JP2020170877A - ダイシングテープを用いてセラミック蛍光体プレートを発光デバイス(led)ダイ上に取り付ける方法、ダイシングテープを形成する方法、及びダイシングテープ - Google Patents

ダイシングテープを用いてセラミック蛍光体プレートを発光デバイス(led)ダイ上に取り付ける方法、ダイシングテープを形成する方法、及びダイシングテープ Download PDF

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Abstract

【課題】 ダイシングテープを用いてセラミック蛍光体プレートを発光デバイスダイ上に取り付ける方法、ダイシングテープを形成する方法、及びダイシングテープを提供する。【解決手段】 一方法は、ダイシングテープ(104)のアクリルフリー且つ金属含有触媒フリーの粘着層(108)上にセラミック蛍光体(102)をマウントすることと、ダイシングテープ(104)からのセラミック蛍光体(102)をセラミック蛍光体プレート(112)へとダイシングすることと、ダイシングテープ(104)からセラミック蛍光体プレート(112)を取り外すことと、セラミック蛍光体プレート(112)を発光デバイス(LED)ダイ上に取り付けることとを含む。【選択図】 図1

Description

本開示は、半導体発光ダイオード又はデバイス(LED)に関し、より具体的にはLED用のセラミック蛍光体プレートに関する。
フリップチップ発光ダイオード又はデバイス(LED)においては、LEDの底部にコンタクトが配置され、LEDの頂部から光が放たれる。パターンド(patterned)サファイア成長基板上にLEDエピタキシャル層が成長され、成長基板は、光出力を増大させるためにエピタキシャル層に取り付けられたままにされる。エピタキシャル層及び成長基板が、ダイへと個片化され、そして、セラミックタイル基材に直に取り付けられる。別個に、セラミック蛍光体が形成及びダイシングされて、セラミック蛍光体プレートを形成する。各ダイについて、そのサファイア上にシリコーン系接着剤がディスペンスされ、そして、セラミック蛍光体プレートがサファイア上にピックアンドプレースされる。セラミックタイル基材上のダイ上及びダイ間に、白色の酸化チタン−シリコーン・コンポジット(TiO−シリコーン)がディスペンスされる。余分なTiO−シリコーンが、湿式ビーズブラスティングによってセラミック蛍光体プレートの頂部から除去され、その後、個々のダイが個片化される。
本開示の1つ以上の例において、方法は、ダイシングテープのアクリルフリー粘着層上にセラミック蛍光体をマウントし、ダイシングテープからのセラミック蛍光体をセラミック蛍光体プレートへとダイシングし、ダイシングテープからセラミック蛍光体プレートを取り外し、且つセラミック蛍光体プレートを発光デバイス(LED)ダイ上に取り付けることを含む。
テープフレームに取り付けられたダイシングテープによって保持されたセラミック蛍光体の断面図を例示している。 本開示の例における、支持フィルムと該支持フィルム上のアクリルフリー粘着層とを有するダイシングテープの断面図を例示している。 本開示の例における、別のダイシングテープと該別のダイシングテープ上のアクリルフリー粘着層とを有するダイシングテープの断面図を例示している。 本開示の例における、LEDダイにセラミック蛍光体プレートを提供する方法のフローチャートである。 本開示の例における、図4の方法において粘着層をブレードコーティング又はオーバーモールドキャスティングによって設ける方法のフローチャートである。 本開示の例における、図4の方法において粘着層を押し出しによって設ける方法のフローチャートである。 本開示の例における、粘着層をラミネーションによって設ける方法のフローチャートである。 本開示の例における、図7の方法によって実行されるラミネーションプロセスの断面図を示している。 複数の異なる図における同じ参照符号の使用は、同様又は同一の要素を指し示す。
図1は、テープフレーム106に取り付けられたダイシングテープ104によって保持されたセラミック蛍光体102の断面図100を例示している。ダイシングテープ104は、支持フィルム110上に粘着層108を有する粘着性のテープとし得る。フレーム取り付けされたダイシングテープ104からセラミック蛍光体102がダイシングされることで、セラミック蛍光体プレート112(見掛けの切断線によって分離されるように示されている)が形成される。ダイシングテープ104は、セラミック蛍光体プレート112同士を横方向に離隔させるように引き伸ばされ得る。ダイシングテープ104はUVテープとすることができ、粘着層108の接着ボンドがUV露光によって調節されることが可能なとき、接着ボンドが、切断中に強く、且つセラミック蛍光体プレート112の取り外し中に弱いことを可能にする。
粘着層108は、アクリルを含んでおり、ダイシングテープ104から取り外された後のセラミック蛍光体プレート112上にアクリル残渣を残す。セラミック蛍光体プレート112は、ダイシングに続いて更なるテープ転写を受け、それにより、プレートの両面がアクリルテープに晒される。判明していることには、ダイシング及びその他のテープ転写に使用されるアクリルテープからのアクリル残渣は、セラミック蛍光体プレートにおける褐色化及び光ストレス(高線量の光束によるストレス)を引き起こし、それによりLEDダイの早期故障につながる。有機分子を除去するためにセラミック蛍光体プレート112をプラズマで洗浄し、且つ洗浄後のテープ接触を最小化するために“フリップ転写”を使用したとしても、得られるLEDダイはなおも5%から6%の光束低下を被る。
考えられることは、セラミック蛍光体プレートとLEDダイとの間の間隙(接着剤)に捕捉された残留分子が光・熱化学分解を受け、それが光吸収種につながるということである。これは特に、接着領域がボンドライン(接着剤厚さ)に対して非常に大きく、故に、接着剤で充たされた狭い間隙を横切る経路が長く、それがガス交換を制限してしまうが故に、光吸収種を光退色させる酸素が足りない場合に広く蔓延する。
本開示の例は、アクリルフリーの(アクリルを含まない)粘着層を有するダイシングテープを使用することによってアクリル汚染を防止する。粘着層は、ダイシングテープの支持フィルム上に形成されてもよく、あるいは、粘着層は、ダイシングテープの支持フィルム上にラミネートされた粘着フィルム又は粘着シートであってもよい。
図2は、本開示の例における、支持フィルム110と該支持フィルム110上のアクリルフリー粘着層202とを有するダイシングテープ201の断面図200を例示している。ダイシングテープ201は、粘着層202を介してテープフレーム106に取り付けられる。
セラミック蛍光体102は、フレーム取り付けされたダイシングテープ201からダイシングされ得る。セラミック蛍光体は、カリフォルニア州サンノゼのルミレッズ社からのLumiramics(登録商標)とし得る。粘着層202は、アクリルを含まないシリコーン熱硬化性樹脂とし得る。粘着層202はまた、白金(Pt)、錫(Sn)、又は亜鉛(Zn)を含む如何なる金属含有触媒も含まないとし得る。金属含有触媒は、幾つかの有機リガンドと配位結合又は塩形成する金属を含む化合物であり得る。金属含有触媒の例は、米国特許第5,561,231号に見られる。例えば、Pt系触媒は、例えばInd.Eng.Chem.Res.2014,53,1588−1597にてH.Baiによって論じられているように、架橋プロセスの終わりに向かって光吸収性コロイド状ナノ粒子を形成するので望ましくない。Ptはまた、フェニレン含有シリコーンにおける褐色化につながるものを含め、特定の有機反応に関する触媒でもある。さらに、シリコーンは典型的に、ポットライフタイム(可使時間)を長くするために、Pt触媒された系の阻害剤を混ぜられるが、これらの添加剤が接着剤の触媒を阻害する場合、これらの添加剤は、ダイ取り付け接着剤を褐色化させてしまうか又はその重合を阻害してしまい得る。
粘着層202は、光潜在性(photo-latent)又は光開始性(photo-initiated)のアミン触媒(“光塩基発生剤”又は“光陰イオン開始剤”としても知られている)を含むことができ、故に、粘着層202を光現像することによって粘着層202の接着ボンドを調節することができる。これは、粘着層202の接着ボンドが、セラミック蛍光体切断中に強く、且つセラミック蛍光体プレート取り外し中に弱いことを可能にする。アミン触媒は、塩基と酸との間で中性塩を形成する。塩基は、DBU(1,5−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−5−エン)又はDBN(1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノン−5−エン)などとすることができ、酸は、ケトプロフェン((RS)2−(3−ベンゾイルフェニル)−プロピオン酸)又はフェニルグリコール酸とすることができる。UV照射を受けると、酸のフェニルグリコール酸又はベンゾイルフェニル成分が光を吸収して脱炭酸反応を被り(COを発生する)、塩基(DBN、DBUなど)が遊離する。そして、これらの塩基が縮合反応及び開環重合反応を触媒することができる。
粘着層202は、ミシガン州ミッドランドのダウコーニング社から入手可能なLF−1010、LF−1011、若しくはLF−1012(“ホットメルト”としても知られている)、又は、サウスカロライナ州スパルタンバーグのミリケンケミカル社の子会社であるフロリダ州ゲインズビルのSiVance LLC社から入手可能なHT−8200、HT−8800、若しくはHT−8660(“XLED”としても知られている)封入材とし得る。
図3は、本開示の例における、ダイシングテープ104と該ダイシングテープ104上のアクリルフリー粘着層202とを有するダイシングテープ301の断面図300を例示している。ダイシングテープ301は、粘着層202を介してテープフレーム106に取り付けられる。セラミック蛍光体102は、フレーム取り付けされたダイシングテープ301からダイシングされ得る。
図3において、粘着層202は、ダイシングテープ104の粘着層108側に配置されている。粘着層202は、セラミック蛍光体102がダイシングテープ104の粘着層108と相互作用するのを防止する。一部の例において、粘着層202は、ダイシングテープ104の支持フィルム110側に配置される。そのような例では、ダイシングテープ104は、セラミック蛍光体102を備えた最終的なフレーム取り付けテープ104の厚さが減少されるよう、粘着層108を有していなくてもよい。フレーム取り付けされたテープ104の厚さを減らすことは、セラミック蛍光体102をダイシングした後にテープからセラミック蛍光体プレート112をピックアップすることを改善し得る。
図4は、本開示の例における、LEDダイにセラミック蛍光体プレートを提供する方法400のフローチャートである。方法400は、ブロック402で開始し得る。
ブロック402にて、ダイシングテープ201又は301(図2又は3)の粘着層202上に、セラミック蛍光体102がマウントされる(図2又は3)。ダイシングテープ201又は301はテープフレーム106に取り付けられ得る。図3に示す例では、粘着層202は、ダイシングテープ104の粘着層108側又は支持フィルム110側の何れかとセラミック蛍光体102との間にあるとし得る。ブロック402は、ブロック404によって続かれ得る。
ブロック404にて、セラミック蛍光体102が、ダイシングテープ201又は301からセラミック蛍光体プレート112へとダイシングされる(図2又は図3)。ブロック404は、ブロック406によって続かれ得る。
ブロック406にて、セラミック蛍光体プレート112が、ダイシングテープ201又は301から取り外されてLEDダイに取り付けられる(図示せず)。取り外しに先立ち、粘着層202の接着ボンドを弱めるために、粘着層202が光現像され得る。各ダイに対し、そのサファイア上に高屈折率(HRI)シリコーン系接着剤がディスペンスされ、そして、該サファイア上にセラミック蛍光体プレート112がピックアンドプレースされる。シリコーン系接着剤は、サウスカロライナ州スパルタンバーグのミリケンケミカル社の子会社であるフロリダ州ゲインズビルのSiVance LLC社から入手可能なXLED封入材とし得る。
図5は、本開示の例における、ブロック402を実行する一方法500のフローチャートである。方法500は、ブレードコーティング又はオーバーモールドキャスティングによって、支持フィルム110の上に粘着層202を形成する。方法500は、ブロック502で開始し得る。
ブロック502にて、支持フィルム110の上、又は支持フィルム110上の粘着層108の上に、粘着層202用の液体材料が付与される。ブロック502は、ブロック504によって続かれ得る。
ブロック504にて、液体材料が、支持フィルム110又は粘着層108上にブレードコーティング又はオーバーモールドされて、粘着層202が形成される。ブレードコーティングでは、均一な厚さを持つ粘着層202を形成するように、ナイフエッジが液体材料の上で引きずられる。オーバーモールドでは、均一な厚さを持つ粘着層202を形成する金型が適用される。ブロック504は、ブロック506によって続かれ得る。
ブロック506にて、セラミック蛍光体102が、粘着層202の上に配置され、それに結合される。セラミック蛍光体102又は粘着層202は、この結合プロセスの助けとなるよう、予熱されてもよい。
図6は、本開示の例における、ブロック402を実行する一方法600のフローチャートである。方法600は、押し出しによって、支持フィルム110の上に粘着層202を形成する。方法600は、ブロック602で開始し得る。
ブロック602にて、支持フィルム110の上、又は支持フィルム110上の粘着層108の上に、ロールツーロールプロセスを用いて、粘着層202が押し出される。ブロック602は、ブロック604によって続かれ得る。
ブロック606にて、セラミック蛍光体102が、粘着層202上に配置され、それに結合される。
図7は、本開示の例における、ブロック402を実行する一方法700のフローチャートである。方法700は、ラミネーションによって、支持フィルム110の上に粘着層202を形成する。方法700は、ダイシングテープ201又は301(図2又は図3)がテープフレーム106に取り付けられた後に行われ得る。図8は、本開示の例における、このラミネーションプロセスの断面図を示している。図7を再び参照するに、方法700は、ブロック702で開始し得る。
ブロック702にて、粘着シート又は粘着フィルム801(図8)が用意される。粘着フィルム801は、ブレードコーティング、オーバーモールドキャスティング、又はロールツーロールプロセスを用いた押し出し成形によって形成され得る。ブロック702は、ブロック704によって続かれ得る。
ブロック704にて、粘着フィルム801が、支持フィルム110の上、又は支持フィルム110上の粘着層108の上に配置される。粘着フィルム801は、当該フィルムを支持フィルム110にラミネートするのに先立って予熱されてもよい。例えば、粘着フィルム801は、80℃から170℃の間の温度で1分間から20分間加熱され得る。これと同一プロセスでセラミック蛍光体102をラミネートすべき場合、粘着フィルム801上にセラミック蛍光体102が配置され得る。セラミック蛍光体102の頂面に第1の剥離テープ802(図8)が配置され得るとともに、支持フィルム110の底面に第2の剥離テープ804(図8)が配置され得る。ブロック704は、ブロック706によって続かれ得る。
ブロック706にて、粘着フィルム801が支持フィルム110上にラミネートされて、粘着層202が形成される。対向するプレス又はローラ806、808(図8)が、これらの層を一緒にラミネートするのに適した圧力及び温度を印加する。図示されていないが、これらの層の間の気泡を追い出すために真空ポンプが使用され得る。支持フィルム110上への粘着フィルム801のラミネーションは、異なる時間、温度、又は圧力で複数段階にわたって行われてもよい。例えば、ラミネーションは、0.5秒間から数分間かけて、80℃から170℃の間の温度で、1バールから30バールの圧力で行われ得る。セラミック蛍光体102が同一プロセスでラミネートされるときには、その砕けやすい性質に起因して、圧力が低減され得る。剥離テープ802及び804(図8)が使用される場合、それらはラミネーション後に除去される。ブロック706は、ブロック708によって続かれ得る。
ブロック708にて、セラミック蛍光体102が既に、ブロック704で配置されて、ブロック706でラミネートされているのでない場合に、セラミック蛍光体102が粘着層202上に配置され、別のラミネーションプロセスを用いて、粘着層202上にセラミック蛍光体102がラミネートされる。
開示された実施形態の機構の様々な他の適合及び組み合わせも、本発明の範囲内にある。数多くの実施形態が、以下の請求項によって包含される。

Claims (27)

  1. 蛍光体プレートのダイシング又は転写用のテープであって、
    支持フィルムと、
    前記支持フィルム上に配置された、アクリルを含まず且つ金属含有触媒を含まないホットメルト接着剤を有する粘着層であり、蛍光体プレートとの接着ボンドを形成するように構成された粘着層と、
    を有するテープ。
  2. 前記粘着層は、白金、錫、又は亜鉛を有する金属含有触媒を含んでいない、請求項1に記載のテープ。
  3. 前記蛍光体プレートとの前記接着ボンドは、調節されることができる、請求項1に記載のテープ。
  4. 前記蛍光体プレートとの前記接着ボンドは、前記粘着層を光現像することによって調節される、請求項3に記載のテープ。
  5. 前記粘着層は、前記粘着層が光現像されるときに前記蛍光体への前記接着ボンドを弱めるように構成された光潜在性又は光開始性のアミン触媒を有する、請求項3に記載のテープ。
  6. 前記粘着層は、前記支持フィルムの第2の粘着層上に配置され、前記第2の粘着層はアクリルを有する、請求項1に記載のテープ。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一項に記載のテープ上に、蛍光体プレートを、該蛍光体プレートと前記粘着層との間に接着ボンドが形成するように配置する、ことを有する方法。
  8. 前記テープから前記蛍光体プレートを取り外す、ことを有する請求項7に記載の方法。
  9. 支持フィルム上に粘着層を配置したテープを用意し、前記粘着層は、アクリルを含まず且つ金属含有触媒を含まないホットメルト接着剤を有し、
    前記テープの前記粘着層上に、蛍光体プレートを、前記粘着層が該蛍光体プレートとの接着ボンドを形成するように配置する、
    ことを有する方法。
  10. 前記テープから前記蛍光体プレートを取り外す、ことを有する請求項9に記載の方法。
  11. 前記粘着層は、白金、錫、又は亜鉛を有する金属含有触媒を含んでいない、請求項9に記載の方法。
  12. 前記蛍光体プレートを取り外す前に、前記蛍光体プレートとの前記接着ボンドを調節する、ことを有する請求項10に記載の方法。
  13. 前記蛍光体プレートとの前記接着ボンドを調節するために、前記粘着層を光現像する、ことを有する請求項12に記載の方法。
  14. 蛍光体プレートのダイシング又は転写用のテープを形成する方法であって、
    支持フィルムを用意し、
    前記支持フィルム上に、アクリルを含まず且つ金属含有触媒を含まないホットメルト接着剤を有する液体材料を付与し、
    前記支持フィルムの上に前記液体材料をコーティングして、蛍光体プレートとの接着ボンドを形成するように構成された粘着層を形成する、
    ことを有する方法。
  15. 前記粘着層をコーティングすることは、前記支持フィルムの上に前記液体材料をブレードコーティングすることを有する、請求項14に記載の方法。
  16. 前記粘着層をコーティングすることは、前記支持フィルムの上に前記液体材料をオーバーモールドすることを有する、請求項14に記載の方法。
  17. 前記液体材料を付与することは、ロールツーロールプロセスを用いて前記支持フィルムの上に前記液体材料を押し出すことを有する、請求項14に記載の方法。
  18. 前記液体材料は、前記粘着層が光現像されるときに前記蛍光体への前記接着ボンドを弱めるように構成された光潜在性又は光開始性のアミン触媒を有する、請求項14に記載の方法。
  19. 前記粘着層をコーティングすることは、粘着フィルムを形成し、該粘着フィルムを前記支持フィルムの上にラミネートして前記粘着層を形成することを有する、請求項14に記載の方法。
  20. 前記粘着層は、白金、錫、又は亜鉛を有する金属含有触媒を含んでいない、請求項14に記載の方法。
  21. 蛍光体プレートのダイシング又は転写用のテープを形成する方法であって、
    アクリルを有する第1の粘着層を有するテープを用意し、
    前記テープ上に、アクリルを含まず且つ金属含有触媒を含まないホットメルト接着剤を有する液体材料を付与し、
    前記液体材料を用いて前記テープ上に第2の粘着層を形成し、該第2の粘着層は、蛍光体プレートとの接着ボンドを形成するように構成される、
    ことを有する方法。
  22. 前記第2の粘着層を形成することは、前記テープの上に前記液体材料をブレードコーティングすることを有する、請求項21に記載の方法。
  23. 前記第2の粘着層を形成することは、前記テープの上に前記液体材料をオーバーモールドすることを有する、請求項21に記載の方法。
  24. 前記第2の粘着層を形成することは、ロールツーロールプロセスを用いて前記テープの上に前記液体材料を押し出すことを有する、請求項21に記載の方法。
  25. 前記液体材料は、前記第2の粘着層が光現像されるときに前記蛍光体への前記接着ボンドを弱めるように構成された光潜在性又は光開始性のアミン触媒を有する、請求項21に記載の方法。
  26. 前記液体材料は、前記第1の粘着層上に付与され、前記第2の粘着層は、前記テープの前記第1の粘着層の上に形成される、請求項21に記載の方法。
  27. 前記第2の粘着層は、白金、錫、又は亜鉛を有する金属含有触媒を含んでいない、請求項21に記載の方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6740236B2 (ja) * 2015-03-06 2020-08-12 ルミレッズ ホールディング ベーフェー ダイシングテープを用いてセラミック蛍光体プレートを発光デバイス(led)ダイ上に取り付ける方法
US10522728B2 (en) 2017-01-26 2019-12-31 Maven Optronics Co., Ltd. Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same
JP6876499B2 (ja) * 2017-04-17 2021-05-26 積水化学工業株式会社 半導体デバイス用粘着剤組成物及び半導体デバイス用粘着テープ
WO2019027952A1 (en) * 2017-08-03 2019-02-07 Lumileds Llc METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE
US10128419B1 (en) 2017-08-03 2018-11-13 Lumileds Llc Method of manufacturing a light emitting device
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
JP2019201089A (ja) * 2018-05-15 2019-11-21 マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. チップスケールパッケージング発光素子の斜角チップ反射器およびその製造方法
JP6791208B2 (ja) * 2018-05-22 2020-11-25 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
US11545597B2 (en) 2018-09-28 2023-01-03 Lumileds Llc Fabrication for precise line-bond control and gas diffusion between LED components
KR102176416B1 (ko) * 2019-04-24 2020-11-10 스카이다이아몬드 주식회사 형광 박판 다이싱 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011511325A (ja) * 2008-02-08 2011-04-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光学素子及びその製造方法
JP2012033636A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp 加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム、半導体素子の回収方法、及び半導体装置の製造方法
JP2013539229A (ja) * 2010-09-29 2013-10-17 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 波長変換型発光デバイス
JP2014072351A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nitto Denko Corp 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置
WO2015002270A1 (ja) * 2013-07-05 2015-01-08 リンテック株式会社 ダイシングシート

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5181650A (ja) 1975-01-16 1976-07-17 Hitachi Ltd Ekimenreberusensa
JPS6181650A (ja) * 1984-09-28 1986-04-25 Shin Etsu Polymer Co Ltd ダイシングフイルム
KR950003310A (ko) 1993-07-22 1995-02-16 에리히 프랑크, 칼-하인즈 림뵉 균질 히드로실릴화 촉매
JP2003177241A (ja) 2001-12-10 2003-06-27 Fujimori Kogyo Co Ltd 光学用積層体、粘着剤転写テープ、および光学用積層体の製造法
JP4361309B2 (ja) * 2003-04-17 2009-11-11 株式会社ディスコ 半導体チップの製造方法
JP2006028104A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd ヒストンデアセチラーゼ阻害剤
US7256483B2 (en) 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
KR20100122110A (ko) 2008-03-07 2010-11-19 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 패턴화된 배킹이 있는 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제
JP5410167B2 (ja) 2009-06-12 2014-02-05 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用前照灯
KR101330592B1 (ko) * 2011-06-07 2013-11-18 도레이 카부시키가이샤 수지 시트 적층체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 led칩의 제조 방법
US8912021B2 (en) * 2011-09-12 2014-12-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers
CN103427004A (zh) * 2012-05-17 2013-12-04 旭明光电股份有限公司 制造具有波长转换层的发光二极管晶粒的系统及方法
US8889439B2 (en) * 2012-08-24 2014-11-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs
JP6207192B2 (ja) * 2013-03-25 2017-10-04 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP6740236B2 (ja) * 2015-03-06 2020-08-12 ルミレッズ ホールディング ベーフェー ダイシングテープを用いてセラミック蛍光体プレートを発光デバイス(led)ダイ上に取り付ける方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011511325A (ja) * 2008-02-08 2011-04-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光学素子及びその製造方法
JP2012033636A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp 加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム、半導体素子の回収方法、及び半導体装置の製造方法
JP2013539229A (ja) * 2010-09-29 2013-10-17 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 波長変換型発光デバイス
JP2014072351A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nitto Denko Corp 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置
WO2015002270A1 (ja) * 2013-07-05 2015-01-08 リンテック株式会社 ダイシングシート

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