JP2021004173A5 - - Google Patents
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Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020156424A JP7031709B2 (ja) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 六方晶化合物半導体の製造方法 |
| JP2022024778A JP7476915B2 (ja) | 2020-09-17 | 2022-02-21 | 六方晶化合物半導体の歪評価装置、および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020156424A JP7031709B2 (ja) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 六方晶化合物半導体の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017068433A Division JP6863003B2 (ja) | 2017-03-30 | 2017-03-30 | 六方晶化合物半導体の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022024778A Division JP7476915B2 (ja) | 2020-09-17 | 2022-02-21 | 六方晶化合物半導体の歪評価装置、および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021004173A JP2021004173A (ja) | 2021-01-14 |
| JP2021004173A5 true JP2021004173A5 (https=) | 2021-03-11 |
| JP7031709B2 JP7031709B2 (ja) | 2022-03-08 |
Family
ID=74097773
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020156424A Active JP7031709B2 (ja) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 六方晶化合物半導体の製造方法 |
| JP2022024778A Active JP7476915B2 (ja) | 2020-09-17 | 2022-02-21 | 六方晶化合物半導体の歪評価装置、および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022024778A Active JP7476915B2 (ja) | 2020-09-17 | 2022-02-21 | 六方晶化合物半導体の歪評価装置、および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP7031709B2 (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7310805B2 (ja) * | 2018-05-09 | 2023-07-19 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3414321B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2003-06-09 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| JP2006258594A (ja) | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 自動複屈折測定装置とこれを用いた複屈折測定方法 |
| JP2013203653A (ja) | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物結晶およびｉｉｉ族窒化物結晶基板 |
| JP5614857B2 (ja) | 2012-10-31 | 2014-10-29 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボの評価方法 |
| WO2015114732A1 (ja) * | 2014-01-28 | 2015-08-06 | 株式会社サイオクス | 半導体基板の製造方法 |
| WO2016002058A1 (ja) | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法、パワーモジュール、並びに電力変換装置 |
| WO2017006594A1 (ja) | 2015-07-08 | 2017-01-12 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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2020
- 2020-09-17 JP JP2020156424A patent/JP7031709B2/ja active Active
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2022
- 2022-02-21 JP JP2022024778A patent/JP7476915B2/ja active Active
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