JP5638452B2 - 単結晶サファイア基板の製造方法 - Google Patents
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Description
以下に、実験例について説明する。先ず、a軸引き上げ結晶ブールからc面を端面とする円柱形状のサファイアインゴットを切り出す。切り出す方向は引き上げ軸a軸に対して垂直方向である。サファイアインゴット外周面上の特定位置に設けるオリエンテーションフラットは引き上げ軸a軸と直角をなす方向と一致することが望ましく、インゴット加工後もa軸方向が容易に判別できる位置に例えばv型ノッチなどで刻印を付しておく。
上述の切断角度で得られる切断面における原子配列の稠密度は、第一義的には原子間結合の最近接距離によって決まるが、原子の結合成分の割合、表面および表面から数層の深さ方向周期性、占有軌道および非占有軌道の結合成分又は反結合成分などを総合的に判断することでより明確になる。すなわち、原子配列の稠密度は、結晶材料の物性を理解する上で切断面の電子状態から得られる情報の一つであると言ってよい。そこで、本発明の発明者は、切断面の状態が良好である場合と良好でない場合との原子配列についてクラスタモデルを作成して分子軌道計算を行い、各場合についてポピュレーション解析、エネルギー準位、および状態密度を評価した。以下、各場合の評価結果について説明する。
10 単結晶サファイア基板
Cd1〜Cd8 切り込み方向
OF オリエンテーションフラット
Claims (3)
- a軸方向に引き上げてサファイアの結晶ブールを作製する工程と、該結晶ブールからc面を端面とする円柱形状のサファイアインゴットを切り出す工程と、該サファイアインゴットをc面に沿ってワイヤソーで切断し単結晶サファイア基板を切り出す工程と、を含むc面を主面とする単結晶サファイア基板の製造方法であって、
該単結晶サファイア基板を切り出す工程は、該サファイアインゴットへの切り込み方向が、該サファイアインゴットの回転中心軸を通る、引き上げ方向である該a軸の方向を基準方向としたときに、該基準方向より、該回転中心軸を中心として円周方向に、5度±3度、110度±3度、130度±3度、170度±3度、190度±3度、230度±3度、250度±3度、355度±3度の範囲である
ことを特徴とする単結晶サファイア基板の製造方法。 - 前記サファイアインゴットの周面には、引き上げ方向である前記a軸に直角をなすようにオリエンテーションフラットが形成されることを特徴とする請求項1に記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 前記単結晶サファイア基板の主面が一定の曲率半径を有する凹形状又は凸形状になる様に研削加工する工程を含む請求項1又は請求項2に記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
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