CN100511629C

CN100511629C - 处理系统及其运作方法

Info

Publication number: CN100511629C
Application number: CNB2006800028138A
Authority: CN
Inventors: 关户幸一; 山口博史; 裴廷桓
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2005-10-06
Filing date: 2006-10-06
Publication date: 2009-07-08
Anticipated expiration: 2026-10-06
Also published as: CN101107702A

Abstract

本发明提供一种为了对基板实施相互相同的处理所设计的具备多个处理模块的处理系统的运转方法。当进行各处理模块的调节作为用于实施规定处理方案的准备时，每当一个处理模块的调节完成时，在从收纳未处理基板的盒体到该处理模块的搬送路径上逐次开始未处理基板的搬送，与此同时开始逐次对使用该处理模块的未处理基板进行处理。即使同一种类处理模块之间的调节所需时间不一致，也可以高效地运用处理系统。

Description

处理系统及其运作方法

技术领域

本发明涉及在搬送部周围集成设置有多个处理模块(processmodule)的联机式(inline-type)处理系统，特别涉及在多台或多组处理模块中并列进行实质上相同处理的处理系统。

背景技术

例如集成设备(cluster tool)是采用下述结构的处理系统：其将多个处理模块配置在主搬送室周围，使得能够连续或者同时进行相同或者不同的处理，典型的是由半导体制造装置所采用(例如参照JP2000-127069A)。

在这种集成设备的处理系统中，各处理模块包括用于控制模块内的各部分动作和状态以及对处理实行控制的处理用模块控制器，并且，主搬送室内的搬送机构包括用于控制其搬送顺序和搬送臂的动作的搬送用模块控制器。而且，一边交换统一控制系统全体的主控制器和模块控制器之间的方案信息控制信号等，一边以一定周期以及一定搬送方式反复进行由各处理模块进行的规定的单片处理和由搬送机构进行的基板搬送。特别是当在多台或多组处理模块中并列进行同一方案的处理的情况下，能够使单一或复合处理的生产效率倍增。

上述处理系统通常在长时间下连续运行，由此可以得到高生产性，而且具有能够对应处理方案实现多种多样处理的所谓的灵活性(应对性)。在这种情况下，在制造处理批量的间歇处等，系统内的基板搬送全部停止，在各处理模块中，由于新的处理方案，需要花费相当的时间进行用于使模块内部条件与设定值相符合的调节(conditioning)。这种条件的代表有，处理模块的处理室或者腔室内的温度、内壁状态等。作为腔室内的温度，特别是保持基板并对其进行加热的基座(susceptor)的温度是重要的。

但是，即使在多台或者多组处理模块中进行相同方案的处理，因机器差别的不同，达到各条件设定值的时间在处理模块间也存在偏差。例如，作为处理温度，虽然方案中的设定温度为600℃，但是关于基座温度的设定值，某一个处理模块为590℃，另外的处理模块设定值则为610℃。此外，即使基座温度的设定值相同，在各处理模块中，温度传感器其灵敏度也因机器差别而有所不同，由此，其判断达到设定值的时间也会产生偏差。在这种情况下，调节结束的时刻对各处理模块而言各不相同而存在偏差，处理模块的台数越多这些时间的最大值和最小值的差值就越大。

在现有的集成设备中，即便用于新开始的处理方案的调节没有完成的处理模块只有一个，其它所有的处理模块也都会被置于待机状态，在最后的处理模块调节完成的时刻所有处理模块一起开始运行。但是，系统在上述待机状态期间实质上完全没有运行，因此，在生产性方面还有改善的余地。

发明内容

本发明是鉴于上述现有技术的问题而提出的，其目的在于提供一种处理系统，即使各处理模块对于期望的处理其调节时间存在偏差，也能够尽可能地有效利用系统全体的资源以提高生产率。

为了实现上述目的，本发明第一方面提供一种处理系统，其特征在于，包括：多个处理模块，构成为各个对基板实施实质上相同的处理；搬送系统，在其周围连接有上述多个处理模块并且在其内部包含具有第一搬送机构的第一搬送模块，该搬送系统构成为从收纳有多个基板的盒体将各基板搬送至上述多个处理模块中的任一个；以及控制器，控制上述搬送系统和上述多个处理模块的动作，其中，上述控制器控制上述搬送系统和上述多个处理模块，使得在分别进行用于使上述多个处理模块成为能够实施上述处理状态的调节的情况下，每当上述多个处理模块中的一个完成调节时，上述搬运系统从上述盒体在向着上述一个已完成调节的处理模块的搬送路径上开始逐次搬送基板，并且开始对上述一个已完成调节的处理模块中的基板进行逐次处理。

开始逐次搬送基板时的最初一个基板乃至多个基板的搬送起始点没有必要在盒体内。搬送的起始点可以在从盒体到处理模块的搬送路径上的任一位置。即，到搬送开始时刻为止，能够使基板在搬送路径内的任意位置待机。

另外，本发明提供一种处理系统，其特征在于，包括：多个处理模块，该多个处理模块包含多种且每种具有多个，使得能够设定多组处理模块组，该处理模块组由多种处理模块组成，能够实行由一系列多个处理构成的复合处理；搬送系统，在其周围连接有上述多个处理模块并且在其内部包含具有第一搬送机构的第一搬送模块，该搬送系统构成为从收纳有多个基板的盒体将各基板搬送至上述多个处理模块中的任一个；以及控制器，控制上述搬送系统和上述多个处理模块的动作，其中，上述控制器控制上述搬送系统以及上述多个处理模块，使得在进行用于使上述多个处理模块成为能够实施分别被分配的上述处理状态的调节的情况下，每当在调节已完成的处理模块中能够实施上述复合处理的处理模块的组合成立时，设定该组合作为上述处理模块组，上述搬送系统开始从上述盒体在向着设定的上述处理模块组的搬送路径上对基板逐个地进行搬送，并且开始对设定的处理模块组中的基板进行逐次处理。

本发明第二方面提供一种处理系统的运转方法，其特征在于：上述处理系统包括：多个处理模块，构成为各个对基板实施实质上相同的处理；和搬送系统，从收纳有多个基板的盒体将各基板搬送至上述多个处理模块中的任一个，其中，在分别进行用于使上述多个处理模块成为能够实施上述处理状态的调节的情况下，每当上述多个处理模块中的一个完成调节时，上述搬运系统从上述盒体在向着上述一个已完成调节的处理模块的搬送路径上开始逐次搬送基板，并且开始对上述一个已完成调节的处理模块中的基板进行逐次处理。

此外，本发明提供一种处理系统的运转方法，其特征在于，包括：上述处理系统包括：多个处理模块，该多个处理模块包含多种且每种具有多个，使得能够设定多组处理模块组，该处理模块组由多种处理模块组成，能够实行由一系列多个处理构成的复合处理；和搬送系统，该搬送系统从收纳有多个基板的盒体将各基板搬送至上述多个处理模块中，其中，在进行用于使上述多个处理模块成为能够实施分别被分配的上述处理状态的调节的情况下，每当在调节已完成的处理模块中能够实施上述复合处理的处理模块的组合成立时，设定该组合作为上述处理模块组，上述搬送系统开始从上述盒体在向着设定的上述处理模块组的搬送路径上对基板逐个地进行搬送，并且开始对设定的处理模块组中的基板进行逐次处理。

附图说明

图1是表示本发明一种实施方式的处理系统结构的概略平面图。

图2是用于说明图1所示真空搬送机器的拾取按压动作模式图。

图3是说明图1所示处理系统中的控制和搬送路径的框图。

图4是说明在处理系统中进行单一处理时作用的一阶段的图。

图5是说明在处理系统中进行单一处理时作用的另一阶段的图。

图6是说明在处理系统中进行单一处理时作用的再一阶段的图。

图7是说明在处理系统中进行复合处理时其作用的第一例的图。

图8是说明在处理系统中进行复合处理时其作用的第二例的图。

图9是表示图7所示的第一例中的作用的一阶段的说明图。

图10是表示图8所示的第二例中的作用的一阶段的说明图。

图11是本发明中其他实施方式的处理系统的构成的概略平面图。

具体实施方式

图1是表示本发明一个实施方式中的集成设备(cluster tool)的处理系统的构成图。该处理系统是在构成中央搬送室的传送模块(transfermodule)TM周围环状地配置有多台(例如四台)处理模块(processmodule)PM₁、PM₂、PM₃、PM₄和两个负载锁定模块(loadlock module)LLM₁、LLM₂的多腔室系统。各模块分别具有能够在希望的真空度下形成减压空间的真空腔室或者处理室。中心部的传送模块TM通过根据需进行开闭的闸阀GV与周边部的各模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄、LLM₁、LLM₂相连接。

在传送模块TM的室内，设置有具有一对可旋转伸缩的搬送臂F_A、F_B的真空搬送机器(robot)RB₁。该搬送机器RB₁在真空搬送用模块控制器MC_T(图3)的控制下运转，各搬送臂F_A、F_B能够在其叉形末端执行器(end effector)上保持一个被处理体例如半导体晶片(以下简称(晶片))，能够通过处于打开状态的闸阀GV有选择地将搬送臂F_A、F_B的任一方相对于周围各模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄、LLM₁、LLM₂进行插入或拔出，以对晶片进行搬入(loading：装载)/搬出(unloading：卸载)。两搬送臂F_A、F_B搭载在机器本体互相相反的两个方向上，能够一体地旋转运动，并且搬送臂构成为能够在原位置与前进位置(模块内)之间伸缩移动。

处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄在各自的腔室内部具有保持晶片用的载置台或者基座，分别在各自的处理用模块控制器MC₁、MC₂、MC₃、MC₄(图3)的控制下，使用规定的用力(手段)(处理气体、电力等)来控制腔室内的温度、压力、电场、磁场、处理气体浓度等，由此进行规定的单片处理，例如CVD或者溅射等成膜处理、热处理、干蚀刻加工等。

在负载锁定模块LLM₁、LLM₂的内部，可以根据需要设置有加热部或冷却部。负载锁定模块LLM₁、LLM₂在与传送模块TM相反一侧通过闸阀(或者门阀(door valve))GV与正常大气压下的装载模块(loader module)LM连接。并且，与该装载模块LM相邻接设置有装载端口LP和定位机构(orientor)ORT。装载端口LP用于在与外部搬送车之间放入或取出晶片盒CR。定位机构ORT用于晶片W的定位平面(orientation flat)或者使凹槽(notch)定位在规定位置或方向。此外，在例示的实施方式中，传送模块TM和装载装置LM构成处理系统内部的搬送系统。

设置在装载模块LM内的大气搬送机器RB₂具有可伸缩的搬送臂，能够在直线导向体(linear guide)LA上沿水平方向移动并能够升降、旋转，其在大气搬送用模块控制器MC_L(图3)的控制下动作，在装载端口LP、定位机构ORT以及负载锁定模块LLM₁、LLM₂之间往复移动以搬送一个或多个单位的晶片。其中，直线导向体LA由永久磁石、驱动用励磁线圈以及测量头(Scale head)所构成，根据来自主控制器的命令施行搬送机器RB₂的直线驱动控制。

此处，对用于利用该集成设备(cluster tool)内的任意处理模块(例如PM₁)使放入装载端口LP的晶片盒CR内的一个晶片接受单一处理的基本晶片搬送顺序进行说明。在该系统内搬送晶片时，为了使各部分按照规定程序运转，在统一控制全体系统的设备控制器(equipmentcontroller)EC与搬送(大气搬送、真空搬送)模块控制器MC_T、MC_L与各处理模块控制器MC₁、MC₂、MC₃、MC₄之间进行必要的数据和控制信号的交换(图3)。此外，该集成设备(cluster tool)中的控制系统的结构只在图3中表示，在其他图中将省略图示。

装载模块LM的搬送机器RB₂从装载端口LP上的晶片盒CR中取出一个晶片W_i，并将该晶片W_i搬送至定位机构ORT使其向着规定位置，在完成上述动作后再移送至负载锁定模块LLM₁、LLM₂中的任一方(例如LLM₁)。在大气压状态下将晶片W_i搬送至作为移送目标的负载锁定模块LLM₁中。然后，利用图未示出的排气装置将室内抽成真空，并在减压状态下将晶片W_i交接到搬送模块TM的真空搬送机器RB₁。

搬送机器RB₁使用搬送臂F_A、F_B其中之一，从负载锁定模块LLM₁取出晶片W_i，接着使其旋转规定角度对准该处理模块PM₁，将从负载锁定模块LLM₁取出的晶片W_i搬送至处理模块PM₁。处理模块PM₁按照预先设定的方案在所规定的条件(气体、压力、高频电力、时间等)下实施单片处理。

当该单片处理结束后，搬送机器RB₁从处理模块PM₁搬出晶片W_i，并返回到负载锁定模块LLM₁、LLM₂的任一方(例如LLM₂)。该负载锁定模块LLM₂若搬入处理完成的晶片W_i，则室内从减压状态切换到大气压状态。在此之后，装载模块LM的搬送机器RB₂从大气压状态的负载锁定模块LLM₂中取出晶片W_i并使其返回到对应的晶片盒CR内。其中，还可以在负载锁定模块LLM₁、LLM₂中在期望的气氛下对所滞留的晶片W_i实施加热或冷却处理。

在利用该集成设备(cluster tool)内的任意组的处理模块(例如PM₁、PM₂)对一个晶片W_i实施复合处理的情况下，由第一处理模块PM₁进行第一工序的单片处理。当该第一处理结束后，搬送机器RB₁将从处理模块PM₁搬出的晶片W_i接着搬入第二处理模块(例如PM₂)。在第二处理模块PM₂中，按照预先设定的方案在规定的条件下实施第二工序的单片处理。

当该第二处理完成时，搬送机器RB₁将晶片W_i从第二处理模块PM₂搬出，然后再搬入负载锁定模块LLM₁、LLM₂的任一方。在负载锁定模块LLM₁、LLM₂与装载端口LP之间的晶片搬送与上述单一处理时的情况相同。

在该实施方式中，搬送模块TM的搬送机器RB₁具有如上所述的一对搬送臂F_A、F_B，能够相对于其周围的各处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄进行通过一系列操作交替该处理模块已处理完的晶片和接着应由该处理模块接受处理的晶片的拾取放置(pick-and-place)动作。

此处，参照图2对拾取放置动作进行说明。搬送机器RB₁如图2(A)所示，将应搬入目标处理模块PM_n的未处理(处理前)晶片W_j保持在单个搬送臂例如F_A上，使另一方的搬送臂F_B处于没有晶片的空置状态并对准该处理模块PM_n。然后，如图2(B)、(C)所示，处于空置状态的搬送臂F_B插入到该处理模块PM_n的腔室内，并从中将处理完的晶片W_i取出(拾取(pick)动作)。其次，如图2(D)所示，使搬送臂F_A、F_B旋转180度，将保持有未处理晶片W_j的搬送臂F_A置于处理模块PM_n的正面。然后，如图2(E)、(F)所示，搬送臂F_A插入到该处理模块PM_n的腔室内将该晶片W_j交接到内部的载置台或支撑销上，并抽出处于空置状态的搬送臂F_A(放置(place)动作)。其中，在该拾取放置动作期间，设置在该处理模块PM_n的晶片出入口上的闸阀GV(图1)始终处于打开状态。

而且，搬送机器RB₁能够相对于各负载锁定模块LLM₁、LLM₂通过与上述相同的拾取放置动作进行晶片的更换。此外，当执行一次拾取放置动作时，能够在拾取动作后立刻执行放置动作，此外，也能够在拾取动作后间隔较短待机时间执行放置动作。而且，搬送机器RB₁也可以单独执行将晶片W_i搬出的拾取动作或者将晶片W_j搬入的放置动作。

在该集成设备的处理系统中，处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄中的多台是由同一种机器构成的，此时，能够在这些多台处理模块中同时并列进行相同处理方案。作为一个例子，在处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄全部由同一机种的CVD装置构成时，这四台机器可以同时并列进行同一方案的成膜处理。在这种情况下，如图3所示，在系统内部，在设置于装载端口LP上的晶片盒CR与各处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄之间设定有晶片W往复用的搬送路径。其中，在图示的搬送路径中省略定位机构ORT的表示。

更详细地说，在装载端口LP和各负载锁定模块LLM₁、LLM₂之间设置有大气系搬送路径S_A，该大气系搬送路径S_A经由装载模块LM、即通过大气搬送机器RB₂以一个为单位往复搬送晶片W。该搬送路径S_A是所有晶片W都经过的共同通路。此外，在负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)与各处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄之间设置有真空系搬送路径S_B、S₁、S₂、S₃、S₄，这些真空系搬送路径S_B、S₁、S₂、S₃、S₄经由传送模块TM、即利用真空搬送机器RB₁以一个为单位往复搬送晶片W。在此，S_B是在负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)和真空搬送机器RB₁之间所有晶片W都通过的共同搬送路径。另一方面，S₁、S₂、S₃、S₄是并列地设置在真空搬送机器RB₁与各处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄之间的搬送路径，在各搬送路径上，分别通过属于被分为四组的晶片W各组的晶片。

在此，图3说明的是全部处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄运转时系统内部的搬送顺序。作为一个例子，晶片盒CR内的四个基板W_i、W_i+1、W_i+2、W_i+3按照W_i、W_i+1、W_i+2、W_i+3的顺序分别在处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄中接受同一方案的成膜处理。在该情况下，第一个晶片W_i从装载端口LP开始经由前进路径(去路)S_A→S_B→S₁被搬入到处理模块PM₁。接着，第二个晶片W_i+1从装载端口LP开始经由去路S_A→S_B→S₂被搬入到处理模块PM₂。然后，第三个晶片W_i+2从装载端口LP开始经由去路S_A→S_B→S₃被搬入到处理模块PM₃。最后，第四个晶片W_i+3从装载端口LP开始经由去路S_A→S_B→S₄被搬入到处理模块PM₄。

然后，最先完成上述处理的晶片W_i从处理模块PM₁开始经由返回路径(回路)S₁→S_B→S_A而返回到装载端口LP的晶片盒CR。其次，第二个完成上述处理的晶片W_i+1从处理模块PM₂开始经由回路S₂→S_B→S_A返回到装载端口LP的晶片盒CR。再次，第三个完成上述处理的晶片W_i+2从处理模块PM₃开始经由回路S₃→S_B→S_A返回到装载端口LP的晶片盒CR。最后，第四个完成所述处理的晶片W_i+3从处理模块PM₄开始经由回路S₄→S_B→S_A返回到装载端口LP的晶片盒CR。

其中，当从处理模块PM₁搬出第一个晶片W_i时，使从装载端口LP经由去路S_A→S_B→S₁而来的第五个晶片W_i+4通过上述拾取放置操作与该第一个晶片W_i相交换并将其搬入到处理模块PM₁。然后，当从处理模块PM₂搬出第二个晶片W_i+1时，使从装载端口LP经由去路S_A→S_B→S₂而来的第六个晶片W_i+5通过上述拾取放置操作与该第二个晶片W_i+1相交换并将其搬入处理模块PM₂。然后，当从处理模块PM₃搬出第三个晶片W_i+2时，使从装载端口LP经由去路S_A→S_B→S₃而来的第七个晶片W_i+6通过上述拾取放置操作与该第三个晶片W_i+2相交换并将其搬入处理模块PM₃。最后，当从处理模块PM₄搬出第四个晶片W_i+3时，使从装载端口LP经由去路S_A→S_B→S₄而来的第八个晶片W_i+7通过上述拾取放置操作与该第四个晶片W_i+3相交换并将其搬入处理模块PM₄。

但是，在该处理系统中，当变更处理顺序时，在处理批量的间歇处，系统内部基板的搬送动作全部停止，在各处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄中，因新的处理顺序而需要花费相当的时间进行用于使模块内部条件(例如基座的温度、腔室内壁的状态等)与基准值或基准状态相一致的调节。通常，该调节所需的时间在各模块中存在差别。即，如现有技术的说明中所述那样，即使是相同规格的处理模块，也会由于机器差别使得调节所需要的时间(例如基座的温度从待机用温度上升到处理用温度所需的时间)存在偏差。

该处理系统在实施这种调节时，按照如下的顺序开始实际的处理。例如，设各处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄中PM₂最先完成调节。这时，处理模块PM₂的模块控制器MC₂将通知调节完成的规定状态显示信号(就绪(ready)信号)传送到设备控制器EC。由此，设备控制器EC向搬送(大气搬送、真空搬送)模块控制器MC_T、MC_L通知上述内容。然后，在这些模块控制器MC₂、MC_T、MC_L的控制下，处理模块PM₂、大气搬送机器RB₂、负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)和真空搬送机器RB₁分别开始动作，如图4所示，在搬送路径S_A→S_B→S₂中开始搬送基板。即，将未处理的基板W₁、W₂、W₃、W₄......按照一定周期从装载端口LP的晶片盒CR经由去路S_A→S_B→S₂逐个地顺次送入到处理模块PM₂。然后，将处理完成的基板W₁、W₂、W₃、W₄......按照一定周期从处理模块PM₂经由回路S₂→S_B→S_A逐个地顺次送回至装载端口LP的晶片盒CR。这时，在处理模块PM₂中，通过搬送机器RB₁的拾取放置操作，将下一个基板W_i+1搬入，以替换处理完的被搬出的基板W_i。

紧接着，设处理模块PM₄使第二个晶片完成调节。这时，从处理模块PM₄的模块控制器MC₄向设备控制器EC发送准备就绪信号，并向搬送模块控制器MC_T、MC_L也通知该信息。由此，处理模块PM₄开始运作，图5所示的搬送路径S_A→S_B→S₄成立。即，至此为止从由处理模块PM₂进行的单独运作开始，到转换为由PM₂、PM₄两台并列进行运作时为止，不只在搬送路径S_A→S_B→S₂上进行基板搬送，在搬送路径S_A→S_B→S₄上也进行基板搬送。在该情况下，当某一基板W_i利用处理模块PM₂接受处理期间从处理模块PM₄发出准备就绪信号时，下一个基板W_i+1能够从去路S_A→S_B→S₂移动到搬送路径S_A→S_B→S₄而被搬入到处理模块PM₄。此时，基板W_i+1的下一个基板W_i+2被搬送到搬送路径S_A→S_B→S₂，基板W_i+2的下一个基板W_i+3被搬送到搬送路径S_A→S_B→S₄。后面的基板依次类推。其中，搬送路径S_A→S_B→S₄上的搬送相对于搬送路径S_A→S_B→S₂上的搬送存在规定的时间误差，并周期地循环进行。之后当新的搬送路径成立时，该新的搬送路径上的搬送相对于这之前已成立的搬送路径上的搬送也存在规定的时间误差，并周期地循环进行。

接着，设处理模块PM₁使第三个晶片完成调节。这时，仍然是从处理模块PM₁的模块控制器MC₁将准备就绪信号传送至设备控制器EC，并向搬送模块控制器MC_T、MC_L也通知该信息。由此，处理模块PM₁也开始运作，如图6所示，搬送路径S_A→S_B→S₁成立。即，至此为止从由PM₂、PM₄两台并列运行开始，转换为由PM₂、PM₄、PM₁三台并列运行为止，除了在搬送路径S_A→S_B→S₂、S_A→S_B→S₄搬送基板之外，在搬动通路S_A→S_B→S₁也开始搬送基板。在该情况下，在任意基板W_i、W_i+1分别通过处理模块PM₂、PM₄接受处理的期间从处理模块PM₁发出准备就绪信号时，下一个基板W_i+2能够从去路S_A→S_B→S₂移动至搬送路径S_A→S_B→S₁而被搬入处理模块PM₁。在这种情况下，基板W_i+2的下一个基板W_i+3在S_A→S_B→S₂上被搬送，基板W_i+3的下一个基板W_i+4在S_A→S_B→S₄上被搬送，基板W_i+4的下一个基板W_i+5在S_A→S_B→S₁上被搬送。

接着，最后若处理模块PM₃完成调节，则之后与图3相同，四台一起并列运作，成为在四个系统的搬送路径S_A→S_B→S₂、S_A→S_B→S₄、S_A→S_B→S₁、S_A→S_B→S₃上进行基板的搬送。并且，在本例中以PM₂、PM₄、PM₁、PM₃的顺序反复进行基板的搬送或者搬入/搬出。

这样，在本实施方式中，在实际处理开始之前的调节中，当在处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄中的任一台中完成时，即若在系统内的搬送路径S_A→S_B→S₁、S_A→S_B→S₂、S_A→S_B→S₃、S_A→S_B→S₄中的任一个成立，则立即在该搬送路径上开始基板搬送，并在该处理模块PM中以一定周期反复进行单片处理动作，因此，能够在系统内有效地利用可动资源，使生产力得到提高。

此外，在该实施方式中，所谓在各搬送路径上开始基板搬送是指：相对该搬送路径上的处理模块，在调节已经完成后，开始用于最初的基板W被搬入的搬送动作，在该开始时刻之前，基板W能够在搬送区域内的任意位置、即装载端口LP、装载模块LM、负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)、以及搬送模块TM内的任意位置待机。因此，例如，在上述例子中，在处理模块PM₄完成第二个晶片调节时，未处理的下一个基板W_i+1在传送模块TM内、即在真空搬送机器RB₁的搬送臂上待机时，开始搬送路径S_A→S_B→S₄上的基板搬送，将该基板W_i+1搬入到处理模块PM₄。

该集成设备的处理系统能够在两组处理模块中并列进行同一方案的复合处理。例如，在通过一列式(in line)连续成膜处理形成Si处理中金属隔壁所使用的Ti/TiN层积膜的应用中，可以在处理模块PM₁、PM₃中使用用于形成下层Ti膜的CVD装置，在处理模块PM₂、PM₄中使用用于形成上层TiN膜的CVD装置。在这种情况下，处理模块的组合方式有两种，也就是图7所示的【PM₁→PM₂】、【PM₃→PM₄】组合方式和图8所示的【PM₁→PM₄】、【PM₃→PM₂】组合方式。也可以固定地选择其中任意一个组合方式，在本实施方式中，可以任意选择这两种中的一种，按照后述的调节完成时间的顺序有条件地选择其中一种组合方式。

其中，在图7的情况下，在负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)与其中一组(方便起见称为【A组】)处理模块【PM₁→PM₂】之间设置有单方向搬送路径S₁→S_a→S₂，在该搬送路径上利用搬送模块TM的真空搬送机器RB₁以一个为单位搬送晶片W。这里，S₁是从负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)到第一工序用处理模块PM₁的搬送路径，S_a是从处理模块PM₁到第二工序用处理模块PM₂的搬送路径，S₂是从处理模块PM₂回到负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)的搬送路径。

未处理晶片W_i从负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)经由搬送路径S₁被搬送到处理模块PM₁，并在此接受第一工序的处理(T_i成膜处理)。若该第一搬送工序的处理结束，则紧接着晶片W_i从处理模块PM₁经由搬送路径S_a被搬入到处理模块PM₂，并在此接受第二工序的处理(TiN成膜处理)。若该第二工序的处理结束，则紧接着晶片W_i从处理模块PM₁经由搬送路径S₂被搬送回负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)。在各处理模块PM₁、PM₂中，通过搬送机器的拾取放置动作对晶片进行搬出/搬入。

而且，在图7中，在负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)与另一组(方便起见称为【B组】)处理模块【PM₃→PM₄】之间，设置有单方向搬送路径S₃→S_b→S₄，在该搬送路径上利用搬送模块TM的真空搬送机器RB₁以一个为单位搬送晶片W。这里，S₃是从负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)到第一工序用处理模块PM₃的搬送路径，S_b是从处理模块PM₃到第二工序用处理模块PM₄的搬送路径，S₄是从处理模块PM₄回到负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)的搬送路径。

未处理晶片W_j从负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)经由搬送路径S₃被搬入到处理模块PM₃，并在此接受第一工序的处理(Ti成膜处理)。然后，若该第一搬送工序的处理结束，则紧接着晶片W_i从处理模块PM₃经由搬送路径S_b被搬入到处理模块PM₄，并在此接受第二工序的处理(TiN成膜处理)。若该第二工序的处理结束，则紧接着晶片W_j从处理模块PM₄经由搬送路径S₄被搬送回负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)。在各处理模块PM₃，PM₄中，通过一系列拾取放置动作对晶片进行搬出/搬入。

在图7中，作为全体搬送方式，从装载端口LP的晶片盒CR经由大气搬送路径S_A—S_B投入到负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)的基板W，在真空空间中，经由搬送路径S₁→S_a→S₂通过A组处理模块【PM₁→PM₂】以一列式(in line)连续地接受第一和第二处理工序的情况，和经由搬送路径S₃→S_b→S₄通过B组处理模块【PM₃→PM₄】以一列式连续地接受第一和第二处理工序的情况，是间隔开一定时间差逐个地交替分开。然后，回收至负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)的各基板从此处经由大气搬送路径S_A—S_B返回至装载端口LP的晶片盒CR。

在图8中，在负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)与另一组(方便起见称为【C组】)处理模块【PM₁→PM₄】之间，设置有单方向搬送路径S₁→S_c→S₂，在该搬送路径上利用搬送模块TM的真空搬送机器RB₁以一个为单位搬送晶片W。这里，S₁是从负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)到第一工序用处理模块PM₁的搬送路径，S_c是从处理模块PM₁到第二工序用处理模块PM₄的搬送路径，S₄是从处理模块PM₄回到负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)的搬送路径。

而且，在图8中，在负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)与另一组(方便起见称为【D组】)处理模块【PM₃→PM₂】之间，设置有单方向搬送路径S₃→S_d→S₂，在该搬送路径上利用搬送模块TM的真空搬送机器RB₁以一个为单位搬送晶片W。这里，S₃是从负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)到第一工序用处理模块PM₃的搬送路径，S_d是从处理模块PM₃到第二工序用处理模块PM₂的搬送路径，S₂是从处理模块PM₂回到负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)的搬送路径。

图8的组合方式相当于在图7的组合方式中相互代替第二工序用处理模块PM₂、PM₄。因此，图8的搬送方式相当于在图7的搬送方式中相互替代处理模块PM₂、PM₄。

这样一来，当在多组处理模块中并列进行同一方案的复合处理时，由于调节是在各模块中分别各自进行的，所以调节结束的时间存在偏差。在该处理系统中，按照以下顺序开始实际处理。

例如，在处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄中，PM₁最先完成调节。在该时刻，第二工序用处理模块PM₂、PM₄中的任一个都处于调节状态中，所以PM₁只能原样保持待机状态中。然后，其中在PM₂、PM₄中的任一个例如PM₂完成调节的时刻，如图9所示，A组处理模块【PM₁→PM₂】成立，开始执行搬送路径S_A—S_B—(S₁→S_a→S₂)上的基板搬送。由此，在该处理系统中，能够逐个地对晶片盒CR中的晶片W实施利用A组的处理模块【PM₁→PM₂】进行的一列式复合处理

(Ti/TiN的层积膜的形成)。

之后，即使剩下的处理模块PM₃、PM₄中的一个完成调节，也只有A组的处理模块PM₁、PM₂这一系统继续处于工作的运转状态，最后，在处理模块PM₃、PM₄中的另一个也完成调节时刻，搬送路径S_A—S_B—(S₃→S_b→S₄)上的基板搬送也开始，B组的处理模块【PM₃→PM₄】开始运作。但是，当处理模块PM₃比处理模块PM₄提前完成调节的情况下，如果预测到在处理模块PM₃实行一次第一工序处理(Ti成膜处理)期间处理模块PM₄的调节能够完成时，在处理模块PM₄的调节完成之前，可以看作处理模块PM₄已经完成调节，并能够开始处理模块PM₃的运作和搬送路径S_A—S_B—(S₃→S_b→S₄)上的基板搬送。这样一来，终归都是A组的处理模块【PM₁→PM₂】与B组的处理模块【PM₃→PM₄】这两个系统的全体运作模式，关于图7所述的搬送方式中各个部分的搬送都是周期地反复进行的。

上述的预测是通过处理模块PM₄的模块控制器MC₄由设备控制器EC来执行的。即，模块控制器MC₄依据规定调节的处理内容的方案(前序方案(prologue recipe)、前处理方案等)信息按照步骤单位来把握处理模块PM₄中的调节进度状况，计算调节完成的剩余时间T_R，并逐次对其进行更新。设备控制器EC从模块控制器MC₄实时接收时刻变化的剩余时间T_R的数据，将接收的剩余时间T_R与所规定的基准值或规定值T_S相比较，在剩余时间T_R小于规定值T_S的时刻开始执行搬送路径S_A—S_B—(S₃→S_b→S₄)上的基板搬送。

每当执行预测时，设备控制器EC通过搬送模块控制器MC_T、MC_L监视在搬送领域内即装载端口LP、装载模块LM、负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)以及传送模块TM内处于待机状态的未处理基板W的位置，并计算出从该待机位置将该基板W搬入到B组的第一处理用处理模块PM₃中所需的第一搬送时间T_a。然后，在该第一搬送时间T_a上加上该基板W为了接受第一处理而在处理模块PM₃内停滞的方案时间T_b和处理模块PM₃内的停滞结束后的该基板W从处理模块PM₃被搬出所需的第二搬送时间T_c，从而计算出最小所需时间(T_a+T_b+T_c)。然后，决定出该最小所需时间以上的规定值T_s。通常，可以将该最小所需时间决定为规定值T_s。由此，在处理模块PM₃中只结束一次第一处理的基板W，可以不需要浪费没有必要的等待时间，在处理模块PM₄的调节完成之后直接被搬入到处理模块PM₄中。

其中，若在搬送区域(装载端口LP～传送模块TM)内处于待机状态的未处理基板W移动，则第一搬送时间T_a与其位置相对应地变化，其每次的规定值T_s也会随之更新。此外，如果在搬送区域(装载端口LP～传送模块TM)内正处于待机状态的未处理的基板W有多个，则既可以根据规定的选定基准来选定作为上述预测判断基准的一个基板W，或者也可以选定多个基板W分别算出各自的规定值T_s后，按照规定的判断条件采用一个规定值T_s。

调节中的处理模块内的剩余时间T_R随着时间的经过而减少。另一方面，在搬送领域内处于待机状态的基板W，越是位于上游一侧，其第一搬送时间T_a越长，规定值T_s越大。因此，因为剩余时间T_R通常在初始时在位于最上游位置待机的基板的规定值T_s以下，所以可以使用该基板W作为上述判断基准。但是，对于调节未完成的剩下的处理模块PM₄而言，在开始剩余时间T_R的监控的时刻，该剩余时间T_R有可能已经在上游位置待机的基板W的规定值T_s以下。在这样的情况下，应该取比该剩余时间T_R小的规定值中成为最大值的下游基板W作为上述预测的判断基准。

其中，上述的预测，对于先开始运行并工作的A组的处理模块【PM₁→PM₂】，在与其对应的搬送路径S_A—S_B—(S₁→S_a→S₂)上的基板搬送开始的情况下也是适用的。即，如上述例子中所述，在第一处理用处理模块PM₁是最初一个完成调节的情况下，设备控制器EC通过模块控制器MC₂、MC₄对两个处理模块PM₂、PM₄各自的剩余时间T_R进行比较，选择较短一方(上述例子中的处理模块PM₂)的剩余时间T_R。然后，当在搬送区域内最下游位置待机中的未处理基板的规定值T_S小于该剩余时间T_R时，可以开始搬送路径S_A—S_B—(S₁→S_a→S₂)上的基板搬送。

在上述的例子中，在调节完成的顺序例如是PM₃、PM₂、PM₁、PM₄的情况下，如图10所示，在PM₃、PM₂的调节完成的时刻，D组的处理模块【PM₃→PM₂】成立，可以开始搬送路径S_A—S_B—(S₃→S_d→S₂)上的基板搬送。之后，从PM₁、PM₄的调节完成的时刻开始，可以开始S_A—S_B—(S₁→S_c→S₄)上的基板搬送，C组的处理模块【PM₁→PM₄】开始运作，其结果是按照图8中的组合方式以及搬送方式，系统内全部的模块以及全部的搬送机构都开始运作。

此外，在上述的例中，假如调节完成的顺序是PM₃、PM₁、PM₄、PM₂，则在PM₄的调节完成时刻，PM₃、PM₁中的任一个与PM₄组合，使得B组处理模块【PM₃→PM₄】或者C组处理模块【PM₁→PM₄】成立，从而可以开始搬送路径S_A—S_B—(S₃→S_b→S₄)或者搬送路径S_A—S_B—(S₁→S_c→S₄)上的基板搬送。此处，当B组处理模块【PM₃→PM₄】成立，搬送路径S_A—S_B—(S₃→S_b→S₄)上的基板搬送开始时，之后在PM₂的调节完成时刻，A组处理模块【PM₁→PM₂】成立，从此时开始，搬送路径S_A—S_B—(S₁→S_a→S₂)上的基板搬送也开始加入，结果，按照图7中的组合方式和搬送方式，系统内全部的模块和全部的搬送机构开始运作。此外，在PM₄的调节完成时刻，C组处理模块【PM₁→PM₄】成立，搬送路径S_A—S_B—(S₁→S_c→S₄)上的基板搬送开始的情况下，之后在PM₂的调节完成时刻，D组处理模块【PM₃→PM₂】成立，从此时开始，搬送路径S_A—S_B—(S₃→S_d→S₂)上的基板搬送也开始加入，结果是按照如图8中的组合方式和搬送方式，系统内全部的模块和全部的搬送机构开始运作。

在其他的情况下，在处理模块PM₁、PM₂、PM₃、PM₄之间调节完成的顺序有多种情况，任一种情况下完成调节的处理模块在第一工序用处理模块PM₁、PM₃和第二工序用处理模块PM₂、PM₄分别有一台以上完成调节的时刻，可以编制能够实行一列式复合式处理的一组处理模块，在与其对应的搬送路径上开始基板的搬送。然后，在最后一个(第四个)处理模块完成调节的时刻，剩余的一组处理模块开始运作，在与其对应的搬送路径上也开始进行基板的搬送。由此，能够在系统内有效利用可运作资源，从而提高生产力。

适用于本发明的集成设备并不仅限于上述实施方式的装置构成(图1)，在规划设计、各部分的构成等中都可以有各种变化。例如，上述实施方式中的两机并置型的负载锁定模块(LLM₁、LLM₂)，是以一个为单位置留前进(未处理)的晶片W，以一个为单位置留返回(处理完)的晶片W，并且也可以使前进晶片W和返回晶片W同时置留。但是，在大气系搬送路径和真空系搬送路径之间设置负载锁定模块的方式是任意的，例如，既可以设计成全部搬送路径共用的负载锁定模块的结构，也可以设计成各搬送路径专用的负载锁定模块的结构。

另外，如图11所示，也可以使搬送模块TM在水平方向上延伸，使能够与搬送模块TM连接的、即能够在集成设备内运作的处理模块的台数增加的结构(在图11的例子中为6台)。在这种构成的例子中，在搬送模块TM内铺设两根在长度方向上延伸的轨道10，搬送机器RB₁具有能够在轨道10上直线移动的滑块(slider)12。此外，该搬送机器RB₁具有一对在相互成锐角(例如60度)的两方向上可伸缩的搬送臂F_A、F_B，具有在该两个搬送臂F_A、F_B利用拾取放置动作相对各个模块顺次插入时能够旋转较小角度的特长。

在图11的集成设备中，如果能够使全部6台处理模块PM₁～PM₆以一部分或全部共同的方案并列施行单一的处理，则能够编成用于以一部分或全部共同的处理方案并列施行复合处理的两组或三组处理模块。在任何一种编排方式中，都适用以上述预测(推测)方式开始基板搬送路径上的基板搬送的方法。

特别是，由顺次连续进行处理的第一处理模块、第二处理模块以及第三处理模块构成一组复合处理的情况下，从剩余最后一台未完成调节的第三处理模块的时刻开始，实时监控该第三处理模块的剩余时间T_R，当搬送区域内处于待机状态的规定未处理基板的规定值T_S在该剩余时间T_R以下时，可以开始该搬送路径上的基板搬送。

这样的情况下，对于规定值T_s而言，将该基板从待机位置到被搬入第一处理用处理模块的第一搬送时间、该基板W为了接受第一处理在该第一处理模块内滞留的第一方案时间、在该第一处理模块内的滞留结束后的该基板W从此处被搬出并被搬入到第二处理用处理模块内的第二搬送时间、该基板W为了接受第二处理在该第二处理模块内滞留的第二方案时间、和在该第二处理模块内的滞留结束后的该基板W从此处被搬出的第三搬送时间加在一起求出最小所需时间，在该最小所需时间以上的范围内决定规定值T_S。

其中，在上述实施方式中，搬送模块TM内的真空搬送机器RB₁和装载模块LM内的大气搬送机器RB₂各自分别由模块控制器MC_T、MC_L控制。但是，也可以由一个控制器同时或并列地控制真空搬送机器RB₁和大气搬送机器RB₂。同样地，也可以使全部的处理用模块控制器MC₁、MC₂、MC₃、MC₄由一个控制器控制。

本发明的处理系统，并不仅限于上述实施方式那样的真空系的处理系统，处理系统的一部分或者全部具有大气系的处理部分的处理系统也是可以适用的。被处理体也不仅限于半导体晶片，等离子体显示面板用的各种基板、遮光掩模、CD基板、印刷基板等都是可以适用的。

Claims

1.一种处理系统，其特征在于，包括：

多个处理模块，构成为各个对基板实施相同的处理；

搬送系统，在其周围连接有所述多个处理模块并且在其内部包含具有第一搬送机构的第一搬送模块，该搬送系统构成为从收纳有多个基板的盒体将各基板搬送至所述多个处理模块中的任一个；以及

控制器，控制所述搬送系统和所述多个处理模块的动作，其中，

所述控制器控制所述搬送系统和所述多个处理模块，使得在分别进行用于使所述多个处理模块成为能够实施所述处理的状态的调节的情况下，每当所述多个处理模块中的一个完成调节时，所述搬运系统从所述盒体在向着所述一个已完成调节的处理模块的搬送路径上开始逐次搬送基板，并且开始对所述一个已完成调节的处理模块中的基板进行逐次处理。

2.根据权利要求1所述的处理系统，其特征在于：

所述控制器，对所述搬送系统以及所述多个处理模块进行控制，使得在一个以上处理模块的调节结束后，按照处理模块调节完成的顺序且一定的周期沿着与各处理模块对应的搬送路径将未处理基板搬入到完成调节的处理模块，并从已结束所述处理的处理模块逐个地将完成处理的基板向着与其对应的搬送路径搬出。

3.根据权利要求1或2所述的处理系统，其特征在于：

所述处理模块分别具有用于保持所述基板并对其进行加热的基座，所述控制器在从所述处理模块接收到表示所述基座的温度成为规定值的信号时，判断调节已经完成。

4.根据权利要求1或2所述的处理系统，其特征在于：

所述处理模块分别具有用于在减压状态下实行所述处理的真空腔室，

所述第一搬送模块是具有用于在减压状态下搬送基板的真空搬送腔室的真空搬送模块，所述第一搬送机构被配置在所述真空搬送室内，其中，

所述处理系统还包括：

在大气压下支撑所述盒体的装载端口；

大气压搬送模块，该大气压搬送模块与所述装载端口连接并且在其内部具有第二搬送机构；和

至少一个负载锁定模块，该负载锁定模块被设置在所述大气压搬送模块与所述真空搬送模块之间，构成为为了使在这些大气压搬送模块与所述真空搬送模块之间搬送的基板暂时停留在其内部而能够有选择地将其内部切换到大气压状态或者减压状态，

所述盒体与所述处理模块之间的所述搬送路径经由所述大气压搬送模块、所述负载锁定模块以及所述真空搬送模块。

5.一种处理系统，其特征在于，包括：

多个处理模块，该多个处理模块包含多种且每种具有多个，使得能够设定多组处理模块组，该处理模块组由多种处理模块组成，能够实行由一系列多种处理构成的复合处理；

所述控制器控制所述搬送系统以及所述多个处理模块，使得在进行用于使所述多个处理模块成为能够实施分别被分配的所述处理的状态的调节的情况下，每当在调节已完成的处理模块中能够实施所述复合处理的处理模块的组合成立时，设定该组合作为所述处理模块组，所述搬送系统开始从所述盒体在向着设定的所述处理模块组的搬送路径上对基板逐个地进行搬送，并且开始对设定的处理模块组中的基板进行逐次处理。

6.根据权利要求5所述的处理系统，其特征在于：

所述控制器控制所述搬送系统以及所述多个处理模块，使得在设定完一组以上处理模块组之后，按照处理模块组调节完成的顺序以及一定周期沿着与各处理模块相对应的搬送路径将未处理基板搬入到设定完的各处理模块组，从已完成所述复合处理的组的处理模块中逐次将完成处理的基板向着与其对应的搬送路径搬出。

7.根据权利要求5所述的处理系统，其特征在于：

所述复合处理包括前一工序的第一处理和后一工序的第二处理，

各组处理模块包括用于实行所述第一处理的第一组处理模块中的任一个和用于实行所述第二处理的第二组处理模块中的任一个。

8.根据权利要求5所述的处理系统，其特征在于：

所述控制器控制所述搬送系统，使得在属于所述第一组的多个第一处理模块中的一个比属于所述第二组的多个第二处理模块中的任一个提前完成所述调节的情况下，预测正在实行所述调节的所述第二处理模块各自分别完成所述调节所需的剩余时间，当最短的剩余时间小于规定基准值时，可以认为包含已完成能够实现所述复合处理的所述调节的第一处理模块的处理模块组合成立，开始进行在与已完成所述调节的第一处理模块对应的搬送路径上的基板搬送。

9.根据权利要求8所述的处理系统，其特征在于：

所述控制器根据第一搬送时间与方案时间与第二搬送时间的和来决定所述基准值，其中，所述第一搬送时间是应搬入到已完成所述调节的第一处理模块中的未处理基板从现在存在位置至被搬入到该第一处理模块所需的时间，所述方案时间是所述基板为了接受所述第一处理模块实行的第一处理而在所述第一处理模块内滞留的时间，所述第二搬送时间是否结束在所述第一处理模块中的滞留的所述基板从所述第一处理模块被搬出所需的时间。

10.根据权利要求7所述的处理系统，其特征在于：

所述控制器将所述第一组处理模块中最先完成所述调节的处理模块与所述第二组处理模块中最先完成所述调节的处理模块设定为第一处理模块组，将所述第一组处理模块中第二个完成所述调节的处理模块与所述第二组处理模块中第二个完成所述调节的处理模块设定为第二处理模块组。

11.根据权利要求5～10中任一项所述的处理系统，其特征在于：

12.根据权利要求5～10中任一项所述的处理系统，其特征在于：

所述处理系统还包括：

在大气压下支撑所述盒体的装载端口；

13.一种处理系统的运转方法，其特征在于：

所述处理系统包括：多个处理模块，构成为各个对基板实施相同的处理；和

搬送系统，从收纳有多个基板的盒体将各基板搬送至所述多个处理模块中的任一个，其中，

在分别进行用于使所述多个处理模块成为能够实施所述处理的状态的调节的情况下，每当所述多个处理模块中的一个完成调节时，所述搬运系统从所述盒体在向着所述一个已完成调节的处理模块的搬送路径上开始逐次搬送基板，并且开始对所述一个已完成调节的处理模块中的基板进行逐次处理。

14.一种处理系统的运转方法，其特征在于：

所述处理系统包括：多个处理模块，该多个处理模块包含多种且每种具有多个，使得能够设定多组处理模块组，该处理模块组由多种处理模块组成，能够实行由一系列多种处理构成的复合处理；和

搬送系统，该搬送系统从收纳有多个基板的盒体将各基板搬送至所述多个处理模块中，其中，

在进行用于使所述多个处理模块成为能够实施分别被分配的所述处理的状态的调节的情况下，每当在调节已完成的处理模块中能够实施所述复合处理的处理模块的组合成立时，设定该组合作为所述处理模块组，所述搬送系统开始从所述盒体在向着设定的所述处理模块组的搬送路径上对基板逐个地进行搬送，并且开始对设定的处理模块组中的基板进行逐次处理。