JP2021002517A - 厚膜アルミ電極ペースト組成物、及びその金属メッキ予処理によって作製されるチップ抵抗器 - Google Patents

厚膜アルミ電極ペースト組成物、及びその金属メッキ予処理によって作製されるチップ抵抗器 Download PDF

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Abstract

【課題】従来の銀電極端子の代わりに、アルミ電極端子を利用して、大幅に材料コストを低減できる厚膜アルミ電極ペースト組成物と、その金属メッキの予処理によって作製されるチップ抵抗器を提供する。【解決手段】厚膜アルミ電極ペースト組成物は、3〜30wt%のRO-ZnO-B2O3ガラス、0.1〜20wt%の金属酸化物MO、0.1〜20wt%のカーボンブラック或いはグラフェン、0.1〜20wt%の金属銀玉、40〜80wt%の金属アルミ玉、10〜20wt%の有機添加剤を含む。該RO-ZnO-B2O3ガラスが、V2O5-ZnO-B2O3ガラス或いはBaO-ZnO-B2O3ガラスである。【選択図】なし

Description

本発明は、金属メッキ可能（予処理）や高導電率（高金属固形分）、高熱放散（酸化バナジウムガラス）及び高密度低開孔率（酸化バナジウムガラス）の厚膜アルミ電極を作製可能のチップ抵抗器方法に関し、特に、厚膜アルミ電極ペースト組成物及び、その金属メッキの予処理によって作製されるチップ抵抗器に関する。
厚膜印刷電子素子が導電電極によって連結されることにより、素子機能を發揮でき、高導電率を考慮するため、既存の導電電極は、主として、空気中において焼結される銀金属や、還元雰囲気において焼結される銅金属を利用するが、応用環境に、硫黄が存在すれば、導電電極に、硫化現象が発見されるため、導電率が大幅に低下して、導電電極の機能を発揮できなくなる。導電電極の硫化問題を解消するため、本発明の出願者は、アルミニウム導電電極が、一般の硫化信頼度試験において、硫黄と反応しなくて、硫化現象を防止できるため、元の高導電率電極の機能を維持できる、高導電率の厚膜印刷アルミニウム導電電極を提案した。
しかしながら、既存の厚膜印刷アルミ電極には、焼結後の開孔率や密度が低く、導電率が一般の空気中で焼結された厚膜印刷銀電極と還元雰囲気中で焼結された厚膜印刷銅電極より遥かに低くなり、また、アルミ電極の表面に、容易に酸化層が形成され、後工程の他の金属のメッキが難しくなる、等の応用問題があるため、上記らの導電アルミニウムペーストの問題により、導電アルミニウムペーストをチップ抵抗器に応用する時、(1)レイチェル修復抵抗値が不安定（導電率が低すぎること）、(2)後工程の熱処理による抵抗ドリフト（焼結後、密度が不足で、ホールが多すぎること）、(3)ニッケルやすずのメッキが容易ではなくて、溶接性が悪い（表面酸化層やガラス）、そして、(4)短時間過負荷電圧テストの抵抗変動が大きい（焼結後、ホールが多くて、放熱性が悪い）、などの欠点がある。
また、既存のチップ抵抗器には、電極端子に、主として、銀導体が利用されるが、金属銀は、容易に、環境に存在する硫黄と反応して、硫化銀が生成するため、チップ抵抗器の特性が影響される。特に、高温や高湿度及び高硫黄濃度の環境では、例えば、自動車電子に応用される場合、反応がより激しくなる。既存の車用チップ抵抗器の硫黄耐性の向上には、銀電極端子に高含量（5mol%以上）のパラジウムを添加して、銀‐パラジウム合金が形成することにより、硫黄と反応して硫化銀が形成される反応活性を低下させる。これによると、電極端子の材料コストが大幅に高くなり、そして、硫化環境が悪くなるとともに、硫化銀を形成するリスクが残される。そのため、一般の従来のものは、実用的とは言えない。
本発明者は、上記欠点を解消するため、慎重に研究し、また、学理を活用して、有効に上記欠点を解消でき、設計が合理である本発明を提案する。
本発明の主な目的は、従来の上記問題を解消するため、従来の銀電極端子の代わりに、アルミ電極端子を利用して、大幅に材料コストを低減できる厚膜アルミ電極ペースト組成物と、その金属メッキの予処理によって作製されるチップ抵抗器を提供する。
本発明の他の目的は、従来の銀電極端子の代わりに、アルミ電極端子を利用することにより、完全に、従来のチップ抵抗の硫化問題と、従来の銀電極の高電圧や高湿度による銀変遷問題とが、解消されて、チップ抵抗を車用電子に、より適用する、厚膜アルミ電極ペースト組成物と、その金属メッキの予処理によって作製されるチップ抵抗器を提供する。
本発明は、上記らの目的を達成するため、アルミナセラミック基板において、チップ抵抗器電極端子を形成するための導電アルミニウムペースト組成物であって、RO-ZnO-B2O3ガラスと金属アルミ玉及び有機添加剤が含まれ、当該RO-ZnO-B2O3ガラスと当該金属アルミ玉及び当該有機添加剤の総重量として、当該RO-ZnO-B2O3ガラスの含量が、3〜30wt%、当該金属アルミ玉の含量が、40〜80wt%、当該有機添加剤の含量が、10〜20wt%であり、また、当該RO-ZnO-B2O3ガラスが、V2O5-ZnO-B2O3ガラス或いはBaO-ZnO-B2O3ガラスである、ことを特徴とする厚膜アルミ電極ペースト組成物を提供する。
本発明の実施例において、当該RO-ZnO-B2O3ガラスにあるROは、シリカ（SiO2）や、二酸化マンガン（MnO2）、酸化銅(II)（CuO）、酸化クロム(III)（Cr2O3）、ジルコニア（ZrO2）、アルミナ（Al2O3）、酸化ホウ素（B2O3）、酸化亜鉛（ZnO）、酸化リチウム（Li2O）及び五酸化バナジウム（V2O5）或いは、酸化バリウム（BaO）であり、当該シリカや当該二酸化マンガン、当該酸化銅(II)、当該酸化クロム(III)、当該ジルコニア、当該アルミナ、当該酸化ホウ素、当該酸化亜鉛、当該酸化リチウム及び当該五酸化バナジウム/バリウムの総重量として、当該シリカの含量が1〜15wt%、当該二酸化マンガンの含量が1〜15wt%、当該酸化銅(II)の含量が1〜15wt%、当該酸化クロム(III)の含量が1〜15wt%、当該ジルコニアの含量が1〜15wt%、当該アルミナの含量が1〜5wt%、当該酸化ホウ素の含量が25〜30wt%、当該酸化亜鉛の含量が25〜30wt%、当該酸化リチウムの含量が1〜5wt%、当該五酸化バナジウム/バリウムの含量が20〜25wt%である。
本発明の実施例において、当該金属銀玉及び、当該カーボンブラック或いはグラフェンは、導電導熱添加剤である。
本発明は、上記の目的を達成するため、更に、厚膜アルミ電極チップ抵抗器を作製する金属メッキ予処理工程であり、請求項１か２の何れかの厚膜アルミ電極ペースト組成物を、アルミナセラミック基板上に塗布して、乾燥と焼結させることにより、厚膜アルミ電極が形成される予処理があり、当該予処理が、当該厚膜アルミ電極に対して、後工程の金属メッキの前に、反表面被覆であって、当該厚膜アルミ電極の表面凹凸と不導電質のアルミナを除去して、当該厚膜アルミ電極に、表面粗度と低酸素含量を持たせて、当該厚膜アルミ電極のチップ抵抗器の特性を、厚膜印刷の銀電極や、還元雰囲気において、焼結された厚膜印刷の銅電極のチップ抵抗器の特性に、相当させる。
以下、図面を参照しながら、本発明の特徴や技術内容について、詳しく説明するが、それらの図面等は、参考や説明のためであり、本発明は、それによって制限されることが無い。
図１〜図９は、それぞれ、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスで、アルミ電極チップ抵抗器を作製する時の流れ概念図や、本発明の反表面被覆の概念図、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスと導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラスとの表面緻密性の比較概念図、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスと導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラスとの内部微構造の比較概念図、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスと導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラスで作製したチップ抵抗器の熱安定性の比較概念図、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスと導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラスで作製したチップ抵抗器の短時間過負荷テストの比較概念図、本発明の二層の高低温アルミニウム導電ペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスで作製したアルミ電極チップ抵抗器の電極断面概念図、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスで作製したアルミ電極チップ抵抗器の電極断面概念図及び、本発明において、高電圧及び高湿度下でチップ抵抗の銀電極とアルミ電極を比較する時の電極材料の変遷概念図である。図のように、本発明は、金属メッキ（予処理）や、高導電率（高金属固形分）、高熱放散（酸化バナジウムガラス）及び高密度低開孔率（酸化バナジウムガラス）の厚膜アルミ電極を作製可能のチップ抵抗器方法であり、本発明に係る厚膜アルミ電極ペースト組成物は、RO-V2O5-ZnO-B2O3ガラス或いはRO-BaO-ZnO-B2O3ガラスと、金属銀玉、金属アルミ玉及び、有機添加剤が含まれ、当該RO-V2O5-ZnO-B2O3或いはBaO-ZnO-B2O3ガラスと、金属酸化物MO、カーボンブラック或いはグラフェン、当該金属銀玉、金属アルミ玉及び当該有機添加剤の総重量として、当該RO-V2O5-ZnO-B2O3ガラス或いはRO-BaO-ZnO-B2O3ガラスの含量が3〜30wt%、当該金属酸化物MOの含量が0.1〜20wt%で、当該カーボンブラック或いはグラフェンの含量が0.1〜20wt%で、当該金属銀玉の含量が0.1〜20wt%で、当該金属アルミ玉の含量が40〜80wt%で、当該有機添加剤の含量が10〜20wt%であり、含量が3〜30wt%であるRO-V2O5-ZnO-B2O3ガラス或いはRO-BaO-ZnO-B2O3ガラスを、含量が40〜80wt%である金属アルミ玉と、含量が10〜20wt%である有機添加剤に添加し、三つのローラーによって撹拌されて、導電アルミニウムペーストに濾過作製される。
上記RO-V2O5-ZnO-B2O3ガラス或いはRO-BaO-ZnO-B2O3ガラスにあるROは、シリカ（SiO2）や、二酸化マンガン（MnO2）、酸化銅(II)（CuO）、酸化クロム(III)（Cr2O3）、ジルコニア（ZrO2）、アルミナ（Al2O3）、酸化ホウ素（B2O3）、酸化亜鉛（ZnO）、酸化リチウム（Li2O）及び五酸化バナジウム（V2O5）或いは、酸化バリウム（BaO）であり、当該シリカや当該二酸化マンガン、当該酸化銅(II)、当該酸化クロム(III)、当該ジルコニア、当該アルミナ、当該酸化ホウ素、当該酸化亜鉛、当該酸化リチウム及び及当該五酸化バナジウム/バリウムの総重量として、当該シリカの含量が1〜15wt%、当該二酸化マンガンの含量が1〜15wt%、当該酸化銅(II)の含量が1〜15wt%、当該酸化クロム(III)の含量が1〜15wt%、当該ジルコニアの含量が1〜15wt%、当該アルミナの含量が1〜5wt%、当該酸化ホウ素の含量が25〜30wt%、当該酸化亜鉛の含量が25〜30wt%、当該酸化リチウムの含量が1〜5wt%、当該五酸化バナジウム/バリウムの含量が20〜25wt%である。
上記金属銀玉、及び当該カーボンブラック或いはグラフェンは、導電導熱添加剤である。
本発明によると、ハーフトーンアルゴリズム厚膜技術を利用して、直接に、チップ抵抗器に対して、上記厚膜アルミ電極ペースト組成物（BaO-ZnO-B2O3ガラスを例とする）で、銀導電ペーストの代わりに、電極端子を作製する。標準のチップ抵抗器厚膜印刷工程では、アルミナセラミック基板に対して、厚膜印刷工程に従って、順に、電極端子アルミニウムペーストの印刷と焼結ステップ１０１や、抵抗層の印刷と焼結ステップ１０２、内被層の印刷と焼結ステップ１０３、レーザー切断ステップ１０４、上塗り層の印刷と焼結ステップ１０５、コード層の印刷ステップ１０６、折重なりステップ１０７、電極端子側面伝導の印刷ステップ１０８、フォールディングステップ１０９、予処理の反表面被覆ステップ１１０及び金属メッキ（ニッケルやすず）ステップ１１１等のステップを行って、厚膜アルミ電極アルミニウムチップ抵抗器を作成し、図１のようである。また、上記の反表面被覆は、図２に示されるようであり、適度な反表面被覆（陽極処理前反応）や過度の反表面被覆（適度な陽極処理）である。
厚膜印刷アルミ電極の導電率や熱放散及び密度（開孔率）は、主として、厚膜アルミニウムペーストガラス組成と金属アルミニウム粉の処方によるものであるため、本発明は、主として、印刷厚膜アルミ電極をチップ抵抗器に応用する時の電気性能と厚膜導電アルミニウムペーストガラス組成との繋がり及び、厚膜アルミ電極金属メッキの予処理工程を検討する。
表一に基づいて、600℃、850℃で、導電アルミニウムペーストRO-BaO-ZnO-B2O3ガラスを焼結し、その中、金属酸化物ROが、シリカや、二酸化マンガン、酸化銅、酸化クロム、ジルコニア、アルミナ、酸化ホウ素、酸化亜鉛、及び酸化リチウムであり、それを、その他の導電アルミニウムペーストZnO-B2O3ガラスで作製したチップ抵抗器と、特性を比較する。
まず、厚膜印刷アルミ電極の導電率が、金属アルミニウムペースト内の金属アルミニウム含量やアルミニウム粉の細粒サイズ及びガラス添加量とは、絶対的な関係を持って、アルミ電極の導電率は、アルミニウム金属固形分の増加に伴って向上し、また、アルミニウムの細粒が大きければ大きいほど、導電率が高くなり、そして、ガラス含量が低くなると、ホールが多すぎ、連結率が低いため、導電率が低くなるが、ガラス含量が高すぎると、ガラスの高絶縁性によって、アルミニウムの導電率も大幅に低下する。
また、厚膜印刷チップ抵抗アルミ電極の熱安定性（200℃熱処理）には、BaO-ZnO-B2O3ガラスだけが、チップ抵抗アルミ電極の熱安定性の改善に、有利である。図３のように、850℃で焼結した導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラス３１と、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラス３２との表面緻密性を比較し、また、図４のように、それぞれ、600℃や850℃で焼結した導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラス４１、４２と、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラス４３、４４との内部微構造を比較し、上記図３と４の比較から、分かるように、本発明は、ガラスにあるV2O5の含量により、鎖状構造が増加されて、構造が緩んだため、軟化点温度が低下して、高密度低開孔率の厚膜アルミニウムペーストを得ることに、有利であり、また、図５のように、850℃で焼結した導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラス５１と、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラス５２で作製したチップ抵抗器との熱安定性比較からも分かるように、この導電アルミニウムペーストと、特別のメッキ予処理を必要とするアルミ電極チップ抵抗の熱処理電気性能安定性テストによれば、本発明は、チップ抵抗器の電極端子とする熱安定性に、非常に有利である。
そして、チップ抵抗器厚膜印刷アルミ電極の短時間高電圧負載テストに基づいて、金属アルミニウムペースト内のガラス種類とガラス含量に関連するが、BaO-ZnO-B2O3ガラスだけが、チップ抵抗アルミ電極の短時間高電圧負載テストにおいて、より有利である。図６のように、850℃で焼結した導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラス６１と、本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラス６２によって作製されたチップ抵抗器の短時間過負荷テストの比較から分かるように、BaO-ZnO-B2O3ガラスが、偏極子導電ガラスであるため、当該偏極子導電ガラス特性により、チップ抵抗器の短時間高電圧負載テストにおいて、瞬間に、アルミニウム導電細粒から、その高電圧荷重エネルギーを誘導することに有利である。
また、本発明は、反表面被覆を利用して、BaO-ZnO-B2O3ガラスで焼結した後、アルミニウムペーストが、高密度になるが、一部の電極表面に酸化層が生成されて、その後の金属メッキが難しい問題が、派生される。
最後に、アルミナセラミック基板７１に、高温焼結アルミ電極７２ａを高温焼結（アルミニウムの融点(660℃)より高い約850℃である）してから、低温焼結アルミ電極７２ｂを低温焼結（アルミニウムの融点より低い約600℃である）し、ニッケルメッキとすずメッキ７３、７４後の二層のアルミ電極構造は、図７のようであり、当該構造によれば、チップ抵抗アルミ電極の、(1)基板との付着力（高温焼結アルミ電極７２ａ）、(2)金属メッキ、例えば、ニッケルやすず等（低温焼結アルミ電極７２ｂ）、及び(3)短時間過負荷電圧テスト（二層のアルミ電極の過負荷電圧テストによる通路を拡散すること）、また、図６を参照する。
本発明に係るチップ抵抗に、元の銀電極端子の代わりに、アルミ電極端子８１を利用し、そのニッケル、すずメッキ８２、８３後のチップ抵抗は、図８のように、それぞれ、反表面被覆なしのニッケルメッキ表面８４とニッケル、すずメッキの断面８５であり、また、それぞれ、反表面被覆ありのニッケルメッキ表面８６とニッケル、すずメッキの断面８７である。
本発明は、チップ抵抗の銀電極とアルミ電極を、高電圧と高湿度の下で、比較すると、図９のように、銀９１が、黄色くになり、銀電極材料に、変遷が発生するが、アルミニウム９２が、何も発見されなくて、アルミ電極材料に、変遷が発生しない。
上記のように、本発明に係る厚膜印刷アルミ電極は、下記の効果が得られる。
(1)銀電極端子の代わりに、アルミ電極端子を利用して、大幅に材料コストを低下できる効果が実現される。
(2)銀電極端子の代わりに、アルミ電極端子を利用することにより、完全に、従来のチップ抵抗の硫化問題と、従来の銀電極の高電圧や高湿度による銀変遷問題とが、解消されて、チップ抵抗を車用電子に、より適用する効果が実現される。
以上のように、本発明に係る、厚膜アルミ電極ペースト組成物と、その金属メッキの予処理によって作製されるチップ抵抗器は、有効的に、従来の諸欠点を解消でき、チップ抵抗器の硫黄耐性能力を向上できることだけでなく、従来の銀電極が、高電圧下と高湿度下での銀変遷問題を解消でき、また、大幅に、チップ抵抗器の電極端子の材料コストを低減でき、そのため、本発明は、より進歩的かつより実用的で、法に従って特許請求を出願する。
以上は、ただ、本発明のより良い実施例であり、本発明は、それによって制限されることが無く、本発明に係わる特許請求の範囲や明細書の内容に基づいて行った等価の変更や修正は、全てが、本発明の特許請求の範囲内に含まれる。
本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスで、アルミ電極チップ抵抗器を作製する時の流れ概念図である。 本発明の反表面被覆の概念図である。 本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスと、導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラスとの表面緻密性の比較概念図である。 本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスと、導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラスとの内部微構造の比較概念図である。 本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスと、導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラスで作製したチップ抵抗器の熱安定性の比較概念図である。 本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスと、導電アルミニウムペーストのBi2O3-ZnO-B2O3ガラスで作製したチップ抵抗器の短時間過負荷テストの比較概念図である。 本発明の二層の高低温アルミニウム導電ペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスで作製したアルミ電極チップ抵抗器の電極断面概念図である。 本発明の導電アルミニウムペーストのBaO-ZnO-B2O3ガラスで作製したアルミ電極チップ抵抗器の電極断面概念図である。 本発明において、高電圧及び高湿度下でチップ抵抗の銀電極とアルミ電極を比較する時の電極材料の変遷概念図である。
歩驟 １０１〜１１１
２１ 適度反表面被覆
２２ 過度反表面被覆
３１、４１、４２、５１、６１ Bi2O3-ZnO-B2O3ガラス
３２、４３、４４、５２、６２ RO-ZnO-B2O3ガラス
７１ アルミナセラミック基板
７２ａ 高温アルミ電極
７２ｂ 低温アルミ電極
７３ ニッケルメッキ
７４ すずメッキ
８１ アルミ端電極
８２ ニッケルメッキ
８３ すずメッキ
９１ 銀
９２ アルミ

Claims (5)

  1. アルミナセラミック基板において、チップ抵抗器電極端子を形成するための導電アルミニウムペースト組成物であって、
    RO-ZnO-B2O3ガラスと、金属酸化物MO、カーボンブラック或いはグラフェン、金属銀玉、金属アルミ玉、及び有機添加剤が含まれ、当該RO-ZnO-B2O3ガラスと当該金属酸化物MO、当該カーボンブラック或いはグラフェン、当該金属銀玉、当該金属アルミ玉、及び当該有機添加剤の総重量として、当該RO-ZnO-B2O3ガラスの含量が3〜30wt%で、当該金属酸化物MOの含量が0.1〜20wt%で、当該カーボンブラック或いはグラフェンの含量が0.1〜20wt%で、当該金属銀玉の含量が0.1〜20wt%で、当該金属アルミ玉の含量が40〜80wt%で、当該有機添加剤の含量が10〜20wt%であり、当該RO-ZnO-B2O3ガラスが、V2O5-ZnO-B2O3ガラス或いはBaO-ZnO-B2O3ガラスである、ことを特徴とする厚膜アルミ電極ペースト組成物。
  2. 当該金屬気化物MOは、シリカ（SiO2）や二酸化マンガン（MnO2）、酸化銅（CuO）、酸化クロム（Cr2O3）、ジルコニア（ZrO2）、アルミナ（Al2O3）、酸化ホウ素（B2O3）、酸化亜鉛（ZnO）、及び酸化リチウム（Li2O）で、当該シリカや当該二酸化マンガン、当該酸化銅、当該酸化クロム、当該ジルコニア、当該アルミナ、当該酸化ホウ素、当該酸化亜鉛、及び当該酸化リチウムの総重量として、当該シリカの含量が1〜15wt%で、当該二酸化マンガンの含量が1〜15wt%で、当該酸化銅の含量が1〜15wt%で、当該酸化クロムの含量が1〜15wt%で、当該ジルコニアの含量が1〜15wt%で、当該アルミナの含量が1〜5wt%で、当該酸化ホウ素の含量が25〜30wt%で、当該酸化亜鉛の含量が25〜30wt%で、及び当該酸化リチウムの含量が1〜5wt%である、ことを特徴とする請求項１に記載される厚膜アルミ電極ペースト組成物。
  3. 当該金屬銀玉及び、当該カーボンブラック或いはグラフェンは、導電導熱添加剤である、ことを特徴とする請求項１に記載される厚膜アルミ電極ペースト組成物。
  4. 当該厚膜アルミ電極ペースト組成物をアルミナセラミック基板に塗布して、乾燥及び焼結することにより、厚膜アルミ電極を形成することは、当該厚膜アルミ電極に対して、後続の金属メッキを行う前の予処理であり、当該予処理が、反表面被覆で、当該厚膜アルミ電極の表面凹凸やアルミナ不導電質を除去して、当該厚膜アルミ電極に、表面粗度や低酸素含量を持たせ、これにより、当該厚膜アルミ電極のチップ抵抗器の特性が、厚膜印刷の銀電極と還元雰囲気において焼結された厚膜印刷銅電極のチップ抵抗器の特性に相当させる、ことを特徴とする請求項１に記載される厚膜アルミ電極ペースト組成物。
  5. 当該厚膜アルミ電極ペースト組成物は、先ず、アルミの融点より高い温度で、当該アルミナセラミック基板に、高温焼結アルミ層を形成し、更に、アルミの融点より低い温度で、当該高温焼結アルミ層に、低温焼結アルミ層を形成する、ことを特徴とする請求項４に記載される厚膜アルミ電極ペースト組成物。
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