JP2020537827A - 基板を処理するための方法及び装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 194
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 88
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 83
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 25
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims description 3
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
−基板は、第1の圧力の第1の雰囲気で第1の処理が行われ、結果として第1の温度を有する第1の処理された基板をもたらす。
−続いて、第1の処理された基板は、第2の圧力の第2の雰囲気で第2の処理が行われ、それによって、第2の処理は、第1の処理された基板の第2の温度で開始される。第2の処理は、処理された基板をもたらす。第2の温度は、第1の温度とは異なり、さらに、第2の圧力は、第1の圧力よりも低い。
(a)第1の圧力の第1の雰囲気で基板に対して第1の処理を行い、結果として第1の温度を有する第1の処理された基板をもたらす段階。
(b)続いて、第2の圧力の第2の雰囲気で前記第1の処理された基板に対して第2の処理を行い、前記第1の処理された基板の第2の温度で前記第2の処理を開始し、結果として前記処理された基板をもたらす段階。ここで、前記第2の温度は、前記第1の温度と異なり、前記第2の圧力は、前記第1の圧力よりも低い。
(c)段階(a)と段階(b)との間で、前記第1の処理された基板を前記第1の雰囲気から前記第2の雰囲気に閉じ込める(ロックイン)段階。
(d)前記閉じ込める段階中、前記第1の処理された基板を前記第1の温度から前記第2の温度に向かって加熱又は冷却する段階。
(a)少なくとも1つの基板用の第1の処理ステーションであって、第1の圧力で第1の雰囲気において少なくとも1つの基板を処理するように構成され、第1の処理された基板用の第1のステーションの出口を備える、第1の処理ステーションと、
(b)少なくとも1つの基板用の第2の処理ステーションであって、前記第1の圧力より低い第2の圧力で第2の雰囲気において前記少なくとも1つの第1の処理された基板を処理するように構成され、第1の処理された基板用の第2のステーションの入口を備える、第2の処理ステーションと、
(c)前記第1のステーションの出口と前記第2のステーションの入口との間に相互接続されたロードロックチャンバーと、
(d)前記ロードロックチャンバーの第1の処理された基板と熱交換するように適合され、前記第1の処理された基板が前記ロードロックチャンバーを通して前記第1の処理ステーションから前記第2の処理ステーションにロードロックされると制御が可能になる、
前記ロードロックチャンバーの制御された熱交換デバイスと、
を備える。
−加熱及び/又は冷却表面と、
−基板用の基板支持体であって、前記支持体上の基板が、前記加熱及び/又は冷却表面と共に空間を画定する、基板支持体と、
−前記空間に動作可能に接続された第1の圧力センサーと、
−前記ロードロックチャンバーの残りの部分に動作可能に接続された第2の圧力センサーと、
−前記第1及び第2の圧力センサーによって測定された圧力の差を、予め設定された圧力差の値に等しくなるように、又は、予め設定された圧力差の時間経過に従うように制御するように適合されたコントローラーを備える負のフィードバック制御ループと、
を備える。
2 第2の処理ステーション
3 ロードロックチャンバー
4 ロードロック弁
5 制御された熱交換デバイス
6 第2の処理ステーションの真空ポンプ
7 基板
8 輸送構成(輸送及び取り扱い用)
9 脱ガスステーション(第1の処理ステーション1としての)
10 脱ガスステーションの排出口
11 ロードロックチャンバーの圧力制御部材
12 圧力制御部材の真空ポンプ
13 加熱及び/又は冷却表面の開口部
14 paの圧力センサー
15 pbの圧力センサー
16 フィードバック制御システムのコントローラー
17 所望の値を設定するユニット
18 熱交換デバイス5の制御
19 縁部
20 高さ、突起、ピン
21 押さえ装置、ダウンホルダーリング、クランプリング
p1 第1の処理ステーションの圧力
p2 第2の処理ステーションの圧力
T1 第1の処理ステーションの基板の温度
T2 第2の処理ステーションの基板の温度
patm 大気圧
pb ロードロックチャンバーの支配的な圧力
pa 接触領域の圧力
Δpab 圧力差(pb−pa)
Δt 熱交換の時間
CV 制御弁(CV1及びCV2も同様)
SV 遮断弁
Claims (42)
- (a)第1の圧力の第1の雰囲気で基板に対して第1の処理を行い、結果として第1の温度を有する第1の処理された基板をもたらす段階と、
(b)続いて、第2の圧力の第2の雰囲気で前記第1の処理された基板に対して第2の処理を行い、前記第1の処理された基板の第2の温度で前記第2の処理を開始し、結果として前記処理された基板をもたらす段階であって、前記第2の温度が、前記第1の温度と異なり、前記第2の圧力が、前記第1の圧力よりも低い、段階と、
(c)段階(a)と段階(b)との間で、前記第1の処理された基板を前記第1の雰囲気から前記第2の雰囲気に閉じ込める段階と、
(d)前記閉じ込める段階中、前記第1の処理された基板を前記第1の温度から前記第2の温度に向かって加熱又は冷却する段階と、
を含む、基板を処理する方法又は処理された基板を製造する方法。 - 前記第1の温度が、前記第2の温度より高い、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の処理が脱ガスである、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第1の圧力が、周囲大気圧である、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。
- 前記第1の処理を行う段階と前記閉じ込める段階との間で前記第1の処理された基板の輸送を行う段階を含む、請求項1から4の何れか一項に記載の方法。
- 周囲大気圧及び周囲雰囲気の少なくとも1つで前記輸送の少なくとも一部を行う段階を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記第2の圧力が、準大気圧である、請求項1から6の何れか一項に記載の方法。
- ある圧力低下率で前記閉じ込める段階中に圧力が低下し、前記閉じ込める段階中に熱交換時間を提供する段階を含み、前記熱交換時間中に、前記圧力低下率が、少なくとも前記第1の処理された基板の1つの拡張された表面側部に沿って、前記熱交換時間の前及び後の少なくとも1つにおける前記圧力低下率と比較して低減される、請求項1から7の何れか一項に記載の方法。
- 前記閉じ込める段階中に、前記基板と加熱又は冷却表面との少なくとも部分的な接触を確立する段階を含む、請求項1から8の何れか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも部分的な接触が、前記閉じ込める段階中の前記基板と加熱又は冷却表面との表面間接触である、請求項9に記載の方法。
- 前記接触が、前記基板を前記加熱又は冷却表面上に付勢することによって確立される、請求項9又は10に記載の方法。
- 前記付勢が、機械的及び静電的のうちの少なくとも1つによって行われる、請求項11に記載の方法。
- 前記付勢が、押さえ付け装置によって機械的に行われる、請求項12に記載の方法。
- 前記付勢が、前記基板の表面の残りの部分が晒される支配的な圧力(pb)と比較して接触領域により低い圧力(pa)を加えることにより、前記加熱又は冷却表面に面する前記基板の表面と前記基板の表面の残りの部分との間に圧力差(Δpab)を確立する段階を含む、請求項11から13の何れか一項に記載の方法。
- 前記圧力差Δpabが、少なくとも300Pa、又は、300Pa≦Δpab≦100000Paの範囲、又は、500Pa≦Δpab≦10000Paの範囲であるように選択される、請求項14に記載の方法。
- 前記支配的な圧力pbが、少なくとも400Pa、又は、400Pa≦pb≦100000Paの範囲、又は、1000Pa≦pb≦20000Paの範囲であるように選択される、請求項14又は15に記載の方法。
- ロードロックチャンバーの基板と加熱及び/又は冷却表面との間に第1の圧力を確立する段階と、前記ロードロックチャンバーの残りの容積内に第2の圧力を確立する段階と、予め設定された差の値又は予め設定された差の時間的経過に対する前記第1及び第2の圧力の差を負のフィードバック制御する段階と、を含む、請求項1から16の何れか一項に記載の方法。
- 前記閉じ込める段階を行うのと同じ場所での締め出す段階を介して、前記第2の処理された基板を前記第2の処理から取り除く段階を含む、請求項1から17の何れか一項に記載の方法。
- 前記締め出す段階中に、前記第2の処理された基板の更なる加熱又は冷却を行う段階を含む、請求項18に記載の方法。
- 前記更なる加熱又は冷却が、前記閉じ込める段階中に行われる前記冷却又は加熱と同じ手段によって行われる冷却又は加熱である、請求項19に記載の方法。
- 前記閉じ込める段階のための圧力低下を開始する段階と、前記圧力低下を開始した後、所定の時間の冷却又は加熱を開始する段階と、を含む、請求項1から20の何れか一項に記載の方法。
- 柔軟な基板を真空中で加熱又は冷却する方法であって、前記加熱又は冷却表面に向けられた前記基板にわたる圧力の低下を生成することによって前記基板を加熱又は冷却表面に向けて押し付ける段階を含む、柔軟な基板を真空中で加熱又は冷却する方法。
- (a)少なくとも1つの基板用の第1の処理ステーションであって、第1の圧力で第1の雰囲気において前記少なくとも1つの基板を処理するように構成され、第1の処理された基板用の第1のステーションの出口を備える、第1の処理ステーションと、
(b)少なくとも1つの基板用の第2の処理ステーションであって、前記第1の圧力よりも低い第2の圧力で第2の雰囲気において前記少なくとも1つの第1の処理された基板を処理するように構成され、第1の処理された基板用の第2のステーションの入口を備える、第2の処理ステーションと、
(c)前記第1のステーションの出口と前記第2のステーションの入口との間に相互接続されたロードロックチャンバーと、
(d)前記ロードロックチャンバーの第1の処理された基板と熱交換するように適合され、前記第1の処理された基板が前記ロードロックチャンバーを通して前記第1の処理ステーションから前記第2の処理ステーションにロードロックされると制御が可能になる、前記ロードロックチャンバーの制御された熱交換デバイスと、
を備える、基板処理装置。 - 前記制御された熱交換デバイスが、加熱又は冷却ユニットを備える、請求項23に記載の装置。
- 前記制御された熱交換デバイスが、加熱冷却ユニットを備える、請求項23に記載の装置。
- 前記第1の処理ステーションが、脱ガスステーションである、請求項23から25の何れか一項に記載の装置。
- 前記第1の圧力が、周囲大気圧である、請求項23から26の何れか一項に記載の装置。
- 前記第1のステーションの出口と前記ロードロックチャンバーとの間に相互接続された輸送構成をさらに備える、請求項23から27の何れか一項に記載の装置。
- 前記輸送構成が、周囲大気圧及び周囲雰囲気のうちの少なくとも1つで前記基板を輸送するように設計されている、請求項28に記載の装置。
- 前記第2の処理ステーションが、準大気圧処理ステーションである、請求項23から29の何れか一項に記載の装置。
- 前記熱交換デバイスが、加熱及び/又は冷却表面を備える、請求項23から30の何れか一項に記載の装置。
- 前記加熱及び/又は冷却表面上に基板を付勢するように構成された付勢構成をさらに備える、請求項31に記載の装置。
- 前記付勢構成が、基板を載せた前記加熱及び/又は冷却表面に沿った圧力と、前記加熱及び/又は冷却表面から離れた前記ロードロックチャンバーの支配的な圧力との間の圧力差を制御するように適合された圧力制御部材を備える、請求項32に記載の装置。
- 前記圧力制御部材が、前記加熱及び/又は冷却表面の少なくとも1つの開口部に導管によって接続された第1のポンプライン構成と、前記加熱及び/又は冷却表面から離れた前記ロードロックチャンバーへの少なくとも1つのさらなる開口部に別の導管によって接続された第2のポンプライン構成と、を備える、請求項33に記載の装置。
- 前記加熱及び/又は冷却表面の少なくとも1つの開口部が、前記加熱及び/又は冷却表面の溝のパターンで分岐する、請求項34に記載の装置。
- 前記第1及び前記第2のポンプライン構成が、共通のポンプ吸引口からの分岐である、請求項34又は35に記載の装置。
- 前記第1及び第2のポンプライン構成のうちの少なくとも1つが、圧力制御弁又は流量制御弁を備える、請求項34から36の何れか一項に記載の装置。
- 基板を載せた前記加熱及び/又は冷却表面に沿った圧力と、前記加熱及び/又は冷却表面から離れた前記ロードロックチャンバーの支配的な圧力との間の圧力差(Δpab)を、所定の値に、又は、所望の時間的経過に従うように、少なくとも所定の時間、制御するように負のフィードバック制御システムが提供される、請求項33から37の何れか一項に記載の装置。
- 前記熱交換デバイスが、基板支持体表面を有する基板支持体と、前記基板支持体表面の周囲に沿った周縁又はクランプリングとを備える、請求項23から38の何れか一項に記載の装置。
- 前記熱交換デバイスが、加熱流体及び/又は冷却流体のための導管を備える、請求項23から39の何れか一項に記載の装置。
- 前記第2のステーションの入口が、第2のステーションの出口でもあり、前記ロードロックチャンバーが、双方向基板操作用に構成されている、請求項23から40の何れか一項に記載の装置。
- 前記ロードロックチャンバーに、
−加熱及び/又は冷却表面と、
−基板用の基板支持体であって、前記支持体上の基板が、前記加熱及び/又は冷却表面と共に空間を画定する、基板支持体と、
−前記空間に動作可能に接続された第1の圧力センサーと、
−前記ロードロックチャンバーの残りの部分に動作可能に接続された第2の圧力センサーと、
−前記第1及び第2の圧力センサーによって測定された圧力の差を、予め設定された圧力差の値に等しくなるように、又は、予め設定された圧力差の時間的経過に従うように制御するために適合されたコントローラーを備える負のフィードバック制御ループと、
を備える、請求項23から41の何れか一項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH01279/17 | 2017-10-19 | ||
CH12792017 | 2017-10-19 | ||
PCT/EP2018/074873 WO2019076553A1 (en) | 2017-10-19 | 2018-09-14 | METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020537827A true JP2020537827A (ja) | 2020-12-24 |
JP7050912B2 JP7050912B2 (ja) | 2022-04-08 |
Family
ID=63579365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020522064A Active JP7050912B2 (ja) | 2017-10-19 | 2018-09-14 | 基板を処理するための方法及び装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210202282A1 (ja) |
EP (1) | EP3698398A1 (ja) |
JP (1) | JP7050912B2 (ja) |
KR (1) | KR102493257B1 (ja) |
CN (1) | CN111213227B (ja) |
TW (1) | TWI720349B (ja) |
WO (1) | WO2019076553A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021044622A1 (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | ロードロック装置 |
KR102583558B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2023-09-27 | 에이피시스템 주식회사 | 기판의 불순물 제거방법 및 기판처리장치 |
US11802806B2 (en) * | 2021-01-21 | 2023-10-31 | Mks Instruments, Inc. | Load-lock gauge |
US20230138326A1 (en) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | Applied Materials, Inc. | Model-Based Controlled Load Lock Pumping Scheme |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003059999A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
JP2009283904A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-12-03 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
WO2011161912A1 (ja) * | 2010-06-23 | 2011-12-29 | 株式会社アルバック | 基板ホルダ、成膜装置および成膜方法 |
JP2017514991A (ja) * | 2014-04-25 | 2017-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高温アプリケーション用プラズマ耐食性薄膜コーティング |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3486462B2 (ja) * | 1994-06-07 | 2004-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧・常圧処理装置 |
US5511608A (en) * | 1995-01-04 | 1996-04-30 | Boyd; Trace L. | Clampless vacuum heat transfer station |
JP3803487B2 (ja) * | 1998-05-08 | 2006-08-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板冷却装置および基板冷却方法 |
TW484170B (en) * | 1999-11-30 | 2002-04-21 | Applied Materials Inc | Integrated modular processing platform |
JP2003031639A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Canon Inc | 基板処理装置、基板の搬送方法及び露光装置 |
JP4860167B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置,処理システム及び処理方法 |
CN100511629C (zh) * | 2005-10-06 | 2009-07-08 | 东京毅力科创株式会社 | 处理系统及其运作方法 |
US7622386B2 (en) * | 2006-12-06 | 2009-11-24 | International Business Machines Corporation | Method for improved formation of nickel silicide contacts in semiconductor devices |
US20090031955A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Applied Materials, Inc. | Vacuum chucking heater of axisymmetrical and uniform thermal profile |
US8870513B2 (en) | 2009-03-18 | 2014-10-28 | Oerlikon Advanced Technologies Ag | Vacuum treatment apparatus |
US10247473B2 (en) * | 2014-01-21 | 2019-04-02 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate to remove moisture and/or residue |
US9378992B2 (en) * | 2014-06-27 | 2016-06-28 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput heated ion implantation system and method |
US9934992B2 (en) | 2014-12-11 | 2018-04-03 | Evatec Ag | Chamber for degassing substrates |
JP6554387B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2019-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置における基板冷却方法、基板搬送方法、およびロードロック装置 |
-
2018
- 2018-09-14 KR KR1020207014355A patent/KR102493257B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-14 CN CN201880067987.5A patent/CN111213227B/zh active Active
- 2018-09-14 WO PCT/EP2018/074873 patent/WO2019076553A1/en unknown
- 2018-09-14 JP JP2020522064A patent/JP7050912B2/ja active Active
- 2018-09-14 EP EP18769366.8A patent/EP3698398A1/en not_active Withdrawn
- 2018-09-14 US US16/756,548 patent/US20210202282A1/en not_active Abandoned
- 2018-10-04 TW TW107135041A patent/TWI720349B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003059999A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
JP2009283904A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-12-03 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
WO2011161912A1 (ja) * | 2010-06-23 | 2011-12-29 | 株式会社アルバック | 基板ホルダ、成膜装置および成膜方法 |
JP2017514991A (ja) * | 2014-04-25 | 2017-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高温アプリケーション用プラズマ耐食性薄膜コーティング |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200067202A (ko) | 2020-06-11 |
US20210202282A1 (en) | 2021-07-01 |
TWI720349B (zh) | 2021-03-01 |
EP3698398A1 (en) | 2020-08-26 |
TW201923933A (zh) | 2019-06-16 |
KR102493257B1 (ko) | 2023-01-30 |
CN111213227A (zh) | 2020-05-29 |
JP7050912B2 (ja) | 2022-04-08 |
WO2019076553A1 (en) | 2019-04-25 |
CN111213227B (zh) | 2023-10-13 |
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