JP2020521275A - 半導体処理中のマイクロ波空洞における均一の熱分布のための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
半導体バッチにおける均一の熱分布のための方法および装置が、本明細書に提供される。一実施形態によれば、半導体処理のためのマイクロ波炉は、空洞および複数の入力ポートを有する熱ハウジングと、複数の入力ポートを介して熱ハウジングの空洞へマイクロ波信号を提供するように構成された電源と、電源と入力ポートとの間に配置された移相器であって、移相器に提供された２つ以上の信号間の位相差を変動させるように構成された移相器と、移相器に通信結合され、２つ以上の信号間の位相差を制御するように構成されたコントローラとを備える。【選択図】図２
Description
本開示の実施形態は、一般に、半導体ウエハレベルパッケージングに関する。
半導体ウエハレベルパッケージングを含むいくつかの産業用途では、マイクロ波炉が広く使用されており、典型的にはウエハのバッチが加熱される。バッチ内のすべてのウエハを均一に加熱することが、硬化または湿気除去の最高の品質を得る上で重要である。本発明者らは、均一の加熱を実現するための炉の有効な設計に加えて、炉内の空間加熱パターンを変動させるために制御機構を使用することができると有利であることを発見した。
したがって、本発明者らは、１つのバッチ加熱プロセスにおいて複数の基板を均一に加熱する方法および装置を開発した。
半導体バッチにおける均一の熱分布のための方法および装置が、本明細書に提供される。いくつかの実施形態によれば、半導体処理のためのマイクロ波炉は、空洞および複数の入力ポートを有する熱ハウジングと、複数の入力ポートを介して熱ハウジングの空洞へマイクロ波信号を提供するように構成された電源と、電源と入力ポートとの間に配置された移相器であって、移相器に提供された２つ以上の信号間の位相差を変動させるように構成された移相器と、移相器に通信結合され、２つ以上の信号間の位相差を制御するように構成されたコントローラとを含むことができる。
別の実施形態によれば、基板を処理する方法は、マイクロ波空洞内に配置された基板へ、基板を処置するための複数のマイクロ波信号を提供するステップと、複数のマイクロ波信号のうちの少なくとも１つの位相を、複数のマイクロ波信号のうちの少なくとも１つの他のマイクロ波信号とは異なるように制御するステップと、基板およびマイクロ波空洞の制御パラメータを測定するステップと、制御パラメータに基づいて位相を制御するステップとを含む。
いくつかの実施形態によれば、半導体ウエハを均一に加熱するマイクロ波炉は、半導体ウエハが懸架される空洞を有する熱ハウジングと、熱ハウジングに結合され、２つ以上の信号間に約０度〜１８０度の位相差を導入する移相器と、移相器に結合され、電力信号を生成する電源と、半導体ウエハの特性に基づいて２つ以上の信号間の位相差を変動させるコントローラとを含むことができる。
本開示の他のさらなる実施形態は、以下に説明する。
上記で簡単に要約し、以下でより詳細に議論する本開示の実施形態は、添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容することができるため、添付の図面は本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって範囲を限定すると解釈されるべきではない。
理解を容易にするために、可能な場合、これらの図に共通の同一の要素を指すために、同一の参照番号を使用している。これらの図は、原寸に比例して描かれておらず、見やすいように簡略化されていることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができる。
空洞内で半導体バッチを均一に加熱する方法および装置の実施形態が、本明細書に提供される。いくつかの半導体ウエハはエポキシベースを有し、エポキシ内には作業用シリコンダイが埋め込まれている。いくつかの例では、これらのダイは論理チップ、メモリチップ、信号処理チップなどとすることができる。これらのチップ上に金属コンタクトが構築されて、外部接続を形成する。ウエハはまた、パッシベーション層、ポリマー層、および金属再分配層の堆積などのいくつかの他の製作ステップにかけられる。次いで、外部接続のためのはんだバンプが作製される。概して、これらのウエハは「ファンアウトウエハ」と呼ばれ、その製作プロセスは「ファンアウトウエハレベルパッケージング」と呼ばれる。
製作プロセス中、エポキシウエハのガス抜きおよび硬化をマイクロ波炉内で実行して、ウエハから湿気を除去してから、金属化およびスパッタリングへ進み、これらのプロセス中のガス放出を防ぐ。さらに、同じ装置を使用して硬化させることができる様々なウエハの形状寸法が異なるため、ウエハにおける加熱も異なる。したがって、本発明者らは、均一の熱分布および電界露出を介してガス抜きおよび硬化を改善するために様々なファンアウトウエハレベルパッケージング段階中に使用することができる方法および装置を創出した。
より具体的には、マイクロ波炉は、定在波の原理を使用して内部の対象物を加熱する。定在波は、空洞の所与の形状およびサイズの共振周波数に対応する。本開示の実施形態では、マイクロ波炉の動作周波数は、共振モードの数を最大にするように選択され、その結果、加熱されている対象物内で、電界分布、したがって加熱パターンが均一になる。高電力の産業用途でマイクロ波炉空洞へ供給される電力は、複数の入力源によることが多い。ウエハレベルパッケージングでは、高度な熱均一性を実現するため、ならびに金属部品の存在による炉空洞内部でのアークの発生を防止するために、可変周波数マイクロ波電源が使用される。可変周波数マイクロ波炉空洞の設計は重要であり、幾何学的に複雑になりうる空洞の共振周波数の識別を伴い、それとともにウエハのエポキシおよび金属組成が大幅に変動する可能性がある。広い範囲の周波数の中から共振モードを計算することは、複雑な時間のかかるコンピュータベースモデルを使用して、電磁界分布を左右するマクスウェルの方程式を解くことを伴う。したがって、多くの場合、設計が最適ではなく、多数の非共振周波数成分を伴い、その結果、空洞内の電界分布が不均一になる。したがって、本開示の実施形態は、電界の均一性を調整するために入力供給に対する制御機構を提供するという点が有利である。より具体的には、入力供給に位相差を導入することによって、制御を実現することができる。入力間の位相差の変動により、炉内の各発射からのマイクロ波場が、建設的または破壊的に干渉する。これにより、電界パターンの変動、したがって共振モードの変動が引き起こされる。この影響は、電界分布を変化させるために炉空洞の形状またはサイズをわずかに変更することに類似している。
さらに、より詳細には後述するように、位相差を変化させることで、共振モードをエバネッセントモードへ変換し、逆も同様である。これにより、可変周波数ドライブの同じ周波数帯域において、以前には存在しないより多くの共振モードが導入される。これは本質的に、モード撹拌器、またはウエハスタック回転器もしくは垂直振動ドライブを有していることに等しい。これは、電界において高度な均一性を実現するために極めて有益である。所望される場合、加熱を制御するために、位相を変化させることによって電界を負荷の特定の領域に集中させるように、厳密な周波数モードを選択することができると有利である。
これらの図に示し、より詳細には後述するように、本開示に一貫した少なくともいくつかの実施形態は、２電源マイクロ波炉に対する多電源マイクロ波空洞、電源、導波管、および移相器からなる。
図１に記載する装置１００は、エポキシウエハにおけるポリマーの被覆およびパターニング中、ポリマーを均一に硬化させるために、空洞内で電界を均一に分散させるのに使用される。後には、銅線が構築されたとき（たとえば、ダマシン構造）、銅が乾燥していることを確実にするために、ウエハは湿気除去のために装置１００内に置かれる。
本発明者らが開示する一実施形態によれば、半導体ウエハの硬化および湿気除去のための装置は、装置へのマイクロ波電力入力供給間の位相差を制御する移相器に結合される。マイクロ波信号の各供給は異なる位相を有し、マイクロ波信号間の位相差は、ウエハの特性に応じて制御および変動され、それによりマイクロ波信号供給の電磁界が互いに構築および分解され、様々な電界歪みモードをもたらし、電界強度をランダム化し、空洞に加熱の均一性を導入する。
図１は、本明細書に提示する実施形態による空洞内の均一の熱分布のための装置１００のブロック図である。
装置１００（たとえば、マイクロ波炉）は、空洞１０３を有する熱ハウジング１０２を備えており、空洞１０３内には、たとえば加熱および硬化のために対象物１０５が置かれる。いくつかの例では、対象物１０５は、パッケージングの硬化および湿気除去段階にかけられる半導体ウエハのバッチである。装置１００は、第１の入力ポート１２０および第２の入力ポート１２２をさらに備える。いくつかの実施形態では、装置１００は、移相器１０６によって提供される入力電源の数に応じて、より多くの入力ポートを備える。
装置１００は、電源１０４をさらに備え、いくつかの例では、電源１０４を増幅器などとすることができる。電源１０４は、可変周波数電源であり、概してより高電力の産業用途で動作可能である。いくつかの実施形態では、電源１０４は可変周波数マイクロ波ドライブ（ＶＦＭＤ）である。たとえば、いくつかの構成では、電源１０４が４０９６の周波数で変動することが可能であり、各周波数は約２５秒である。ＶＦＭＤは、装置１００の金属部品で起こりうるアーク発生の可能性を低減させ、処理されているすべてのウエハ上で均一の加熱を得ようとして異なる加熱パターンを混ぜることによって、空洞１０３内である程度のレベルの温度均一性を維持するが、それでもなお、装置１００の小型化ならびにエポキシシリコンおよびダイの材料特性のため、わずかな変動は生じる可能性があり、均一性は予測できない。したがって、これらのウエハにわたって安定した均一性を得るために、移相器１０６を介して移相が導入される。
電源１０４は、導波管１０８を介して移相器１０６に結合される。導波管１０８は、電源１０４から入ってくる信号を分割し、少なくとも２つの信号を移相器１０６へ提供する。いくつかの実施形態では、少なくとも２つのマイクロ波信号は、振幅および周波数に関して等しい。いくつかの実施形態では、少なくとも２つのマイクロ波信号は、振幅および周波数に関して異なる。いくつかの実施形態では、導波管１０８は、信号を３つ以上の信号に分割する。移相器１０６は、マイクロ波信号のうちの少なくとも１つの位相を変化させながら、他の信号のうちの少なくとも１つの位相を維持することによって、２つ以上のマイクロ波信号間の位相差を制御する。
いくつかの実施形態では、移相器１０６は、電源のうちの１つの供給導波管内に埋め込むことができる。本開示の他の実施形態では、導波管への供給が電源のうちの１つへ与えられる前に、デジタル移相器を埋め込むことができる。いくつかの実施形態では、移相器１０６は、入力と出力との間の位相差を変動させるためにノブまたは他のコントローラを含む。これは、物理的に回転するノブ、デジタル制御回路などとすることができる。
導波管１０８の長さおよび移相器１０６の位置は、入力源間のデフォルト位相差が十分に正確であると分かるように選択される。たとえば、いくつかの実施形態では、移相器を除いた導波管の長さ間の差は、入力マイクロ波電源の平均波長の整数倍になり、したがって複数の電源からこの領域に入る波が同相になるように選択される。
図１に示す例では、移相器１０６は、電源１０４からのマイクロ波信号を２つのマイクロ波信号に分割する。第１の信号は、たとえば移相が導入されていない状態で導波管１１０に沿って進み、第２の信号は、たとえば元の電力信号から９０度の移相を有する状態で導波管１１２に沿って進む。したがって第２の信号は、第１の信号と比較すると９０度の位相差を有する。いくつかの実施形態では、入力源間の位相差は９０度であり、他の実施形態では、移相器１０６によって導入される位相差は、コントローラ１１６によって、移相器１０６の制御の機械的、電気的、またはデジタル的な調整により、０度〜１８０度で変動させられる。
各信号がそれぞれの導波管１１０および１１２を進むと、これらの信号は、空洞１０３の両端からほぼ同時にそれぞれのポート１２０および１２２を介して空洞に入る。２つの信号の電界は建設的および破壊的に干渉し、その結果、対象物１０５における電界パターンおよび共振モードの変動をもたらし、したがってたとえば処理されているウエハのより均一の加熱を提供するという点が有利である。
いくつかの実施形態によれば、空洞１０３および／または空洞１０３内の対象物１０５の制御パラメータを、移相器１０６へ直接またはコントローラ１１６などの仲介を介して返すフィードバック機構１１４が提供される。いくつかの例では、コントローラ１１６は、制御パラメータを測定する。コントローラ１１６は、受け取った特性に応じて、移相器１０６によって導入される信号間の位相差を修正する。いくつかの制御パラメータの例には、空洞１０３の温度、空洞１０３内の対象物１０５の温度、空洞１０３の形状寸法、対象物１０５上もしくは空洞１０３内で検出される湿気レベル、対象物１０５もしくは空洞１０３の直接電磁界測定値、または対象物に関係する他の読取り値が含まれる。処理されているウエハの温度均一性に応じて、移相器１０６のノブまたは移相器１０６へ供給される外部電圧を制御するステッパモータまたはソレノイド（たとえば）を使用して、入力源間の位相差を調整することができる。コントローラ１１６から移相器１０６へのデジタル信号を介して入力信号のうちの少なくとも１つの位相を直接修正するコントローラ１１６など、位相差を制御する他の手段もまた、本開示によって企図される。
対象物（たとえば、半導体）の最適で有効な硬化／湿気除去を実現するために、装置１００によって処理されている対象物は、空洞１０３内で変動する空間加熱パターンに露出される。本発明者らによれば、位相の異なる信号源によってもたらされる対象物表面における電磁界および熱の変動により、比較的均一の熱分布が対象物に提供され、その結果、従来の硬化／湿気除去プロセスと比較すると、より均一の硬化および湿気除去が得られる。さらに、コントローラ１１６は、モードを非共振からエバネッセントに変化させることができ、モードの混合をもたらし、電界強度をランダム化して、従来の方法より均一の硬化を得ることができる。
図２に示すように、ポート１２０はマイクロ波信号２００を生成し、ポート１２２はマイクロ波信号２０２を生成する。図示の信号は、マイクロ波電力を表すだけであり、ポート１２０および１２２によって導入される物理的な信号は大幅に異なりうることが、当業者には理解されよう。図示のマイクロ波信号２００および２０２は、建設的および破壊的に干渉し、マイクロ波２０４を形成する。マイクロ波２０４は、より深い山および谷を有し、その結果、図３の画像３００に示す電界パターンが得られる。画像３００は、「非共振モード」と呼ばれるものを示す。
コントローラ１１６は、位相差が一定期間にわたって９０度であった後、位相差を１８０度に調整することができる。図３の画像３０２は、ポート１２０によって入力される波とポート１２２によって入力される波との間に１８０度の位相差が生じたときに見られる、「エバネッセントモード」と呼ばれる電界パターンを示す。
記載する範囲にわたって移相器１０６によって導入される位相差を変動させることによって、処理されている対象物１０５の均一の加熱が実現される。いくつかの実施形態では、装置１００は、硬化および湿気除去のために使用され、エポキシウエハのガス抜き、銅アニーリング、平滑化、または均一の電磁分布から利益を得ることができる任意のプロセス中に使用することができる。
別の実施形態によれば、コントローラ１１６は、対象物１０５の位置を修正するために、任意選択のペデスタル１３０を介して空洞１０３内の対象物１０５の物理的な位置を調整する。他の実施形態では、ペデスタル１３０は、マイクロ波加熱に加えて放射加熱を対象物１０５に提供する。コントローラ１１６は、装置１００で測定される制御パラメータに基づいて、機械的手段を介して、ペデスタル１３０の高さまたはペデスタル１３０の他の次元の位置決めを調整する。ペデスタル１３０の再位置決めは、移相器１０６の移相を補完し、いくつかの例では、ペデスタル１３０の位置は静止したままである。
図４は、本開示の例示的な実施形態によるコントローラ１１６のブロック図である。
移相器を制御する方法の様々な実施形態は、コントローラ１１６によって実行することができる。図４は、単にコントローラ１１６の例示的な実施形態であり、他の構成および実施形態も可能である。図４に示す実施形態によれば、コントローラ１１６は、１つまたは複数のＣＰＵ１〜Ｎ、支持回路４０４、入出力回路４０６、およびシステムメモリ４０８を備える。システムメモリ４０８は、制御パラメータ４２０をさらに備えることができる。ＣＰＵ１〜Ｎは、システムメモリ４０８内に常駐する１つまたは複数のアプリケーションを実行するように動作する。コントローラ１１６は、本明細書に記載する実施形態の任意の他のシステム、デバイス、要素、機能、または方法を実施するために使用することができる。図示の実施形態では、コントローラ１１６は、プロセッサが実行可能である実行可能プログラム命令として方法６００（図４）を実施するように構成することができる。
コントローラ１１６は、図１に示す移相器１０６に結合される２つ以上の信号間に導入される位相差を制御し、制御パラメータ４２０には、導入された位相差または位相差のタイミングを修正するときに考慮される装置１００に関係するパラメータが含まれる。
様々な実施形態では、コントローラ１１６は、それだけに限定されるものではないが、パーソナルコンピュータシステム、デスクトップコンピュータ、ラップトップ、ノートブック、もしくはネットブックコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、手持ち式コンピュータ、ワークステーション、ネットワークコンピュータ、スマートフォンもしくはＰＤＡなどの移動デバイス、消費者デバイス、または概して、任意のタイプの計算もしくは電子デバイスを含む、様々なタイプのデバイスのいずれかとすることができる。
様々な実施形態では、コントローラ１１６は、１つのプロセッサを含むユニプロセッサシステム、またはいくつかのプロセッサ（たとえば、２つ、４つ、８つ、もしくは別の好適な数）を含むマルチプロセッサシステムとすることができる。ＣＰＵ１〜Ｎは、命令を実行することが可能な任意の好適なプロセッサとすることができる。たとえば、様々な実施形態では、ＣＰＵ１〜Ｎは、多種多様な命令セットアーキテクチャ（ＩＳＡ）のいずれかを実施する汎用または埋め込み型プロセッサとすることができる。マルチプロセッサシステムでは、ＣＰＵ１〜Ｎはそれぞれ、必須ではないが一般に、同じＩＳＡを実施することができる。
システムメモリ４０８は、ＣＰＵ１〜Ｎによってアクセス可能なプログラム命令および／またはデータを記憶するように構成することができる。様々な実施形態では、システムメモリ４０８は、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、同期ダイナミックＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、不揮発性／フラッシュ型メモリ、または任意の他のタイプのメモリなど、任意の好適なメモリ技術を使用して実施することができる。図示の実施形態では、上述した実施形態の要素のいずれかを実施するプログラム命令およびデータを、システムメモリ４０８内に記憶することができる。他の実施形態では、異なるタイプのコンピュータアクセス可能な媒体上またはシステムメモリ４０８もしくはコントローラ１１６とは別個の類似の媒体上で、プログラム命令および／またはデータを受信、送信、または記憶することができる。
一実施形態では、入出力回路４０６は、ＣＰＵ１〜Ｎと、システムメモリ４０８と、ネットワークインターフェースまたは入出力デバイスなどの他の周辺インターフェースを含むデバイス内のあらゆる周辺デバイスとの間で、入出力トラフィックを調整するように構成することができる。いくつかの実施形態では、入出力回路４０６は、１つの構成要素（たとえば、システムメモリ４０８）からのデータ信号を別の構成要素（たとえば、ＣＰＵ１〜Ｎ）によって使用するのに好適な形式に変換するために、任意の必要なプロトコル、タイミング、または他のデータの変形を実行することができる。いくつかの実施形態では、入出力回路４０６は、たとえば周辺部品相互接続（ＰＣＩ）バス規格またはユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）規格の変種などの様々なタイプの周辺バスを介して取り付けられたデバイスに対する対応を含むことができる。いくつかの実施形態では、入出力回路４０６の機能は、たとえばノースブリッジおよびサウスブリッジなどの２つ以上の別個の構成要素に分割することができる。またいくつかの実施形態では、システムメモリ４０８へのインターフェースなどの入出力回路４０６の機能のいくつかまたはすべてを、ＣＰＵ１〜Ｎに直接組み込むことができる。
ネットワークインターフェースは、コントローラ１１６と、１つもしくは複数の表示デバイス（図示せず）などのネットワークに取り付けられた他のデバイス、または１つもしくは複数の外部システムとの間、あるいはノード間で、データを交換することを可能にするように構成することができる。様々な実施形態では、ネットワークは、それだけに限定されるものではないが、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）（たとえば、イーサネット（登録商標）もしくは企業ネットワーク）、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）（たとえば、インターネット）、無線データネットワーク、いくつかの他の電子データネットワーク、またはそれらのいくつかの組合せを含む１つまたは複数のネットワークを含むことができる。様々な実施形態では、ネットワークインターフェースは、任意の好適なタイプのイーサネットネットワークなどの有線または無線の汎用データネットワークを介して、たとえばアナログ音声ネットワークもしくはデジタルファイバ通信ネットワークなどの電気通信／電話技術ネットワーク、ファイバチャネルＳＡＮなどの記憶領域ネットワーク、または任意の他の好適なタイプのネットワークおよび／もしくはプロトコルを介して、通信に対応することができる。
いくつかの実施形態では、入出力デバイスは、１つまたは複数の表示端末、キーボード、キーパッド、タッチパッド、走査デバイス、音声もしくは光学式認識デバイス、または１つもしくは複数のコントローラ１１６によってデータを入力またはアクセスするのに好適な任意の他のデバイスを含むことができる。複数の入出力デバイスが存在することができ、またはコントローラ１１６の様々なノード上に分散させることができる。いくつかの実施形態では、類似の入出力デバイスをコントローラ１１６とは別個のものにすることができ、ネットワークインターフェースなど、有線または無線の接続を介して、コントローラ１１６の１つまたは複数のノードと相互作用することができる。
いくつかの実施形態では、図示のコントローラは、図４の流れ図によって示す方法の例示的な実装である。他の実施形態では、異なる要素およびデータを含むことができる。
図５は、本明細書に提示する例示的な実施形態によるより均一の熱分布で基板を処理する方法５００である。方法５００は、装置１００内の空洞１０３などの空洞内で硬化または乾燥させている対象物において均一の熱分布を実現する際に、空洞における電界を修正することによってコントローラ１１６により実行されるプロセスを示す。
方法５００は５０２で始まり、５０４へ進む。
ステップ５０３で、それに対応して、複数の導波管が、マイクロ波空洞内に配置された基板へ複数のマイクロ波信号を提供する。マイクロ波信号は、図１に示す電源１０４などの電源によって生成される。基板は、たとえば半導体ウエハであり、マイクロ波空洞は、たとえば半導体処理およびパッケージングで半導体ウエハを処理するために使用されるチャンバのうちの１つである。
５０４で、コントローラ１１６は、制御パラメータが修正されているかどうかを判定する。いくつかの実施形態では、制御パラメータは、空洞内の湿気および電磁界の測定値、対象物および空洞の温度などを含む。５０４で制御パラメータが修正されていない場合、方法は５０８へ進む。パラメータが修正されていた場合、コントローラ１１６は５０６へ進む。
５０６で、移相器１０６のパラメータが修正される。たとえば、制御パラメータは、信号間の位相角の差をより大きくまたはより小さくするべきであることを示すことができる。５０６で、コントローラ１１６は、移相器１０６に位相差パラメータを修正させる。
次いで、この方法は５０８へ進み、コントローラ１１６は、移相器１０６を制御して、マイクロ波信号のうちの少なくとも１つの位相を、複数のマイクロ波信号のうちの少なくとも１つの他のマイクロ波信号とは異なるように変動させる。いくつかの実施形態では、コントローラ１１６は、コントローラ１１６によって受け取った制御パラメータに応じて位相差を変動させる。他の実施形態では、コントローラ１１６は、所定のパラメータに応じて２つ以上の電力信号間の位相差を維持する。２つ以上の電源から加熱装置、たとえば装置１００へ電力が供給されると、信号は建設的および破壊的に干渉し、図２に示す電界パターンをもたらす。非共振モードとエバネッセントモードとの混合により、装置１００内の硬化および湿気除去のためにウエハにおいて均一の熱分布を誘起する。
５１０で、コントローラ１１６は、装置１００上で測定を実行して、制御パラメータが入力電源内に異なる移相を導入するために再び修正を必要とするかどうかを判定する。
この方法は５１２で終了する。
上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することができる。
Claims (15)
- 半導体処理のためのマイクロ波炉であって、
空洞および複数の入力ポートを有する熱ハウジングと、
前記複数の入力ポートを介して前記熱ハウジングの前記空洞へマイクロ波信号を提供するように構成された電源と、
前記電源と前記入力ポートとの間に配置された移相器であって、前記移相器に提供された２つ以上の信号間の位相差を変動させるように構成された移相器と、
前記移相器に通信結合され、前記２つ以上の信号間の前記位相差を制御するように構成されたコントローラとを備えるマイクロ波炉。 - 前記電源を前記移相器に結合し、前記マイクロ波信号を少なくとも２つのマイクロ波信号に分割する第１の導波管をさらに備え、前記少なくとも２つのマイクロ波信号が、前記移相器に対する入力信号である、
請求項１に記載のマイクロ波炉。 - 前記移相器を前記複数の入力ポートのうちの第１の入力ポートへ結合し、前記少なくとも２つのマイクロ波信号のうちの第１のマイクロ波信号を前記空洞内へ案内するように構成された第２の導波管をさらに備える、
請求項２に記載のマイクロ波炉。 - 前記移相器を前記複数の入力ポートのうちの第２の入力ポートへ結合し、前記少なくとも２つのマイクロ波信号のうちの第２のマイクロ波信号を前記空洞内へ案内するように構成された第３の導波管をさらに備え、
前記第１のマイクロ波信号と前記第２のマイクロ波信号との間に位相差が存在する、
請求項３に記載のマイクロ波炉。 - 前記第１の入力ポートおよび前記第２の入力ポートが、前記空洞の両端に配置される、請求項４に記載のマイクロ波炉。
- 前記コントローラによって制御される可動の位置を有する機械ペデスタルをさらに備える、
請求項４に記載のマイクロ波炉。 - 前記熱ハウジングおよび前記コントローラに結合されたフィードバック機構をさらに備え、前記フィードバック機構が、制御パラメータを判定するように構成されており、前記コントローラが、制御パラメータに応じて、前記機械ペデスタルの位置決めを制御する、
請求項６に記載のマイクロ波炉。 - 前記熱ハウジングおよび前記コントローラに結合されたフィードバック機構をさらに備え、前記フィードバック機構が、制御パラメータを判定するように構成されており、前記コントローラが、前記制御パラメータに応じて、前記移相器によって導入される前記位相差を制御する、
請求項１から７までのいずれか１項に記載のマイクロ波炉。 - 前記コントローラが、前記移相器によって導入される前記位相差を０度〜１８０度で制御するように構成される、請求項１から７までのいずれか１項に記載のマイクロ波炉。
- 前記電源が、可変周波数マイクロ波ドライブである、請求項１から７までのいずれか１項に記載のマイクロ波炉。
- 基板を処理する方法であって、
マイクロ波空洞内に配置された基板へ、前記基板を処置するための複数のマイクロ波信号を提供するステップと、
前記複数のマイクロ波信号のうちの少なくとも１つの位相を、前記複数のマイクロ波信号のうちの少なくとも１つの他のマイクロ波信号とは異なるように制御するステップとを含む方法。 - 前記基板および前記マイクロ波空洞の制御パラメータを測定するステップと、
前記制御パラメータに基づいて前記位相を制御するステップと
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。 - 前記複数のマイクロ波信号間の前記位相差が、約０度〜１８０度で変動させられる、請求項１１に記載の方法。
- 前記基板および前記マイクロ波空洞の制御パラメータを測定するステップと、
前記制御パラメータに基づいて前記位相差を判定するステップと
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。 - 半導体ウエハを均一に加熱するマイクロ波炉であって、
前記半導体ウエハが懸架される空洞を有する熱ハウジングと、
前記熱ハウジングに結合され、２つ以上の信号間に約０度〜１８０度の位相差を導入する移相器と、
前記移相器に結合され、電力信号を生成する電源と、
前記半導体ウエハの特性に基づいて前記２つ以上の信号間の位相差を変動させるコントローラとを備えるマイクロ波炉。
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