CN208189532U - 热处理设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种用于对衬底进行热处理的热处理设备，所述设备包括产生频率范围为1GHz到24GHz的均匀微波场的均匀微波场发生器、间隔为1毫米到4毫米或者6毫米到9毫米的掺有杂质的电容板以及旋转装置，旋转装置被配置成使所述电容板和所述衬底在所述均匀微波场内旋转，由此引起来自所述均匀微波场的被施加于所述衬底的微波的极性的周期性改变，所述均匀微波场中的傅科电流通过垂直于所述板流动而对所述极性的周期性改变作出反应，从而提供对所述衬底的均匀加热。

Description

热处理设备

技术领域

本申请涉及半导体技术，尤其涉及一种用于半导体制造工艺的热处理设备。

背景技术

半导体装置在小型化工艺方面的进步使得电子装置的性能变得更好且存储能力增大。半导体装置的制造涉及许多工艺步骤，其中一个步骤是对半导体衬底的掺杂以形成源极/漏极结。一般可以使用离子植入通过将特定掺杂剂杂质植入半导体晶片表面中来修改半导体衬底的电特性。常用的掺杂剂是硼、砷和磷。在使用离子植入的情况下，需要后退火处理来完成激活过程以及修复被植入区域的有关损坏。取决于植入剂量(植入表面中的原子量)和植入能量(原子进入表面的深度)，可使用各种热处理技术。举例来说，热处理技术可包含炉处理、快速热处理、毫秒退火和包含激光退火的各种其它形式。

在固态装置工业内，已经有人实验过使用微波加热进行此热处理工艺，但微波加热的使用存在很多缺点。具体来说，对于微波加热，使用多模反应室来加热或处理比所用微波的波长相对更长的目标衬底。在多模室内，微波能量通过模激发耦合以控管局部微波场，也称为电场。电场还可受到在多模室内部加热的目标衬底的介电属性影响。如果目标衬底由具有适当电介质的材料制成，微波将以较高浓度流到该目标衬底。基于微波的电磁属性和多模室内的目标衬底的集肤效应，目标衬底可基于其导电性而形成自其穿过或在其表面上的电流。

遗憾的是，在实际操作中可能很难监测和控制电场浓度。举例来说，如果电场浓度足够强，其会导致不合需要的热失控和与微波介电反应无关的电弧，这会导致对多模反应室内的目标衬底的加热不均匀，并且会产生潜在损害。现有技术中，有人试图使用搅拌器和旋转板来使得电场更均匀，并且还使用金属箔层来针对在加热的目标衬底局部地改变场能量。然而，这些方法中的每一种都面临着处理傅科电流的挑战，如何避免傅科电流的产生、如何最小化傅科电流以及如何消除傅科电流，从而避免由于傅科电流引起的不均匀加热。

加热目标衬底的另一方法是使用平行板反应器，最常见的是结合射频一起使用，当然，这主要是因为较高频率下的技术限制。因此，独立平行板反应器大体上限于射频带中的频率，并且因所用的波长而在目标衬底中引起有限反应。现有技术中的射频加热仅作为大块加热器引入固态市场，与红外线等其它传统加热方法相比在加热方面并不具有实际差别。

实用新型内容

本实用新型的实施例采用一种微波辅助平行板电场施加器来解决上文所提到的问题，此外还能明显提升半导体材料退火技术。具体地说，本实用新型的实施例可提供一种使用工业微波加热和平行板反应来对半导体等目标衬底进行热处理的热处理设备。

在本实用新型的一些实施例中，热处理设备可包含均匀微波场发生器、彼此接近和/或平行固定的两个板，以及在均匀微波场内耦合到这两个板和目标衬底的旋转装置。均匀微波场发生器可产生频率范围为1GHz到24GHz的均匀微波场，并且两个板可在均匀微波场发生器内彼此保持一定距离。具体地说，板可相隔得足够近以使得在均匀微波场内在板间形成电容效应。旋转可使板和目标衬底在均匀微波场内旋转，从而引起从均匀微波场施加于目标衬底的微波的极性的周期性改变，由此使得傅科电流垂直于板和目标衬底流动。

在本实用新型的又一个实施例中，包含对平行板进行掺杂且接着将由半导体材料制成的目标衬底在均匀微波场内放置于平行板之间。该掺杂可足以使平行板对均匀微波场作出反应，且平行板可相隔足够近以使得在均匀微波场内在板间形成电容效应。目标衬底可包含掺杂有杂质的半导体材料。均匀微波场可包含900MHz到26GHz范围内的频率，或者950MHz到25GHz范围内的频率，或者1GHz到20GHz范围内的频率。接着，该方法可包含以下步骤：使平行板和目标衬底在均匀微波场内旋转，由此引起来自均匀微波场的被施加于目标衬底的微波的极性的周期性改变。该周期性改变可提供相对于目标衬底和平行板的傅科电流的垂直流动，从而提供对目标衬底的均匀加热和选择性地加热目标衬底中的缺陷。

本实用新型的又一个实施例提供了一种使用工业微波加热和平行板反应来对半导体等目标衬底进行热处理的设备。使用均匀微波场，通过将该目标衬底定位于平行板之间来控制傅科电流对该目标衬底的施加。该设备可包含均匀微波场发生器、支撑元件、彼此平行固定的两个板，以及旋转装置，该旋转装置被配置成使该两个板和该目标衬底在该均匀微波场内旋转。该板和该目标衬底在该均匀微波场中的旋转会引起施加于该目标衬底的微波的极性的周期性改变。不同于传统金属微波反应中平行于表面流动而作出反应，该均匀微波场中的该傅科电流通过垂直于该板流动而作出反应。该傅科电流的这种重定向提供对该目标衬底的均匀加热。

提供此实用新型内容以简化形式介绍在以下的详细描述中进一步描述的一系列概念。此实用新型内容并非旨在识别所要求的主题的关键特征或基本特征，也并非旨在用于限制所要求的主题的范围。从实施例的以下详细描述和附图，本实用新型的其它方面和优点将显而易见。

附图说明

下文将参考附图详细描述本实用新型的实施例，附图中：

图1是根据本实用新型的各种实施例建构的热处理设备的示意图；

图2是待在图1的热处理设备中加热的实例目标衬底的透视示意图；

图3是待在图1的热处理设备中加热的另一实例目标衬底的透视示意图；

图4是根据本实用新型的各种实施例的热处理方法的流程图；

图5是针对目标衬底的不同半导体材料的带隙对比大块移动性的图；

图6是进行现有技术传统微波加热的目标衬底的示意图，其中傅科电流集中在目标衬底的边缘并且大体上平行于目标衬底的表面而流动；

图7是使用图4的方法进行移动性热处理的在两个板之间的目标衬底的示意图，其中傅科电流垂直于目标衬底而流动；

图8是具有其中有缺陷的硅晶格的目标衬底的示意图；

图9是图8的目标衬底进行现有技术传统微波加热的示意图，其中傅科电流在目标衬底的表面处并且平行于该表面而流动；以及

图10是使用图4的方法进行移动性热处理的图8的目标衬底的示意图，其中傅科电流流入目标衬底并且与目标衬底垂直。

具体实施方式

本实用新型的实施例涉及热处理系统和热处理设备。本实用新型的特定实施例涉及使用均匀微波场和平行板以控制施加傅科电流到目标衬底20的工业微波加热。

如图1中所示，本实用新型的热处理设备10可包括均匀微波场发生器12、支撑元件14、彼此以间隔关系固定的两个板16，以及旋转装置18，该旋转装置被配置成使两个板16和目标衬底20在均匀微波场发生器12中的均匀微波场内旋转。虽然本文描述一组平行板16，但应注意，可竖直堆叠许多另外的板以形成批次反应(即，一次操作多个目标衬底)。

目标衬底20可以是所属领域中已知的任何几何形状的衬底材料(例如半导体装置、离子植入晶片和/或硅晶片)，且可具有平板或晶片几何形状。举例来说，目标衬底20可以是掺杂有特定掺杂剂杂质(例如，硼、砷、磷)以形成源极/漏极结的半导体衬底。在本实用新型的一些实施例中，目标衬底20可以是晶体管，如图2和图3中示意性地所示。另外或替代地，目标衬底20可包含多个目标衬底，例如位于本文所描述的板16之间的多个离子植入晶片。目标衬底20的退火处理可用于完成其激活并且修复被植入区域的任何相关联损害，如下文详细描述。

均匀微波场发生器12可以是单模腔室或多模腔室，或可替代地包含波导端口，该波导端口被配置成用于绕下文所描述的板16和/或用于在下文所描述的板16之间形成微波场。在本实用新型的一些实施例中，由均匀微波场发生器12产生的微波频率范围可在大约900MHz到26GHz的范围内。举例来说，由微波场发生器12产生的频率可以是约915MHz、约2.45GHz或约5.8GHz或24GHz。在本实用新型的另外一些实施例中，由均匀微波场发生器12产生的微波频率范围尤其可在大约950MHz到25GHz的范围内。又比如，由微波场发生器12产生的频率可以是约950MHz、约2.0GHz、约2.55GHz、约5.0GHz、约6.0GHz或25GHz。在本实用新型的进一步的实施例中，由均匀微波场发生器12产生的微波频率范围尤其可在大约1GHz到20GHz的范围内。比如，由微波场发生器12产生的频率可以是约1GHz、约2.2GHz、约3.0GHz、约4.0GHz、约4.5GHz或20GHz。在本实用新型的另一个实施例中，由均匀微波场发生器12产生的微波频率范围尤其可在大约1GHz到24GHz的范围内。比如，由微波场发生器12产生的频率可以是约1GHz、约2.2GHz、约3.0GHz、约4.0GHz、约4.5GHz、20GHz或24GHz。然而，在不脱离本实用新型的范围的情况下，均匀微波场发生器12可被配置成产生任何所要微波频率。在本实用新型的一些实施例中，由均匀微波场发生器12产生的热可在约500℃到700℃的范围内。当然，在不脱离本实用新型的范围的情况下可使用其它温度。

支撑元件14可由石英等绝缘体材料制成，且可被配置成用于固定和/或支撑板16和目标衬底20。举例来说，支撑元件14可固定到旋转装置18的旋转元件。或者，支撑元件14可附接到均匀微波场发生器12的内壁或其它部分。此外，支撑元件14可包括用于将板16和目标衬底20固定在彼此相隔的预定义距离处的槽、夹具或其它配置。在本实用新型的一些实施例中，支撑元件14可选择性地可调整，以使得可针对不同几何结构和/或不同材料的不同板16和/或不同目标衬底20使用不同间隔。

板16可大体上彼此平行，并且可各自包含半导体层22和基座层24。基座层24可定位得离目标衬底20最近，其中半导体层22中的每一层在两个相对的基座层24的外部。然而，在本实用新型的一些实施例中，可省去基座层24。

半导体层22可被配置成在低温时当作电介质而在高温时当作金属。因此，半导体层22的导电性随着温度的升高而增大，从而形成电容场以在两个半导体层22之间形成电容电场平面。板16因此协作地充当平行板电容器。然而，在本实用新型的一些实施例中，半导体层22可替代地替换为由金属或此类在温度升高时变得导电的其它导电材料制成的导体层，只要此类金属和其它材料在如本文中所描述加热时处于能够携载表面电流的导电性范围内即可。

基座层24可用于预加热位于其间的目标衬底20。具体地说，基座层24可由被配置成吸收微波且因此协作地在其间形成均匀微波场的材料制成。然而，在本实用新型的一些替代实施例中，如果是以其它方式于两个半导体层22之间和/或其周围形成均匀微波场，那么可省去基座层24。

板16可具有所属领域中已知的任何尺寸和几何形状。在本实用新型的一些实施例中，板16可以是圆盘形、正方形或长方形。此外，板16可以是具有大体上与固态工业中的板或盘片相关联厚度的薄平盘片。板16彼此可具有约0.5毫米到约5毫米的间隔。板16可优选地尽可能薄，但不能薄得在安装于支撑元件14上时和/或在均匀微波场发生器12内加热时失去其结构完整性。在本实用新型的一些实施例中，板16可相隔开约1毫米到4毫米或者6毫米到9毫米。然而，在不脱离本实用新型的范围的情况下可使用其它相隔距离。具体地说，板16应相隔得足够近以使得形成电容效应，且因此足够近以令到傅科电流作出反应，如本文中所描述。

在本实用新型的一些实施例中，板16可在均匀微波场内以任何定向来定位，例如水平、竖直或其它方式。板16可通常相对于彼此平行定向布置。然而，在本实用新型的一些替代实施例中，板16可彼此和/或与目标衬底20以非平行的关系定位，只要板16足够接近以形成本文所描述的电容效应即可。

旋转装置18可以是所属领域中已知的用于引起附接到其的物件的旋转的任何机制。举例来说，旋转装置18可包含位于均匀微波场发生器外部的旋转电机。此外，上文所描述的支撑元件14中的一个可附接到旋转电机的自旋轴，并且可延伸到均匀微波场发生器12中，从而将板16和/或目标衬底20可旋转地支撑在所要位置和所要的彼此间隔处。在均匀微波场内，两个板16和目标衬底20的旋转可改变施加于其的微波极性，从而模拟现有技术方法的射频切换。举例来说，可配置热处理设备10，使得目标衬底20的旋转可在每15°处改变施加于其的微波极性。在不脱离本实用新型的范围的情况下可替代地使用切换微波极性的其它方法。

旋转装置18可被配置成不使板16和/或目标衬底20脱落的任何速度。在本实用新型的一些实施例中，旋转装置18可在每分钟1次旋转的最小速度和每分钟10次旋转的的最大速度下旋转板16和/或目标衬底20。举例来说，旋转装置18可在约每分钟2次旋转的的速度下旋转板16和/或目标衬底20。然而，在不脱离本实用新型的范围的情况下可使用其它速度。

在使用中，目标衬底20可在均匀微波场发生器12内放置在板16之间且在均匀微波场内由旋转装置18旋转，由此引起施加于目标衬底20的微波的极性的周期性改变。目标衬底20将主要基于其自身的介电属性而被加热，从而将微波转换为热和/或在目标衬底20的表面上引起傅科电流。如下文所描述，傅科电流通过垂直于板16流动而做出反应，从而均匀加热目标衬底20。在本实用新型的一些实施例中，板16可能需要掺杂以对均匀微波场做出反应。

图4示出根据本实用新型的各种实施例的用于使用均匀微波场和平行板反应对半导体材料进行退火的方法200中的步骤。方法200的步骤可以如图4中所示的次序执行，或这些步骤可以不同的次序执行。此外，与循序不同，可同时执行一些步骤。另外，还可不执行一些步骤。这些步骤中的一些可表示上文所描述的计算机程序或应用的代码段或可执行指令。

在本实用新型的一些实施例中，方法200可包含掺杂板16以对均匀微波场做出反应的步骤，如框202中所描绘。举例来说，室温下的本征硅基本上是透微波的，且可经过掺杂以对微波电场做出反应。掺杂硅材料可在室温下改变导电性，因此允许微波在室温下加热硅酮平行板/使其反应。在此实例中，一旦加热硅酮板，其导电性可基于外部硅材料的带隙而减小。图5中提供说明各种材料的带隙和其大块移动性的图。导电性的这种减小可实现微波反应/穿透，并且当温度或导电性在范围内时，在微波场内引起平行板电场。在本文所描述的平行板电场内，由微波反应引起的傅科电流将竖直或垂直于目标衬底20而流动(如图10中所示)，而不像传统金属微波反应一样与表面平行(如图9中所示)。在本实用新型的一些实施例中，方法200可以任选地包含基于用于板和目标衬底中的至少一个的几何形状和材料而调整板16之间的距离的步骤，如框204中所描绘。举例来说，如上文所描述，支撑元件14可选择性地可调整，以使得可针对不同几何结构和/或不同材料的不同板16和/或不同目标衬底20使用不同间隔。

方法200可以另外包含将目标衬底20在均匀微波场(例如，多模室)内放置于板16之间的步骤，如框206中所描绘。如上文所描述，板16彼此相隔的间隔可以是约1毫米到约4毫米或6毫米到8毫米。目标衬底20和板16可由例如石英的绝缘体材料所制成的支撑元件14悬置和支撑，如上文所描述。

接着，方法200可包含使用旋转装置18以使板16和/或目标衬底20在均匀微波场内旋转的步骤(如框208中所描绘)，由此引起施加于目标衬底20的微波的极性的周期性改变。目标衬底20将主要基于其自身的介电属性而被加热，从而将微波转换为热和/或在目标衬底20的表面上引起傅科电流。传统上，表面电流或傅科电流26在微波场内形成于平板和/或目标衬底20的边缘或边界处，如图6中所示。然而，本文中所公开的旋转板配置提供相对于目标衬底20的傅科电流26的垂直流动(如图7中所示)，从而引起对其均匀加热并且选择性地加热目标衬底20的硅晶格中的缺陷，如图10中所示。相反，例如图9中示出的简单微波加热的传统加热方法并不选择性地加热硅晶格内的缺陷。

具体地说，图8示意性地示出具有含有缺陷30(也称为移动性降低区域)的硅晶格28的目标衬底20。图9示出相同硅晶格28由微波32单独加热，其中所得傅科电流26平行于目标衬底20流动。图9还描绘由微波32产生于硅晶格28中的内部热34。

图10示出经由上文所描述的和图4中所描绘的方法200加热硅晶格28，其中产生的内部热34经由垂直流入目标衬底20中的傅科电流26而进一步从体积上以其中的缺陷30为目标。傅科电流26的重定向允许在选择点处于目标衬底20中发生界面极化，在该选择点处，傅科电流26受到抑制(例如，晶粒缺陷、杂质和其它缺陷30)。缺陷30的极化可能不会在自身引起很大反应，但当前已极化的缺陷30还受制于预先存在的微波场(例如，微波32)，从而允许缺陷30被“选择性地”加热。这意味着与目标衬底20的其余部分(在本文中也称为大块材料)相比，缺陷30的温度将高出许多。此大块材料可充当散热片，耗散目标衬底20的大块材料内的热。需要说明的是，当微波场处于不同的频率范围，其引起傅科电流的能力也是不同的，所引起的傅科电流的强度也是不同的。在本发明的一个优选实施例中，微波场使用大约1GHz到24GHz的范围内的频率，以反应引起合适的强度的傅科电流，从而取得想要的加热效果。该频率范围的微波所引起的傅科电流对目标衬底的加热，使得缺陷30被加热后的温度不致于太高而导致大块材料无法及时散热，而也不致于太低而使得对衬底的热处理不能达到想要的效果。

在本发明的另一个优选实施例中，微波场使用大约1GHz到20GHz的范围内的频率，以反应引起较理想的强度和频率的傅科电流，从而对衬底提供更好的较理想的加热。此外，均匀微波场可包含900MHz到26GHz范围内的频率，或者950MHz到25GHz范围内的频率，或者1GHz到20GHz范围内的频率，或者1GHz到24GHz范围内的频率，从而实现根据不同的需求对衬底提供不同的加热效果。

本文所描述的加热方法200因此完成激活过程并且修复目标衬底20的被植入或掺杂区域的任何相关联损害，而没有现有技术微波退火方法中不合需要的热失控和电弧。有利的是，并非如现有技术微波方法中试图管理、最小化或消除傅科电流的形成，本实用新型改变所得傅科电流流动的方向，由此避免不均匀加热，并且有效地修复目标衬底20中的缺陷。

尽管本文已结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但应注意，在不脱离权利要求书所定义的保护范围的情况下，可以对本实用新型的实施例进行各种变型，而这些变型都落入本申请的保护范围。

Claims (30)

1.一种用于对衬底进行热处理的热处理设备，其特征在于，所述设备包括：

产生频率范围为1GHz到24GHz的均匀微波场的均匀微波场发生器；

掺有杂质的电容板，其位于所述均匀微波场发生器内并且定向成在所述均匀微波场内在所述电容板之间形成电容效应，所述电容板的间隔距离在1毫米到4毫米之间或者在6毫米到9毫米之间；以及

旋转装置，其被配置成使所述电容板和所述衬底在所述均匀微波场内旋转，由此引起来自所述均匀微波场的被施加于所述衬底的微波的极性的周期性改变。

2.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板被掺杂以对由所述均匀微波场发生器产生的微波电场做出反应。

3.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，进一步包括支撑元件，所述支撑元件包括绝缘体材料，该绝缘体材料将所述旋转装置附接到所述电容板并且将所述电容板彼此平行固定。

4.根据权利要求3所述的热处理设备，其特征在于，所述支撑元件中的至少一个被配置成将所述衬底固定在所述电容板之间并且与所述电容板平行。

5.根据权利要求3所述的热处理设备，其特征在于，所述支撑元件可选择性地调整，使得所述电容板之间的距离可调整。

6.根据前述权利要求中任意一项所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场中的傅科电流通过垂直于所述电容板流动而对所述极性的周期性改变作出反应，从而提供对所述衬底的均匀加热。

7.根据权利要求1-5中任意一项所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板具有足够高的导电性以在所述均匀微波场中形成电场，并且承受500到700摄氏度的热。

8.根据权利要求6所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板具有足够高的导电性以在所述均匀微波场中形成电场，并且承受500到700摄氏度的热。

9.根据权利要求1-5中任意一项所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器是单模腔室或多模腔室或波导端口，其被配置成绕所述电容板形成所述均匀微波场。

10.根据权利要求6所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器是单模腔室或多模腔室或波导端口，其被配置成绕所述电容板形成所述均匀微波场。

11.根据权利要求7所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器是单模腔室或多模腔室或波导端口，其被配置成绕所述电容板形成所述均匀微波场。

12.根据权利要求1-5中任意一项所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板各自包含半导体层和基座层，所述电容板的取向被配置使得所述基座层面对彼此。

13.根据权利要求6所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板各自包含半导体层和基座层，所述电容板的取向被配置使得所述基座层面对彼此。

14.根据权利要求7所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板各自包含半导体层和基座层，所述电容板的取向被配置使得所述基座层面对彼此。

15.根据权利要求9所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板各自包括被配置成随着温度的升高而导电性增大的半导体材料或导体材料。

16.根据权利要求1-5中任意一项所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板各自包括被配置成随着温度的升高而导电性增大的半导体材料或导体材料。

17.根据权利要求6所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板各自包括被配置成随着温度的升高而导电性增大的半导体材料或导体材料。

18.根据权利要求7所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板各自包括被配置成随着温度的升高而导电性增大的半导体材料或导体材料。

19.根据权利要求9所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板各自包括被配置成随着温度的升高而导电性增大的半导体材料或导体材料。

20.根据权利要求11所述的热处理设备，其特征在于，所述电容板各自包括被配置成随着温度的升高而导电性增大的半导体材料或导体材料。

21.根据权利要求1-5中任意一项所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器产生1GHz、2.2GHz、3.0GHz、4.0GHz、4.5GHz、20GHz或24GHz的频率。

22.根据权利要求6所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器产生1GHz、2.2GHz、3.0GHz、4.0GHz、4.5GHz、20GHz或24GHz的频率。

23.根据权利要求7所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器产生1GHz、2.2GHz、3.0GHz、4.0GHz、4.5GHz、20GHz或24GHz的频率。

24.根据权利要求9所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器产生1GHz、2.2GHz、3.0GHz、4.0GHz、4.5GHz、20GHz或24GHz的频率。

25.根据权利要求11所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器产生1GHz、2.2GHz、3.0GHz、4.0GHz、4.5GHz、20GHz或24GHz的频率。

26.根据权利要求16所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器产生1GHz、2.2GHz、3.0GHz、4.0GHz、4.5GHz、20GHz或24GHz的频率。

27.一种用于对衬底进行热处理的热处理设备，其特征在于，所述设备包括：

产生频率范围为950MHz到25GHz的均匀微波场的均匀微波场发生器；

掺有杂质的电容板，其位于所述均匀微波场发生器内并且定向成在所述均匀微波场内在所述电容板之间形成电容效应，所述电容板的间隔为1毫米到4毫米或者6毫米到9毫米；以及

旋转装置，其被配置成使所述电容板和所述衬底在所述均匀微波场内旋转，由此引起来自所述均匀微波场的被施加于所述衬底的微波的极性的周期性改变，

其中，所述均匀微波场中的傅科电流通过垂直于所述电容板流动而对所述极性的周期性改变作出反应，从而提供对所述衬底的均匀加热。

28.根据权利要求27所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器产生950MHz、2.0GHz、2.55GHz、5.0GHz、6.0GHz或25GHz的频率。

29.一种用于对衬底进行热处理的热处理设备，其特征在于，所述设备包括：

产生频率范围为1GHz到20GHz的均匀微波场的均匀微波场发生器；

掺有杂质的电容板，其位于所述均匀微波场发生器内并且定向成在所述均匀微波场内在所述电容板之间形成电容效应，所述电容板的间隔为1毫米到4毫米或者6毫米到9毫米；以及

旋转装置，其被配置成使所述电容板和所述衬底在所述均匀微波场内旋转，由此引起来自所述均匀微波场的被施加于所述衬底的微波的极性的周期性改变，

其中，所述均匀微波场中的傅科电流通过垂直于所述电容板流动而对所述极性的周期性改变作出反应，从而提供对所述衬底的均匀加热。

30.根据权利要求29所述的热处理设备，其特征在于，所述均匀微波场发生器产生1GHz、2.2GHz、3.0GHz、4.0GHz、4.5GHz或20GHz的频率。