KR102176416B1 - 형광 박판 다이싱 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 형광 박판 다이싱 방법에 관한 것으로, 형광 박판의 하부 표면에 수용성 코팅제를 도포하는 단계와, 상기 수용성 코팅제의 표면에 Po(Polyolefin) 테이프를 부착하는 단계와, 상기 Po 테이프의 표면에 UV 테이프를 부착하는 단계와, 상기 UV 테이프가 부착된 면을 레이저 테이블의 진공척에 고정시킨 후 레이저를 이용하여 상기 Po 테이프의 45-55% 두께까지 절단하는 다이싱 공정을 수행하는 단계와, 상기 형광 박판에 UV빔을 조사하여 상기 UV 테이프를 제거하는 단계와, 상기 형광 박판의 상부 표면에 색상 테이프를 부착하여 상기 진공척에 고정시키는 단계와, 상기 Po 테이프를 제거한 후에, 상기 수용성 코팅제를 수세하여 제거하는 단계를 포함함으로써, 형광 박판의 다이싱 공정 수율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 형광 박판의 표면에 수용성 코팅제를 도포한 후에, Po(Polyolefin) 테이프 및 UV 테이프를 부착하여 다이싱 공정을 수행함으로써, 형광 박판의 다이싱 공정 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 가공시간 단축과 공정비용 절감의 효과를 얻을 수 있는 형광 박판 다이싱 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 다이싱(Dicing) 공정은 쏘잉(sawing)이라고도 하며, 반도체 생산 공정 가운데 웨이퍼 제조 공정과 패키징 공정 사이에 위치하여 웨이퍼를 개별 칩 단위로 분리하는 공정을 의미한다.
그리고, 반도체 칩이 고집적화됨에 따라 칩 간의 절단 영역인 다이싱 라인, 혹은 스트리트(street)가 점점 미세해지고, 이에 보다 정밀한 다이싱 기술의 개발이 요구되고 있다. 여기에서, 반도체 웨이퍼의 직경은 70년대 말 4inch(100mm)에서 5inch, 6inch, 8inch로 점점 증가하였고 현재는 8inch에서 12inch로 대체되어 가고 있다.
따라서, 스마트 카드 등에 사용되는 초박형 칩이나 12inch(300mm) 대구경 웨이퍼에 대응하는 웨이퍼 다이싱 장비의 필요성이 높아지고, CSP(Chip Scale Package), BGA(Ball Grid Array) 등 웨이퍼 레벨 패키지의 개발과 함께 실리콘의 절단 뿐만 아니라 몰딩 수지와 에폭시 수지 등을 동시에 절단할 수 있는 기술도 요구되고 있다.
상술한 바와 같은 다이싱 공정은 크게 쏘우 다이싱(Saw dicing), 레이저 다이싱(Laser dicing), 스텔스 다이싱(Stealth dicing) 등으로 구분할 수 있는데, 쏘우 다이싱은 블레이드로 웨이퍼를 절단하는 것이며, 레이저 다이싱은 레이저를 이용하여 가공하는 것으로 쏘우 다이싱에 비해 양방향 가공이 가능하므로 가공속도가 뛰어난 장점이 있을 뿐만 아니라 다이싱 라인의 선폭을 줄일 수 있어 칩의 생산량을 늘릴 수 있고, 스텔스 다이싱은 쏘우 다이싱과 레이저 다이싱에 비해 가장 우수한 다이싱 기법으로 알려져 있다.
이 중에서 레이저 다이싱을 이용한 다이싱 공정에 있어서 가공 정밀도를 원하는 수준으로 만족시키면서 가공속도 및 가공면적의 향상을 통해 다이싱 효율을 보다 향상시키기 위한 기술 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 형광 박판의 표면에 수용성 코팅제를 도포한 후에, Po 테이프 및 UV 테이프를 부착하여 다이싱 공정을 수행함으로써, 형광 박판의 다이싱 공정 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 가공시간 단축과 공정비용 절감의 효과를 얻을 수 있는 형광 박판 다이싱 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 형광 박판의 하부 표면에 수용성 코팅제를 도포한 후에, 그 표면에 Po 테이프와 UV 테이프를 부착하고, 레이저 테이블의 진공척에 고정시킨 후 레이저를 이용하여 Po 테이프의 45-55% 두께까지 절단하는 다이싱 공정을 수행하며, UV 테이프, Po 테이프 및 수용성 코팅제를 제거함으로써, 종래의 다이싱 공정에 비해 절단 손실을 감소시켜 대략 30%의 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 균일한 가공 속도와 품질로 가공할 수 있는 형광 박판 다이싱 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예들의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 형광 박판의 하부 표면에 수용성 코팅제를 도포하는 단계와, 상기 수용성 코팅제의 표면에 Po(Polyolefin) 테이프를 부착하는 단계와, 상기 Po 테이프의 표면에 UV 테이프를 부착하는 단계와, 상기 UV 테이프가 부착된 면을 레이저 테이블의 진공척에 고정시킨 후 레이저를 이용하여 상기 Po 테이프의 45-55% 두께까지 절단하는 다이싱 공정을 수행하는 단계와, 상기 형광 박판에 UV빔을 조사하여 상기 UV 테이프를 제거하는 단계와, 상기 형광 박판의 상부 표면에 색상 테이프를 부착하여 상기 진공척에 고정시키는 단계와, 상기 Po 테이프를 제거한 후에, 상기 수용성 코팅제를 수세하여 제거하는 단계를 포함하는 형광 박판 다이싱 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 형광 박판은, PIG(Phosphor In Glass) 박판을 포함하는 형광 박판 다이싱 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 다이싱 공정은, 1060-1070nm의 파장 조건과 28-32W의 전력 조건으로 하는 YAG 레이저를 이용하여 수행되는 형광 박판 다이싱 방법이 제공될 수 있다.
본 발명에서는, 형광 박판의 표면에 수용성 코팅제를 도포한 후에, Po 테이프 및 UV 테이프를 부착하여 다이싱 공정을 수행함으로써, 형광 박판의 다이싱 공정 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 가공시간 단축과 공정비용 절감의 효과를 얻을 수 있는 형광 박판 다이싱 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 형광 박판의 하부 표면에 수용성 코팅제를 도포한 후에, 그 표면에 Po 테이프와 UV 테이프를 부착하고, 레이저 테이블의 진공척에 고정시킨 후 레이저를 이용하여 Po 테이프의 45-55% 두께까지 절단하는 다이싱 공정을 수행하며, UV 테이프, Po 테이프 및 수용성 코팅제를 제거함으로써, 종래의 다이싱 공정에 비해 절단 손실을 감소시켜 대략 30%의 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 균일한 가공 속도와 품질로 가공할 수 있다.
도 1a 내지 도 1i는 본 발명의 실시예에 따른 형광 박판을 다이싱하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 실시예들에 대한 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1i는 본 발명의 실시예에 따른 형광 박판을 다이싱하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 1a 내지 도 1i를 참조하면, 형광 박판(110)의 하부 표면에 도 1a에 도시한 바와 같이 수용성 코팅제(120)를 도포할 수 있다. 여기에서, 형광 박판(110)은 비정질 유리 내에 형광체가 존재하는 상태의 PIG(Phosphor In Glass) 박판을 포함할 수 있으며, 이러한 PIG 박판은 0.1mm 이하의 두께를 가질 수 있다.
또한, 수용성 코팅제(120)는 형광 박판(110)에 레이저를 조사할 경우 형광 박판(110)에 흡수되어 형광 박판(110)의 용융 또는 열분해로 인한 응축부착물(debris)의 발생을 방지하기 위해 형광 박판(110)의 하부 표면에 도포될 수 있으며, 레이저 조사에 의해 응축부착물이 발생하더라도 수세하는 과정을 통해 수용성 코팅제(120)의 제거와 함께 응축부착물도 효과적으로 제거할 수 있다.
그리고, 형광 박판(110)에 도포된 수용성 코팅제(120)의 표면에 도 1b에 도시한 바와 같이 롤러를 이용하여 기포가 들어가지 않도록 균일하게 밀착시키는 방식으로 Po(Polyolefin) 테이프(130)를 부착할 수 있다. 이러한 Po 테이프(130)는 다이싱 공정 후에도 다이싱된 형광 박판(110)을 고정시키기 위해 부착될 수 있다.
또한, 수용성 코팅제(120)의 표면에 부착된 Po 테이프(130)의 표면에 도 1c에 도시한 바와 같이 롤러를 이용하여 기포가 들어가지 않도록 균일하게 밀착시키는 방식으로 UV 테이프(140)를 부착할 수 있다. 이러한 UV 테이프(140)는 다이싱 공정을 위해 레이저 테이블의 진공척에 형광 박판(110)을 고정시키기 위해서 부착될 수 있는데, 형광 박판(110)을 안정적으로 고정시킬 수 있을 뿐만 아니라 UV빔을 이용한 테이프 제거 후에도 잔류물이 남지 않는 장점이 있다.
다음에, UV 테이프(140)가 부착된 면을 레이저 테이블의 진공척(도시 생략됨)에 고정시킨 후 도 1d에 도시한 바와 같이 레이저를 이용하여 Po 테이프의 45-55% 두께까지 절단하는 다이싱 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, Po 테이프(130)의 두께가 0.1mm인 경우 대략 0.05mm만 절단되도록 조절하여 형광 박판(110), 수용성 코팅제(120) 및 절반의 Po 테이프(130)까지 절단되도록 가로 방향 및 세로 방향으로 다이싱 공정을 수행할 수 있다.
여기에서, 다이싱 공정은 1060-1070nm의 파장 조건(바람직하게는 1064nm의 파장)과 28-32W의 전력 조건(바람직하게는 30W의 전력)으로 하는 YAG 레이저를 이용하여 수행될 수 있으며, 이러한 YAG 레이저를 이용함에 따라 세라믹 등의 고경도, 고취성 재료의 경면을 제거하는데 있어서 절단면의 표면조도를 향상시켜 고품질의 제품을 얻을 수 있고, 절단면의 마감이 좋아 공정의 단축 효과를 발생시킬 수 있다.
그리고, 수용성 코팅제(120), Po 테이프(130) 및 UV 테이프(140)가 도포 또는 부착된 형광 박판(110)에 도 1e에 도시한 바와 같이 UV빔을 조사하여 도 1f에 도시한 바와 같이 UV 테이프(140)를 제거할 수 있다.
다음에, 형광 박판(110)의 상부 표면에 도 1g에 도시한 바와 같이 색상 테이프(150)를 부착하여 진공척에 고정시킬 수 있다. 여기에서, 색상 테이프(150)는 파란색 등을 포함하는 다양한 색상으로 제공될 수 있다.
이어서, 도 1h에 도시한 바와 같이 형광 박판(110)에서 Po 테이프(130)를 제거한 후에, 수용성 코팅제(120)를 수세하여 제거함으로써, 도 1i에 도시한 바와 같이 색상 테이프(150)에 다이싱된 형광 박판(110)을 제공할 수 있으며, 이러한 제품은 진공 포장되어 이송 중에 이물질이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는, 형광 박판의 표면에 수용성 코팅제를 도포한 후에, Po 테이프 및 UV 테이프를 부착하여 다이싱 공정을 수행함으로써, 형광 박판의 다이싱 공정 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 가공시간 단축과 공정비용 절감의 효과를 얻을 수 있는 형광 박판 다이싱 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 형광 박판의 하부 표면에 수용성 코팅제를 도포한 후에, 그 표면에 Po 테이프와 UV 테이프를 부착하고, 레이저 테이블의 진공척에 고정시킨 후 레이저를 이용하여 Po 테이프의 45-55% 두께까지 절단하는 다이싱 공정을 수행하며, UV 테이프, Po 테이프 및 수용성 코팅제를 제거함으로써, 종래의 다이싱 공정에 비해 절단 손실을 감소시켜 대략 30%의 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 균일한 가공 속도와 품질로 가공할 수 있다.
이상의 설명에서는 본 발명의 다양한 실시예들을 제시하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함을 쉽게 알 수 있을 것이다.
110 : 형광 박판
120 : 수용성 코팅제
130 : Po 테이프
140 : UV 테이프
150 : 색상 테이프
120 : 수용성 코팅제
130 : Po 테이프
140 : UV 테이프
150 : 색상 테이프
Claims (4)
- 형광 박판의 하부 표면에 수용성 코팅제를 도포하는 단계와,
상기 수용성 코팅제의 표면에 Po(Polyolefin) 테이프를 부착하는 단계와,
상기 Po 테이프의 표면에 UV 테이프를 부착하는 단계와,
상기 UV 테이프가 부착된 면을 레이저 테이블의 진공척에 고정시킨 후 레이저를 이용하여 상기 Po 테이프의 45-55% 두께까지 절단하는 다이싱 공정을 수행하는 단계와,
상기 형광 박판에 UV빔을 조사하여 상기 UV 테이프를 제거하는 단계와,
상기 형광 박판의 상부 표면에 색상 테이프를 부착하여 상기 진공척에 고정시키는 단계와,
상기 Po 테이프를 제거한 후에, 상기 수용성 코팅제를 수세하여 제거하는 단계
를 포함하는 형광 박판 다이싱 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 형광 박판은, PIG(Phosphor In Glass) 박판을 포함하는 형광 박판 다이싱 방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 다이싱 공정은, 1060-1070nm의 파장 조건과 28-32W의 전력 조건으로 하는 YAG 레이저를 이용하여 수행되는 형광 박판 다이싱 방법.
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KR20200124394A KR20200124394A (ko) | 2020-11-03 |
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KR (1) | KR102176416B1 (ko) |
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