JPS6181650A - ダイシングフイルム - Google Patents

ダイシングフイルム

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Publication number
JPS6181650A
JPS6181650A JP59203709A JP20370984A JPS6181650A JP S6181650 A JPS6181650 A JP S6181650A JP 59203709 A JP59203709 A JP 59203709A JP 20370984 A JP20370984 A JP 20370984A JP S6181650 A JPS6181650 A JP S6181650A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
silicone rubber
dicing
wafer
cut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59203709A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutoki Tawara
和時 田原
Yasutoshi Mizuishi
水石 安俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Polymer Co Ltd, Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Polymer Co Ltd
Priority to JP59203709A priority Critical patent/JPS6181650A/ja
Publication of JPS6181650A publication Critical patent/JPS6181650A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はダイシングフィルム、特には半4体用シリコン
ウェーへのダイシング工程で用いられるシリコンウェー
ハ固定用のシリコーンゴムフィルムからなるダイシング
フィルムに関するものである。
(従来の技術) シリコンウェーハのダイシングはシリコンウェーハに粘
着性を有する軟質のポリ塩化ビニルフィルムや天然ゴム
あるいは合成高分子系の粘着剤を各種フィルムに塗布し
たものを貼着し、ダイシングブレードで切断するという
方法で行なわれている。
このダイシン!には2つの方法があ11.このハーフカ
ット法と呼ばれている方法は、粘着性を有するダイシン
グフィルムで固定したシリコンウェーハをダイシングブ
レードでウェーハの途中までカットし、−2いでブレー
キングと称されているゴムロールなどによる加圧を行な
ってウェーハをそのハーフカット部分から割り砕いて1
個づつのチップに分離し、つぎにウェーハを内定してい
るダイシングフィルムを延伸してチップ間隔を拡げてか
らマウントエアーピンセットなどで1個づつピックアッ
プしてマウントするものであり、もう一つのフルカット
法はダイシングフィルムで固定されているシリコンウェ
ーハをダイシングブレードで完全にカットすると共にダ
イシングフィルムも数10μmの深さまでカットし、つ
いでこのウェーハチップをハーフカットと同じ方法でピ
ックアップし、マウントするものであるが、このピック
アップマクントについては突上Cデピンでダイシングフ
ィルムの下面からウェーハチップを突上げるという方法
も行なわれている。
そして、このダイシングフィルムについてはカット後の
延伸、突上げピンによる突上げの工程上における問題処
理のために通富はポリ塩化ビニルフィルムが多用されて
いるが、シリコンウェーI・の固着のためにその一面に
アクリル酸エステル系の粘着剤を塗布したものも使用さ
れている。
しかし、特に粘着剤を塗布したダイシングフィルムを使
用したものはハーフカット時九粘着剤がウェーハチップ
に移行し、これが次工程としての約650℃のグイボン
ド工程、約350℃のワイヤボンド工程で分解し、この
反応ガスによってチップが損傷するという不利があるし
、フルカットではダイシングフィルムまでカットされ、
ダイシングブレードに付着した有機物がチップ上に飛散
するために同様な事故が発生するという欠点があり、こ
のダイシングフィルムとしてプラスチック性のものを使
用した場合にはピックアップ、マウント時における突上
げによってこのフィルムが永久変形をおこし、ピックア
ップに支障が生じるという不利もある。
(発明の構成) 本発明はこのような不利を解決することのできるダイシ
ングフィルムに関するものであ13.これはシリコーン
ゴムフィルムを主材としてなることを特徴とするもので
ある。
すなわち1本発明者らは前記したような不利を伴なわな
いダイシングフィルムについて種々検討した結果、これ
をシリコーンゴムフィルムを主材とするものとすればこ
れが適度の粘着性を有しているので特に他の粘着剤を塗
布する必要はないし、 。
シリコンウェーへのフルカットくよる方法でシリコーン
ゴムフィルムが切断され、この切断破片がチップに付着
してもシリコーンゴムはグイボンド工程、ワイヤボンド
工程で微量のオリ・ゴマ−を分離するが$102に変化
するために有害な反応ガスを発生することがな(、さら
にはチップマウント時におゆる突上げビンによる突上げ
でもそれがエラストマーであることから弾性変形はする
が、ピックアップ後にはフィルム形状に復元するのでこ
の変形による不利を防止することができ、また。
これにはシリコーンゴムが離型性のすぐれタモのである
ためピックアップ時のチップの離型が容具になるという
ことを見出し、このフィルムの製造法、形状1wt造な
どについての研究を進めて本発明を完成させた。
本発明のダイシングフィルムとされるシリコーンゴムフ
ィルムは通富市販されているシリコーンゴム組成物に有
機過酸化物などの加硫剤を添加して押出機などを用いて
加熱下に押出し加硫1形したものであればよいが、これ
は液状シリコーンゴムに適宜の加硫剤を添加し、型内に
流し込んでフィルム状に加硫成形したものであってもよ
い。
このシリコーンゴムフィルムの厚さは従来公知の軟質ポ
リ塩化ビニルフィルムからなるダイシングフィルムと同
様に0.05〜1.0m+の厚さのものとすればよいが
、これは例えば10〜50μmの薄いフィルム状物とし
てこ九[50〜100μmのプラスチックフィルム1例
えば軟質ポリ塩化ビニルフィルムやポリエチレンフィル
ムと積層し。
このシリコーンゴムフィルムをシリコンウェーハに粘着
させ、ウェーハのフルカット時におけるダイシングフィ
ルムのカットをこのシリコーンゴムフィルムの部分だけ
に止めるようにしてもよい。
なお、このシリコーンゴムフィルムのシリコンウェーハ
への粘着は必ずしもシリコンウェーハ1の全面とする必
要はなく、これはシリコーンゴムフィルムを巾2M程度
のものとしてこれをプラスチックフィルム上に部分的K
MI?4してシリコンウェーハとこのシリコーンゴムと
を粘着させるようにしてもよい。
つぎに本発明の実施例をあげるカー例中の部は會を部を
、また粘度は25℃での測定値を示したものである。
実施例1 シリコーンゴムコンパウンド−Kg951U〔信越化学
工業(株)製部品名〕100部に加硫剤0−2(同社製
商品名)1.5部を添加して均一に混練りし、これをカ
レンダーロールを用いてキャリヤシートと共にトッピン
グし1株型加硫塔内で加熱空気加硫して巾250絽、厚
さ100μmのシリコーンゴムフィルムを作った。
つぎにこのフィルム上に直径4インチ、厚さ0.4Hの
シリコンウェーハ1枚を載置してシリコンウェーハなこ
のフィルムに粘着させたのち、このウェーハをデイコ社
製の厚さ0.02yaiのダイシングブレードでツルカ
ット法でカットしたのち。
このフィルムを延伸してカットされたウェーハチップを
約0.8u間隔とし、約0.5 ax lの突上げビン
で突上げ、エアビンセットで取り出してマウントしたと
ころ、シリコーンゴムの適度の粘着のためにダイシング
カットずれが少なく、これはまたシリコーンゴムの弾性
のために加熱せずに延伸が可能で、突上げビンで突上げ
、エアピンセットで取り出したあとも弾性復起するので
突上げストロークを1mと大きくとることができるし一
永久変形もないのでつぎのチップ突上げ時の妨げとなる
こともなく、ピックアップミスが減少した。なお。
このものはシリコーンゴムの粘着性だけでシリコンウェ
ーハのカットチップを保持しているために粘着剤の移行
もな(、このウェーハチップはたくちに次工程に進める
ことができた。
実施例2 液状シリコーンゴム・X−32’−389((を越化学
工業(株)fA商品名、粘度30〜40ボイズ〕のA、
B2液を混合し、300X300酩X厚150μmのシ
リコーンゴム成形体を流し込み成形し、150℃、5分
間の加硫でシリコーンゴムフィルムを作った。
つぎに、このフィルムに′c直径4インチ、厚さ0、4
 amのシリコンウェーハを粘着固定させ、ダイシング
マシンに設置してパキエームで固定し、ツルカット法で
カットしたのちフィルムを延伸してカットチップ間隔を
約0.8uに拡げ、エアピンセットで取11出したとこ
ろ、流し込み成形によるこのフィルムの鏡面粘着性が良
好なことからダイシングカットの位置ずれは少なく、シ
リコーンゴムの弾性のためにこのフィルムは加熱せずと
も延伸することができ、その弾性によって突上げビンに
よるピックアップミスも減少し−これにはまた粘着剤の
移行も全くなかった。
実施例3 シリコーンゴムコンパウンド・KE971U〔信越化学
工業(株)8H商品名)100ifflに加硫剤0−1
53AC同社裏商品名〕2.0部、白金触媒X−93−
001(同社製商品名)0.04部および反応制御剤R
−153AC同社製商品名)0.4部を添加して均一に
混合し、これをカレンダーロールでキャリヤシートを用
いてトッピングし。
横型加硫塔内で130℃で熱窄気加硫して巾250tx
、厚さ70μmのシリコーンゴムフィルムを作った。
ついで−このシリコーンゴムフィルムに1表面をコロナ
放電処理した厚さ50μmの軟質塩化ビニルフィルムに
シリコーン系接着剤KR−101−10〔信越化学工業
(株)製部品名〕を約10μmの厚さでコートしたもの
を重ね、ラミネーターで圧接してこれらを接着一体化し
てなる3重構造のフィルムを作った。
つぎにこのフィルムのシリコーンゴム層側九直径4イン
チ、厚さ0.4 mのシリコンウェーハを圧着して粘着
させ、ダイシングツシンでフルカットしたところ、この
フィルムは70μmのシリコーンゴム層の上層部10〜
15μmがカットされただけでシリコーン接着剤までは
切断されなかった。
このため、カット後にフィルムを延伸してシリコンチッ
プの間隔を約0.8mK拡げ、エアピンセットでチップ
を取り出したところ、このウェーハチップには接着剤の
付着は全くなかったし、このフィルムにはその裏面に軟
貨塩化ビニルフィルムが一体化されているのでダイシン
グフィルムのダイシングテーブルへのバキューム吸着性
がよくな薔】−ダイシングカットの位置ずれを著しく少
なくすることができた。
実施例4 表面をコロナ放電処理した厚さ70μmの軟質塩化ビニ
ルフィルムの表面に、シリコーンゴム・1800RTV
(信越化学工業(株)製部品名〕をピッチ3X3B、厚
さ50μmで0.2 jn間隔で点存させるようにスク
リーン印刷し、このシリコーンゴムを常温で加硫させて
塩化ビニルフィルム上にシリコーンゴムの3鱈角のもの
が点存スる一ンチ、厚さ0.4 txのシリコンウェー
ハをそのダイシング部がシリコーンゴムの点存していな
いところになるように位置合わせして粘着し、ついでこ
れをダイシングブレードで3uピツチでフルカットシタ
ところ、ダイシングブレードをダイシングフィルムに接
触させることな(シリコンウェーハをカットすることが
できた。
なお、この場合3mX4mでダイシングするときには横
の311jIピツチを位置合わせすることによって横に
ダイシングするとダイシングブレードはダイシングフィ
ルムに接触せず、縦方向にダイシングするときにはシリ
コーンゴムMtt15μmの深さにダイシングフィルム
がカットされたが、ダイシングブレードのダイシングフ
ィルムカット量が通常の場合にくらべt減少するので、
ダイシングブレードの寿命が長くなるという結果を得た

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、シリコーンゴムフィルムを主材としてなることを特
    徴とするダイシングフィルム。 2、シリコーンゴムフィルムがプラスチックフィルムと
    積層一体化されたものである特許請求の範囲第1項記載
    のダイシングフィルム。 3、シリコーンゴムフィルムが軟質ポリ塩化ビニルフィ
    ルムと積層一体化されたものである特許請求の範囲第2
    項記載のダイシングフィルム。 4、シリコーンゴムフィルムがポリエチレンフィルムと
    積層一体化されたものである特許請求の範囲第2項記載
    のダイシングフィルム。
JP59203709A 1984-09-28 1984-09-28 ダイシングフイルム Pending JPS6181650A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183855A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
EP2432010A1 (en) * 2010-09-15 2012-03-21 Asahi Glass Company, Limited Manufacturing method of semiconductor device
JP2018511941A (ja) * 2015-03-06 2018-04-26 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. ダイシングテープを用いてセラミック蛍光体プレートを発光デバイス(led)ダイ上に取り付ける方法、ダイシングテープを形成する方法、及びダイシングテープ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS512640A (ja) * 1974-06-25 1976-01-10 Nippon Steel Corp Enkakukanshosetsuhoho
JPS57207351A (en) * 1981-06-16 1982-12-20 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor element

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS512640A (ja) * 1974-06-25 1976-01-10 Nippon Steel Corp Enkakukanshosetsuhoho
JPS57207351A (en) * 1981-06-16 1982-12-20 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor element

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183855A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
JP4536367B2 (ja) * 2003-12-24 2010-09-01 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
EP2432010A1 (en) * 2010-09-15 2012-03-21 Asahi Glass Company, Limited Manufacturing method of semiconductor device
CN102403221A (zh) * 2010-09-15 2012-04-04 旭硝子株式会社 半导体元件的制造方法
JP2018511941A (ja) * 2015-03-06 2018-04-26 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. ダイシングテープを用いてセラミック蛍光体プレートを発光デバイス(led)ダイ上に取り付ける方法、ダイシングテープを形成する方法、及びダイシングテープ
US11563141B2 (en) 2015-03-06 2023-01-24 Lumileds Llc Method for attaching ceramic phosphor plates on light-emitting device (LED) dies using a dicing tape, method to form a dicing tape, and dicing tape

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