JP5749839B1 - β−Ga2O3系単結晶基板 - Google Patents
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Abstract
Description
(実施の形態の概要)
本実施の形態においては、種結晶を用いて、平板状のβ−Ga2O3系単結晶を育成する。この平板状のβ−Ga2O3系単結晶を後述する育成方法によって育成することにより、結晶構造のばらつきを小さくすることができる。
以下に、上記の結晶構造のばらつきが小さいβ−Ga2O3系単結晶基板1の製造方法の一例を記載する。
上記の方法等により得られたβ−Ga2O3系単結晶基板1に対して、X線ロッキングカーブ測定により結晶品質の評価を行う。この結晶品質の評価は、基板の主面に平行かつb軸に垂直な方向の結晶構造のばらつきの評価により行う。
これらの測定点は、β−Ga2O3系単結晶基板1の主面の中心を通る主面上の直線であって、b軸に垂直な直線の上に並んでいる。
本実施の形態によれば、ドーパントを添加する場合であっても、結晶構造のばらつきが小さい高品質のβ−Ga2O3系単結晶基板を得ることができる。
Claims (10)
- β−Ga2O3系単結晶からなるβ−Ga2O3系単結晶基板であって、
主面が前記β−Ga2O3系単結晶のb軸に平行な面であり、
前記主面の中心を通る前記主面上の任意の直線上のΔωの最大値が0.7264以下であり、
前記Δωは、前記直線上における、X線ロッキングカーブのピーク位置におけるX線の入射方向と前記主面のなす角度をωsとして、前記ωsとその測定位置との関係を表す曲線の最小二乗法による線形近似により求められる近似直線上の角度をωaとしたときの、前記測定位置の各位置における前記ωsから前記ωaを減じた値の、最大値と最小値との差である、
β−Ga2O3系単結晶基板。 - β−Ga2O3系単結晶からなるβ−Ga2O3系単結晶基板であって、
主面が前記β−Ga2O3系単結晶のb軸に平行な面であり、
前記主面の中心を通る前記主面上の任意の直線上のαの最大値が0.141以下であり、
前記αは、前記直線上における、X線ロッキングカーブのピーク位置におけるX線の入射方向と前記主面のなす角度をωsとして、前記ωsとその測定位置との関係を表す曲線の最小二乗法による線形近似により求められる近似直線上の角度をωaとしたときの、前記測定位置の各位置における前記ωsから前記ωaを減じた値の絶対値の、平均値である、
β−Ga2O3系単結晶基板。 - 前記任意の直線上のΔωのうち、前記β−Ga2O3系単結晶のb軸に垂直な直線上のΔωが最大である、
請求項1に記載のβ−Ga2O3系単結晶基板。 - 前記任意の直線上のαのうち、前記β−Ga2O3系単結晶のb軸に垂直な直線上のαが最大である、
請求項2に記載のβ−Ga2O3系単結晶基板。 - ドーパントを含む、
請求項1〜4のいずれかに記載のβ−Ga2O3系単結晶基板。 - 前記ドーパントがIV族元素である、
請求項5に記載のβ−Ga2O3系単結晶基板。 - 前記ドーパントがSn又はSiである、
請求項6に記載のβ−Ga2O3系単結晶基板。 - 前記主面が(−201)面、(101)面、又は(001)面である、
請求項1〜7のいずれかに記載のβ−Ga2O3系単結晶基板。 - b軸方向に育成された平板状のβ−Ga2O3系単結晶から切りだされた、
請求項1〜8のいずれかに記載のβ−Ga2O3系単結晶基板。 - 双晶面を含まない、又は双晶面と前記主面との交線に垂直な方向の最大幅が2インチ以上の双晶面を含まない領域を有する、
請求項1〜9のいずれかに記載のβ−Ga2O3系単結晶基板。
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