にゆ
っくりと加え、混合物を５０℃まで１８時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却してジ
グリム（１．３Ｌ）を加え、混合物を０℃まで冷却し、酢酸（６１０ｍｌ）を滴加した（
発泡が観察された）。反応混合物を室温で一晩攪拌し、次に１１０℃まで加熱し、テトラ
ヒドロフランを蒸留除去し、次に混合物を１１０℃でさらに４時間加熱し、その後、この
混合物を室温まで冷却して一晩攪拌した。水（２００ｍｌ）を反応混合物に加え、この混
合物をヘキサン（４×１Ｌ）で抽出し、合わせた有機抽出液を水（６×１Ｌ）で洗ってＭ
ｇＳＯ_４で乾燥し、溶媒を減圧下で除去して、無色のオイルとして表題化合物を得た。オ
イルをシリカプラグ（ヘキサンを用いて溶離。）により精製し、無色のオイルとして表題
化合物（９２．８７ｇ、３４５ｍｍｏｌ、２異性体の混合物として^１Ｈ ＮＭＲによる純
度９３．９％）を得た。

ＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ２５４（（Ｂｒ^８１）Ｍ^＋，３％），２５２（（Ｂｒ^７９）Ｍ^＋，
２），５７（１００）．
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ^Ｈ［ｐｐｍ］０．９９（ｓ，９Ｈ），
１．５５（ｄｄ，Ｊ＝１４．０Ｈｚ，８．８Ｈｚ１Ｈ），１．７５（ｄｄ，Ｊ＝１４．０
Ｈｚ，５．２Ｈｚ，１Ｈ），２．７８（ｄｄ，Ｊ＝１４．２Ｈｚ，２．５Ｈｚ，１Ｈ），
３．３６（ｄｄ，Ｊ＝１４．２Ｈｚ，５．２Ｈｚ，１Ｈ），３．４７（ｄｔｄ，Ｊ＝８．
８Ｈｚ，５．２Ｈｚ，２．５Ｈｚ，１Ｈ），６．９３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７
．１９（ｓ，１Ｈ），７．３２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），
モノマーＥ段階３
窒素下、−７８℃の乾燥テトラヒドロフラン（７０ｍｌ）中のモノマー実施例１段階２
（７．２ｇ、２６．４ｍｍｏｌ）の溶液に、内部温度を−７４℃未満に保つようにｎ−ブ
チルリチウムの溶液（ヘキサン中で２．５Ｍ、１１．０ｍｌ、２７．５ｍｍｏｌ）を滴加
した。反応混合物を２０分間攪拌し、一定分量の反応を水で停止して、ＧＣ−ＭＳ（ＢＣ
ＢＮｐ／ＢｒＢＣＢＮｐ ８０／２０）で分析した。ＢＰメチルエステル（４．３５ｇ、
１１．７ｍｍｏｌ）を、内部温度を−７４℃未満に保つように固体として分割して加えた
。混合物を室温まで一晩でゆっくりと昇温させた；次に、この混合物を５℃まで冷却し、
ＨＣｌ（２Ｍ水溶液）を滴加して反応を停止した。溶媒を減圧下で除去して残留物をヘキ
サンで抽出し、合わせた有機抽出液を水で洗い、ＭｇＳＯ_４で乾燥して減圧下で濃縮乾固
した。未精製のモノマーＥ段階３をさらに精製することなく次のステップで使用した。

モノマーＥ
窒素下、０℃の乾燥ジクロロメタン（４０ｍｌ）中のモノマー実施例１段階３（９．１
９ｇ、１３．４ｍｍｏｌ）の溶液に、内部温度を５℃未満に保つようにホウ素トリフルオ
リドジエチルエーテルの溶液（８．２３ｍｌ、６６．９ｍｍｏｌ）を滴加した。反応混合
物を室温まで昇温させ、一晩攪拌し、次に、氷：水（２００ｍｌ）の溶液に注意深く注い
だ。氷が溶けた後、相を分離して水性相をジクロロメタンで抽出し、合わせた有機抽出液
を第三リン酸カリウム溶液の水溶液（１０％ｗｔ：ｖｏｌ、４０ｍｌ）と共に３０分間攪
拌した。有機相を分離して水（５０ｍｌ×３）で洗い、ＭｇＳＯ_４で乾燥して濾過し、Ｉ
ｓｏｌｕｔｅ（登録商標）に吸着させた。乾燥したＩｓｏｌｕｔｅ（登録商標）をシリカ
／Ｆｌｏｒｉｓｉｌ（登録商標）プラグに負荷させ、ヘキサン：ジクロロメタン（９：１
及び６：４）の混合物で溶離して、分画１としてモノマー実施例１及びモノマー実施例１
段階３及び分画２を得た。

窒素下、０℃の乾燥ジクロロメタン（１２ｍｌ）中の分画２（３．０ｇ、４．３ｍｍｏ
ｌ）の溶液に、内部温度を５℃未満に保つようにホウ素トリフルオリドジエチルエーテル
の溶液（２．８ｍｌ、２２．８ｍｍｏｌ）を滴加した。反応混合物を室温まで昇温させ、
一晩攪拌し、次に、氷：水（５０ｍｌ）の溶液に注意深く注いだ。氷が溶けた後、相を分
離して水性相をジクロロメタンで抽出した、合わせた有機抽出液を第三リン酸カリウム溶
液の水溶液（１０％ｗｔ：ｖｏｌ、１０ｍｌ）と共に３０分間攪拌した。有機相を分離し
て水（２０ｍｌ×３）で洗い、ＭｇＳＯ_４で乾燥して濾過し、Ｉｓｏｌｕｔｅ（登録商標
）に吸着させた。乾燥したＩｓｏｌｕｔｅ（登録商標）をシリカ／Ｆｌｏｒｉｓｉｌ（登
録商標）プラグに負荷させ、ヘキサン：ジクロロメタン（９：１）の混合物で溶離した。
モノマー実施例１を含む分画を合わせて減圧乾固して減量し、分画１と合わせた。

生じる固体を酢酸ｎ−ブチル：メタノール、続いてトルエン：メタノールから順次再結
晶させ、白色固体としてモノマーＥ（１．９３ｇ、収率２２％、２異性体の混合物として
ＨＰＬＣによる純度１００％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ_Ｈ［ｐｐｍ］０．９７（ｓ，１８Ｈ）
．１．５６（ｄｄ，Ｊ＝１４．０Ｈｚ，８．７Ｈｚ，２Ｈ），１．７５（ｄｄ，Ｊ＝１４
．０Ｈｚ，５．３Ｈｚ，２Ｈ），２．７１（ｄｄ，Ｊ＝１４．２Ｈｚ，２．３Ｈｚ，２Ｈ
），３．２８（ｄｄ，Ｊ＝１４．２Ｈｚ，５．２Ｈｚ，２Ｈ），３．４８（ｍ，２Ｈ），
６．７９（ｓ，２Ｈ），６．９２（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），６．９８（ｄｄ，Ｊ＝
７．８Ｈｚ，０．９６Ｈｚ，２Ｈ），７．４５（ｄｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１．６Ｈｚ，２
Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝１．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）
ポリマー実施例
表１に記載のモノマーのポリマーを、ＷＯ００／５３６５６に記載の鈴木重合により調
製した。

非ポリマー化合物反応実施例１
以下に示す１７．７ｍｇの化合物実施例１及び１８．０ｍｇのＢＣＢ化合物１を秤量し
てガラスディスクに入れた。ガラスディスクを空気中で８０℃まで加熱すると、両方の化
合物が溶けた。次に、ガラスディスクをグローブボックス（Ｏ_２＜０．１ｐｐｍ）内で１
７５℃まで加熱し、マグネチックスターラーバーを用いて混合物を２時間攪拌した。

得られた混合物を溶解し、ＨＰＬＣ及びＬＣ−ＭＳにより分析した。ディールス・アル
ダー生成物に対応するこれらのピークを１００％に規格化した。

非ポリマー化合物反応比較例１
実施例１に記載されているように反応を実施した。ただし、化合物実施例１の代わりに
、以下に示す１６．９ｍｇの比較例化合物１を使用したことを除く。

図２のＨＰＬＣトレースを参照すると、実施例１（実線）の反応により生成された混合
物は、比較例１（点線）の反応により生成された混合物よりも大幅に少ない出発材料を含
む。いかなる理論によっても制限されることは本意ではないが、これは、比較例化合物１
と比べて、化合物実施例１のより高い反応性によると考えられる。

比較例１の生成混合物中に観察される約２．５〜３分の間の保持時間を有するピークは
、ＢＣＢ化合物１がそれ自体と反応して二量体を生成する副反応による。ごくわずかなこ
のような二量体生成は、実施例１の生成混合物において観察される。やはり、いかなる理
論によっても制限されることは本意ではないが、化合物実施例１の高い反応性が、化合物
実施例１とＢＣＢ化合物１との間の反応を、ＢＣＢ化合物１の競争的な二量化反応よりも
はるかに有利にすると考えられる。

ポリマー反応実施例
Ｎｉｓｓａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓから入手できる正孔注入材料
をガラス基板上にスピンコーティングすることにより、３５ｎｍの正孔注入層を形成し、
アニーリングした。

正孔注入層上にスピンコーティングすることにより、上表１のポリマーの２２ｎｍの層
を形成し、１２０℃から２３０℃の間の温度まで１時間加熱した。

次に、ポリマー層をオルトキシレン溶媒中に５分間浸漬した。

オルトキシレンへの浸漬前後の３７６ｎｍにおけるＵＶ−可視吸収スペクトルを比較す
ることにより、浸漬時に溶解したポリマーの量を求めた。

図３を参照すると、ノルボルネン基を含むポリマー実施例１の架橋は、いずれも非環状
二重結合基を含む比較例のポリマー１又は比較例のポリマー２の架橋よりも、著しく溶け
にくい材料を生じる。

デバイス実施例
以下の構造を有する青色有機発光デバイスを調製した：ＩＴＯ／ＨＩＬ（３５ｎｍ）／
ＨＴＬ（２２ｎｍ）／ＬＥ（６５ｎｍ）／カソード（ここで、ＩＴＯはインジウム・スズ
酸化物アノードであり；ＨＩＬは正孔注入層であり；ＨＴＬは正孔輸送層であり；ＬＥは
発光層であり；カソードは、発光層と接触したフッ化ナトリウムの層及び銀の層及びアル
ミニウムの層を含む）。

デバイスを形成するために、ＵＶ／オゾンを用いて、ＩＴＯを保持する基板を清浄にし
た。Ｎｉｓｓａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓから入手できる正孔注入材
料の水性配合物をスピンコーティングすることにより、正孔注入層を形成し、得られた層
を加熱した。表１のポリマーをスピンコーティングし、加熱してポリマーを架橋すること
により、正孔輸送層を形成した。式（ＶＩＩ）、式（ＶＩＩＩ）及び式（Ｘ）の繰り返し
単位を含む青色発光ポリマーの組成物をスピンコーティングすることにより、発光層を形
成した。フッ化ナトリウムの第１の層を約２ｎｍの厚さまで、アルミニウムの第２の層を
約１００ｎｍの厚さまで、銀の第３の層を約１００ｎｍの厚さまで蒸発させることにより
、カソードを形成した。

正孔輸送層を１６０℃で１時間アニーリングした。ただし、１７０℃で１時間アニーリ
ングした比較例のポリマー２を除く。

図４を参照すると、異なる正孔輸送層を用いたスペクトルは非常に似ている。

図５を参照すると、所与の電圧における電流密度は、異なるデバイスにおいて同等であ
る。１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度を得るのに必要な電圧は、すべての場合において３．７
Ｖであった。

図６を参照すると、デバイスの輝度対電圧のトレースは非常に似ている。１０００ｃｄ
／ｍ^２の光度を得るのに必要な電圧は、すべての場合において３．７Ｖであった。

図７を参照すると、ポリマー実施例１、２又は３を含むデバイスの外部量子効率は、比
較例のポリマー１又は２を含むデバイスの外部量子効率よりも高い。

デバイスのＴｎ寿命を表２に示す。ここで、Ｔｎは、定電流下において、寿命が初期輝
度のｎ％まで短くなるのにかかる時間である。

ノルボルネン架橋繰り返し単位を含むポリマー実施例１を含むデバイスのＴ９５寿命、
Ｔ９０寿命及びＴ８０寿命は、ポリマー実施例１のノルボルネン基が非環状二重結合基で
置き換えられている比較例のポリマー２を含むデバイスの寿命よりも長い。

白色デバイス実施例
以下の構造を有する白色有機発光デバイスを調製した：
ＩＴＯ／ＨＩＬ／ＬＥ（Ｒ）／ＬＥ（Ｇ、Ｂ）／ＥＴＬ／カソード
（ここで、ＩＴＯはインジウム・スズ酸化物アノードであり；ＨＩＬは正孔注入層であ
り；ＬＥ（Ｒ）は赤色発光層であり；ＬＥ（Ｇ、Ｂ）は緑色及び青色発光層であり；ＥＴ
Ｌは電子輸送層であり；カソードは、発光層と接触したフッ化ナトリウムの層、アルミニ
ウムの層及び銀の層を含む）。

デバイスを形成するために、ＵＶ／オゾンを用いて、ＩＴＯを保持する基板を清浄にし
た。Ｎｉｓｓａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓから入手できる正孔注入材
料ＮＤ３２０２の水性配合物を約３５ｎｍの厚さにスピンコーティングし、得られた層を
加熱することにより正孔注入層を形成した。表３のポリマーを約２０ｎｍの厚さにスピン
コーティングし、表３に記載の温度まで加熱してポリマーを架橋することにより、赤色発
光層を形成した。ホスト１、緑色リン光発光体１及び青色リン光発光体１の組成物を約７
５ｎｍの厚さにスピンコーティングすることにより、緑色及び青色発光層を形成した。Ｗ
Ｏ２０１２／１３３２２９に記載の電子輸送単位１のセシウム塩を含むポリマーを１０ｎ
ｍの厚さにスピンコーティングすることにより、電子輸送層を形成した。フッ化ナトリウ
ムの第１の層を約２ｎｍの厚さまで、アルミニウムの第２の層を約１００ｎｍの厚さまで
、銀の第３の層を約１００ｎｍの厚さまで蒸発させることにより、カソードを形成した。

表３
図８及び図９を参照すると、デバイス実施例４Ａの外部量子効率及び電流密度は、デバ
イス実施例４の外部量子効率及び電流密度よりもはるかに劣る。デバイス実施例４と同等
の効率及び電流密度は、比較例のポリマー４を著しく高い温度で加熱することによっての
み得られる。

特定の例示的な実施形態に関して本発明が説明されてきたが、以下の特許請求の範囲に
記載の本発明の範囲から逸脱しない、本明細書に開示されている特徴の様々な改変、変形
及び／又は組み合わせが当業者には明らかになるであろうことを理解されたい。

Claims (19)

1. 式（Ｉ）の少なくとも１つの基で置換された第１の材料、並びに式（ＩＩａ）及び式（
   ＩＩｂ）の群から選択される少なくとも１つの基で置換された第２の材料を含む組成物で
   あって：
   

   

   式中：
   Ｓｐ^１は、第１のスペーサー基を表し；
   ＮＢは、各出現時において独立に、非置換でも、１又は複数の置換基で置換されていて
   もよいノルボルネン基であり；
   ｎ１は０又は１であり；
   ｎ１が０である場合、ｍ１は１であり、ｎ１が１である場合、ｍ１は少なくとも１であ
   り；
   Ｓｐ^２は、第２のスペーサー基を表し；
   ｎ２は０又は１であり；
   ｎ２が０である場合、ｍ２は１であり、ｎ２が１である場合、ｍ２は少なくとも１であ
   り；
   Ａｒ^１は、各出現時において独立に、非置換でも、１又は複数の置換基で置換されてい
   てもよいアリール基又はヘテロアリール基を表し；
   Ｒ^１は、各出現時において独立に、Ｈ又は置換基であり；及び
   ＊は、前記第１又は第２の材料との結合点を表す、組成物。
2. 式（Ｉ）の置換基が式（Ｉａ）：
   を有する請求項１に記載の組成物。
   

   
3. ｎ１が１であり、Ｓｐ１がＣ１−２０アルキル基である請求項１又は２に記載の組成物
   。
4. ｎ２が１であり、Ｓｐ２がＣ１−２０アルキル基である請求項１から３のいずれか一項
   に記載の組成物。
5. 少なくとも１つのＲ^１がＨではない請求項１から４のいずれか一項に記載の組成物。
6. Ａｒ^１が非置換又は置換フェニルである請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物
   。
7. 前記第１及び第２の材料のうちの少なくとも１つが非ポリマー材料である請求項１から
   ６のいずれか一項に記載の組成物。
8. 前記第１及び第２の材料の両方が非ポリマー材料である請求項７に記載の組成物。
9. 前記第１の材料及び前記第２の材料のうちの少なくとも１つがポリマーの繰り返し単位
   である請求項１から６のいずれか一項に記載の組成物。
10. 前記第１の材料が、式（ＩＩＩｃ）：
    

    

    （式中、ＲＵ１は、第１のポリマー骨格繰り返し基であり、ｐ１は少なくとも１である
    。）の第１の繰り返し単位である請求項９に記載の組成物。
11. ＲＵ１が非置換又は置換アリーレン基である請求項１０に記載の組成物。
12. 前記第２の材料が、式（ＩＶｃ）又は（ＩＶｄ）：
    

    

    （式中、ＲＵ２は、第２のポリマー骨格繰り返し基であり、ｐ２は少なくとも１である
    。）の第２の繰り返し単位である請求項９から１１のいずれか一項に記載の組成物。
13. ＲＵ２が非置換又は置換アリーレン基である請求項１２に記載の組成物。
14. 前記第１及び第２の材料が、同じポリマーの第１及び第２の繰り返し単位である請求項
    ９から１３のいずれか一項に記載の組成物。
15. 請求項１から１４のいずれか一項に記載の組成物を反応させるステップを含む、有機電
    子デバイスの層を形成する方法。
16. 前記反応が２００℃未満の温度で起こる請求項１５に記載の方法。
17. 前記有機電子デバイスが有機発光デバイスである請求項１５又は１６に記載の方法。
18. 前記層が、前記有機発光デバイスのアノードと発光層との間に設けられた正孔輸送層で
    ある請求項１７に記載の方法。
19. 前記発光層が、発光材料及び１又は複数の溶媒を含む配合物を前記正孔輸送層上に堆積
    させ、前記１又は複数の溶媒を蒸発させることにより形成される請求項１８に記載の方法
    。

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