JP2021010236A - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電気的接続に要するスペースの増大又は浮遊インダクタンスの増大を抑制することが可能な電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換装置は、パワーモジュールと、コンデンサユニット２３と、第１接続部８０ａとを備える。第１接続部８０ａは、パワーモジュールの第１電力変換回路部３１とコンデンサユニット２３とを接続する。第１接続部８０ａは、第１モジュールケース６１に沿って延びる第１正極バスバー延伸部８３及び第２正極バスバー延伸部９３と、Ｚ軸方向に延びる第１正極バスバー延出部８５及び第２正極バスバー延出部９５とを備える。第１接続部８０ａは、第１モジュールケース６１に沿って延びる第１負極バスバー延伸部８４及び第２負極バスバー延伸部９４と、Ｚ軸方向に延びる第１負極バスバー延出部８６及び第２負極バスバー延出部９６とを備える。【選択図】図３

Description

本発明は、電力変換装置に関する。
従来、所定方向に積層して配置された複数の半導体モジュールを備える半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置の各半導体モジュールは、２つの半導体素子と、２つの半導体素子の各表面に平行な方向に向かって引き出された３つのバスバー（２つの電源接続端子用のバスバー及び出力端子用のバスバー）とを備える。
特開２０１２−２３５０８１号公報
ところで、上記従来技術に係る半導体装置において、各半導体モジュールの電源接続端子用のバスバー（正極側バスバー及び負極側バスバー）が外部のコンデンサ及び電源に接続されると、コンデンサ及び半導体素子による回路が形成される。この回路においては、浮遊インダクタンスを低減することによって、半導体素子のスイッチング動作に伴うサージ電圧を小さくすることが望まれている。
しかしながら、上記従来技術の半導体装置のように、複数の正極側バスバー及び負極側バスバーが所定方向に配列された状態で装置の外部に引き出されている場合、浮遊インダクタンスを低減するために必要となる配線が複雑になるとともに、電気的接続に要するスペースが大きくなるという問題が生じる。また、複数の正極側バスバー及び負極側バスバーを溶接などによって接続する場合、各バスバーの絶縁部材が熱によって劣化又は損傷するおそれがある。
本発明は、電気的接続に要するスペースの増大又は浮遊インダクタンスの増大を抑制することが可能な電力変換装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決して係る目的を達成するために、本発明は以下の態様を採用した。
（１）本発明の一態様に係る電力変換装置（例えば、実施形態での電力変換装置１）は、半導体モジュール（例えば、実施形態でのパワーモジュール２１）と、前記半導体モジュールと電気的に接続されるコンデンサ（例えば、実施形態でのコンデンサユニット２３）と、前記半導体モジュールと前記コンデンサとを接続する、相互に異なる極性の第１導電体（例えば、実施形態での各正極バスバーＰＩ，ＰＶ，５０ｐ、正極バスバー湾曲部８１、各正極バスバー延伸部８３，９３、各正極バスバー延出部８５，９５及び正極バスバー引出部９１）及び第２導電体（例えば、実施形態での各負極バスバーＮＩ，ＮＶ，５０ｎ、負極バスバー湾曲部８２、各負極バスバー延伸部８４，９４、各負極バスバー延出部８６，９６及び負極バスバー引出部９２）と、を備え、前記第１導電体は、第１の方向（例えば、実施形態でのＸ軸方向又はＹ軸方向）に延びる第１部位（例えば、実施形態での第１正極バスバー延伸部８３）と、第２の方向（例えば、実施形態でのＸ軸方向又はＹ軸方向）に延びる第２部位（例えば、実施形態での第２正極バスバー延伸部９３）と、前記第１の方向及び前記第２の方向に交差する方向で、前記第１部位から離れる方向（例えば、実施形態でのＺ軸方向正方向）に延びる第１延出部（例えば、実施形態での第１正極バスバー延出部８５）と、前記第１の方向及び前記第２の方向に交差する方向で、前記第１延出部から前記第２部位に近付く方向（例えば、実施形態でのＺ軸方向負方向）に延びて前記第２部位に接続される第２延出部（例えば、実施形態での第２正極バスバー延出部９５）と、を備え、前記第２導電体は、前記第１部位と向かい合った状態で前記第１の方向に相対的に前記第１部位よりも短く延びる第３部位（例えば、実施形態での第１負極バスバー延伸部８４）と、前記第１部位又は前記第２部位と向かい合った状態で前記第２の方向に延びる第４部位（例えば、実施形態での第２負極バスバー延伸部９４）と、前記第１の方向及び前記第２の方向に交差する方向で、前記第３部位から離れる方向（例えば、実施形態でのＺ軸方向正方向）に延びる第３延出部（例えば、実施形態での第１負極バスバー延出部８６）と、前記第１の方向及び前記第２の方向に交差する方向で、前記第３延出部から前記第４部位に近付く方向（例えば、実施形態でのＺ軸方向負方向）に延びて前記第４部位に接続される第４延出部（例えば、実施形態での第２負極バスバー延出部９６）と、を備える。
（２）上記（１）に記載の電力変換装置では、前記第１の方向及び前記第２の方向は、同一平面（例えば、実施形態でのＸ−Ｚ平面）内に含まれる。
（３）上記（１）又は（２）に記載の電力変換装置では、前記第１延出部及び前記第２延出部の各々の外形は板状であり、前記第１延出部の主面（例えば、実施形態での表面８５Ａ）と前記第２延出部の主面（例えば、実施形態での表面９５Ａ）とは互いに向かい合っていてもよい。
（４）上記（３）に記載の電力変換装置では、前記第１延出部及び前記第２延出部の各々の前記主面は、前記半導体モジュールの配置面（例えば、実施形態での各搭載面７１Ｃ，７１Ｄ）に交差する方向（例えば、実施形態でのＺ軸方向）と平行に配置されてもよい。
（５）上記（１）又は（２）に記載の電力変換装置では、前記第３延出部及び前記第４延出部の各々の外形は板状であり、前記第３延出部の主面（例えば、実施形態での表面８６Ａ）と前記第４延出部の主面（例えば、実施形態での表面９６Ａ）とは互いに向かい合ってもよい。
（６）上記（５）に記載の電力変換装置では、前記第３延出部及び前記第４延出部の各々の前記主面は、前記半導体モジュールの配置面（例えば、実施形態での各搭載面７１Ｃ，７１Ｄ）に交差する方向（例えば、実施形態でのＺ軸方向）と平行に配置されてもよい。
（７）上記（１）に記載の電力変換装置は、前記第１導電体及び前記第２導電体の各々は、表面を覆う絶縁材（例えば、実施形態での各絶縁被膜８１ｂ，８２ｂ，８３ｂ，８４ｂ，９１ｂ，９２ｂ，９３ｂ，９４ｂ）を備え、前記第１延出部及び前記第２延出部の各々は、前記絶縁材から露出する露出部（例えば、実施形態での各正極バスバー露出部８５ａ，９５ａ）を備えてもよい。
（８）上記（１）に記載の電力変換装置は、前記第１導電体及び前記第２導電体の各々は、表面を覆う絶縁材（例えば、実施形態での各絶縁被膜８１ｂ，８２ｂ，８３ｂ，８４ｂ，９１ｂ，９２ｂ，９３ｂ，９４ｂ）を備え、前記第３延出部及び前記第４延出部の各々は、前記絶縁材から露出する露出部（例えば、実施形態での各負極バスバー露出部８６ａ，９６ａ）を備えてもよい。
（９）上記（１）に記載の電力変換装置では、前記半導体モジュールと前記コンデンサとは、前記第１の方向に直交する方向（例えば、実施形態でのＹ軸方向又はＸ軸方向）に離れて配置され、前記第１部位、前記第２部位、前記第３部位及び前記第４部位は、前記半導体モジュールと前記コンデンサとの間に配置されてもよい。
（１０）上記（１）に記載の電力変換装置では、前記第１部位、前記第２部位、前記第３部位及び前記第４部位の各々の外形は板状であり、前記第１部位、前記第２部位、前記第３部位及び前記第４部位の各々の主面（例えば、実施形態での各表面８３Ａ，８３Ｂ，８４Ａ，８４Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ，９４Ａ，９４Ｂ）は、前記半導体モジュールの配置面に交差する方向と平行に配置されてもよい。
上記（１）によれば、正極及び負極の組み合わせによる第１導電体及び第２導電体において、第１部位及び第２部位と第３部位及び第４部位とは互いに向かい合って第１の方向及び第２の方向に延びる。これにより、第１導電体及び第２導電体の配置に要するスペースの増大を抑制することができる。また、互いの電流の流れる向きが逆方向となる場合には、相互の磁束の弱め合う作用によって浮遊インダクタンスの増大を抑制することができる。
上記（２）の場合、第１部位及び第２部位と第３部位及び第４部位とにおいて、電気的接続に要するスペースの増大及び浮遊インダクタンスの増大を抑制することができる。
上記（３）の場合、第１導電体における第１延出部及び第２延出部の互いの主面は向かい合っているので、第１延出部及び第２延出部を容易に接合することができるとともに、電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。また、互いの電流の流れる向きが逆方向になる場合には、相互の磁束の弱め合う作用によって浮遊インダクタンスの増大を抑制することができる。
上記（４）の場合、例えば第１延出部及び第２延出部の各々の主面が半導体モジュールの配置面と平行に配置される場合などに比べて、半導体モジュールの配置面に平行な方向において電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。
上記（５）の場合、第２導電体における第３延出部及び第４延出部の互いの主面は向かい合っているので、第３延出部及び第４延出部を容易に接合することができるとともに、電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。また、互いの電流の流れる向きが逆方向になる場合には、相互の磁束の弱め合う作用によって浮遊インダクタンスの増大を抑制することができる。
上記（６）の場合、例えば第３延出部及び第４延出部の各々の主面が半導体モジュールの配置面と平行に配置される場合などに比べて、半導体モジュールの配置面に平行な方向において電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。
上記（７）の場合、第１延出部及び第２延出部の相互の露出部が溶接などによって接合されることにより、第１導電体の他の部位などにおける絶縁材が熱によって劣化又は損傷することを抑制することができる。
上記（８）の場合、第３延出部及び第４延出部の相互の露出部が溶接などによって接合されることにより、第２導電体の他の部位などにおける絶縁材が熱によって劣化又は損傷することを抑制することができる。
上記（９）の場合、半導体モジュールとコンデンサとの間において第１導電体及び第２導電体の各々の電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。
上記（１０）の場合、第１部位及び第２部位の各主面と第３部位及び第４部位の各主面とは互いに向かい合っているので、浮遊インダクタンスの増大を抑制することができる。また、例えば各部位の主面が半導体モジュールの配置面と平行に配置される場合などに比べて、半導体モジュールの配置面に平行な方向において電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。
本発明の実施形態の電力変換装置の構成を模式的に示す斜視図。 本発明の実施形態の電力変換装置を搭載する車両の一部の構成を示す図。 本発明の実施形態の電力変換装置におけるパワーモジュールの第１電力変換回路部の構成を模式的に示すＺ軸方向から見た図。 本発明の実施形態の電力変換装置におけるパワーモジュールの第１電力変換回路部の各正極及び負極バスバーと、コンデンサユニットの各正極及び負極バスバーとの第１接続部の構成を模式的に示す斜視図。 図３に示すＡ−Ａ線の位置でＹ−Ｚ平面により切断した断面図。 図３に示すＢ−Ｂ線の位置でＹ−Ｚ平面により切断した断面図。 図３に示すＣ−Ｃ線の位置でＹ−Ｚ平面により切断した断面図。 本発明の実施形態の電力変換装置におけるパワーモジュールの第１電力変換回路部の各正極及び負極バスバーと、コンデンサユニットの各正極及び負極バスバーとの第１接続部をＹ軸方向から見た図。 本発明の実施形態の電力変換装置における第１接続部の第１電力変換回路部側の構成を示す斜視図。 本発明の実施形態の電力変換装置におけるコンデンサユニットの正極バスバー引出部及び負極バスバー引出部並びに正極バスバー露出部及び負極バスバー露出部の構成を示す斜視図。 本発明の実施形態の電力変換装置におけるパワーモジュールの各正極及び負極バスバーと、コンデンサユニットの各正極及び負極バスバーとの接続工程の一例を示す斜視図。 本発明の実施形態の電力変換装置におけるパワーモジュールの各正極及び負極バスバーと、コンデンサユニットの各正極及び負極バスバーとの接続工程の一例を示す斜視図。 本発明の実施形態の電力変換装置におけるパワーモジュールの各正極及び負極バスバーと、コンデンサユニットの各正極及び負極バスバーとの接続工程の一例を示す斜視図。 本発明の実施形態の電力変換装置におけるパワーモジュールの各正極及び負極バスバーと、コンデンサユニットの各正極及び負極バスバーとの接続工程の一例を示す斜視図。
以下、本発明の電力変換装置の一実施形態について添付図面を参照しながら説明する。
本実施形態による電力変換装置は、例えば、電動車両等に搭載されている。電動車両は、電気自動車、ハイブリッド車両、及び燃料電池車両等である。電気自動車は、バッテリを動力源として駆動する。ハイブリッド車両は、バッテリ及び内燃機関を動力源として駆動する。燃料電池車両は、燃料電池を動力源として駆動する。
図１は、本発明の実施形態の電力変換装置１の構成を模式的に示す斜視図である。図２は、本発明の実施形態に係る電力変換装置１を搭載する車両１０の一部の構成を示す図である。図３は、本発明の実施形態の電力変換装置１におけるパワーモジュール２１の第１電力変換回路部３１の構成を模式的に示すＺ軸方向から見た図である。
＜車両＞
図２に示すように、車両１０は、電力変換装置１に加えて、バッテリ１１（ＢＡＴＴ）と、走行駆動用の第１モータ１２（ＭＯＴ）、発電用の第２モータ１３（ＧＥＮ）と、を備える。
バッテリ１１は、例えば、車両１０の動力源である高圧のバッテリである。バッテリ１１は、バッテリケースと、バッテリケース内に収容される複数のバッテリモジュールと、を備える。バッテリモジュールは、直列に接続される複数のバッテリセルを備える。バッテリ１１は、直流コネクタ１５に接続される正極端子ＰＢ及び負極端子ＮＢを備える。正極端子ＰＢ及び負極端子ＮＢは、バッテリケース内において直列に接続される複数のバッテリモジュールの正極端及び負極端に接続されている。バッテリ１１は、直流コネクタ１５を介して電力変換装置１に接続されている。
第１モータ１２は、バッテリ１１から供給される電力によって回転駆動力（力行動作）を発生させる。第２モータ１３は、回転軸に入力される回転駆動力によって発電電力を発生させる。なお、第２モータ１３は、内燃機関の回転動力が伝達可能に構成されてもよい。例えば、第１モータ１２及び第２モータ１３の各々は、３相交流のブラシレスＤＣモータである。３相は、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相である。
第１モータ１２及び第２モータ１３の各々は、インナーロータ型である。各モータ１２，１３は、界磁用の永久磁石を有する回転子と、回転子を回転させる回転磁界を発生させるための３相のステータ巻線を有する固定子と、をそれぞれ備える。
第１モータ１２の３相のステータ巻線は、第１の３相コネクタ１６に接続されている。第１の３相コネクタ１６は、電力変換装置１に接続される第１の装置側コネクタ１６ａと、第１モータ１２のステータ巻線の入出力部Ｒ１に接続される第１のモータ側コネクタ１６ｂと、を備える。第１モータ１２の３相のステータ巻線は、第１の３相コネクタ１６を介して電力変換装置１に接続されている。
第２モータ１３の３相のステータ巻線は、第２の３相コネクタ１７に接続されている。 第２の３相コネクタ１７は、電力変換装置１に接続される第２の装置側コネクタ１７ａと、第２モータ１３のステータ巻線の入出力部Ｒ２に接続される第２のモータ側コネクタ１７ｂと、を備える。第２モータ１３の３相のステータ巻線は、第２の３相コネクタ１７を介して電力変換装置１に接続されている。
＜電力変換装置＞
電力変換装置１は、パワーモジュール２１と、リアクトル２２と、コンデンサユニット２３と、抵抗器２４と、第１電流センサ２５と、第２電流センサ２６と、第３電流センサ２７と、電子制御ユニット２８（ＭＯＴ ＧＥＮ ＥＣＵ）と、ゲートドライブユニット２９（Ｇ／Ｄ ＶＣＵ ＥＣＵ）と、を備える。
パワーモジュール２１は、第１電力変換回路部３１と、第２電力変換回路部３２と、第３電力変換回路部３３と、を備える。第１電力変換回路部３１は、第１の３相コネクタ１６によって第１モータ１２の３相のステータ巻線に接続されている。第１電力変換回路部３１は、バッテリ１１から第３電力変換回路部３３を介して入力される直流電力を３相交流電力に変換する。第２電力変換回路部３２は、第２の３相コネクタ１７によって第２モータ１３の３相のステータ巻線に接続されている。第２電力変換回路部３２は、第２モータ１３から入力される３相交流電力を直流電力に変換する。第２電力変換回路部３２によって変換された直流電力は、バッテリ１１及び第１電力変換回路部３１の少なくとも一方に供給することが可能である。
第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々は、ブリッジ接続される複数のスイッチング素子によって形成されるブリッジ回路を備える。例えば、スイッチング素子は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、又はＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor）等のトランジスタである。例えば、ブリッジ回路においては、対を成すハイサイドアーム及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＨ，ＵＬと、対を成すハイサイドアーム及びローサイドアームＶ相トランジスタＶＨ，ＶＬと、対を成すハイサイドアーム及びローサイドアームＷ相トランジスタＷＨ，ＷＬとが、それぞれブリッジ接続されている。
ブリッジ回路は、各トランジスタＵＨ，ＵＬ，ＶＨ，ＶＬ，ＷＨ，ＷＬのコレクタ−エミッタ間においてエミッタからコレクタに向けて順方向となるように接続されるダイオードを備える。
ハイサイドアームの各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨは、コレクタが正極バスバーＰＩに接続されてハイサイドアームを構成している。各相においてハイサイドアームの各正極バスバーＰＩは、コンデンサユニット２３の正極バスバー５０ｐに接続されている。
ローサイドアームの各トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬは、エミッタが負極バスバーＮＩに接続されてローサイドアームを構成している。各相においてローサイドアームの各負極バスバーＮＩは、コンデンサユニット２３の負極バスバー５０ｎに接続されている。
なお、各正極バスバーＰＩ，５０ｐ同士の接続及び各負極バスバーＮＩ，５０ｎ同士の接続には、後述するように、ボルト締結よりも小型であるとともに、絶縁部位の熱損傷を抑制するように、レーザ溶接による接続が採用されている。
各相において、ハイサイドアームの各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨのエミッタは、接続点ＴＩにおいてローサイドアームの各トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬのコレクタに接続されている。
第１電力変換回路部３１の各相において接続点ＴＩを形成する第１バスバー５１の第１入出力端子Ｑ１は、第１の３相コネクタ１６に接続されている。第１電力変換回路部３１の各相の接続点ＴＩは、第１バスバー５１、第１入出力端子Ｑ１、及び第１の３相コネクタ１６を介して第１モータ１２の各相のステータ巻線に接続されている。
第２電力変換回路部３２の各相において接続点ＴＩを形成する第２バスバー５２の第２入出力端子Ｑ２は、第２の３相コネクタ１７に接続されている。第２電力変換回路部３２の各相の接続点ＴＩは、第２バスバー５２、第２入出力端子Ｑ２、及び第２の３相コネクタ１７を介して第２モータ１３の各相のステータ巻線に接続されている。
第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々は、ゲートドライブユニット２９から各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨ，ＵＬ，ＶＬ，ＷＬのゲートに入力されるスイッチング指令であるゲート信号に基づき、各相のトランジスタ対のオン（導通）／オフ（遮断）を切り替える。
第１電力変換回路部３１は、バッテリ１１から第３電力変換回路部３３を介して入力される直流電力を３相交流電力に変換し、第１モータ１２の３相のステータ巻線への通電を順次転流させることで、３相のステータ巻線に交流のＵ相電流、Ｖ相電流、及びＷ相電流を通電する。
第２電力変換回路部３２は、第２モータ１３の回転に同期がとられた各相のトランジスタ対のオン（導通）／オフ（遮断）駆動によって、第２モータ１３の３相のステータ巻線から出力される３相交流電力を直流電力に変換する。第２電力変換回路部３２によって３相交流電力から変換された直流電力は、第３電力変換回路部３３を介してバッテリ１１に供給することが可能である。
第３電力変換回路部３３は、電圧コントロールユニット（ＶＣＵ）である。第３電力変換回路部３３は、対を成すハイサイドアーム及びローサイドアームのスイッチング素子を備える。例えば、第３電力変換回路部３３は、ハイサイドアームの第１トランジスタＳ１及びローサイドアームの第２トランジスタＳ２を備える。第３電力変換回路部３３は、第１トランジスタＳ１及び第２トランジスタＳ２の各々のコレクタ−エミッタ間においてエミッタからコレクタに向けて順方向となるように接続されるダイオードを備える。
第１トランジスタＳ１は、コレクタが正極バスバーＰＶに接続されてハイサイドアームを構成している。ハイサイドアームの正極バスバーＰＶは、コンデンサユニット２３の正極バスバー５０ｐに接続されている。
第２トランジスタＳ２は、エミッタが負極バスバーＮＶに接続されてローサイドアームを構成している。ローサイドアームの負極バスバーＮＶは、コンデンサユニット２３の負極バスバー５０ｎに接続されている。コンデンサユニット２３の負極バスバー５０ｎは、バッテリ１１の負極端子ＮＢに接続されている。
なお、各正極バスバーＰＶ，５０ｐ同士の接続及び各負極バスバーＮＶ，５０ｎ同士の接続には、ボルト締結よりも小型であるとともに、絶縁部位の熱損傷を抑制するように、レーザ溶接による接続などが採用されている。
ハイサイドアームの第１トランジスタＳ１のエミッタはローサイドアームの第２トランジスタＳ２のコレクタに接続されている。第１トランジスタＳ１のエミッタ及び第２トランジスタＳ２のコレクタの接続点は、第３バスバー５３によって形成されている。第３バスバー５３は、リアクトル２２を介してバッテリ１１の正極端子ＰＢに接続されている。
リアクトル２２の両端は、第１トランジスタＳ１及び第２トランジスタＳ２の接続点を成す第３バスバー５３と、バッテリ１１の正極端子ＰＢとに接続されている。リアクトル２２は、コイルと、コイルの温度を検出する温度センサとを備えている。温度センサは、信号線によって電子制御ユニット２８に接続されている。
第３電力変換回路部３３は、ゲートドライブユニット２９から第１トランジスタＳ１及び第２トランジスタＳ２の各々のゲートに入力されるスイッチング指令であるゲート信号に基づき、トランジスタ対のオン（導通）／オフ（遮断）を切り替える。
第３電力変換回路部３３は、昇圧時において、第２トランジスタＳ２がオン（導通）及び第１トランジスタＳ１がオフ（遮断）に設定される第１状態と、第２トランジスタＳ２がオフ（遮断）及び第１トランジスタＳ１がオン（導通）に設定される第２状態とを交互に切り替える。
第１状態では、順次、バッテリ１１の正極端子ＰＢ、リアクトル２２、第２トランジスタＳ２、バッテリ１１の負極端子ＮＢへと電流が流れ、リアクトル２２が直流励磁されて磁気エネルギーが蓄積される。
第２状態では、リアクトル２２に流れる電流が遮断されることに起因する磁束の変化を妨げるようにしてリアクトル２２の両端間に起電圧（誘導電圧）が発生する。リアクトル２２に蓄積された磁気エネルギーによる誘導電圧はバッテリ電圧に重畳されて、バッテリ１１の端子間電圧よりも高い昇圧電圧が第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶと負極バスバーＮＶとの間に印加される。
第３電力変換回路部３３は、回生時において、第２状態と、第１状態とを交互に切り替える。
第２状態では、順次、第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ、第１トランジスタＳ１、リアクトル２２、バッテリ１１の正極端子ＰＢへと電流が流れ、リアクトル２２が直流励磁されて磁気エネルギーが蓄積される。
第１状態では、リアクトル２２に流れる電流が遮断されることに起因する磁束の変化を妨げるようにしてリアクトル２２の両端間に起電圧（誘導電圧）が発生する。リアクトル２２に蓄積された磁気エネルギーによる誘導電圧は降圧されて、第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶ間の電圧よりも低い降圧電圧がバッテリ１１の正極端子ＰＢと負極端子ＮＢとの間に印加される。
コンデンサユニット２３は、第１平滑コンデンサ４１と、第２平滑コンデンサ４２と、ノイズフィルタ４３と、を備える。
第１平滑コンデンサ４１は、バッテリ１１の正極端子ＰＢと負極端子ＮＢとの間に接続されている。第１平滑コンデンサ４１は、第３電力変換回路部３３の回生時における第１トランジスタＳ１及び第２トランジスタＳ２のオン／オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。
第２平滑コンデンサ４２は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々の正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩ間、並びに第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶ間に接続されている。第２平滑コンデンサ４２は、正極バスバー５０ｐ及び負極バスバー５０ｎを介して、複数の正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩ、並びに正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶに接続されている。第２平滑コンデンサ４２は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々の各トランジスタＵＨ，ＵＬ，ＶＨ，ＶＬ，ＷＨ，ＷＬのオン／オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。第２平滑コンデンサ４２は、第３電力変換回路部３３の昇圧時における第１トランジスタＳ１及び第２トランジスタＳ２のオン／オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。
ノイズフィルタ４３は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々の正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩ間、並びに第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶ間に接続されている。ノイズフィルタ４３は、直列に接続される２つのコンデンサを備えている。２つのコンデンサの接続点は、車両１０のボディグラウンド等に接続されている。
抵抗器２４は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々の正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩ間、並びに第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶ間に接続されている。
第１電流センサ２５は、第１電力変換回路部３１の各相の接続点ＴＩを成すとともに第１入出力端子Ｑ１を有する第１バスバー５１に配置され、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の各々の電流を検出する。
第２電流センサ２６は、第２電力変換回路部３２の各相の接続点ＴＩを成すとともに第２入出力端子Ｑ２を有する第２バスバー５２に配置され、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の各々の電流を検出する。
第３電流センサ２７は、第１トランジスタＳ１及び第２トランジスタＳ２の接続点を成すとともにリアクトル２２と接続される第３バスバー５３に配置され、リアクトル２２に流れる電流を検出する。
第１電流センサ２５、第２電流センサ２６、及び第３電流センサ２７の各々は、信号線によって電子制御ユニット２８に接続されている。
電子制御ユニット２８は、第１モータ１２及び第２モータ１３の各々の動作を制御する。例えば、電子制御ユニット２８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサによって所定のプログラムが実行されることにより機能するソフトウェア機能部である。ソフトウェア機能部は、ＣＰＵ等のプロセッサ、プログラムを格納するＲＯＭ（Read Only Memory）、データを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）、及びタイマー等の電子回路を備えるＥＣＵ（Electronic Control Unit）である。なお、電子制御ユニット２８の少なくとも一部は、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路であってもよい。
例えば、電子制御ユニット２８は、第１電流センサ２５の電流検出値と第１モータ１２に対するトルク指令値に応じた電流目標値とを用いる電流のフィードバック制御等を実行し、ゲートドライブユニット２９に入力する制御信号を生成する。
例えば、電子制御ユニット２８は、第２電流センサ２６の電流検出値と第２モータ１３に対する回生指令値に応じた電流目標値とを用いる電流のフィードバック制御等を実行し、ゲートドライブユニット２９に入力する制御信号を生成する。
制御信号は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々の各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨ，ＵＬ，ＶＬ，ＷＬをオン（導通）／オフ（遮断）駆動するタイミングを示す信号である。例えば、制御信号は、パルス幅変調された信号等である。
ゲートドライブユニット２９は、電子制御ユニット２８から受け取る制御信号に基づいて、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々の各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨ，ＵＬ，ＶＬ，ＷＬを実際にオン（導通）／オフ（遮断）駆動するためのゲート信号を生成する。例えば、ゲートドライブユニット２９は、制御信号の増幅及びレベルシフト等を実行して、ゲート信号を生成する。
ゲートドライブユニット２９は、第３電力変換回路部３３の第１トランジスタＳ１及び第２トランジスタＳ２の各々をオン（導通）／オフ（遮断）駆動するためのゲート信号を生成する。
例えば、ゲートドライブユニット２９は、第３電力変換回路部３３の昇圧時における昇圧電圧指令又は第３電力変換回路部３３の回生時における降圧電圧指令に応じたデューティー比のゲート信号を生成する。デューティー比は、例えば、第１トランジスタＳ１及び第２トランジスタＳ２の各々のオン時間の比率である。
図１及び図３に示すように、パワーモジュール２１の第１、第２、及び第３電力変換回路部３１，３２，３３の各々は、各モジュールケース６１，６２，６３内において、ハイサイドアーム及びローサイドアームのスイッチング素子によって形成される素子モジュールを備える。
第１電力変換回路部３１の第１モジュールケース６１内において、ハイサイドアーム及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＨ，ＵＬは素子モジュールＭＵ１を形成し、ハイサイドアーム及びローサイドアームＶ相トランジスタＶＨ，ＶＬは素子モジュールＭＶ１を形成し、ハイサイドアーム及びローサイドアームＷ相トランジスタＷＨ，ＷＬは素子モジュールＭＷ１を形成している。
第２電力変換回路部３２の第２モジュールケース６２内において、ハイサイドアーム及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＨ，ＵＬは素子モジュールＭＵ２を形成し、ハイサイドアーム及びローサイドアームＶ相トランジスタＶＨ，ＶＬは素子モジュールＭＶ２を形成し、ハイサイドアーム及びローサイドアームＷ相トランジスタＷＨ，ＷＬは素子モジュールＭＷ２を形成している。
第３電力変換回路部３３の第３モジュールケース６３内において、ハイサイドアームの第１トランジスタＳ１及びローサイドアームの第２トランジスタＳ２は素子モジュールＭＳを形成している。
なお、以下において、３次元空間で互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の各軸方向は、各軸に平行な方向である。例えば、各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１，ＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２，ＭＳの厚さ方向は、Ｚ軸方向と平行である。各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１，ＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２のハイサイドアーム及びローサイドアームのスイッチング素子の配列方向、例えばハイサイドアームＵ相トランジスタＵＨ及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＬが並んで配置される方向は、Ｘ軸方向と平行である。Ｙ軸方向は、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に直交している。素子モジュールＭＳのハイサイドアームの第１トランジスタＳ１及びローサイドアームの第２トランジスタＳ２が並んで配置される方向は、Ｙ軸方向と平行である。
各モジュールケース６１，６２，６３の外形は、例えば、矩形筒状に形成されている。第１及び第２モジュールケース６１，６２の各々は、例えば、コンデンサユニット２３のＹ軸方向正方向側の端面２３Ａに向かい合うようにして、Ｘ軸方向に沿って並んで配置されている。第３モジュールケース６３は、例えば、コンデンサユニット２３のＸ軸方向正方向側の端面２３Ｂに向かい合うように配置されている。
第１及び第２モジュールケース６１，６２内において、各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１及び各素子モジュールＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２は、Ｘ軸方向に並んで配置されている。第３モジュールケース６３内において、一対の素子モジュールＭＳは、Ｙ軸方向に並んで配置されている。
以下に、各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１，ＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２，ＭＳの詳細について説明する。なお、各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１，ＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２，ＭＳは、例えば、同一の構成を有しているので、代表の一例として、第１電力変換回路部３１のＵ相のハイサイドアームＵ相トランジスタＵＨ及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＬから成る素子モジュールＭＵ１の構成について説明する。
素子モジュールＭＵ１は、例えば、ハイサイドアーム及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＨ，ＵＬと、絶縁基板７１と、導電スペーサー７２と、正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩと、第１バスバー５１と、第１信号端子７３及び第２信号端子７４と、を備える。
例えば、ハイサイドアーム及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＨ，ＵＬは、絶縁基板７１に搭載されるとともに、電気的絶縁性の樹脂材料を用いたモールド成型により形成される樹脂モールド体（図示略）に固定されている。樹脂モールド体は、素子モジュールＭＵ１の全ての構成部品を、樹脂材料によって固定している。
絶縁基板７１は、電気的に絶縁性の基板と、基板の両面に設けられる導電体と、を備える。例えば、絶縁基板７１は、ＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板である。ＤＣＢ基板は、セラミックス基板７１ａと、セラミックス基板７１ａの厚さ方向の両面に設けられる第１銅板７１ｂと、第２銅板７１ｃ及び第３銅板７１ｄと、を備える。第１銅板７１ｂと、第２銅板７１ｃ及び第３銅板７１ｄとは、セラミックス基板７１ａを厚さ方向の両側から挟み込むとともに、セラミックス基板７１ａによって電気的に絶縁されている。第２銅板７１ｃ及び第３銅板７１ｄは、相互に所定間隔を置いて離れて配置されることによって、電気的に絶縁されている。
ハイサイドアーム及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＨ，ＵＬは、Ｚ軸方向において互いに表裏が同じ向きの状態でＺ軸方向から見てＸ軸方向に並んで配置されている。例えば、ハイサイドアーム及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＨ，ＵＬは、Ｚ軸方向において各コレクタ側の表面を絶縁基板７１側に向けて配置されている。ハイサイドアームＵ相トランジスタＵＨのコレクタ側の表面は、Ｚ軸方向において第２銅板７１ｃの搭載面７１Ｃ（Ｚ軸方向正方向側の表面）に対向し、ローサイドアームＵ相トランジスタＵＬのコレクタ側の表面は、Ｚ軸方向において第３銅板７１ｄの搭載面７１Ｄ（Ｚ軸方向正方向側の表面）に対向している。
正極バスバーＰＩ、負極バスバーＮＩ、及び第１バスバー５１の各々は、例えば、銅板などのように、板状に形成された導電体である。
ハイサイドアームＵ相トランジスタＵＨのコレクタ側の表面は、導電性の接合材によって、絶縁基板７１の第２銅板７１ｃの搭載面７１Ｃと電気的に接合されている。例えば、接合材は、はんだなどである。正極バスバーＰＩは、導電性の接合材によって、第２銅板７１ｃの搭載面７１Ｃと電気的に接合されている。つまり、ハイサイドアームＵ相トランジスタＵＨのコレクタと正極バスバーＰＩとは、第２銅板７１ｃを介して電気的に接続されている。
ハイサイドアームＵ相トランジスタＵＨのエミッタ側の表面は、導電スペーサー７２を介して、第１バスバー５１と電気的に接合されている。導電スペーサー７２は、例えば、銅板などのように、板状に形成された導電体である。導電スペーサー７２は、Ｚ軸方向における第１バスバー５１とハイサイドアームＵ相トランジスタＵＨとの間に配置され、導電性の接合材によって第１バスバー５１及びハイサイドアームＵ相トランジスタＵＨのエミッタ側の表面と電気的に接合されている。
ローサイドアームＵ相トランジスタＵＬのコレクタ側の表面は、導電性の接合材によって、絶縁基板７１の第３銅板７１ｄの搭載面７１Ｄと電気的に接合されている。第１バスバー５１は、導電性の接合材によって、第３銅板７１ｄの搭載面７１Ｄと電気的に接合されている。つまり、ローサイドアームＵ相トランジスタＵＬのコレクタと第１バスバー５１とは、第３銅板７１ｄを介して電気的に接続されている。
ローサイドアームＵ相トランジスタＵＬのエミッタ側の表面は、導電スペーサー７２を介して、負極バスバーＮＩと電気的に接合されている。導電スペーサー７２は、Ｚ軸方向における負極バスバーＮＩとローサイドアームＵ相トランジスタＵＬとの間に配置され、導電性の接合材によって負極バスバーＮＩ及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＬのエミッタ側の表面と電気的に接合されている。
ハイサイドアーム及びローサイドアームＵ相トランジスタＵＨ，ＵＬの各信号端子Ｇは、導電性のワイヤーなどによって、第１信号端子７３及び第２信号端子７４の各々に電気的に接続されている。例えば、信号端子Ｇは、制御信号が入力される制御端子であるゲート端子などである。
第１信号端子７３及び第２信号端子７４の各々の外形は、例えば、Ｚ軸方向の正方向に延びるピン状に形成されている。第１信号端子７３及び第２信号端子７４は、絶縁基板７１の表面上から突出するように設けられ、ゲートドライブユニット２９に接続されている。
正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩの各々は、例えば、Ｙ軸方向の負方向側に向かって第１モジュールケース６１の外部に引き出され、コンデンサユニット２３の正極バスバー５０ｐ及び負極バスバー５０ｎに接続されている。
第１バスバー５１は、例えば、Ｙ軸方向の正方向側に向かって第１モジュールケース６１の外部に引き出され、第１入出力端子Ｑ１及び第１の３相コネクタ１６を介して第１モータ１２のＵ相のステータ巻線に接続されている。
以上において、第１電力変換回路部３１のＵ相の素子モジュールＭＵ１について説明したが、第１電力変換回路部３１のＶ相及びＷ相の各素子モジュールＭＶ１，ＭＷ１は、各Ｕ相トランジスタＵＨ，ＵＬの代わりに、各Ｖ相トランジスタＶＨ，ＶＬ又は各Ｗ相トランジスタＷＨ，ＷＬを備える。さらに、第２電力変換回路部３２の各相の素子モジュールＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２は、第１バスバー５１の代わりに、第２バスバー５２を備える。
また、第３電力変換回路部３３の素子モジュールＭＳは、第１電力変換回路部３１のＵ相の素子モジュールＭＵ１に比べて、各Ｕ相トランジスタＵＨ，ＵＬの代わりに、第１及び第２トランジスタＳ１，Ｓ２を備え、正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩの代わりに、正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶを備え、第１バスバー５１の代わりに、第３バスバー５３を備える。
以下に、パワーモジュール２１の各正極バスバーＰＩ，ＰＶ及び各負極バスバーＮＩ，ＮＶと、コンデンサユニット２３の正極バスバー５０ｐ及び負極バスバー５０ｎとの各接続部８０ａ，８０ｂ，８０ｃの詳細について説明する。なお、パワーモジュール２１の第１、第２、及び第３電力変換回路部３１，３２，３３の各々と、コンデンサユニット２３との各接続部８０ａ，８０ｂ，８０ｃは、例えば、ほぼ同一の構成を有しているので、代表の一例として、第１電力変換回路部３１と、コンデンサユニット２３との第１接続部８０ａの構成について説明する。
図４は、本発明の実施形態の電力変換装置１におけるパワーモジュール２１の第１電力変換回路部３１の各正極及び負極バスバーＰＩ，ＮＩと、コンデンサユニット２３の各正極及び負極バスバー５０ｐ，５０ｎとの第１接続部８０ａの構成を模式的に示す斜視図である。図５は、図３に示すＡ−Ａ線の位置でＹ−Ｚ平面により切断した断面図である。図６は、図３に示すＢ−Ｂ線の位置でＹ−Ｚ平面により切断した断面図である。図７は、図３に示すＣ−Ｃ線の位置でＹ−Ｚ平面により切断した断面図である。図８は、本発明の実施形態の電力変換装置１におけるパワーモジュール２１の第１電力変換回路部３１の各正極及び負極バスバーＰＩ，ＮＩと、コンデンサユニット２３の各正極及び負極バスバー５０ｐ，５０ｎとの第１接続部８０ａをＹ軸方向から見た図である。図９は、本発明の実施形態の電力変換装置１における第１接続部８０ａの第１電力変換回路部３１側の構成を示す斜視図である。図１０は、本発明の実施形態の電力変換装置１におけるコンデンサユニット２３の正極バスバー引出部９１及び負極バスバー引出部９２並びに第２正極バスバー延出部９５及び第２負極バスバー延出部９６の構成を示す斜視図である。
図３から図１０に示すように、第１接続部８０ａは、第１電力変換回路部３１側において、正極バスバー湾曲部８１及び負極バスバー湾曲部８２と、第１正極バスバー延伸部８３及び第１負極バスバー延伸部８４と、第１正極バスバー延出部８５及び第１負極バスバー延出部８６と、を備える。第１接続部８０ａは、コンデンサユニット２３側において、正極バスバー引出部９１及び負極バスバー引出部９２と、第２正極バスバー延伸部９３及び第２負極バスバー延伸部９４と、第２正極バスバー延出部９５及び第２負極バスバー延出部９６と、を備える。
正極バスバー湾曲部８１は、第１電力変換回路部３１のＵ相、Ｖ相、及びＷ相の正極バスバーＰＩが一体的に接続されて形成されている。負極バスバー湾曲部８２は、第１電力変換回路部３１のＵ相、Ｖ相、及びＷ相の負極バスバーＮＩが一体的に接続されて形成されている。正極バスバー湾曲部８１及び負極バスバー湾曲部８２の各々の外形は、例えば、第１モジュールケース６１の内部から外部に向かってＹ軸方向負方向側の側壁部６１ａを跨ぐようにＵ字状に湾曲する板状に形成されている。
正極バスバー湾曲部８１は、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の正極バスバーＰＩと一体的に電気的に接続される導電性の湾曲本体部８１ａと、湾曲本体部８１ａの表面を被覆する電気的絶縁性の絶縁被膜８１ｂと、を備える。
負極バスバー湾曲部８２は、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の負極バスバーＮＩと一体的に電気的に接続される導電性の湾曲本体部８２ａと、湾曲本体部８２ａの表面を被覆する電気的絶縁性の絶縁被膜８２ｂと、を備える。
正極バスバー湾曲部８１及び負極バスバー湾曲部８２は、相互にほぼ平行となるように配置され、相互の厚さ方向に積層されている。
正極バスバー湾曲部８１及び負極バスバー湾曲部８２は、相互の積層部分（重なり部分）において相互の電流の流れる向きが逆方向となるように配置されている。このような正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩの相対的な配置状態に応じて、磁気的な相互作用、つまり相互の磁束の弱め合う作用が生じ、浮遊インダクタンスが低減されている。
また、正極バスバー湾曲部８１及び負極バスバー湾曲部８２の各々において、第１モジュールケース６１の内部において側壁部６１ａに沿ってＺ軸方向正方向側に延びる部位と、第１モジュールケース６１の外部において側壁部６１ａに沿ってＺ軸方向負方向側に延びる部位とにおける相互の電流の流れる向きが逆方向となる。このような正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩの各々における第１モジュールケース６１の内部及び外部での配置状態に応じて、磁気的な相互作用、つまり相互の磁束の弱め合う作用が生じ、浮遊インダクタンスが低減されている。
第１正極バスバー延伸部８３及び第１負極バスバー延伸部８４の各々の外形は、例えば、第１モジュールケース６１の外部において、正極バスバー湾曲部８１及び負極バスバー湾曲部８２の各々の端部から側壁部６１ａに沿って平行にＸ軸方向正方向に延びる板状に形成されている。
第１正極バスバー延伸部８３及び第１負極バスバー延伸部８４の各々の主面は、各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１，ＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２，ＭＳの各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに直交する方向（Ｚ軸方向）と平行に配置されている。各延伸部８３，８４の主面は、最も表面積の広い面であって、例えば、第１正極バスバー延伸部８３のＹ軸方向正方向側及び負方向側の各表面８３Ａ，８３Ｂと、第１負極バスバー延伸部８４のＹ軸方向正方向側及び負方向側の各表面８４Ａ，８４Ｂとである。
第１正極バスバー延伸部８３は、正極バスバー湾曲部８１の湾曲本体部８１ａと一体的に電気的に接続される導電性の延伸本体部８３ａと、延伸本体部８３ａの表面を被覆する電気的絶縁性の絶縁被膜８３ｂと、を備える。
第１負極バスバー延伸部８４は、負極バスバー湾曲部８２の湾曲本体部８２ａと一体的に電気的に接続される導電性の延伸本体部８４ａと、延伸本体部８４ａの表面を被覆する電気的絶縁性の絶縁被膜８４ｂと、を備える。
第１負極バスバー延伸部８４の先端部（つまりＸ軸方向正方向の端部）は、例えば、厚さ方向（つまりＹ軸方向）において、第１正極バスバー延伸部８３との間に、後述するコンデンサユニット２３側の第２負極バスバー延伸部９４を配置するための間隔を設けるように湾曲している。
第１正極バスバー延伸部８３及び第１負極バスバー延伸部８４は、相互にほぼ平行となるように配置され、相互の厚さ方向に積層されている。第１正極バスバー延伸部８３のＸ軸方向の長さは、例えば、第１負極バスバー延伸部８４のＸ軸方向の長さよりも、相対的に長く形成されている。
第１正極バスバー延出部８５及び第１負極バスバー延出部８６の各々の外形は、例えば、第１モジュールケース６１の外部において、第１正極バスバー延伸部８３及び第１負極バスバー延伸部８４の各々の先端部（つまりＸ軸方向正方向の端部）から離れる方向に延びる板状に形成されている。第１正極バスバー延出部８５及び第１負極バスバー延出部８６の各々の延びる方向は、例えば、側壁部６１ａに沿って平行なＺ軸方向正方向である。
第１正極バスバー延出部８５及び第１負極バスバー延出部８６の各々の主面は、各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１，ＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２，ＭＳの各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに直交する方向（Ｚ軸方向）と平行に配置されている。各延出部８５，８６の主面は、最も表面積の広い面であって、例えば、第１正極バスバー延出部８５のＹ軸方向正方向側及び負方向側の各表面と、第１負極バスバー延出部８６のＹ軸方向正方向側及び負方向側の各表面とである。なお、第１正極バスバー延出部８５の主面のうちＹ軸方向正方向側の表面８５Ａは、後述する第２正極バスバー延出部９５のＹ軸方向負方向側の表面９５Ａと向かい合っている。第１負極バスバー延出部８６の主面のうちＹ軸方向正方向側の表面８６Ａは、後述する第２負極バスバー延出部９６のＹ軸方向負方向側の表面９６Ａと向かい合っている。
第１正極バスバー延出部８５は、第１正極バスバー延伸部８３の導電性の延伸本体部８３ａ及び電気的絶縁性の絶縁被膜８３ｂの各々に一体的に接続される導電性の本体部（図示略）及び電気的絶縁性の絶縁被膜（図示略）を備える。第１正極バスバー延出部８５は、延びる方向（つまりＺ軸方向正方向）の先端部から所定範囲（例えば、第１正極バスバー延伸部８３の先端部に至る全域など）において絶縁被膜から露出する導電性の第１正極バスバー露出部８５ａを備える。
第１正極バスバー露出部８５ａのＺ軸方向の長さは、例えば、第１正極バスバー露出部８５ａの先端部と第１正極バスバー延伸部８３の絶縁被膜８３ｂとの間の距離が所定距離Ｌ以上となるように形成されている。所定距離Ｌは、例えば、第１正極バスバー露出部８５ａにおけるレーザ溶接などの溶接作業の発熱による絶縁被膜８３ｂの熱損傷を抑制するために必要な距離などである。
第１負極バスバー延出部８６は、第１負極バスバー延伸部８４の導電性の延伸本体部８４ａ及び電気的絶縁性の絶縁被膜８４ｂの各々に一体的に接続される導電性の本体部（図示略）及び電気的絶縁性の絶縁被膜（図示略）を備える。第１負極バスバー延出部８６は、延びる方向（つまりＺ軸方向正方向）の先端部から所定範囲（例えば、第１負極バスバー延伸部８４の先端部に至る全域など）において絶縁被膜から露出する導電性の第１負極バスバー露出部８６ａを備える。
第１負極バスバー露出部８６ａのＺ軸方向の長さは、例えば、第１負極バスバー露出部８６ａの先端部と第１負極バスバー延伸部８４の絶縁被膜８４ｂとの間の距離が所定距離Ｌ以上となるように形成されている。所定距離Ｌは、例えば、第１負極バスバー露出部８６ａにおけるレーザ溶接などの溶接作業の発熱による絶縁被膜８４ｂの熱損傷を抑制するために必要な距離などである。
第１負極バスバー延出部８６は、例えば、厚さ方向（つまりＹ軸方向）において、第１正極バスバー延伸部８３との間に、後述するコンデンサユニット２３側の第２負極バスバー延出部９６を配置するための間隔を置いて設けられている。
正極バスバー引出部９１及び負極バスバー引出部９２の外形は、例えば、コンデンサユニット２３のＺ軸方向負方向側の端部からＹ軸方向正方向側の端面２３Ａに沿って湾曲するとともに、端面２３ＡからＹ軸方向に一段離れるようにＺ軸方向から見てＬ字型に湾曲して、Ｘ軸方向負方向に延びる板状に形成されている。
正極バスバー引出部９１は、コンデンサユニット２３の正極バスバー５０ｐと一体的に電気的に接続される導電性の引出本体部９１ａと、引出本体部９１ａの表面を被覆する電気的絶縁性の絶縁被膜９１ｂと、を備える。
負極バスバー引出部９２は、コンデンサユニット２３の負極バスバー５０ｎと一体的に電気的に接続される導電性の引出本体部９２ａと、引出本体部９２ａの表面を被覆する電気的絶縁性の絶縁被膜９２ｂと、を備える。
正極バスバー引出部９１及び負極バスバー引出部９２は、相互にほぼ平行となるように配置され、相互の厚さ方向に積層されている。正極バスバー引出部９１のＸ軸方向の長さは、例えば、負極バスバー引出部９２のＸ軸方向の長さよりも、短く形成されている。
正極バスバー引出部９１及び負極バスバー引出部９２は、相互の積層部分（重なり部分）において相互の電流の流れる向きが逆方向となるように配置されている。このような正極バスバー５０ｐ及び負極バスバー５０ｎの相対的な配置状態に応じて、磁気的な相互作用、つまり相互の磁束の弱め合う作用が生じ、浮遊インダクタンスが低減されている。
第２正極バスバー延伸部９３及び第２負極バスバー延伸部９４の各々の外形は、例えば、コンデンサユニット２３と第１モジュールケース６１との間において、正極バスバー引出部９１及び負極バスバー引出部９２の各々の先端部からＸ軸方向正方向に延びる板状に形成されている。第２正極バスバー延伸部９３及び第２負極バスバー延伸部９４の各々は、第１モジュールケース６１の側壁部６１ａ及びコンデンサユニット２３の端面２３Ａに沿って平行にＸ軸方向正方向に延びている。第２正極バスバー延伸部９３は、パワーモジュール２１側の第１正極バスバー延伸部８３に向かって近付くように延びている。第２負極バスバー延伸部９４は、パワーモジュール２１側の第１負極バスバー延伸部８４に向かって近付くように延びている。
第２正極バスバー延伸部９３及び第２負極バスバー延伸部９４の各々の主面は、各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１，ＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２，ＭＳの各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに直交する方向（Ｚ軸方向）と平行に配置されている。各延伸部９３，９４の主面は、最も表面積の広い面であって、例えば、第２正極バスバー延伸部９３のＹ軸方向正方向側及び負方向側の各表面９３Ａ，９３Ｂと、第２負極バスバー延伸部９４のＹ軸方向正方向側及び負方向側の各表面９４Ａ，９４Ｂとである。
第２正極バスバー延伸部９３は、正極バスバー引出部９１の引出本体部９１ａと一体的に電気的に接続される導電性の延伸本体部９３ａと、延伸本体部９３ａの表面を被覆する電気的絶縁性の絶縁被膜９３ｂと、を備える。
第２負極バスバー延伸部９４は、負極バスバー引出部９２の引出本体部９２ａと一体的に電気的に接続される導電性の延伸本体部９４ａと、延伸本体部９４ａの表面を被覆する電気的絶縁性の絶縁被膜９４ｂと、を備える。
第２正極バスバー延伸部９３及び第２負極バスバー延伸部９４は、相互にほぼ平行となるように配置され、相互の厚さ方向に積層されている。第２正極バスバー延伸部９３のＸ軸方向の長さは、例えば、第２負極バスバー延伸部９４のＸ軸方向の長さよりも、相対的に短く形成されている。
第２正極バスバー延伸部９３の先端部（つまりＸ軸方向負方向の端部）は、コンデンサユニット２３側の第１正極バスバー延伸部８３の先端部（つまりＸ軸方向正方向の端部）とＹ軸方向に積層されるように接している。
第２負極バスバー延伸部９４の先端部（つまりＸ軸方向負方向の端部）は、コンデンサユニット２３側の第１負極バスバー延伸部８４の先端部（つまりＸ軸方向正方向の端部）とＹ軸方向に積層されるように接している。
第２正極バスバー延出部９５及び第２負極バスバー延出部９６の各々の外形は、例えば、コンデンサユニット２３と第１モジュールケース６１との間において、第２正極バスバー延伸部９３及び第２負極バスバー延伸部９４の各々の先端部（つまりＸ軸方向負方向の端部）から離れる方向に延びる板状に形成されている。第２正極バスバー延出部９５及び第２負極バスバー延出部９６の各々の延びる方向は、例えば、第１モジュールケース６１の側壁部６１ａに沿って平行なＺ軸方向正方向である。
第２正極バスバー延出部９５及び第２負極バスバー延出部９６の各々の主面は、各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１，ＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２，ＭＳの各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに直交する方向（Ｚ軸方向）と平行に配置されている。各延出部９５，９６の主面は、最も表面積の広い面であって、例えば、第２正極バスバー延出部９５のＹ軸方向正方向側及び負方向側の各表面と、第２負極バスバー延出部９６のＹ軸方向正方向側及び負方向側の各表面とである。なお、第２正極バスバー延出部９５の主面のうちＹ軸方向負方向側の表面９５Ａは、上述した第１モジュールケース６１側の第１正極バスバー延出部８５のＹ軸方向正方向側の表面８５Ａと向かい合っている。第２負極バスバー延出部９６の主面のうちＹ軸方向負方向側の表面９６Ａは、上述した第１モジュールケース６１側の第１負極バスバー延出部８６のＹ軸方向正方向側の表面８６Ａと向かい合っている。
第２正極バスバー延出部９５は、例えば、厚さ方向（つまりＹ軸方向）において、第２負極バスバー延伸部９４との間に、上述したパワーモジュール２１側の第１正極バスバー延出部８５を配置するための所定間隔を置いて設けられている。
第２正極バスバー延出部９５は、第２正極バスバー延伸部９３の導電性の延伸本体部９３ａ及び電気的絶縁性の絶縁被膜９３ｂの各々に一体的に接続される導電性の本体部（図示略）及び電気的絶縁性の絶縁被膜（図示略）を備える。第２正極バスバー延出部９５は、延びる方向（つまりＺ軸方向正方向）の先端部から所定範囲（例えば、第２正極バスバー延伸部９３の先端部に至る全域など）において絶縁被膜から露出する導電性の第２正極バスバー露出部９５ａを備える。
第２正極バスバー露出部９５ａのＺ軸方向の長さは、例えば、第２正極バスバー露出部９５ａの先端部と第２正極バスバー延伸部９３の絶縁被膜９３ｂとの間の距離が所定距離Ｌ以上となるように形成されている。所定距離Ｌは、例えば、第２正極バスバー露出部９５ａにおけるレーザ溶接などの溶接作業の発熱による絶縁被膜９３ｂの熱損傷を抑制するために必要な距離などである。
第２正極バスバー露出部９５ａは、厚さ方向（つまりＹ軸方向）においてパワーモジュール２１側の第１正極バスバー露出部８５ａに積層されるとともに、レーザ溶接などによって電気的に接合されている。これにより、第２正極バスバー露出部９５ａは、パワーモジュール２１側の第１正極バスバー露出部８５ａから第１正極バスバー延伸部８３の先端部に近付くように延びている。
第２負極バスバー延出部９６は、第２負極バスバー延伸部９４の導電性の延伸本体部９４ａ及び電気的絶縁性の絶縁被膜９４ｂの各々に一体的に接続される導電性の本体部（図示略）及び電気的絶縁性の絶縁被膜（図示略）を備える。第２負極バスバー延出部９６は、延びる方向（つまりＺ軸方向正方向）の先端部から所定範囲（例えば、第２負極バスバー延伸部９４の先端部に至る全域など）において絶縁被膜から露出する導電性の第２負極バスバー露出部９６ａを備える。
第２負極バスバー露出部９６ａのＺ軸方向の長さは、例えば、第２負極バスバー露出部９６ａの先端部と第２負極バスバー延伸部９４の絶縁被膜９４ｂとの間の距離が所定距離Ｌ以上となるように形成されている。所定距離Ｌは、例えば、第２負極バスバー露出部９６ａにおけるレーザ溶接などの溶接作業の発熱による絶縁被膜９４ｂの熱損傷を抑制するために必要な距離などである。
第２負極バスバー露出部９６ａは、厚さ方向（つまりＹ軸方向）においてパワーモジュール２１側の第１負極バスバー露出部８６ａに積層されるとともに、レーザ溶接などによって電気的に接合されている。これにより、第２負極バスバー露出部９６ａは、パワーモジュール２１側の第１負極バスバー露出部８６ａから第１負極バスバー延伸部８４の先端部に近付くように延びている。
以上において、第１電力変換回路部３１とコンデンサユニット２３との第１接続部８０ａについて説明したが、第２電力変換回路部３２とコンデンサユニット２３との第２接続部８０ｂは、第１モジュールケース６１の側壁部６１ａの代わりに、第２モジュールケース６２の側壁部６２ａの周辺に設けられている。
また、第３電力変換回路部３３とコンデンサユニット２３との第３接続部８０ｃは、第１モジュールケース６１の側壁部６１ａの代わりに、第３モジュールケース６３の側壁部６３ａの周辺に設けられている。第３接続部８０ｃは、第１接続部８０ａに比べて、正極バスバーＰＩ及び負極バスバーＮＩの代わりに、正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶを備える。
第３接続部８０ｃにおいて、正極バスバー引出部９１及び負極バスバー引出部９２の外形は、例えば、コンデンサユニット２３のＺ軸方向負方向側の端部からＹ軸方向負方向側の端面２３Ｃ及びＸ軸方向正方向側の端面２３Ｂに沿ってＬ字型に湾曲して、Ｙ軸方向正方向に延びる板状に形成されている。
以下に、電力変換装置１におけるパワーモジュール２１の各正極及び負極バスバーＰＩ，ＰＶ，ＮＩ，ＮＶと、コンデンサユニット２３の各正極及び負極バスバー５０ｐ，５０ｎとの接続工程について説明する。図１１から図１４は、電力変換装置１の組み立て工程における第１から第４の状態を模式的に示す斜視図である。
先ず、図１１に示すように、パワーモジュール２１の第１、第２、及び第３電力変換回路部３１，３２，３３の各々において、各素子モジュールＭＵ１，ＭＶ１，ＭＷ１，ＭＵ２，ＭＶ２，ＭＷ２，ＭＳの構成部品は、例えばはんだ付けなどによって、各モジュールケース６１，６２，６３内に実装される。
次に、図１２に示すように、コンデンサユニット２３は、パワーモジュール２１に対する所定の相対位置に実装される。
次に、図１３及び図１４に示すように、パワーモジュール２１側の第１正極バスバー露出部８５ａ及びコンデンサユニット２３側の第２正極バスバー露出部９５ａと、パワーモジュール２１側の第１負極バスバー露出部８６ａ及びコンデンサユニット２３側の第２負極バスバー露出部９６ａとの各々は、例えば各バスバー対を積層方向の両側から挟み込むチャックなどの治具９７によって固定される。治具９７は、例えば銅などの熱伝導性が高い材料によって形成されている。
次に、パワーモジュール２１側の第１正極バスバー露出部８５ａ及びコンデンサユニット２３側の第２正極バスバー露出部９５ａと、パワーモジュール２１側の第１負極バスバー露出部８６ａ及びコンデンサユニット２３側の第２負極バスバー露出部９６ａとの各々は、例えば、レーザ溶接などによって接合され、治具９７が取り外される。
以上により、一連の工程は終了される。
上述したように、本実施形態の電力変換装置１によれば、パワーモジュール２１とコンデンサユニット２３との間において、各正極バスバー延伸部８３，９３と、各負極バスバー延伸部８４，９４とは、互いに向かい合って各モジュールケース６１，６２，６３に沿って平行に延びる。これにより、パワーモジュール２１側の各正極バスバーＰＩ，ＰＶ及び各負極バスバーＮＩ，ＮＶとコンデンサユニット２３側の正極バスバー５０ｐ及び負極バスバー５０ｎとの電気的な接続に要するスペースの増大を抑制することができる。また、各正極バスバー延伸部８３，９３と、各負極バスバー延伸部８４，９４とは、互いの電流の流れる向きが逆方向となることで、相互の磁束の弱め合う作用によって浮遊インダクタンスの増大を抑制することができる。
また、各正極バスバー延伸部８３，９３の表面８３Ｂ，９３Ｂと、各負極バスバー延伸部８４，９４の表面８４Ａ，９４Ａとは、互いに向かい合っているので、浮遊インダクタンスの増大を抑制することができる。また、各表面８３Ｂ，９３Ｂ，８４Ａ，９４Ａは各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに直交するＺ軸方向と平行に配置されているので、各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに平行な方向において電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。
また、各正極バスバー延出部８５，９５の互いの表面８５Ａ，９５Ａは向かい合っているので、第１正極バスバー延出部８５及び第２正極バスバー延出部９５を容易に接合することができるとともに、電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。また、互いの電流の流れる向きは逆方向になるので、相互の磁束の弱め合う作用によって浮遊インダクタンスの増大を抑制することができる。
また、各正極バスバー延出部８５，９５の表面８５Ａ，９５Ａは各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに直交するＺ軸方向と平行に配置されているので、各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに平行な方向において電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。
また、各負極バスバー延出部８６，９６の互いの表面８６Ａ，９６Ａは向かい合っているので、第１負極バスバー延出部８６及び第２負極バスバー延出部９６を容易に接合することができるとともに、電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。また、互いの電流の流れる向きは逆方向になるので、相互の磁束の弱め合う作用によって浮遊インダクタンスの増大を抑制することができる。
また、各負極バスバー延出部８６，９６の表面８６Ａ，９６Ａは各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに直交するＺ軸方向と平行に配置されているので、各搭載面７１Ｃ，７１Ｄに平行な方向において電気的接続に要するスペースの増大を抑制することができる。
また、溶接などによって接合される各正極バスバー露出部８５ａ，９５ａを備えることによって、各絶縁被膜８３ｂ，９３ｂが熱によって劣化又は損傷することを抑制することができる。
また、溶接などによって接合される各負極バスバー露出部８６ａ，９６ａを備えることによって、各絶縁被膜８４ｂ，９４ｂが熱によって劣化又は損傷することを抑制することができる。
また、各正極バスバー露出部８５ａ，９５ａ同士と、各負極バスバー露出部８６ａ，９６ａ同士とは、各治具９７によって固定されるので、相互の接合位置の精度を向上させることができる。また、溶接等の接合作業時に発生する熱を治具９７に逃がすことができ、各絶縁被膜８３ｂ，９３ｂ，８４ｂ，９４ｂ等における熱損傷の発生を抑制することができる。
以下、実施形態の変形例について説明する。
上述した実施形態において、各接続部８０ａ，８０ｂ，８０ｃにおける正極側の各部材と負極側の各部材との相対的な配置の関係は入れ替えられてもよい。
上述した実施形態において、電力変換装置１は車両１０に搭載されるとしたが、これに限定されず、他の機器に搭載されてもよい。
本発明の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１…電力変換装置、１０…車両、１１…バッテリ、１２…第１モータ、１３…第２モータ、２１…パワーモジュール（半導体モジュール）、２３…コンデンサユニット（コンデンサ）、３１…第１電力変換回路部、３２…第２電力変換回路部、３３…第３電力変換回路部、５０ｐ…正極バスバー（第１導電体）、５０ｎ…負極バスバー（第２導電体）、６１…第１モジュールケース、６２…第２モジュールケース、６３…第３モジュールケース、７１Ｃ，７１Ｄ…搭載面（配置面）、８０ａ…第１接続部、８０ｂ…第２接続部、８０ｃ…第３接続部、８１…正極バスバー湾曲部（第１導電体）、８１ｂ…絶縁被覆（絶縁材）、８２…負極バスバー湾曲部（第２導電体）、８２ｂ…絶縁被覆（絶縁材）、８３…第１正極バスバー延伸部（第１導電体、第１部位）、８３ｂ…絶縁被覆（絶縁材）、８３Ａ，８３Ｂ…表面（主面）、８４…第１負極バスバー延伸部（第２導電体、第３部位）、８４ｂ…絶縁被覆（絶縁材）、８４Ａ，８４Ｂ…表面（主面）、８５…第１正極バスバー延出部（第１導電体、第１延出部）、８５ａ…第１正極バスバー露出部（露出部）、８５Ａ…表面（主面）、８６…第１負極バスバー延出部（第２導電体、第３延出部）、８６ａ…第１負極バスバー露出部（露出部）、８６Ａ…表面（主面）、９１…正極バスバー引出部（第１導電体）、９１ｂ…絶縁被覆（絶縁材）、９２…負極バスバー引出部（第２導電体）、９２ｂ…絶縁被覆（絶縁材）、９３…第２正極バスバー延伸部（第１導電体、第２部位）、９３ｂ…絶縁被覆（絶縁材）、９３Ａ，９３Ｂ…表面（主面）、９４…第２負極バスバー延伸部（第２導電体、第４部位）、９４ｂ…絶縁被覆（絶縁材）、９４Ａ，９４Ｂ…表面（主面）、９５…第２正極バスバー延出部（第１導電体、第２延出部）、９５ａ…第２正極バスバー露出部（露出部）、９５Ａ…表面（主面）、９６…第２負極バスバー延出部（第２導電体、第４延出部）、９６ａ…第２負極バスバー露出部（露出部）、９６Ａ…表面（主面）、ＰＩ，ＰＶ…正極バスバー（第１導電体）、ＮＩ，ＮＶ…負極バスバー（第２導電体）

Claims (10)

  1. 半導体モジュールと、
    前記半導体モジュールと電気的に接続されるコンデンサと、
    前記半導体モジュールと前記コンデンサとを接続する、相互に異なる極性の第１導電体及び第２導電体と、
    を備え、
    前記第１導電体は、
    第１の方向に延びる第１部位と、
    第２の方向に延びる第２部位と、
    前記第１の方向及び前記第２の方向に交差する方向で、前記第１部位から離れる方向に延びる第１延出部と、
    前記第１の方向及び前記第２の方向に交差する方向で、前記第１延出部から前記第２部位に近付く方向に延びて前記第２部位に接続される第２延出部と、
    を備え、
    前記第２導電体は、
    前記第１部位と向かい合った状態で前記第１の方向に相対的に前記第１部位よりも短く延びる第３部位と、
    前記第１部位又は前記第２部位と向かい合った状態で前記第２の方向に延びる第４部位と、
    前記第１の方向及び前記第２の方向に交差する方向で、前記第３部位から離れる方向に延びる第３延出部と、
    前記第１の方向及び前記第２の方向に交差する方向で、前記第３延出部から前記第４部位に近付く方向に延びて前記第４部位に接続される第４延出部と、
    を備える
    ことを特徴とする電力変換装置。
  2. 前記第１の方向及び前記第２の方向は、同一平面内に含まれる
    ことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
  3. 前記第１延出部及び前記第２延出部の各々の外形は板状であり、
    前記第１延出部の主面と前記第２延出部の主面とは互いに向かい合っている
    ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電力変換装置。
  4. 前記第１延出部及び前記第２延出部の各々の前記主面は、前記半導体モジュールの配置面に交差する方向と平行に配置されている
    ことを特徴とする請求項３に記載の電力変換装置。
  5. 前記第３延出部及び前記第４延出部の各々の外形は板状であり、
    前記第３延出部の主面と前記第４延出部の主面とは互いに向かい合っている
    ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電力変換装置。
  6. 前記第３延出部及び前記第４延出部の各々の前記主面は、前記半導体モジュールの配置面に交差する方向と平行に配置されている
    ことを特徴とする請求項５に記載の電力変換装置。
  7. 前記第１導電体及び前記第２導電体の各々は、表面を覆う絶縁材を備え、
    前記第１延出部及び前記第２延出部の各々は、前記絶縁材から露出する露出部を備える
    ことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
  8. 前記第１導電体及び前記第２導電体の各々は、表面を覆う絶縁材を備え、
    前記第３延出部及び前記第４延出部の各々は、前記絶縁材から露出する露出部を備える
    ことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
  9. 前記半導体モジュールと前記コンデンサとは、前記第１の方向に直交する方向に離れて配置され、
    前記第１部位、前記第２部位、前記第３部位及び前記第４部位は、前記半導体モジュールと前記コンデンサとの間に配置されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
  10. 前記第１部位、前記第２部位、前記第３部位及び前記第４部位の各々の外形は板状であり、
    前記第１部位、前記第２部位、前記第３部位及び前記第４部位の各々の主面は、前記半導体モジュールの配置面に交差する方向と平行に配置されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
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