JP2020508277A - シリコン系溶融組成物及びこれを用いるシリコンカーバイド単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン系溶融組成物及びこれを用いるシリコンカーバイド単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020508277A JP2020508277A JP2019543926A JP2019543926A JP2020508277A JP 2020508277 A JP2020508277 A JP 2020508277A JP 2019543926 A JP2019543926 A JP 2019543926A JP 2019543926 A JP2019543926 A JP 2019543926A JP 2020508277 A JP2020508277 A JP 2020508277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- silicon carbide
- single crystal
- less
- carbide single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 99
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 78
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 77
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 27
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 21
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 3
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BVYDNWONFOBMFP-UHFFFAOYSA-N [Sc].[Cr] Chemical compound [Sc].[Cr] BVYDNWONFOBMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000000329 molecular dynamics simulation Methods 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
- C30B9/06—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using as solvent a component of the crystal composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本発明は、シリコンカーバイド単結晶を形成するための溶液成長法に用いられ、シリコン、第１金属（Ｍ１）、スカンジウム（Ｓｃ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含む下記式１で表されるシリコン系溶融組成物に関する。ＳｉａＭ１ｂＳｃｃＡｌｄ（式１）前記式１において、前記ａは０．４超０．８未満であり、前記ｂは０．２超０．６未満であり、前記ｃは０．０１超０．１未満であり、前記ｄは０．０１超０．１未満である。
Description
関連出願との相互引用
本出願は、２０１７年６月２９日付韓国特許出願第１０−２０１７−００８２７８１号に基づいた優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
本出願は、２０１７年６月２９日付韓国特許出願第１０−２０１７−００８２７８１号に基づいた優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
本発明は、シリコン系溶融組成物及びこれを用いるシリコンカーバイド単結晶の製造方法に関する。
電力半導体素子は、電気自動車、電力システム、高周波移動通信など電気エネルギを用いる次世代システムにおいて核心素子である。このためには高電圧、大電流、高周波数などに適した素材の選定が必要である。シリコン単結晶が電力半導体物質として使用されてきたが、物性的な限界によってエネルギ損失が少なく、より極限の環境で駆動できるシリコンカーバイド単結晶が注目されている。
シリコンカーバイド単結晶の成長のために、一例にシリコンカーバイドを原料として２０００度（℃）以上の高温で昇華させて単結晶を成長させる昇華法、結晶引き上げ法を応用した溶液成長法、及び気体ソースを使用する化学的気相蒸着法などが用いられている。
化学的気相蒸着法を用いる場合、厚さが制限された薄膜水準に成長させ得、昇華法を用いる場合、マイクロパイプ及び積層欠陥のような欠陥が発生する可能性が多いため、生産単価的側面から限界がある。結晶成長温度が昇華法に比べて低く、大口径化及び高品質化に有利であると知らされている溶液成長法に対する研究が進められている。
本発明は、速い結晶成長速度の提供により工程時間及びコストを節減させるシリコン系溶融組成物を提供する。また、優れた品質のシリコンカーバイド単結晶を提供できるシリコン系溶融組成物を提供する。また、前述したシリコン系溶融組成物を用いるシリコンカーバイド単結晶の製造方法を提供する。
また、本発明が解決しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は、下記の記載から本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に明確に理解され得る。
前述した課題を達成するためのシリコン系溶融組成物は、シリコンカーバイド単結晶を形成するための溶液成長法に用いられ、シリコン、第１金属（Ｍ１）、スカンジウム（Ｓｃ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含む下記式１で表される。
ＳｉａＭ１ｂＳｃｃＡｌｄ （式１）
ＳｉａＭ１ｂＳｃｃＡｌｄ （式１）
前記式１において、前記ａは０．４超０．８未満であり、前記ｂは０．２超０．６未満であり、前記ｃは０．０１超０．１未満であり、前記ｄは０．０１超０．１未満である。
前記第１金属（Ｍ１）は、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、イットリウム（Ｙ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ホウ素（Ｂ）、セリウム（Ｃｅ）、ランタン（Ｌａ）、及びプラセオジム（Ｐｒ）からなる群より選ばれた少なくとも一つを含み得る。
式１において、前記ａは０．５超０．７未満であり、前記ｂは０．２超０．４未満であり、前記ｄは０．０１超０．０５未満であり得る。
前記シリコン系溶融組成物の炭素溶解度は、５％以上であり得る。
前記スカンジウムは、シリコン系溶融液に対する炭素の溶解度を増加させ得る。
一実施例によるシリコンカーバイド単結晶の製造方法は、シリコンカーバイド種結晶を準備する段階と、シリコン（Ｓｉ）、第１金属（Ｍ１）、スカンジウム（Ｓｃ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含み、下記式１で表されるシリコン系溶融組成物を準備する段階と、前記シリコン系溶融組成物に炭素（Ｃ）を追加して溶融液を形成する段階と、前記溶融液を過冷却させて前記種結晶上にシリコンカーバイド単結晶を成長させる段階とを含む。
ＳｉａＭ１ｂＳｃｃＡｌｄ （式１）
ＳｉａＭ１ｂＳｃｃＡｌｄ （式１）
前記式１において、前記ａは０．４超０．８未満であり、前記ｂは０．２超０．６未満であり、前記ｃは０．０１超０．１未満であり、前記ｄは０．０１超０．１未満である。
前記シリコンカーバイドの成長速度は、８０μｍ／ｈ以上であり得る。
一実施例によるシリコン系溶融組成物は、速い結晶成長速度の提供により工程時間及びコストを節減させることができる。また、優れた品質のシリコンカーバイド単結晶を提供することができる。
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明する。ただし、本記載を説明することにおいて、すでに公知された機能あるいは構成に対する説明は、本記載の要旨を明瞭にするために省略する。
本記載を明確に説明するために説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素に対しては、同じ参照符号を付する。また、図面に示す各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したので、本記載は必ず示されたところに限定されない。
以下、一実施例によるシリコン系溶融組成物について説明する。
一実施例によるシリコン系溶融組成物は、シリコン（Ｓｉ）、第１金属（Ｍ１）、スカンジウム（Ｓｃ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含み得る。シリコン系溶融組成物は、下記式１で表される。第１金属（Ｍ１）は、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、イットリウム（Ｙ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ホウ素（Ｂ）、セリウム（Ｃｅ）、ランタン（Ｌａ）、及びプラセオジム（Ｐｒ）からなる群より選ばれた少なくとも一つを含み得る。
ＳｉａＭ１ｂＳｃｃＡｌｄ （式１）
ＳｉａＭ１ｂＳｃｃＡｌｄ （式１）
式１において、前記ａは０．４超０．８未満であり得、前記ｂは０．２超０．６未満であり得、前記ｃは０．０１超０．１未満であり得、前記ｄは０．０１超０．１未満であり得る。
言い換えると、シリコン系溶融組成物でシリコンの含有量は、４０ａｔ％超８０ａｔ％未満であり得、第１金属（Ｍ１）の含有量の和は、２０ａｔ％超６０ａｔ％未満であり得る。第１金属（Ｍ１）の含有量が２０ａｔ％以下である場合、シリコン系溶融組成物に対する炭素の溶解度が低くなるので、シリコンカーバイド単結晶の成長速度が顕著に減少する。第１金属（Ｍ１）の含有量が８０ａｔ％以上の場合、金属とシリコンの化合物が生成されたりシリコン系溶融液内の炭素がシリコンカーバイドでない黒鉛形態で析出され得、過度に高い炭素溶解度によってシリコンカーバイドの多結晶化が起きてシリコンカーバイド結晶の品質が低下し得る。
スカンジウム（Ｓｃ）は、前記式１で表されるシリコン系溶融組成物で１ａｔ％超１０ａｔ％未満で含まれ得る。スカンジウム（Ｓｃ）は、シリコン系溶融液の炭素溶解度を向上させてシリコンカーバイド単結晶の成長速度を向上させ得る。スカンジウム（Ｓｃ）が１ａｔ％以下で含まれればシリコン系溶融液に対する炭素溶解度を向上させる効果が微々たり得、１０ａｔ％以上で含まれればシリコン系溶融液の不安定を招いて溶融液がルツボの外部に溶出するなど工程の信頼性が低くなる。
アルミニウム（Ａｌ）は、前記式１で表されるシリコン系溶融組成物で１ａｔ％超１０ａｔ％未満の含有量で含まれ得る。アルミニウム（Ａｌ）は、シリコンカーバイド単結晶の成長工程で多結晶の生成を抑制させて取得されるシリコンカーバイド単結晶の結晶性を向上させ得る。アルミニウム（Ａｌ）は、シリコンカーバイド単結晶の成長表面全体にかけて均一な結晶核を提供する。これにより平坦な形状を有するシリコンカーバイド単結晶が取得され得る。成長表面が不均一な結晶核を含む場合、シリコンカーバイド多結晶が成長する。
一実施例によるシリコン系溶融組成物は、シリコン（Ｓｉ）、溶融液に対する炭素溶解度を増加させる第１金属（Ｍ１）、溶融液に対する炭素の溶解度を増加させるスカンジウム（Ｓｃ）及びシリコンカーバイド単結晶の結晶性を向上させるアルミニウム（Ａｌ）を所定の含有量で含むことによって、より優れた品質のシリコンカーバイド単結晶を取得し得る。また、一実施例によるシリコン系溶融組成物は速い単結晶成長速度を提供できるので、取得のための所要時間及びコストを減少させることができる。
以下、前述したシリコン系溶融組成物を用いてシリコンカーバイド単結晶を取得する方法について、図１の製造装置を参照して説明する。図１はシリコンカーバイド単結晶を成長させる時使用される製造装置の概略的な断面図である。
図１を参照すれば、一実施例によるシリコンカーバイド単結晶製造装置は、反応チャンバー１００、反応チャンバー１００の内部に位置するルツボ３００、ルツボ３００の内部に延びる種結晶２１０、種結晶２１０と連結される種結晶支持部２３０、移動部材２５０及びルツボ３００を加熱する加熱部材４００を含み得る。
反応チャンバー１００は、空の内部空間を含む密閉された形態であり、その内部が一定の圧力などの雰囲気で維持され得る。図面に示していないが、反応チャンバー１００に真空ポンプ及び雰囲気制御用ガスタンクが連結され得る。真空ポンプ及び雰囲気制御用ガスタンクを用いて反応チャンバー１００の内部を真空状態にした後、アルゴン気体のような非活性気体を充電し得る。
シリコンカーバイド種結晶２１０は、種結晶支持部２３０及び移動部材２５０に連結されてルツボ３００の内側に位置し得、特にルツボ３００の内部に提供される溶融液と接触するように配置され得る。このような溶融液は、前述したシリコン系溶融組成物を含み得る。
一実施例によれば、シリコンカーバイド種結晶２１０の表面と溶融液との間にメニスカスが形成され得る。メニスカスとは、シリコンカーバイド種結晶２１０の下部面が溶融液と接触した以後、少し持ち上げられて発生する表面張力によって溶融液上に形成される曲面をいう。メニスカスを形成してシリコンカーバイド単結晶を成長させる場合、多結晶の発生を抑制してより高品質の単結晶を取得し得る。
シリコンカーバイド種結晶２１０は、シリコンカーバイド単結晶からなる。シリコンカーバイド種結晶２１０の結晶構造は、製造しようとするシリコンカーバイド単結晶の結晶構造と同一である。例えば、４Ｈ多型のシリコンカーバイド単結晶を製造する場合、４Ｈ多型のシリコンカーバイド種結晶２１０を用いることができる。４Ｈ多型のシリコンカーバイド種結晶２１０を用いる場合、結晶成長面は（０００１）面または（０００−１）面であるか、（０００１）面または（０００−１）面から８度以下の角度で傾いた面であり得る。
種結晶支持部２３０は、シリコンカーバイド種結晶２１０と移動部材２５０を連結する。種結晶支持部２３０の一端は移動部材２５０に連結され、他端は種結晶２１０に連結され得る。
種結晶支持部２３０は、移動部材２５０に連結されてルツボ３００の高さ方向に沿って上下方向に移動し得る。具体的に種結晶支持部２３０は、シリコンカーバイド単結晶の成長工程のためにルツボ３００の内側に移動したりシリコンカーバイド単結晶の成長工程が終了した後ルツボ３００の外側に移動し得る。また、本明細書は、種結晶支持部２３０が上下方向に移動する実施例を説明したが、これに制限されず、いかなる方向にも移動したり回転し得、そのための公知の手段を含み得る。
種結晶支持部２３０は、移動部材２５０に脱着され得る。シリコンカーバイド単結晶を取得するために移動部材２５０に結合されてルツボ３００の内側に提供され得、単結晶の成長工程が終了した以降には移動部材２５０から分離され得る。
移動部材２５０は、駆動部（図示せず）に連結されてチャンバー１００の内部を移動するか回転し得る。移動部材２５０は上下移動するか回転するための公知の手段を含み得る。
ルツボ３００は、反応チャンバー１００の内部に備えられ、上側が開放された容器形態であり得、上部面を除いた外周面３００ａ及び下部面３００ｂを含み得る。ルツボ３００は、前述した形態に制限なしにシリコンカーバイド単結晶を形成するためのいかなる形態も可能であることは勿論である。ルツボ３００は、シリコンまたはシリコンカーバイド粉末のような溶融原料が装入されて収容され得る。
ルツボ３００は、グラファイト、シリコンカーバイドのように炭素を含有する材質であり得、このような材質のルツボ３００自体は炭素原料の供給源として活用され得る。またはこれに制限されず、セラミック材質のルツボを用いることができ、この時、炭素を提供する物質または供給源を別途提供できる。
加熱部材４００は、ルツボ３００を加熱してルツボ３００に収容された物質を溶融させるか加熱し得る。加熱部材４００は、抵抗式発熱手段または誘導加熱式発熱手段を用い得る。具体的に、加熱部材４００自体が発熱する抵抗式で形成されるか、加熱部材４００がインダクションコイルで形成され、インダクションコイルに高周波電流を流れるようにすることによって、ルツボ３００を加熱する誘導加熱方式で形成されることもできる。しかし、前述した方法に制限されず、いかなる加熱部材も用い得ることは勿論である。
一実施例によるシリコンカーバイド製造装置は、回転部材５００をさらに含み得る。回転部材５００は、ルツボ３００の下側面に結合されてルツボ３００を回転させ得る。ルツボ３００の回転により均一な組成の溶融液の提供が可能であるため、シリコンカーバイド種結晶２１０で高品質のシリコンカーバイド単結晶が成長できる。
以下、前述したシリコン系溶融組成物及びシリコンカーバイド単結晶の製造装置を用いるシリコンカーバイド単結晶の製造方法について説明する。
まず、前述したシリコン系溶融組成物を含む初期溶融原料をルツボ３００内に投入する。初期溶融原料は、粉末形態であり得るが、これに制限されない。ルツボ３００が炭素材質を含む場合、初期溶融原料は、炭素を別途に含まなくてもよいが、これに制限されず、初期溶融原料は炭素を含んでもよい。
初期溶融原料を実装しているルツボ３００をアルゴン気体のような不活性雰囲気で加熱部材４００を用いて加熱する。加熱によりルツボ３００内の初期溶融原料は、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）及び金属（第１金属、スカンジウム、アルミニウム）を含む溶融液に変わる。
ルツボ３００が所定の温度に到達した後、ルツボ３００内の溶融液の温度は徐々に低下し、溶融液内の炭素の溶解度が小さくなる。そのため、種結晶２１０付近でシリコンカーバイド過飽和状態になると、この過飽和度を駆動力にして種結晶２１０上にシリコンカーバイド単結晶が成長する。
シリコンカーバイド単結晶が成長することによって、溶融液からシリコンカーバイドを析出する条件が変わり得る。この時、時間の経過に応じて溶融液の組成に合うようにシリコン及び炭素を添加して溶融液を一定範囲内の組成に維持し得る。添加されるシリコン及び炭素は、連続的にまたは非連続的に投入され得る。
本発明の一実施例によるシリコン系溶融組成物を用いる場合、取得される単結晶の成長速度が速い場合もあるので、工程に所要される時間及びコストを節減できる。
以下、図２ａ〜図５ｂを参照して本発明の実施例及び比較例について説明する。
図２ａ、図２ｂ、図２ｃ、図２ｄ及び図２ｅそれぞれは、比較例１、比較例２、実施例１、実施例２及び実施例３により徐冷法で析出された凝固物の表面及び断面イメージである。具体的に図２ａは、Ｓｉ０．５６Ｃｒ０．４Ａｌ０．０４を含む比較例１に対するイメージであり、図２ｂはＳｉ０．５６Ｃｒ０．２Ｓｃ０．２Ａｌ０．０４を含む比較例２に対するイメージである。図２ｃはＳｉ０．５６Ｃｒ０．３８Ｓｃ０．０２Ａｌ０．０４を含む実施例１に対するイメージであり、図２ｄはＳｉ０．５６Ｃｒ０．３６Ｓｃ０．０４Ａｌ０．０４を含む実施例２に対するイメージであり、図２ｅはＳｉ０．５６Ｃｒ０．３２Ｓｃ０．０８Ａｌ０．０４を含む実施例３に対するイメージである。
黒鉛材質のルツボの内部に前述した比較例１、比較例２、実施例１、実施例２及び実施例３の化学組成による初期原料を約３０％体積で装入する。その後、１９００度（℃）で２時間溶融させた後、分当り１度（℃）の速度で１６００度（℃）まで冷却させた後、急冷して凝固物が形成されたルツボを得た。その後、ルツボを切開して各比較例及び実施例による炭素溶解度特性とシリコンカーバイド結晶化特性を観察した。凝固物の炭素溶解度は、Ｃ−Ｓ ａｎａｌｙｚｅｒを用いた。
まず、図２ａを参照して比較例１（Ｓｉ０．５６Ｃｒ０．４Ａｌ０．０４）を調べると、安定した形態の凝固物を得ることができるが、凝固物の表面に六角形状を有するシリコンカーバイド析出物が発見されず、ルツボの浸食程度が小さいことを確認した。ルツボの浸食程度は、溶融液に対する炭素溶解度が低いことを示し、具体的に比較例１の炭素溶解度は約４．３％で測定された。
次に、図２ｂに示す比較例２（Ｓｉ０．５６Ｃｒ０．２Ｓｃ０．２Ａｌ０．０４）の場合、黒鉛ルツボが相当部分侵食されているが、溶融液がルツボ壁を伝って溢れ、凝固物がほとんど残存していないことを確認した。つまり、当該組成の工程による安定した工程を行うことは困難であることを確認した。
図２ｃに示す実施例１（Ｓｉ０．５６Ｃｒ０．３８Ｓｃ０．０２Ａｌ０．０４）は、比較例１に対してルツボの浸食程度が大きくないが、凝固物の表面にシリコンカーバイド結晶が析出されることを肉眼で観察することができた。また、凝固物の炭素溶解度分析結果、約５．７％の炭素溶解度を示し、比較例１に対して高い炭素溶解度を示すことを確認した。
図２ｄに示す実施例２（Ｓｉ０．５６Ｃｒ０．３６Ｓｃ０．０４Ａｌ０．０４）の場合、ルツボの角部が侵食されたことを確認でき、凝固物の表面に約８ｍｍほどの非常に大きい大きさのシリコンカーバイド単結晶が析出されることを確認した。実施例２に対する凝固物の炭素溶解度は約７．９％で測定された。
図２ｅに示す実施例３（Ｓｉ０．５６Ｃｒ０．３２Ｓｃ０．０８Ａｌ０．０４））の場合、実施例１、実施例２に対してルツボの内壁の浸食がかなりの程度であり、炭素溶解度が優れることを確認できた。実施例３に対する凝固物の炭素溶解度は、約１０．６％で測定され、凝固物の表面に多量の六角形シリコンカーバイド単結晶が析出されることを確認した。
以下、図３及び図４を調べる。図３中の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）それぞれは、比較例１（Ｓｉ０．５６Ｃｒ０．４２Ａｌ０．０４）、比較例２（Ｓｉ０．５６Ｓｃ０．３２Ａｌ０．０４）及び実施例１（Ｓｉ０．４６Ｃｒ０．４３Ｓｃ０．０８Ａｌ０．０４）の炭素溶解度を調べるためのＡＩＭＤシミュレーションイメージであり、図４は図３中の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の比較例１、比較例２及び実施例１に対する炭素原子の平均二乗変位（ＭＳＤ）を分析したグラフである。
比較例１、比較例２及び実施例１の炭素溶解度特性のためにＤＦＴ（密度汎関数理論）でそれぞれＳｉ９６Ｃｒ７２Ａｌ６Ｃ１４４、Ｓｉ９６Ｓｃ４８Ａｌ６Ｃ１４４及びＳｉ９６Ｃｒ９０Ｓｃ１６Ａｌ６Ｃ１４４インターフェースモデルを最適化した後ＡＩＭＤ（第１原理分子動力学）を用いた炭素のＭＳＤ（平均二乗変位）シミュレーションを実施した。短時間で炭素原子の移動及び変化を観察するために４０００Ｋで５ｐｓ間のＡＩＭＤ計算を行った。
比較例１、比較例２及び実施例１の組成に対するシミュレーションの結果、いずれも５ｐｓが経過した後下部黒鉛の炭素原子がシリコン系溶融液の内部に拡散することを確認できた。特に、炭素原子が拡散する程度は、実施例１が最も著しく現れ、比較例２及び比較例１順に低くなることを確認した。
また、図４に示すように比較例１及び比較例２に対して実施例１の場合、炭素原子の平均二乗変位値が高いことを確認した。これは、クロム−スカンジウム（Ｃｒ ４３ａｔ％−Ｓｃ ８ａｔ％）を用いた溶融組成物がクロム（Ｃｒ ４２ａｔ％）またはスカンジウム（３２ａｔ％）を単独で用いた化学組成より高い炭素溶解度を有して結晶成長速度を向上させる可能性があることを意味する。
以下、図５ａ及び図５ｂを参照して比較例及び実施例について説明する。図５ａは比較例（Ｓｉ０．５６Ｃｒ０．４Ａｌ０．０４）によるシリコンカーバイド単結晶の成長イメージであり、図５ｂは実施例（Ｓｉ０．５６Ｃｒ０．３６Ｓｃ０．０４Ａｌ０．０４）によるシリコンカーバイド単結晶の成長イメージである。
２インチＳｉＣ種結晶を用いてＴＳＳＧ法で１９００°Ｃで６時間シリコンカーバイド単結晶を成長させた結果である。具体的に高純度黒鉛ルツボに比較例及び実施例による初期原料を装入し、誘導加熱によって溶融させる。溶融液の上部温度が下部より低温になるようにルツボに垂直方向に１０°Ｃ／ｍｉｎの温度勾配を発生させて結晶成長を行った。その結果、比較例の場合、分当り６０μｍ／ｈ、実施例の場合、１５０μｍ／ｈの成長速度を得ることができた。
前述した内容によれば、本発明の一実施例によるシリコン系溶融組成物の場合、高い品質のシリコンカーバイド単結晶を提供することは勿論、速い成長速度により工程に所要される時間及びコストを節減できることを確認した。
以上、本発明の特定の実施例を説明し、図示したが、本発明は、記載された実施例に限定されるものでなく、本発明の思想及び範囲を外れない範囲で、多様に修正及び変形できることは、この技術分野における通常の知識を有する者に自明である。したがって、かかる修正例または変形例は、本発明の技術的な思想や観点から個別的に理解されてはならず、変形された実施例は本発明の特許請求の範囲に属するものとしなければならない。
１００：反応チャンバー
２１０：種結晶
３００：ルツボ
４００：加熱部材
５００：回転部材
２１０：種結晶
３００：ルツボ
４００：加熱部材
５００：回転部材
Claims (11)
- シリコンカーバイド単結晶を形成するための溶液成長法に用いられ、
シリコン、第１金属（Ｍ１）、スカンジウム（Ｓｃ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含む下記式１で表されるシリコン系溶融組成物：
ＳｉａＭ１ｂＳｃｃＡｌｄ （式１）
前記式１において、前記ａは０．４超０．８未満であり、前記ｂは０．２超０．６未満であり、前記ｃは０．０１超０．１未満であり、前記ｄは０．０１超０．１未満である。 - 前記第１金属（Ｍ１）は、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、イットリウム（Ｙ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ホウ素（Ｂ）、セリウム（Ｃｅ）、ランタン（Ｌａ）、及びプラセオジム（Ｐｒ）からなる群より選ばれた少なくとも一つを含む、請求項１に記載のシリコン系溶融組成物。
- 前記式１において、前記ａは０．５超０．７未満であり、前記ｂは０．２超０．４未満であり、前記ｄは０．０１超０．０５未満である、請求項１または２に記載のシリコン系溶融組成物。
- 前記シリコン系溶融組成物の炭素溶解度は、５％以上である、請求項１から３のいずれか一項に記載のシリコン系溶融組成物。
- 前記スカンジウムは、シリコン系溶融液に対する炭素の溶解度を高める、請求項１から４のいずれか一項に記載のシリコン系溶融組成物。
- シリコンカーバイド種結晶を準備する段階と、
シリコン（Ｓｉ）、第１金属（Ｍ１）、スカンジウム（Ｓｃ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含み、下記式１で表されるシリコン系溶融組成物を準備する段階と、
前記シリコン系溶融組成物に炭素（Ｃ）を追加して溶融液を形成する段階と、
前記溶融液を過冷却させて前記シリコンカーバイド種結晶上にシリコンカーバイド単結晶を成長させる段階とを含むシリコンカーバイド単結晶の製造方法：
ＳｉａＭ１ｂＳｃｃＡｌｄ （式１）
前記式１において、前記ａは０．４超０．８未満であり、前記ｂは０．２超０．６未満であり、前記ｃは０．０１超０．１未満であり、前記ｄは０．０１超０．１未満である。 - 前記第１金属（Ｍ１）は、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、イットリウム（Ｙ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ホウ素（Ｂ）、セリウム（Ｃｅ）、ランタン（Ｌａ）、及びプラセオジム（Ｐｒ）からなる群より選ばれた少なくとも一つを含む、請求項６に記載のシリコンカーバイド単結晶の製造方法。
- 前記式１において、前記ａは０．５超０．７未満であり、前記ｂは０．２超０．４未満であり、前記ｄは０．０１超０．０５未満である、請求項６または７に記載のシリコンカーバイド単結晶の製造方法。
- 前記シリコン系溶融組成物の炭素溶解度は、５％以上である、請求項６から８のいずれか一項に記載のシリコンカーバイド単結晶の製造方法。
- 前記スカンジウムは、シリコン系溶融液に対する炭素の溶解度を高める、請求項６から９のいずれか一項に記載のシリコンカーバイド単結晶の製造方法。
- 前記シリコンカーバイド単結晶の成長速度は、８０μｍ／ｈ以上である、請求項６から１０のいずれか一項に記載のシリコンカーバイド単結晶の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170082781A KR102142424B1 (ko) | 2017-06-29 | 2017-06-29 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 |
| KR10-2017-0082781 | 2017-06-29 | ||
| PCT/KR2018/006161 WO2019004611A1 (ko) | 2017-06-29 | 2018-05-30 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020508277A true JP2020508277A (ja) | 2020-03-19 |
| JP6821896B2 JP6821896B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=64741991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019543926A Active JP6821896B2 (ja) | 2017-06-29 | 2018-05-30 | シリコン系溶融組成物及びこれを用いるシリコンカーバイド単結晶の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11203818B2 (ja) |
| EP (1) | EP3575451A4 (ja) |
| JP (1) | JP6821896B2 (ja) |
| KR (1) | KR102142424B1 (ja) |
| CN (1) | CN110382751B (ja) |
| WO (1) | WO2019004611A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115478324A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-12-16 | 昆明理工大学 | 一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007277049A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toyota Motor Corp | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| JP2009184879A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Toyota Motor Corp | ｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法 |
| WO2014189008A1 (ja) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 日立化成株式会社 | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 |
| JP2016169126A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
| WO2017073984A1 (ko) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용한 sic 단결정의 제조 방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3876628B2 (ja) | 2001-02-07 | 2007-02-07 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶 |
| JP4453348B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-04-21 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| JP4419937B2 (ja) | 2005-09-16 | 2010-02-24 | 住友金属工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| JP5244007B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-07-24 | 国立大学法人名古屋大学 | ３Ｃ−ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| JP5218348B2 (ja) | 2009-09-03 | 2013-06-26 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| EP2484815B1 (en) * | 2009-09-29 | 2014-12-24 | Fuji Electric Co., Ltd. | METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL |
| JP5273130B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2013-08-28 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| JP5273131B2 (ja) | 2010-11-26 | 2013-08-28 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| JP6128588B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-05-17 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ＳｉＣ単結晶、その製造方法およびその表面清浄化方法 |
| US9896778B2 (en) * | 2013-05-31 | 2018-02-20 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing SiC single crystals and method of producing SiC single crystals using said production apparatus |
| JPWO2015072136A1 (ja) | 2013-11-12 | 2017-03-16 | 新日鐵住金株式会社 | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| WO2016121577A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
| JP2016185884A (ja) | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
| WO2018062689A1 (ko) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-06-29 KR KR1020170082781A patent/KR102142424B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-30 WO PCT/KR2018/006161 patent/WO2019004611A1/ko unknown
- 2018-05-30 JP JP2019543926A patent/JP6821896B2/ja active Active
- 2018-05-30 CN CN201880012928.8A patent/CN110382751B/zh active Active
- 2018-05-30 US US16/494,523 patent/US11203818B2/en active Active
- 2018-05-30 EP EP18824134.3A patent/EP3575451A4/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007277049A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toyota Motor Corp | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| JP2009184879A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Toyota Motor Corp | ｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法 |
| WO2014189008A1 (ja) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 日立化成株式会社 | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 |
| JP2016169126A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
| WO2017073984A1 (ko) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용한 sic 단결정의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11203818B2 (en) | 2021-12-21 |
| CN110382751B (zh) | 2021-05-11 |
| KR20190002207A (ko) | 2019-01-08 |
| KR102142424B1 (ko) | 2020-08-07 |
| CN110382751A (zh) | 2019-10-25 |
| EP3575451A4 (en) | 2020-01-22 |
| WO2019004611A1 (ko) | 2019-01-03 |
| EP3575451A1 (en) | 2019-12-04 |
| US20200010973A1 (en) | 2020-01-09 |
| JP6821896B2 (ja) | 2021-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7635413B2 (en) | Method for preparing silicon carbide single crystal | |
| CN108884592B (zh) | 基于硅的熔融组合物和使用其制造碳化硅单晶的方法 | |
| JP5273131B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶の製造方法 | |
| JP2012111669A (ja) | ＳｉＣ単結晶の製造方法 | |
| JP4475091B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| KR102136269B1 (ko) | 실리콘카바이드 단결정의 제조 장치 | |
| KR102103884B1 (ko) | 실리콘카바이드 단결정의 제조 장치 및 제조 방법 | |
| JP6821896B2 (ja) | シリコン系溶融組成物及びこれを用いるシリコンカーバイド単結晶の製造方法 | |
| KR102089460B1 (ko) | 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 | |
| CN107532328B (zh) | SiC单晶的制造方法 | |
| KR102158624B1 (ko) | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 | |
| JP6961893B2 (ja) | シリコン系溶融組成物およびこれを用いるシリコンカーバイド単結晶の製造方法 | |
| KR20210004200A (ko) | 실리콘카바이드 단결정 제조 장치 | |
| WO2019088740A2 (ko) | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 | |
| KR20210004468A (ko) | 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법 | |
| KR20210024890A (ko) | 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 | |
| KR20210004736A (ko) | 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190820 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200817 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200825 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201124 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201208 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201216 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6821896 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |