JP2020155517A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の一つの実施形態は、シールドケースを基板に適切に装着できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、基板と、前記基板の主面に実装される半導体部品と、前記主面に装着されて前記半導体部品を覆うシールドケースとを有する半導体装置が提供される。基板は、外縁に第１の切り欠き部及び第２の切り欠き部を有する。シールドケースは、天板と第１の側板と第２の側板と第１の爪部と第２の爪部とを有する。第１の爪部は、第１の側板の下端から基板に交差する方向に延びて第１の切り欠き部に嵌合する。第２の爪部は、第２の側板の下端から基板に交差する方向に延びて第２の切り欠き部に嵌合する。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体装置に関する。

半導体装置では、半導体部品が実装される基板にシールドケースが装着されることがある。このとき、シールドケースを基板に適切に装着することが望まれる。

特開平８−０１８２６９号公報

本発明の一つの実施形態は、シールドケースを基板に適切に装着できる半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の一つの実施形態によれば、基板と、前記基板の主面に実装される半導体部品と、前記主面に装着されて前記半導体部品を覆うシールドケースとを有する半導体装置が提供される。基板は、外縁に第１の切り欠き部及び第２の切り欠き部を有する。シールドケースは、天板と第１の側板と第２の側板と第１の爪部と第２の爪部とを有する。第１の爪部は、第１の側板の下端から基板に交差する方向に延びて第１の切り欠き部に嵌合する。第２の爪部は、第２の側板の下端から基板に交差する方向に延びて第２の切り欠き部に嵌合する。

図１は、実施形態にかかる半導体装置の構成を示す平面図である。 図２は、実施形態にかかる半導体装置の構成を示す側面図である。 図３は、実施形態にかかる半導体装置の構成を示す背面図である。 図４は、実施形態にかかる半導体装置の構成を示す分解斜視図である。 図５は、実施形態における切り欠き部の構成を示す拡大平面図である。 図６は、実施形態の変形例にかかる半導体装置の構成を示す側面図である。 図７は、実施形態の変形例にかかる半導体装置の構成を示す分解斜視図である。

以下に添付図面を参照して、本発明の実施形態にかかる半導体装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。

（実施形態）
実施形態にかかる半導体装置は、半導体部品が基板に実装されて構成される。この半導体装置では、シールドケースが基板に装着されて半導体部品を覆うことがある。シールドケースは、導体で形成されており、基準電位（例えば、グランド電位）に電気的に接続される。また、基板には、その内部、表面、又は裏面に導体で形成されたベタパターンが配されており、基準電位（例えば、グランド電位）に電気的に接続される。これにより、半導体部品が基準電位のシールドケース及びベタパターン（グランド層）で囲まれるので、ＥＭＩ（ＥｌｅｃｔｒｏＭａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）ノイズが半導体部品から外部へ放出されることを抑制でき、半導体部品が外部からＥＭＩノイズを受けることを抑制できる。

シールドケースは、基準電位に電気的に接続されるので、基板上における基準電位と異なる電位を有し得る部分（例えば、基準電位と異なる電位を有し得る電極及び／又は端子）に接触しないことが望ましい。すなわち、基板に対するシールドケースの位置がずれないように、シールドケースを基板に適切に装着することが望まれる。

例えば、片面実装タイプのフォームファクタ規格（例えば、Ｍ．２−２２３０規格）に従った半導体装置では、基板にシールド固定用の穴を空け、シールドケースの下端に穴に対応した凸部を設け、凸部を穴に嵌合させることで、シールドケースを基板に装着することがある。シールドケースは、フォームファクタ規格の制約により、平面視においてその外輪郭が基板の端部より内側に位置することが要求され、側面視おいてその高さが基板から所定の高さ以下になることが要求される。これに応じて、シールドケース固定用の穴が基板の端部から基板の機械的な強度を確保可能な距離で離れた位置に設けられると、基板上における部品がその穴より内側の位置に実装されることになる。これにより、基板上における実装可能領域が狭くなりやすい。

一方、シールドケースの側縁部にフック状のツメ（横型のツメ）を形成し、このツメに合う切り欠きを基板の端部に設け、ツメと切り欠きとを合わせ、ツメの平面部分の方向にシールドケースをスライドさせることで、シールドケースを基板に装着することがある。この場合、基板の端部から、ツメの平面部分に対応した切り欠き幅で基板の端部に切り欠きが設けられ、基板上における部品が切り欠き幅より内側の位置に実装されることになる。すなわち、切り欠きが横型のツメに対応しているので、切り欠きの切り欠き幅が大きくなりやすく、それに応じて、基板上における部品が実装可能な位置も制限されるため、基板上における実装可能領域が狭くなりやすい。

そこで、本実施形態では、半導体装置において、シールドケースの側板の下端に縦型の爪部を設け、その爪部に嵌合する切り欠き部を基板の外縁に設けることで、切り欠き部の切り欠き幅の低減及びそれによる実装可能領域の拡大を目指す。

具体的には、半導体装置１は、図１〜図４に示すように構成され得る。図１は、半導体装置の構成を示す平面図である。図２は、半導体装置１の構成を示す側面図である。図３は、半導体装置１の構成を示す背面図である。図４は、半導体装置１の構成を示す分解斜視図である。以下では、基板３の表面３ａに垂直な方向をＺ方向とし、基板３の長手方向をＹ方向とし、Ｚ方向及びＹ方向に垂直な方向をＸ方向とする。

半導体装置１は、例えば、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）などのメモリデバイスであり、ホスト装置（図示せず）と通信可能に接続され、ホスト装置に対する外部記憶媒体として機能し得る。ホスト装置は、例えば、パーソナルコンピュータなどの情報処理装置、携帯電話、撮像装置であってもよいし、タブレットコンピュータやスマートフォンなどの携帯端末であってもよいし、ゲーム機器であってもよいし、カーナビゲーションシステムなどの車載端末であってもよい。

半導体装置１は、半導体部品２、基板３、及びシールドケース４を有する。半導体部品２は、半導体集積回路が搭載された半導体チップのパッケージ等であり、例えばコントローラ及び不揮発性メモリを含むＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ Ｃｈｉｐ）として構成され得る。

図１に示すように、基板３は、ＸＹ平面視において略矩形に沿った形状を有する。基板３は、部品実装部３１、コネクタ部３２、及びネジ止め部３３を有する。部品実装部３１は、基板３における半導体部品２及び他の部品（例えば、図示しない平滑コンデンサなど）が表面３ａ（＋Ｚ側の主面）上に実装される部分であり、シールドケース４が装着される部分である。コネクタ部３２は、ホスト装置のコネクタ部に接続される部分である。ネジ止め部３３は、ホスト装置の筐体等にネジ留めされる部分である。

コネクタ部３２は、フォームファクタ規格（例えば、Ｍ．２−２２３０規格）の要求に応じた形状を有している。コネクタ部３２は、フォームファクタの規格における「Ｍキー」の位置と「Ｂ＆Ｍキー」の位置とに、それぞれ、ノッチ状の切り欠き３２ａ，３２ｂが設けられる。なお、コネクタ部３２における切り欠き３２ａ，３２ｂ間の領域、切り欠き３２ａの＋Ｘ側の領域、切り欠き３２ｂの−Ｘ側の領域には、複数の端子（複数のピン）が配されるが、図１〜図４では、図示の簡略化のため、図示が省略されている。ネジ止め部３３は、フォームファクタ規格の要求に応じて形状を有している。ネジ止め部３３は、切り欠き３３１が設けられる。

ネジ止め部３３は、切り欠き３３１にネジが嵌め込まれた際にネジが接触する部分３３１ａに、導電パターンが配されていてもよい。導電パターンがベタパターンに電気的に接続されている場合、ネジ止め部３３がネジ留めされた際に、ベタパターン（グランド層）がホスト装置の筐体を介して基準電位（例えば、グランド電位）に電気的に接続される。

部品実装部３１は、フォームファクタ規格の範囲内において工夫された形状を有する。部品実装部３１は、基板３の外縁に複数の切り欠き部３１１，３１２，３１３を有する。複数の切り欠き部３１１，３１２，３１３は、少なくとも一部の切り欠きが基板３の外縁における他の切り欠きと異なる辺に配される。

図１に示すように、基板３の外縁は、略矩形に沿った複数の辺３１ａ〜３１ｃを含む。辺３１ａは、他の辺３１ｂ，３１ｃより−Ｘ側に配され、Ｙ方向に沿って延びている。辺３１ｂは、他の辺３１ｂ，３１ｃに対してＸ方向における間の位置に配され、Ｘ方向に沿って延びている。辺３１ａは、他の辺３１ｂ，３１ｃより＋Ｘ側に配され、Ｙ方向に沿って延びている。切り欠き部３１１は、辺３１ａに配され、切り欠き部３１２は、辺３１ｂに配され、切り欠き部３１３は、辺３１ｃに配されている。

切り欠き部３１１は、切り欠き部３１２の−Ｘ側に配され、切り欠き部３１３の−Ｘ側及び＋Ｙ側に配されている。切り欠き部３１１は、基板３における−Ｘ側の端部（辺３１ａ）から＋Ｘ方向に向かって窪んでいる。切り欠き部３１１は、例えば、ＸＹ平面視において、Ｙ方向を長手方向とする略矩形状に形成され得る。

切り欠き部３１２は、切り欠き部３１１の＋Ｘ側及び−Ｙ側に配され、切り欠き部３１３の−Ｘ側及び−Ｙ側に配されている。切り欠き部３１２は、基板３における−Ｙ側の端部（辺３１ｂ）から＋Ｙ方向に向かって窪んでいる。切り欠き部３１２は、例えば、ＸＹ平面視において、Ｘ方向を長手方向とする略矩形状に形成され得る。

切り欠き部３１３は、切り欠き部３１１の＋Ｘ側に配され、切り欠き部３１２の＋Ｘ側及び＋Ｙ側に配されている。切り欠き部３１３は、基板３における＋Ｘ側の端部（辺３１ｃ）から−Ｘ方向に向かって窪んでいる。切り欠き部３１３は、例えば、ＸＹ平面視において、Ｙ方向を長手方向とする略矩形状に形成され得る。

また、部品実装部３１は、表面３ａに複数の導電パッド３２１，３２２，３２３，３２４，３２５を有する。各導電パッド３２１〜３２５は、表面３ａにおける切り欠き部３１１，３１２，３１３の周辺の位置に配されている。各導電パッド３２１〜３２５は、シールドケース４が接触すべき部分であり、基板３においてベタパターン（グランド層）に電気的に接続されている。これにより、シールドケース４は、基板３に装着された際に、導電パッド３２１〜３２５及びベタパターン（グランド層）を介して基準電位（例えば、グランド電位）に電気的に接続される。

導電パッド３２１は、表面３ａにおける切り欠き部３１１の＋Ｙ側の位置に配される。導電パッド３２１は、導電体（例えば、銅）を主成分とする材料で形成され得る。導電パッド３２１は、ＸＹ平面視において、Ｙ方向を長手方向とする略矩形状で形成され得る。

導電パッド３２２は、表面３ａにおける切り欠き部３１１の−Ｙ側の位置に配される。導電パッド３２２は、導電体（例えば、銅）を主成分とする材料で形成され得る。導電パッド３２２は、ＸＹ平面視において、Ｙ方向を長手方向とする略矩形状で形成され得る。

導電パッド３２３は、表面３ａにおける切り欠き部３１２の−Ｘ側の位置に配される。導電パッド３２３は、導電体（例えば、銅）を主成分とする材料で形成され得る。導電パッド３２３は、ＸＹ平面視において、Ｘ方向を長手方向とする略矩形状で形成され得る。

導電パッド３２４は、表面３ａにおける切り欠き部３１３の＋Ｙ側の位置に配される。導電パッド３２４は、導電体（例えば、銅）を主成分とする材料で形成され得る。導電パッド３２４は、ＸＹ平面視において、Ｙ方向を長手方向とする略矩形状で形成され得る。

導電パッド３２５は、表面３ａにおける切り欠き部３１３の−Ｙ側の位置に配される。導電パッド３２５は、導電体（例えば、銅）を主成分とする材料で形成され得る。導電パッド３２５は、ＸＹ平面視において、Ｙ方向を長手方向とする略矩形状で形成され得る。

図２〜図４に示すように、シールドケース４は、基板３の表面３ａに装着されて半導体部品２を覆う。図２及び図３では、シールドケース４内における半導体部品２の位置が点線で示されている。ＸＹ平面視において、シールドケース４の平面寸法を基板３に対応した大きさにされ得る（図１参照）。これにより、図示しないが、基板３上には、半導体部品２の周辺（例えば、−Ｙ側の領域）に、他の部品（例えば、平滑コンデンサなど）が実装され得る。

シールドケース４は、天板４ａ及び複数の側板４ｂ〜４ｄを有する。天板４ａは、ＸＹ方向に延びており、ＸＹ平面視において略正方形状又は略矩形状である。側板４ｂは、天板４ａの−Ｘ側の端部から−Ｚ方向に延びており、ＹＺ平面視においてＹ方向を長手方向とする略矩形状である。側板４ｃは、天板４ａの−Ｙ側の端部から−Ｚ方向に延びており、ＸＺ平面視においてＸ方向を長手方向とする略矩形状である。側板４ｄは、天板４ａの＋Ｘ側の端部から−Ｚ方向に延びており、ＹＺ平面視においてＹ方向を長手方向とする略矩形状である。シールドケース４における天板４ａの＋Ｙ側は、開放されており、シールドケース４で覆われる半導体部品２とコネクタ部３２との間に配線等を配置しやすくなっている。

なお、側板４ｃは、ネジ止め部３３にネジ留めされる予定のネジの形状に対応して−Ｙ側に窪んだ凹面部４ｃ１を含む。凹面部４ｃ１は、ＸＹ平面視において、略半円状に−Ｙ側に窪んでいてもよい（図１参照）。

また、シールドケース４は、複数の爪部４ｅ，４ｆ，４ｇ及び複数の凸部４ｈ，４ｉ，４ｊ，４ｋ，４ｍを有する。

複数の爪部４ｅ，４ｆ，４ｇは、基板３における複数の切り欠き部３１１，３１２，３１３に対応している。各爪部４ｅ，４ｆ，４ｇは、シールドケース４の下端側から−Ｚ方向に延びた縦型で構成され得る。

爪部４ｅは、側板４ｂの下端（−Ｚ側の端部）から基板３に交差する方向（Ｚ方向）に延びて切り欠き部３１１に嵌合する。爪部４ｆは、側板４ｃの下端（−Ｚ側の端部）から基板３に交差する方向（Ｚ方向）に延びて切り欠き部３１２に嵌合する。爪部４ｇは、側板４ｄの下端（−Ｚ側の端部）から基板３に交差する方向（Ｚ方向）に延びて切り欠き部３１３に嵌合する。

爪部４ｅの外面は、基板３の外縁より内側に位置する。爪部４ｅの−Ｘ側の面は、基板３の−Ｘ側の端部より＋Ｘ側に位置する。爪部４ｆの外面は、基板３の外縁より内側に位置する。爪部４ｅの−Ｙ側の面は、基板３の−Ｙ側の端部より＋Ｙ側に位置する。爪部４ｇの外面は、基板３の外縁より内側に位置する。爪部４ｇの＋Ｘ側の面は、基板３の＋Ｘ側の端部より−Ｘ側に位置する。

爪部４ｅの外面は、側板４ｂの外面と連続した面を構成する。爪部４ｅの−Ｘ側の面は側板４ｂの−Ｘ側の面に接続されており、爪部４ｅの−Ｘ側の面と側板４ｂの−Ｘ側の面とは略均等なＸ位置に配されている。爪部４ｆの外面は、側板４ｃの外面と連続した面を構成する。爪部４ｆの−Ｙ側の面は側板４ｃの−Ｙ側の面に接続されており、爪部４ｆの−Ｙ側の面と側板４ｃの−Ｙ側の面とは略均等なＹ位置に配されている。爪部４ｇの外面は、側板４ｄの外面と連続した面を構成する。爪部４ｇの＋Ｘ側の面は側板４ｄの＋Ｘ側の面に接続されており、爪部４ｇの＋Ｘ側の面と側板４ｄの＋Ｘ側の面とは略均等なＸ位置に配されている。

複数の凸部４ｈ，４ｉ，４ｊ，４ｋ，４ｍは、基板３における複数の導電パッド３２１，３２２，３２３，３２４，３２５に対応している。各凸部４ｈ，４ｉ，４ｊ，４ｋ，４ｍは、シールドケース４の装着時に、対応する導電パッドに接触する。

凸部４ｈは、側板４ｂの下端（−Ｚ側の端部）から基板３に交差する方向（Ｚ方向）に延びて導電パッド３２１に接触する。凸部４ｈは、側板４ｂの下端における＋Ｙ側で爪部４ｅに近接した位置に配されていてもよい。側板４ｂの下端における凸部４ｈに対して＋Ｙ側及び−Ｙ側に隣接する部分は、凸部４ｈより＋Ｚ側に窪んだ凹部として形成され得る。

凸部４ｉは、側板４ｂの下端（−Ｚ側の端部）から基板３に交差する方向（Ｚ方向）に延びて導電パッド３２２に接触する。凸部４ｉは、側板４ｂの下端における−Ｙ側で爪部４ｅに近接した位置に配されていてもよい。側板４ｂの下端における凸部４ｉに対して＋Ｙ側及び−Ｙ側に隣接する部分は、凸部４ｈより＋Ｚ側に窪んだ凹部として形成され得る。

凸部４ｊは、側板４ｃの下端（−Ｚ側の端部）から基板３に交差する方向（Ｚ方向）に延びて導電パッド３２３に接触する。凸部４ｊは、側板４ｃの下端における−Ｘ側で爪部４ｆに近接した位置に配されていてもよい。側板４ｃの下端における凸部４ｊに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側に隣接する部分は、凸部４ｊより＋Ｚ側に窪んだ凹部として形成され得る。

凸部４ｋは、側板４ｄの下端（−Ｚ側の端部）から基板３に交差する方向（Ｚ方向）に延びて導電パッド３２４に接触する。凸部４ｋは、側板４ｄの下端における＋Ｙ側で爪部４ｇに近接した位置に配されていてもよい。側板４ｄの下端における凸部４ｋに対して＋Ｙ側及び−Ｙ側に隣接する部分は、凸部４ｋより＋Ｚ側に窪んだ凹部として形成され得る。

凸部４ｍは、側板４ｄの下端（−Ｚ側の端部）から基板３に交差する方向（Ｚ方向）に延びて導電パッド３２５に接触する。凸部４ｍは、側板４ｂの下端における−Ｙ側で爪部４ｇに近接した位置に配されていてもよい。側板４ｄの下端における凸部４ｍに対して＋Ｙ側及び−Ｙ側に隣接する部分は、凸部４ｍより＋Ｚ側に窪んだ凹部として形成され得る。

図１〜図４に示すように、切り欠き部３１１は、切り欠き幅（＋Ｘ方向の窪み幅）がシールドケース４の板厚に対応している。切り欠き部３１２は、切り欠き幅（＋Ｙ方向の窪み幅）がシールドケース４の板厚に対応している。切り欠き部３１３は、切り欠き幅（−Ｘ方向の窪み幅）がシールドケース４の板厚に対応している。

例えば、切り欠き部３１１の具体的な切り欠き幅は、図５に示すように構成され得る。図５は、切り欠き部３１１の付近の構成を示す拡大平面図である。フォームファクタ規格により基板３の表面３ａ上では、図５に点線で示すように、基板３の端部から距離Ｄ１以上内側の領域にパターンが実装可能であり、導電パッド３２１，３２２がこの領域内に配置される。図５において、シールドケース４が基板３に装着された際における側板４ｂの外面（−Ｘ側の面）の面位置が一点鎖線で示され、側板４ｂの内面（＋Ｘ側の面）の面位置が二点鎖線で示されている。切り欠き部３１１の＋Ｙ側における基板３の外縁（辺３１ａ）から点線、一点鎖線、二点鎖線までの距離を、それぞれ、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３とすると、シールドケース４が基板３に装着された際に導電パッド３２１に接触できるようにするには、次の数式１を満たすことが望ましい。
Ｄ２＞Ｄ１・・・数式１

また、切り欠き部３１１の切り欠き幅（＋Ｘ方向の窪み幅）をＷとすると、シールドケース４が基板３に装着された際に爪部４ｅが切り欠き部３１１に嵌合可能であるためには、次の数式２を満たすことが望ましい。
Ｗ≧Ｄ３・・・数式２

ここで、シールドケース４の板厚をＴＨとすると、次の数式３が成り立つ。
ＴＨ＝Ｄ３−Ｄ２・・・数式３

数式１〜数式３により次の数式４が導かれる。
Ｗ≧ＴＨ＋Ｄ２＞ＴＨ＋Ｄ１・・・数式４

数式４によれば、切り欠き部３１１の切り欠き幅Ｗを、シールドケース４の板厚ＴＨとフォームファクタ規格で要求される距離Ｄ１との和に若干のマージンを加えた程度の値に低減できることが分かる。例えば、Ｄ１＝０．３ｍｍ、Ｄ２＝０．４ｍｍ、Ｄ３＝０．６ｍｍ、Ｗ＝０．７ｍｍであれば、切り欠き部３１１の切り欠き幅Ｗは、数式４で示される条件を満たすことができる。これにより、切り欠き部３１１の切り欠き幅Ｗを効果的に低減できる。

以上のように、実施形態では、半導体装置１において、シールドケース４の側板４ｂ，４ｃ，４ｄの下端に縦型の爪部４ｅ，４ｆ，４ｇを設け、その爪部４ｅ，４ｆ，４ｇに嵌合する切り欠き部３１１，３１２，３１３を基板３の外縁に設ける。これにより、切り欠き部３１１，３１２，３１３の切り欠き幅を効果的に低減でき、実装可能領域を拡大できる。

なお、基板３における切り欠き部は、基板３の外縁における少なくとも２つの異なる辺上に設けられ、それに対応してシールドケース４における爪部は、少なくとも２つの側板の下端に設けられていればよい。これにより、基板３に対するシールドケース４の位置がずれないようにすることが可能である。

また、実施形態の考え方は、図６及び図７に示すように、両面実装タイプのフォームファクタ規格（例えば、Ｍ．２−２２８０規格）に従った半導体装置に適用されてもよい。図６は、実施形態の変形例にかかる半導体装置１０１の構成を示す側面図である。図７は、実施形態の変形例にかかる半導体装置１０１の構成を示す分解斜視図である。

半導体装置１０１は、半導体部品１０２−１〜１０２−４、半導体部品１０５、基板１０３、シールドケース１０４、及びシールドケース１０６を有する。半導体部品１０２−１〜１０２−４は、それぞれ、半導体集積回路が搭載された半導体チップのパッケージ等であり、基板１０３の表面（＋Ｚ側の主面）１０３ａに実装される。半導体部品１０５は、半導体集積回路が搭載された半導体チップのパッケージ等であり、基板１０３の裏面（−Ｚ側の主面）１０３ｂに実装される。シールドケース１０４は、基板１０３の表面１０３ａに装着されて半導体部品１０２−１〜１０２−４を覆う。シールドケース１０６は、基板１０３の裏面１０３ｂに装着されて半導体部品１０５を覆う。

基板１０３は、シールドケース１０４に対応した切り欠き部１３１１〜１３１３及び導電パッド１３２１〜１３２５を有するとともに、シールドケース１０６に対応した切り欠き部１３３１〜１３３３及び導電パッド１３４１〜１３４５を有する。

切り欠き部１３１１及び切り欠き部１３３１は、辺１３１ａにおける互いに干渉しない位置に配されている。切り欠き部１３１２及び切り欠き部１３３２は、辺１３１ｂにおける互いに干渉しない位置に配されている。切り欠き部１３１３及び切り欠き部１３３３は、辺１３１ｃにおける互いに干渉しない位置に配されている。各導電パッド１３２１〜１３２５は、表面１０３ａにおける切り欠き部１３１１，１３１２，１３１３の周辺の位置に配されている。各導電パッド１３４１〜１３４５は、裏面１０３ｂにおける切り欠き部１３３１，１３３２，１３３３の周辺の位置に配されている。

なお、各切り欠き部１３１１〜１３１３及び各切り欠き部１３３１〜１３３３の具体的な構成は、それぞれ、実施形態における切り欠き部３１１〜３１３の具体的な構成と同様である。各導電パッド１３２１〜１３２５及び各導電パッド１３４１〜１３４５の具体的な構成は、それぞれ、実施形態における導電パッド３２１〜３２５の具体的な構成と同様である。

シールドケース１０４は、天板１０４ａ、複数の側板１０４ｂ〜１０４ｄ、複数の爪部１０４ｅ，１０４ｆ，１０４ｇ及び複数の凸部１０４ｈ，１０４ｉ，１０４ｊ，１０４ｋ，１０４ｍを有する。複数の爪部１０４ｅ，１０４ｆ，１０４ｇは、基板１０３における複数の切り欠き部１３１１，１３１２，１３１３に対応している。各爪部１０４ｅ，１０４ｆ，１０４ｇは、シールドケース１０４の下端側（−Ｚ側の端部）から−Ｚ方向に延びた縦型で構成され得る。複数の凸部１０４ｈ，１０４ｉ，１０４ｊ，１０４ｋ，１０４ｍは、基板１０３における複数の導電パッド１３２１，１３２２，１３２３，１３２４，１３２５に対応している。各凸部１０４ｈ，１０４ｉ，１０４ｊ，１０４ｋ，１０４ｍは、シールドケース１０４の装着時に、対応する導電パッドに接触する。

なお、各爪部１０４ｅ，１０４ｆ，１０４ｇの具体的な構成は、実施形態における各爪部４ｅ，４ｆ，４ｇの具体的な構成と同様である。各凸部１０４ｈ，１０４ｉ，１０４ｊ，１０４ｋ，１０４ｍの具体的な構成は、実施形態における各凸部４ｈ，４ｉ，４ｊ，４ｋ，４ｍの具体的な構成と同様である。

シールドケース１０６は、天板１０６ａ、複数の側板１０６ｂ〜１０６ｄ、複数の爪部１０６ｅ，１０６ｆ，１０６ｇ及び複数の凸部１０６ｈ，１０６ｉ，１０６ｊ，１０６ｋ，１０６ｍを有する。複数の爪部１０６ｅ，１０６ｆ，１０６ｇは、基板１０３における複数の切り欠き部１３１１，１３１２，１３１３に対応している。各爪部１０６ｅ，１０６ｆ，１０６ｇは、シールドケース１０６の下端側（＋Ｚ側の端部）から＋Ｚ方向に延びた縦型で構成され得る。複数の凸部１０６ｈ，１０６ｉ，１０６ｊ，１０６ｋ，１０６ｍは、基板１０３における複数の導電パッド１３４１，１３４２，１３４３，１３４４，１３４５に対応している。各凸部１０６ｈ，１０６ｉ，１０６ｊ，１０６ｋ，１０６ｍは、シールドケース１０６の装着時に、対応する導電パッドに接触する。

なお、各爪部１０６ｅ，１０６ｆ，１０６ｇの具体的な構成は、実施形態における各爪部４ｅ，４ｆ，４ｇの具体的な構成の説明における＋Ｚと−Ｚとを入れ替えることで同様に説明され得る。各凸部１０６ｈ，１０６ｉ，１０６ｊ，１０６ｋ，１０６ｍの具体的な構成は、実施形態における各凸部４ｈ，４ｉ，４ｊ，４ｋ，４ｍの具体的な構成の説明における＋Ｚと−Ｚとを入れ替えることで同様に説明され得る。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１，１０１ 半導体装置
２，１０２−１〜１０２−４，１０５ 半導体部品
３，１０３ 基板
３ａ，１０３ａ 表面
４，１０４，１０６ シールドケース
４ａ，１０４ａ 天板
４ｂ，４ｃ，４ｄ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄ 側板
４ｃ１，１０４ｃ１ 凹面部
４ｅ，４ｆ，４ｇ，１０４ｅ，１０４ｆ，１０４ｇ，１０６ｅ，１０６ｆ，１０６ｇ 爪部
４ｈ，４ｉ，４ｊ，４ｋ，４ｍ，１０４ｈ，１０４ｉ，１０４ｊ，１０４ｋ，１０４ｍ，１０６ｈ，１０６ｉ，１０６ｊ，１０６ｋ，１０６ｍ 凸部
３１ 部品実装部
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ 辺
３２ コネクタ部
３２ａ，３２ｂ 切り欠き
３３ ネジ止め部
１０３ｂ 裏面
３１１，３１２，３１３，１３１１，１３１２，１３１３，１３３１，１３３２，１３３３ 切り欠き部
３２１，３２２，３２３，３２４，３２５，１３２１，１３２２，１３２３，１３２４，１３２５，１３４１，１３４２，１３４３，１３４４，１３４５ 導電パッド
３３１ 切り欠き
３３１ａ 部分

Claims (6)

1. 基板と、前記基板の主面に実装される半導体部品と、前記主面に装着されて前記半導体部品を覆うシールドケースとを備え、
   前記基板は、
   外縁に第１の切り欠き部及び第２の切り欠き部を有し、
   前記シールドケースは、
   天板と第１の側板と第２の側板と前記第１の側板の下端から前記基板に交差する方向に延びて前記第１の切り欠き部に嵌合する第１の爪部と、
   前記第２の側板の下端から前記基板に交差する方向に延びて前記第２の切り欠き部に嵌合する第２の爪部とを有する、
   半導体装置。
2. 前記第１の爪部の外面は、前記基板の外縁より内側に位置し、
   前記第２の爪部の外面は、前記基板の外縁より内側に位置する
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１の爪部の外面は、前記第１の側板の外面と連続した面を構成し、
   前記第２の爪部の外面は、前記第２の側板の外面と連続した面を構成する
   請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記基板の外縁は、第１の方向に延びた第１の辺と前記第１の方向に交差する第２の方向に延びた第２の辺とを有し、
   前記第１の切り欠き部は、前記第１の辺に配され、
   前記第２の切り欠き部は、前記第２の辺に配されている
   請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記基板は、第１の導電パッドをさらに有し、
   前記シールドケースは、前記第１の側板の下端から前記基板に交差する方向に延びて前記第１の導電パッドに接触する第１の凸部をさらに有する
   請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記基板は、第２の導電パッドをさらに有し、
   前記シールドケースは、前記第２の側板の下端から前記基板に交差する方向に延びて前記第２の導電パッドに接触する第２の凸部をさらに有する
   請求項５に記載の半導体装置。

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