JP2020513088A - 吸排気ユニットおよびその使用 - Google Patents

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Abstract

【課題】CVD用途の操作範囲においてより高い吸排気性能を有し、到達圧力において、最小の消費電力となる吸排気ユニットを提案する。【解決手段】本発明は、吸排気ユニット(1)に関し、− 直列に取り付けられた少なくとも4段の吸排気段(T1、T2、T3、T4、T5)を含む多段ドライ一次真空ポンプ(2)を備える吸排気ユニット(1)であって、前記吸排気ユニット(1)は、− 直列に取り付けられた第1および第2の吸排気段(B1、B2)を含む二段ルーツ真空ポンプ(3)を備え、前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)は、吸排気されるガスの流れ方向において、前記一次真空ポンプ(2)の第1吸排気段(T1)の上流に直列に取り付けられており、− 前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第1吸排気段(B1)の前記排気量の比が6未満であり、− 前記一次真空ポンプ(2)の第1吸排気段(T1)の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)の前記排気量の比は、6未満である。本発明はまた、前記吸排気ユニット(1)の使用に関する。【選択図】図1

Description

本発明は、多段ドライ一次真空ポンプと、その一次真空ポンプの上流に直列に取り付けられた二段ルーツ式真空ポンプとを備えた吸排気ユニットに関する。本発明はまた、当該吸排気ユニットの使用に関する。
一次真空ポンプは、直列に接続された多数の吸排気段を備えており、吸排気されるガスが吸気口と排気口との間を流れる。既知の一次真空ポンプの特徴的なタイプには、2つまたは3つのローブ付きのルーツポンプとも呼ばれる回転ローブ付きのものと、クローポンプとも呼ばれる二重爪付きのものがある。
一次真空ポンプは、同じ輪郭を持つ2つのロータで構成され、ステータの内側で反対方向に回転する。回転中、吸排気されるガスは、ロータとステータによって掃引された容積に閉じ込められ、ロータによって次の段に向けて押し出され、その後、真空ポンプの排気口に徐々に押し出される。ロータとステータとが何ら機械的に接触することなく作動するため、吸排気段にオイルが存在しない。このようにして、ドライ真空ポンプとして知られているものを提供することができる。
吸排気性能、特に流量特性を改善するために、ルーツ真空ポンプ(「ルーツブロワ」として知られる)が使用され、一次真空ポンプの上流に、直列に取り付けられている。ルーツ真空ポンプの排気量は、一次真空ポンプの排気量の約20倍とすることができる。
半導体製造産業における薄膜製造、またはCVD(化学蒸着)などの用途では、50Pam−1〜170Pam−1の連続的な吸排気流れの場合、特に53Pa〜266Paの操作圧力範囲において高い吸排気性能が必要とされる。特に、この課題は、この操作圧力範囲において、約3000m/hの最大吸排気流量を得ることにある。
これらの吸排気能力を達成するための解決策の1つは、約300m/hの排気量を持つ一次多段真空ポンプに直列に取り付けた3000m/hを達成するための所望の排気量を有するルーツ真空ポンプを使用することである。そのため、ルーツ真空ポンプの排気量は、一次多段真空ポンプの排気量の約10倍になる。しかし、CVD用途での操作範囲内の圧力および到達圧力において、この装置では、吸排気性能の大幅な低下が観察されている。さらに、この吸排気装置は、非常にエネルギー集約型なので、消費電力を低減させることも同様に望ましい。
一次多段真空ポンプの上流に直列で2台のルーツ真空ポンプを使用しても、満足のいく解決策は得られない。このような構成は、費用がかかり、かさばり、2台のモータを使用すると機械的な損失が発生し、かつ消費電力が大きくなるためである。
したがって、本発明の課題の1つは、CVD用途の操作範囲において、より高い吸排気性能を有し、到達圧力において、最小の消費電力となる吸排気ユニットを提案することである。
上記課題を解決するために、本発明の吸排気ユニットは、
− 直列に取り付けられた少なくとも4段の吸排気段を含む、多段ドライ一次真空ポンプを備えており、
前記吸排気ユニットは、
− 直列に取り付けられた第1および第2の吸排気段を含む二段ルーツ真空ポンプを備え、前記二段ルーツ真空ポンプの前記第2吸排気段は、吸排気されるガスの流れ方向において、前記一次真空ポンプの第1吸排気段の上流に直列に取り付けられており、
− 前記二段ルーツ真空ポンプの前記第2吸排気段の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプの前記第1吸排気段の前記排気量の比は、6未満であり、
− 前記多段ドライ一次真空ポンプの第1吸排気段の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプの前記第2吸排気段の前記排気量の比は、6未満であることを特徴とする。
この吸排気ユニットの構成および容量により、53Pa〜266Paの圧力で、170Pam−1まで連続的に吸排気可能な流れを有する、所望の操作範囲において最大の吸排気性能を得ることができる。
到達真空度における吸排気性能も、0.1Torr未満において、十分である。
さらに、到達真空度であろうと、CVD用途の所望の操作範囲であろうと、消費電力は、最小である。
吸排気ユニットの1つ以上の特徴に応じて、以下の特徴を個別にまたは組み合わせて考慮することができる。
− 前記二段ルーツ真空ポンプの前記第1吸排気段の前記排気量は、3000m/h以上であり、たとえば3500m/h〜5000m/hであり、
− 前記二段ルーツ真空ポンプの前記第2吸排気段の前記排気量は、500m/h以上であり、たとえば500m/h〜1000m/hであり、
− 前記二段ルーツ真空ポンプの前記第2吸排気段の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプの前記第1吸排気段の前記排気量の比は、5.5未満であり、たとえば4.5〜5.5であり、
− 前記多段ドライ一次真空ポンプの前記第1吸排気段の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプの前記第2吸排気段の排気量の比は、5以下であり、
− 前記一次真空ポンプの前記第1吸排気段の前記排気量は、100m/h以上であり、たとえば100m/h〜400m/hであり、
− 前記一次真空ポンプの前記第2吸排気段の前記排気量に対する前記一次真空ポンプの前記第1吸排気段の前記排気量の比は、3以下であり、
− 前記一次真空ポンプの前記第3吸排気段の前記排気量に対する前記ルーツ真空ポンプの前記第1吸排気段の前記排気量の比は、120以下であり、
− 前記一次真空ポンプの前記最後から2番目の吸排気段の前記排気量に対する前記一次真空ポンプの前記最後の吸排気段の前記排気量の比は、2以下であり
− 前記一次真空ポンプは、直列に取り付けられた少なくとも5段の吸排気段を備えており、
− さらに、前記吸排気ユニットは、前記二段ルーツ真空ポンプの吸気口を前記二段ルーツ真空ポンプの前記第2吸排気段の入口に接続する通路を備えており、前記通路は、前記吸気口と前記第1吸排気段の排気口との差圧が所定の値を超えると、すぐに開くようになっているリリーフモジュール(「バイパス」とも呼ばれる)を備えている。
本発明は、半導体製造設備の密閉容器を吸排気するための、上述の吸排気ユニットの使用も提案しており、前記吸排気ユニットを使用して、前記密閉容器における吸排気されるガス流れが50Pam−1〜170Pam−1となるように、前記密閉容器内の圧力を53Pa〜266Paのレベルに制御している。
本発明の吸排気ユニットの模式図である。 操作に必要な構成要素のみを描いた一次真空ポンプの実施形態を示す図である。 理解を容易にするために、互いに隣接する吸排気段の断面を示している、二段ルーツ真空ポンプの模式図である。 本発明の吸排気ユニットおよび従来技術の吸排気装置の吸排気速度(m/h)の曲線を圧力(Torr)の関数として示すグラフである。 図4の吸排気ユニットおよび吸排気装置の吸排気ガス流れ(slm(standard litres per minute)「標準リットル/分」)、(1slm=1.68875Pam−1)の曲線を圧力(Torr)の関数として示すグラフである。 本発明の吸排気ユニットの使用例を示す図である。
本発明の他の特徴および利点は、添付の図面に示す、非限定的な実施例に関する以下の説明から、明らかになるであろう。
添付の図において、同様の構成要素には、同じ符号を付してある。なお、この実施形態は一例である。以下の説明では、1つ以上の実施形態を挙げているが、これは、必ずしも各例示が同じ実施形態に関連すること、または、その特徴が単一の実施形態のみに適用可能であることを意味するものではない。異なる実施形態の単一の特徴を組み合わせてまたは交換して、他の実施形態を提供することも可能である。
「排気量」という表現は、真空ポンプのロータとステータとの間の掃引容積に対応する容量に、1秒あたりの回転数を掛けたものである。
「到達圧力」という表現は、吸排気ガス流れがない場合に、吸排気装置で得られる最低圧力を意味する。
「ドライ一次真空ポンプ」という表現は、2つのロータを使用して大気圧下で吸排気するためにガスを吸引し、移送し、排気する容積移送式真空ポンプを意味する。ロータは、一次真空ポンプのモータによって回転駆動される。
「ルーツ真空ポンプ」(「ルーツブロワ」とも呼ばれる)という表現は、ルーツ式のロータを使用して、吸排気するためにガスを吸引し、移送し、排気する容積移送式真空ポンプを意味する。ルーツ真空ポンプは、一次真空ポンプの上流に、直列に取り付けられている。ルーツロータは、ルーツ真空ポンプのモータによって回転駆動される。
「上流」という表現は、ガスの流れ方向に対して他の構成要素の前に位置する構成要素を指すと解釈される。逆に、「下流」という表現は、吸排気されるガスの流れ方向に対して次々に配置された構成要素を指すと解釈される。より高い圧力の下流に位置する構成要素よりも、上流に位置する構成要素は、より低い圧力である。
図1は、本発明の吸排気ユニットの模式図を示している。
吸排気ユニット1は、例えば、半導体製造産業の設備100で使用される(図6)。吸排気ユニット1は、例えば、薄膜製造またはCVD(「化学蒸着」)用途に使用される密閉容器101に接続され、その操作範囲は、圧力が53Pa〜266Pa、密閉容器101における吸排気されるガス流れは、通常50Pam−1〜170Pam−1である。
吸排気ユニット1は、多段ドライ一次真空ポンプ2と、この一次真空ポンプ2の上流に直列に取り付けられた二段ルーツ式(または「二段ブロワ」)の真空ポンプ3とを備えている。
ここに示す一次真空ポンプ2は、一次真空ポンプ2の吸気口4と排気口5との間に直列に取り付けられた5段の吸排気段T1、T2、T3、T4、T5を備えている。
各吸排気段T1〜T5は、それぞれの入口と出口とを備えている。連続する吸排気段T1〜T5は、前の吸排気段の出口(または排気口)を次の吸排気段の入口(または吸気口)に接続する各段間路6によって互いに直列に接続されている(図2を参照)。段間路6は、例えば、ロータ10を収容する中央ハウジング9の両側で、一次真空ポンプ2のボディ8内において横方向に配置されている。第1吸排気段T1の入口は、一次真空ポンプ2の吸気口4と連通し、最後の吸排気段T5の出口は、一次真空ポンプ2の排気口5と連通している。吸排気段T1〜T5のステータは、一次真空ポンプ2のボディ8を形成している。
一次真空ポンプ2は、吸排気段T1〜T5内に延びる2つの回転ローブロータ10を備えている。ローブロータ10のシャフトは、一次真空ポンプ2のモータM1によって排気段T5の側部から駆動される(図1)。
ロータ10は、同一の輪郭を備えたローブを有する。描かれているロータはルーツ式のものである(「数字の8」または「インゲンマメ」の形の断面を有している)。明らかに、本発明は、クロー、スパイラルまたはスクリュー式、または他の同様の容積移送式真空ポンプの原理で作動するものなど、他のタイプのドライ多段一次真空ポンプに等しく適用可能である。
ロータ10は、各吸排気段T1〜T5の中央ハウジング9内で、反対方向に同期して回転するように角度的にオフセットされ、かつ駆動する。回転中、入口から引き込まれたガスは、ロータ10とステータとによって掃引された容積に閉じ込められ、ロータによって次の段に向けて駆動させられる(図1および図2において、ガスの流れ方向を矢印Gで示している)。
一次真空ポンプ2は、運転中、ロータ10がステータと何ら機械的に接触することなくステータの内側を回転するため、「ドライ」と呼ばれ、それ故、吸排気段T1〜T5にオイルが存在しない。
吸排気段T1〜T5は、掃引容積、すなわち、吸排気段毎に減少する(または等しい)吸排気されるガスの容積を有しており、第1の吸排気段T1は、最大の排気量を有し、最終の吸排気段T5は、最小の排気量を有している。
一次真空ポンプ2の排気圧力は、大気圧に等しい。一次真空ポンプ2はさらに、吸排気されたガスが一次真空ポンプ2に戻るのを防ぐために、最終吸排気段T5の出口の排気口5に、逆止弁を備えている。
図3は、二段ルーツ真空ポンプ3を模式的に示している。
一次真空ポンプ2と同様に、二段ルーツ真空ポンプ3は、容積移送式真空ポンプであり、2つのロータを使用して、吸排気するためにガスを吸引し、移送し、排気する。
二段ルーツ真空ポンプ3は、吸排気されるガスを流すことができる吸気口11と排気口12との間に直列に取り付けられた第1および第2の吸排気段B1、B2を備えている。
各吸排気段B1、B2は、それぞれの入口および出口を備えており、第2吸排気段B2の入口16(または吸気口)は、段間路13によって第1吸排気段B1の出口(または排気口)に接続している。第1吸排気段B1の入口は、吸排気ユニット1の吸気口11と連通し、第2吸排気段B2の出口(排気口12)は、一次真空ポンプ2の吸気口4に接続している。
二段ルーツ真空ポンプ3は、吸排気段B1、B2内に延びる2つの回転ローブロータ14を備えている。ロータ14のシャフトは、二段ルーツ真空ポンプ3のモータM2によって駆動される(図1)。
ロータ14は、ルーツ式の同一輪郭を備えたローブを有する。
ロータ14は、各ステージB1〜B2のチャンバを形成する中央ハウジング内で、反対方向に同期して回転するように角度的にオフセットされ、かつ駆動する。回転中、入口から引き込まれたガスは、ロータとステータとによって掃引された容積に閉じ込められ、ロータによって次の段に向けて駆動させられる(図1および図3において、ガスの流れ方向を矢印Gで示している)。
ルーツ真空ポンプ3は、運転中、ロータがステータと何ら機械的に接触することなくステータ内で回転するため、「ドライ」と呼ばれ、それ故、吸排気段B1〜B2にオイルが存在しない。
ルーツ真空ポンプ3は、吸排気能力が大きいため吸排気段B1〜B2の寸法がより大きくなるという点、寸法公差の点、遊びが大きいという点、および、大気圧下で排気するものではなく、一次真空ポンプの上流で直列配置して使用しなければならないという点において、主に一次真空ポンプ2と異なっている。
吸排気ユニット1は、ルーツ真空ポンプ3の吸気口11をルーツ真空ポンプ3の第2吸排気段B2の入口16に接続する通路15をさらに備えている。
通路15は、吸気口11と第1吸排気段B1の排気口との差圧が所定のレベル、例えば5×10Pa〜3×10Pa、を超えると、すぐに開くようになっている逆止弁または制御弁などのリリーフモジュール17を備えている。
リリーフモジュール17の開放により、第1吸排気段B1の排気口からルーツ真空ポンプ3の吸気口11に向かって、過剰ガスをリサイクルすることができる。このリサイクルは、吸排気開始時の大きいガス流れにより、密閉容器101の圧力が大気圧を下回ると行われる。これにより、非常に大きい消費電力、過剰な加熱、および誤動作のリスクをもたらす恐れがある、第1吸排気段B1の排気口が高圧になることが回避される。
ルーツ真空ポンプ3の第2吸排気段B2の排気量に対するルーツ真空ポンプ3の第1吸排気段B1の排気量の比は、6未満であり、例えば5.5未満または4.5〜5.5である。
二段ルーツ真空ポンプ3の第1吸排気段B1の排気量は、例えば、3000m/h以上であり、例えば3500m/h〜5000m/hである。
二段ルーツ真空ポンプ3の第2吸排気段B2の排気量は、例えば、500m/h以上であり、例えば500m/h〜1000m/hである。
二段ルーツ真空ポンプ3の第1吸排気段B1の排気量は、例えば、約4459m/hである。
二段ルーツ真空ポンプ3の第2吸排気段B2の排気量は、例えば、約876m/hである。
したがって、第2吸排気段B2の排気量に対する第1吸排気段B1の排気量の比は、約5.1である。
さらに、一次真空ポンプ2の第1吸排気段T1の排気量に対するルーツ真空ポンプ3の第2吸排気段B2の排気量の比は、6未満であり、たとえば5以下である。
一次真空ポンプ2の第1吸排気段T1の排気量は、例えば、100m/h以上であり、例えば100m/h〜400m/hである。
一次真空ポンプ2の第1吸排気段T1は、例えば、約187m/hの排気量を有している。
したがって、第1吸排気段T1の排気量に対する第2吸排気段B2の排気量の比は約4.7に等しい。
一次真空ポンプ2の第2吸排気段T2の排気量に対する一次真空ポンプ2の第1吸排気段T1の排気量の比は、例えば、3以下である。
第2吸排気段T2は、例えば、約93m/hの排気量を有している。したがって、第2吸排気段T2の排気量に対する第1吸排気段T1の排気量の比は、ほぼ2に等しい。
一次真空ポンプ2の第3吸排気段T3の排気量に対する二段ルーツ真空ポンプ3の第1吸排気段B1の排気量の比は、例えば、120以下である。一次真空ポンプ2の少なくとも2つの最終吸排気段T4、T5、T6は、同じ排気量を有していてもよい。
一次真空ポンプ2の最後から2番目の吸排気段T4の排気量に対する一次真空ポンプ2の最後の吸排気段T5の排気量の比は、例えば、2以下である。
最後の3つの吸排気段T3、T4、およびT5は、例えば、約44m/hの排気量を有する。したがって、一次真空ポンプ2の第3吸排気段T3の排気量に対する二次二段ルーツ真空ポンプ3の第1吸排気段B1の排気量の比は、約101.3である。したがって、この場合、一次真空ポンプ2の最後から2番目の吸排気段T4の排気量に対する一次真空ポンプ2の最後の吸排気段T5の排気量の比は、1に等しい。
同じ排気量を有する一次真空ポンプ2の最終吸排気段T4、T5、T6は、製造を単純化し、コストを削減することができる。
吸排気ユニット1のこのような設計により、吸排気性能の最適化が可能になり、これはCVD法の操作範囲において、最も好ましい。到達真空度における吸排気性能も満足すべきものである。さらに、到達真空度においても、操作圧力においても、消費電力は、最小である。
これは、本発明による吸排気ユニット1および従来技術の吸排気装置について見出された吸排気性能を示す図4および図5のグラフを考察することにより、より容易に理解することができる。
曲線Aは、推定排気量が510m/hの一次真空ポンプの上流に直列に取り付けられた4459m/hの推定排気量を有する単段ルーツ真空ポンプを備えた従来技術の吸排気装置の、圧力に対する吸排気速度の曲線である。
この吸排気装置は、13Pa〜26Pa(または0.1Torr〜0.2Torr)の圧力で約3000m/hの吸排気速度に達することができる。しかし、53Pa(または0.4Torr)を超えると、吸排気性能が急激に低下するため、吸排気装置の性能は、目的とする操作範囲(図4および図5のグラフのPfで示した範囲)で不十分になってしまう。13Pa(または0.1Torr)未満の圧力(到達真空度において)の吸排気速度も不十分である。さらに、到達圧力における消費電力は、約3.3kWと大きくなっている。
曲線Bは、推定排気量が260m/hの一次真空ポンプの上流に直列に取り付けられた4459m/hの推定排気量を有する単段ルーツ真空ポンプを備えた従来技術の吸排気装置の、圧力に対する吸排気性能を示している。
到達圧力における吸排気性能は、曲線Aの吸排気装置よりも優れていることが分かる。しかし、吸排気速度は、操作範囲Pfにおいて3000m/hの所望の性能に達しない。
曲線Cは、推定排気量が510m/hの一次真空ポンプの上流に直列に取り付けられた4459m/hの推定排気量を有する1台のルーツ真空ポンプを備えた従来技術の吸排気装置の、圧力に対する吸排気性能を示している。約109m/hの推定排気量を有する曲線Cの吸排気装置の一次真空ポンプの最終吸排気段の設計は、約58m/hの推定排気量を有する曲線Aの吸排気装置の設計よりも(容量または圧力において)はるかに優れている。
曲線Cの吸排気装置の吸排気性能は、操作範囲Pfにおいて、曲線Bの吸排気装置の吸排気性能よりも大幅に優れていることがわかる。しかし、吸排気速度は、3000m/hに達していなく、かつ、操作範囲Pfにおいて低下している。また、一次真空ポンプの最終吸排気段の過大設計によって、到達圧力における消費電力が非常に高くなる(約5.7kW)。さらに、到達圧力における吸排気性能が不十分である。
曲線Dは、ルーツ真空ポンプ3の第1吸排気段B1の排気量が約4459m/hであり、ルーツ真空ポンプ3の第2吸排気段B2の排気量が約876m/hであり、一次真空ポンプ2の第1吸排気段T1が約187m/hの排気量を有しており、一次真空ポンプ2の第2吸排気段T2が約93m/hの排気量を有しており、かつ、一次真空ポンプ2の最後の3つの吸排気段T3、T4、T5が約44m/hの排気量を有している、本発明による吸排気ユニット1における、圧力に対する吸排気性能を示している。
吸排気性能は、所望の操作範囲Pfにおいて、最大約3000m/hであることがわかる。
到達真空度における吸排気性能も、十分である。
さらに、消費電力は、満足のいくものである。到達圧力において2.5kW未満である。
1 吸排気ユニット
2 一次真空ポンプ
3 ルーツ真空ポンプ
4 吸気口(一次真空ポンプ)
5 排気口(一次真空ポンプ)
6 段間路
8 ボディ
9 中央ハウジング
10 ロータ(一次真空ポンプ)
11 吸気口(ルーツ真空ポンプ)
12 排気口(ルーツ真空ポンプ)
14 ロータ(ルーツ真空ポンプ)
15 通路
16 入口(第2吸排気段)
17 リリーフモジュール
100 半導体製造設備
101 密閉容器
B1 第1吸排気段(ルーツ真空ポンプ)
B2 第2吸排気段(ルーツ真空ポンプ)
G ガス
M1 モータ(一次真空ポンプ)
M2 モータ(ルーツ真空ポンプ)
Pf 操作範囲
T1、T2、T3、T4、T5 吸排気段(一次真空ポンプ)

Claims (11)

  1. − 直列に取り付けられた少なくとも4段の吸排気段(T1、T2、T3、T4、T5)を含む、多段ドライ一次真空ポンプ(2)を備える吸排気ユニット(1)であって、
    前記吸排気ユニット(1)は、
    − 直列に取り付けられた第1および第2の吸排気段(B1、B2)を含む二段ルーツ真空ポンプ(3)を備え、前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)は、吸排気されるガスの流れ方向において、前記一次真空ポンプ(2)の第1吸排気段(T1)の上流に直列に取り付けられており、
    − 前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第1吸排気段(B1)の前記排気量の比は、6未満であり、
    − 前記一次真空ポンプ(2)の第1吸排気段(T1)の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)の前記排気量の比は、6未満であることを特徴とする吸排気ユニット(1)。
  2. 前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第1吸排気段(B1)の前記排気量は、3000m/h以上であり、たとえば3500m/h〜5000m/hであることを特徴とする請求項1に記載の吸排気ユニット(1)。
  3. 前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)の前記排気量は、500m/h以上であり、たとえば500m/h〜1000m/hであることを特徴とする請求項1又は2に記載の吸排気ユニット(1)。
  4. 前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第1吸排気段(B1)の前記排気量の比は、5.5未満であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の吸排気ユニット(1)。
  5. 前記一次真空ポンプ(2)の前記第1吸排気段(T1)の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)の排気量の比は、5以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の吸排気ユニット(1)。
  6. 前記一次真空ポンプ(2)の前記第1吸排気段(T1)の前記排気量は、100m/h以上であり、たとえば100m/h〜400m/hであることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の吸排気ユニット(1)。
  7. 前記一次真空ポンプ(2)の前記第2吸排気段(T2)の前記排気量に対する前記一次真空ポンプ(2)の前記第1吸排気段(T1)の前記排気量の比は、3以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の吸排気ユニット(1)。
  8. 前記一次真空ポンプ(2)の前記第3吸排気段(T3)の前記排気量に対する前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第1吸排気段(B1)の前記排気量の比は、120以下であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の吸排気ユニット(1)。
  9. 前記一次真空ポンプ(2)は、直列に取り付けられた少なくとも5つの吸排気段(T1、T2、T3、T4、T5)を備えていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の吸排気ユニット(1)。
  10. さらに、前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の吸気口(11)を前記二段ルーツ真空ポンプ(3)の前記第2吸排気段(B2)の入口(16)に接続する通路(15)を備えており、前記通路(15)は、前記吸気口(11)と前記第1吸排気段(B1)の排気口との差圧が所定の値を超えると、すぐに開くようになっているリリーフモジュール(17)を備えていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の吸排気ユニット(1)。
  11. 半導体製造設備(100)の密閉容器(101)を吸排気するための、請求項1から10のいずれか1項に記載の吸排気ユニット(1)の使用であって、前記密閉容器(101)における吸排気されるガス流れが50Pam−1〜170Pam−1となるように、前記密閉容器内の圧力を53Pa〜266Paのレベルに制御するための吸排気ユニット(1)の使用。
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