JP2020151982A - サーマルプリントヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】抵抗体層の温度を精度よく検出すること。【解決手段】サーマルプリントヘッド１は、主面１１を有する基板１０と、基板１０の主面１１に形成されたガラス層２０と、ガラス層２０上に形成された電極層３０と、ガラス層２０上に形成され、電極層３０と電気的に接続された抵抗体層４０と、抵抗体層４０の温度を検出する温度検出部７０とを備える。温度検出部７０は、検出抵抗７１及び接続配線を有する。検出抵抗７１及び接続配線はそれぞれ、金属膜によって形成されている。【選択図】図４

Description

本開示は、サーマルプリントヘッドに関する。

サーマルプリントヘッドは、例えば感熱記録紙に印字するサーマルプリンタに搭載される。サーマルプリントヘッドの一例として、特許文献１のサーマルプリントヘッドは、基板と、基板の主面上に形成された電極層と、電極層上に形成された発熱抵抗体と、電極層及び発熱抵抗体を覆う保護層とを備える。サーマルプリントヘッドでは、電極層を介して通電された発熱抵抗体が発熱することによって、感熱記録紙に印字される。

特開２００２−１２７４８３号公報

ところで、発熱抵抗体の温度を検出する温度検出部としてチップ型のサーミスタが用いられる場合がある。チップ型のサーミスタは高さ寸法が大きいため、抵抗発熱体付近に配置すると、感熱記録紙と干渉してしまうおそれがある。このため、チップ型のサーミスタは、基板のうちの感熱記録紙と干渉しないように抵抗発熱体よりも副走査方向の下流側の端部に配置されている。その結果、チップ型のサーミスタは、抵抗発熱体の温度を精度よく検出できないおそれがある。

本発明の目的は、抵抗体層の温度を精度よく検出できるサーマルプリントヘッドを提供することにある。

上記課題を解決するサーマルプリントヘッドは、主面を有する基板と、前記基板の主面上に形成されたガラス層と、前記ガラス層上に形成された電極層と、前記ガラス層上に主走査方向に延びるように形成され、前記電極層と電気的に接続された抵抗体層と、前記基板の主面側に形成され、前記抵抗体層の温度を検出する温度検出部と、を備え、前記温度検出部は、検出抵抗及び接続配線を有し、前記検出抵抗及び前記接続配線はそれぞれ、金属膜によって形成されている。

この構成によれば、温度検出部の検出抵抗及び接続配線がそれぞれ金属膜によって形成されるため、チップ型の温度検出部と比較して、温度検出部の高さ寸法が小さくなる。これにより、温度検出部を抵抗体層の近くに配置しても感熱記録紙との干渉を抑制でき、温度検出部を抵抗体層の近くに配置することで温度検出部が抵抗体層の温度を精度よく検出できる。

上記サーマルプリントヘッドによれば、抵抗体層の温度を精度よく検出できる。

第１実施形態のサーマルプリントヘッドの模式平面図。 図１のサーマルプリントヘッドの一部の拡大図。 第１実施形態のサーマルプリントヘッドにおける図２の３−３線の断面図。 第１実施形態のサーマルプリントヘッドにおける図２の４−４線の断面図。 温度検出部の構成を示す平面図。 サーマルプリントヘッドの製造方法を示すフローチャート。 サーマルプリントヘッドの製造工程を示す説明図。 サーマルプリントヘッドの製造工程を示す説明図。 サーマルプリントヘッドの製造工程を示す説明図。 サーマルプリントヘッドの製造工程を示す説明図。 サーマルプリントヘッドの製造工程を示す説明図。 サーマルプリントヘッドの製造工程を示す説明図。 サーマルプリントヘッドの製造工程を示す説明図。 図４のサーマルプリントヘッドのグレーズ及びその周辺の拡大図。 第２実施形態のサーマルプリントヘッドの模式平面図。 図９の１０−１０線の断面図。 変更例のサーマルプリントヘッドについて、温度検出部及びその周辺の拡大図。 変更例のサーマルプリントヘッドについて、温度検出部及びその周辺の断面図。 変更例のサーマルプリントヘッドの模式平面図。 変更例のサーマルプリントヘッドの模式平面図。 変更例のサーマルプリントヘッドの模式平面図。 変更例のサーマルプリントヘッドについて、温度検出部及びその周辺の断面図。

以下、サーマルプリントヘッドの実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

本明細書において、「部材Ａが部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂとが物理的に直接的に接続される場合、並びに、部材Ａ及び部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。

（第１実施形態）
図１は、サーマルプリントヘッド１の模式平面図である。サーマルプリントヘッド１は、例えばバーコードシート及びレシートを作成するために感熱記録紙に対して印刷するサーマルプリンタに搭載される。図１に示すように、サーマルプリントヘッド１は、矩形板状に形成されたヘッド本体１Ａと、ヘッド本体１Ａに取り付けられたコネクタ１Ｂ，１Ｃとを備える。コネクタ１Ｂ，１Ｃは、サーマルプリントヘッド１をサーマルプリンタに組み込む際、サーマルプリンタ側のコネクタに接続される。

以降の説明において、サーマルプリントヘッド１の平面視（以下、単に「平面視」という）において、ヘッド本体１Ａの長辺方向を「主走査方向Ｘ」とし、ヘッド本体１Ａの短辺方向を「副走査方向Ｙ」とし、ヘッド本体１Ａの厚さ方向を「板厚方向Ｚ」とする。板厚方向Ｚは、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙと直交する方向である。平面視において、副走査方向Ｙは、感熱記録紙の搬送方向と一致する。また便宜上、基板１０の裏面１２（図３参照）から主面１１に向かう方向を「上方」とし、主面１１から裏面１２に向かう方向を「下方」とする。上方及び下方は、サーマルプリントヘッド１の姿勢等によって変更されるため、実際の製品の方向として定義するものではない。

ヘッド本体１Ａの副走査方向Ｙの上流側端部かつ主走査方向Ｘの一方の端部には、コネクタ１Ｂが接続されている。ヘッド本体１Ａの副走査方向Ｙの上流側端部かつ主走査方向Ｘの他方の端部には、コネクタ１Ｃが接続されている。なお、主走査方向Ｘにおけるコネクタ１Ｂ，１Ｃの位置は任意に変更可能である。また、１つのコネクタ又は３個以上のコネクタがヘッド本体１Ａに接続されていてもよい。

図１〜図４に示すように、ヘッド本体１Ａは、基板１０、ガラス層２０、電極層３０、抵抗体層４０、保護層５０、及び駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄを備える。また、図１及び図２では、便宜上、保護層５０を省略して示している。

基板１０は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などのセラミックからなり、例えばその厚さが０．６ｍｍ〜１．０ｍｍ程度とされる。基板１０は、主走査方向Ｘに長く延びる矩形板状である。基板１０は、板厚方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面１１及び裏面１２を有する。基板１０の主面１１には、ガラス層２０、電極層３０、抵抗体層４０、及び保護層５０が形成されている。基板１０の裏面１２には、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属からなる放熱板を設けてもよい。

ガラス層２０は、基板１０の主面１１上に形成されており、例えば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。ガラス層２０は、グレーズ２１、ダイボンディンググレーズ２２、中間ガラス層２３、及び先端ガラス層２４を有する。

グレーズ２１は、蓄熱層であって、平面視において主走査方向Ｘに延びる帯状に形成されている。本実施形態のグレーズ２１は、副走査方向Ｙ及び板厚方向Ｚに沿う平面で切った断面形状が板厚方向Ｚにおいて基板１０とは反対側に凸となる円弧状に形成された、いわゆる部分グレーズである。円弧状のグレーズ２１の曲率は、サーマルプリントヘッド１の用途に応じて適宜設定可能である。グレーズ２１の副走査方向Ｙのサイズは、例えば７００μｍ程度である。グレーズ２１の板厚方向Ｚのサイズは、例えば１８μｍ〜５０μｍ程度である。つまり、基板１０の主面１１からグレーズ２１の頂部２１Ａまでの板厚方向Ｚのサイズが５０μｍ程度である。グレーズ２１は、抵抗体層４０のうちの発熱する部分である発熱部４１（図２参照）を印刷対象である感熱記録紙に押し当てるために設けられている。

ダイボンディンググレーズ２２は、グレーズ２１に対して副走査方向Ｙの上流側に離間した位置で、グレーズ２１と平行に設けられた帯状に形成されている。ダイボンディンググレーズ２２は、電極層３０の一部及び駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄを支持している。ダイボンディンググレーズ２２の厚さは、例えば３０μｍ〜５０μｍ程度である。グレーズ２１及びダイボンディンググレーズ２２はそれぞれ、非晶質ガラスによって形成されている。グレーズ２１及びダイボンディンググレーズ２２のガラス材料の軟化点は、例えば８００℃〜８５０℃である。なお、ダイボンディンググレーズ２２を省略してもよい。

中間ガラス層２３は、副走査方向Ｙにおいて基板１０の主面１１のうちのグレーズ２１とダイボンディンググレーズ２２とに挟まれた領域を覆っている。中間ガラス層２３は、ガラス材料の軟化点が例えば６８０℃程度と、グレーズ２１及びダイボンディンググレーズ２２を形成するガラス材料よりも軟化点が低いガラス材料からなる。中間ガラス層２３の厚さは、例えば２．０μｍ程度である。先端ガラス層２４は、基板１０の主面１１のうちのグレーズ２１に対して副走査方向Ｙの下流側の領域の一部を覆っている。先端ガラス層２４は、中間ガラス層２３と同様の材質及び厚さである。中間ガラス層２３及び先端ガラス層２４はそれぞれ、基板１０の主面１１の凹凸をなくして電極層３０を積層し易くするために設けられている。

電極層３０は、抵抗体層４０に通電するための経路を構成するものであり、ガラス層２０上に形成されている。電極層３０は、例えば添加元素としてロジウム（Ｒｈ）、バナジウム（Ｖ）、ビスマス（Ｂｉ）、シリコン（Ｓｉ）などが添加された金（Ａｕ）レジネートペーストによって形成されている。電極層３０の厚さは特に限定されないが、例えば０．６μｍ〜１．２μｍ程度である。電極層３０は、共通電極３１及び複数（本実施形態では４個）の個別電極群３２Ａ〜３２Ｄを有する。なお、個別電極群３２Ａ〜３２Ｄの個数は任意に変更可能である。一例では、個別電極群は１〜３個のいずれかであってもよい。また個別電極群は、５個以上であってもよい。

図２に示すように、共通電極３１は、複数の第１帯状部３３及び連結部３４を有する。連結部３４は、グレーズ２１の一部と先端ガラス層２４上に形成されている。連結部３４の副走査方向Ｙの下流側端部は、先端ガラス層２４からはみ出さないように形成されている。本実施形態では、連結部３４は、ヘッド本体１Ａにおいてグレーズ２１よりも副走査方向Ｙの下流側の部分に形成されている。複数の第１帯状部３３は、主走査方向Ｘにおいて等ピッチで配列されている。複数の第１帯状部３３は、連結部３４からグレーズ２１の頂部２１Ａ（図３参照）よりも副走査方向Ｙの上流側の部分までにわたり形成されている。複数の第１帯状部３３の先端縁は、グレーズ２１のうちの副走査方向Ｙの上流側端縁よりも下流側に位置している。また図示していないが、共通電極３１は、個別電極群３２Ａ〜３２Ｄを迂回するように、連結部３４の主走査方向Ｘの一方の端部から副走査方向Ｙの上流側に延び、ダイボンディンググレーズ２２上に主走査方向Ｘに延びる部分を有する。

個別電極群３２Ａ〜３２Ｄはそれぞれ、複数の個別電極３２ｘからなる。個別電極群３２Ａ〜３２Ｄは、主走査方向Ｘにおいて、個別電極群３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄの順に配置されている。個別電極群３２Ａは、駆動ＩＣ６１Ａに電気的に接続されている。個別電極群３２Ｂは、駆動ＩＣ６１Ｂに電気的に接続されている。個別電極群３２Ｃは、駆動ＩＣ６１Ｃに電気的に接続されている。個別電極群３２Ｄは、駆動ＩＣ６１Ｄに電気的に接続されている。

個別電極３２ｘは、抵抗体層４０に対して部分的に通電するものであり、共通電極３１に対して逆極性となる部分である。個別電極３２ｘは、副走査方向Ｙにおいてグレーズ２１からダイボンディンググレーズ２２までにわたり延びる帯状に形成されている。個別電極３２ｘは、第２帯状部３５を有する。各第２帯状部３５の先端縁は、グレーズ２１のうちの副走査方向Ｙの下流側端縁よりも上流側に位置している。第２帯状部３５は、グレーズ２１上において主走査方向Ｘに隣り合う第１帯状部３３の間に配置されている。つまり、第１帯状部３３及び第２帯状部３５は、主走査方向Ｘにおいて交互に配置されている。第２帯状部３５は、第１帯状部３３の先端縁よりも副走査方向Ｙの上流側まで延びている。第２帯状部３５の先端縁は、グレーズ２１の頂部２１Ａよりも副走査方向Ｙの下流側かつグレーズ２１の副走査方向Ｙの下流側端縁よりも上流側に位置している。

個別電極３２ｘは、第２帯状部３５、第１部分３５Ａ、第２部分３５Ｂ、及び第３部分３５Ｃに区分できる。個別電極群３２Ａ〜３２Ｄのそれぞれにおける複数の個別電極３２ｘのうちの主走査方向Ｘの中央の個別電極３２ｘは、第２部分３５Ｂが省略され、第１部分３５Ａ及び第３部分３５Ｃに区分できる。

第１部分３５Ａは、第２帯状部３５における副走査方向Ｙの上流側の端部に接続された部分である。第１部分３５Ａは、第２帯状部３５から副走査方向Ｙの上流側に延びている。第１部分３５Ａの幅寸法（主走査方向Ｘの寸法）は、第２帯状部３５の幅寸法（主走査方向Ｘの寸法）よりも大きい。第１部分３５Ａの幅寸法は、第２部分３５Ｂの幅寸法よりも大きい。一例では、第１部分３５Ａの幅寸法は、主走査方向Ｘにおいて隣り合う第１帯状部３３の間の距離と等しい。

図２に示すように、第２部分３５Ｂは、第１部分３５Ａから副走査方向Ｙの上流側に向かうにつれて、個別電極群３２Ａにおける複数の個別電極３２ｘのうちの主走査方向Ｘの中央の個別電極３２ｘに向けて延びている。第２部分３５Ｂは、複数の個別電極３２ｘのうちの主走査方向Ｘの中央の個別電極３２ｘから離れるにつれて長くなる。

第３部分３５Ｃは、第２部分３５Ｂの副走査方向Ｙの上流側端部から上流側に向けて副走査方向Ｙに沿って延びている。第３部分３５Ｃは、個別電極群３２Ａにおける複数の個別電極３２ｘのうちの主走査方向Ｘの中央の個別電極３２ｘから離れるにつれて短くなる。

各個別電極３２ｘの副走査方向Ｙの上流側端部には、ボンディング部３６が設けられている。ボンディング部３６は、その幅寸法が個別電極３２ｘの第３部分３５Ｃの幅寸法よりも大きくなるように形成されている。複数のボンディング部３６は、主走査方向Ｘに間隔をあけて配列されている。本実施形態では、複数のボンディング部３６は、主走査方向Ｘに配列されたボンディング部３６が副走査方向Ｙに２列となるように設けられている。

図１及び図３に示すように、駆動ＩＣ６１Ａは、個別電極群３２Ａの複数の個別電極３２ｘを選択的に通電させることによって、抵抗体層４０のうちの個別電極群３２Ａに対応する複数の発熱部４１（図２参照）のいずれかを任意に発熱させる機能を有する。駆動ＩＣ６１Ｂは、個別電極群３２Ｂの複数の個別電極３２ｘを選択的に通電させることによって、抵抗体層４０のうちの個別電極群３２Ｂに対応する複数の発熱部４１のいずれかを任意に発熱させる機能を有する。駆動ＩＣ６１Ｃは、個別電極群３２Ｃの複数の個別電極３２ｘを選択的に通電させることによって、抵抗体層４０のうちの個別電極群３２Ｃに対応する複数の発熱部４１のいずれかを任意に発熱させる機能を有する。駆動ＩＣ６１Ｄは、個別電極群３２Ｄの複数の個別電極３２ｘを選択的に通電させることによって、抵抗体層４０のうちの個別電極群３２Ｄに対応する複数の発熱部４１のいずれかを任意に発熱させる機能を有する。

図１に示すように、本実施形態では、駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄが主走査方向Ｘに離間して配置されている。図３に示すように、駆動ＩＣ６１Ｂは、ダイボンディンググレーズ２２上に形成されている。より詳細には、ダイボンディンググレーズ２２上において駆動ＩＣ６１Ｂが配置される領域には、電極層３０の一部が形成されている。この電極層３０の一部上には、支持ガラス層２５が形成されている。支持ガラス層２５は、例えば非晶質ガラスからなる。駆動ＩＣ６１Ｂは、支持ガラス層２５上に配置されている。なお、駆動ＩＣ６１Ａ，６１Ｃ，６１Ｄについても駆動ＩＣ６１Ｂと同様に、ダイボンディンググレーズ２２上に形成されている。

駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄにはそれぞれ、複数のパッド（図示略）が形成されている。複数のパッドは、複数のワイヤ６２を介して個別電極３２ｘのボンディング部３６、又はダイボンディンググレーズ２２上に形成された電極層３０の一部であるパッドに接続されている。図１に示すように、駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄは、封止樹脂６３によって封止されている。

抵抗体層４０は、電極層３０を構成する材料よりも抵抗率が大きい材料、例えば酸化ルテニウムなどからなり、基板１０の主面１１上に形成されたグレーズ２１の頂部２１Ａにおいて、主走査方向Ｘに延びる帯状に形成されている。グレーズ２１の頂部２１Ａは、板厚方向Ｚにおいて基板１０の主面１１からグレーズ２１の表面までの高さが最も大きくなる箇所であり、本実施形態では、副走査方向Ｙにおけるグレーズ２１の中央に形成されている。抵抗体層４０は、ヘッド本体１Ａを副走査方向Ｙ及び板厚方向Ｚに沿う平面で切った断面において円弧状に形成されている。抵抗体層４０の厚さは特に限定されないが、厚膜印刷の場合、例えば６μｍ程度であり、薄膜形成技術の場合、例えば０．０５μｍ〜０．２μｍ程度である。本実施形態では、抵抗体層４０は、厚膜印刷によって形成されている。

抵抗体層４０は、グレーズ２１において、複数の第１帯状部３３及び複数の第２帯状部３５上で、複数の第１帯状部３３及び複数の第２帯状部３５にそれぞれ交差するように形成されている。図２に示すように、抵抗体層４０のうちの主走査方向Ｘにおいて各第１帯状部３３と各第２帯状部３５とに挟まれた部分が発熱部４１を構成している。発熱部４１は、電極層３０によって抵抗体層４０が部分的に通電されることによって発熱する部分である。発熱部４１の発熱によって感熱記録紙に印字ドットが形成される。

保護層５０は、少なくとも抵抗体層４０を保護するためのものである。保護層５０は、第１保護層５１及び第２保護層５２を有する。
第１保護層５１は、少なくとも抵抗体層４０の発熱部４１を覆っている。本実施形態では、第１保護層５１は、電極層３０の大部分を覆っている。具体的には、図３に示すように、第１保護層５１は、副走査方向Ｙにおいて、基板１０の下流側端縁の手前（例えば、副走査方向Ｙにおける基板１０の下流側端縁よりも０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ上流側）からダイボンディンググレーズ２２の中央付近までにわたる領域に形成されている。すなわち第１保護層５１は、抵抗体層４０及び電極層３０を保護している。第１保護層５１は、例えば非晶質ガラスからなる。第１保護層５１の厚さは特に限定されないが、例えば６μｍ〜８μｍ程度である。

第２保護層５２は、第１保護層５１上に形成されている。第２保護層５２は、副走査方向Ｙにおいて基板１０の下流側端部から中間ガラス層２３のうちのグレーズ２１側の端部付近までにわたる領域に形成されている。本実施形態では、第２保護層５２の副走査方向Ｙの下流側端縁は、第１保護層５１の副走査方向Ｙの下流側端縁よりも上流側となるように形成されている。第２保護層５２は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）又はチタン（Ｔｉ）を含むコーティング膜である。第２保護層５２の種類は、サーマルプリントヘッド１の用途又は感熱記録紙の材料に応じて変更してもよい。第２保護層５２の厚さは特に限定されないが、例えば６μｍ〜８μｍ程度である。一例では、第２保護層５２の厚さは、第１保護層５１の厚さよりも薄い。

図１、図２、及び図４に示すように、ヘッド本体１Ａは、抵抗体層４０付近の温度を検出する温度検出部７０を備える。温度検出部７０の一例は、抵抗温度センサである。温度検出部７０は、検出抵抗７１及び接続配線７２を有する。検出抵抗７１及び接続配線７２は、金属膜によって形成されている。検出抵抗７１及び接続配線７２はそれぞれ、基板１０の主面１１側に形成されている。本実施形態では、検出抵抗７１及び接続配線７２はそれぞれ、ガラス層２０上に形成されている。検出抵抗７１は、板厚方向Ｚにおいて電極層３０のうちの中間ガラス層２３に形成された部分と同じ位置となる。また接続配線７２は、板厚方向Ｚにおいて電極層３０の個別電極３２ｘと同じ位置となる。また、検出抵抗７１及び接続配線７２の一部はそれぞれ、保護層５０によって覆われている。接続配線７２のうちの封止樹脂６３によって覆われている部分は、保護層５０によって覆われていない。本実施形態では、検出抵抗７１及び接続配線７２はそれぞれ、第１保護層５１にそれぞれ覆われている。なお、検出抵抗７１は、第１保護層５１及び第２保護層５２に覆われていてもよい。この場合、接続配線７２のうちの検出抵抗７１側の端部は、第１保護層５１及び第２保護層５２に覆われている。

検出抵抗７１は、温度によって電気的特性（電気抵抗値）が変化する。検出抵抗７１は、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などによって形成されている。検出抵抗７１の厚さは特に限定されないが、例えば０．６μｍ〜２０μｍ程度である。本実施形態では、検出抵抗７１の厚さは、中間ガラス層２３の厚さ及び厚膜印刷された抵抗体層４０の厚さよりも薄い。検出抵抗７１の厚さは、電極層３０の厚さと等しい。なお、上記の検出抵抗７１の厚さの範囲の例示から分かるとおり、検出抵抗７１の厚さは、中間ガラス層２３の厚さ及び抵抗体層４０の厚さよりも厚くてもよい。

検出抵抗７１は、主走査方向Ｘにおいてヘッド本体１Ａの中央部に配置されている。検出抵抗７１は、主走査方向Ｘにおいて隣り合う個別電極群（図１及び図２では、主走査方向Ｘにおいて隣り合う個別電極群３２Ｂ，３２Ｃ）の間に配置されている。詳述すると、図２に示すように、検出抵抗７１は、主走査方向Ｘからみて、個別電極群３２Ｂ，３２Ｃのそれぞれの第２部分３５Ｂ及び第３部分３５Ｃと重なるように配置されている。検出抵抗７１は、副走査方向Ｙからみて、個別電極群３２Ｂの個別電極３２ｘのうちの主走査方向Ｘの個別電極群３２Ｃ側の端部の個別電極３２ｘと、個別電極群３２Ｃの個別電極３２ｘのうちの主走査方向Ｘの個別電極群３２Ｂ側の端部の個別電極３２ｘとに重なるように配置されている。

また、検出抵抗７１は、ヘッド本体１Ａにおいて駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄよりも副走査方向Ｙの下流側の部分に配置されている。すなわち検出抵抗７１は、副走査方向Ｙにおいて駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄよりも抵抗体層４０の近くに位置している。詳述すると、検出抵抗７１は、ヘッド本体１Ａにおける共通電極３１と駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄとの副走査方向Ｙの間の部分に配置されている。検出抵抗７１は、ヘッド本体１Ａにおいて共通電極３１と封止樹脂６３との副走査方向Ｙの間の部分に配置されている。すなわち検出抵抗７１は、中間ガラス層２３上に形成されている。検出抵抗７１は、副走査方向Ｙにおいて駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄよりも共通電極３１寄りとなるようにヘッド本体１Ａに配置されている。すなわち検出抵抗７１は、中間ガラス層２３においてダイボンディンググレーズ２２よりもグレーズ２１寄りに形成されている。ここで、検出抵抗７１が副走査方向Ｙにおいて駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄよりも共通電極３１寄りとは、図４に示すように、検出抵抗７１のうちの副走査方向Ｙの中央において板厚方向Ｚに延びる中心線ＬＤが駆動ＩＣ６１Ｃと共通電極３１の第１帯状部３３（図２参照）の先端縁との間の中央において板厚方向Ｚに延びる中心線ＬＸよりも副走査方向Ｙの下流側に位置することである。なお、図４には図示していないが、中心線ＬＤは、駆動ＩＣ６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｄと共通電極３１の第１帯状部３３の先端縁との間の中央において板厚方向Ｚに延びる中心線ＬＸよりも副走査方向Ｙの下流側に位置している。本実施形態では、検出抵抗７１の全体が中心線ＬＸよりも副走査方向Ｙの下流側に位置している。また検出抵抗７１がダイボンディンググレーズ２２よりもグレーズ２１寄りとは、検出抵抗７１の中心線ＬＤがグレーズ２１とダイボンディンググレーズ２２との副走査方向Ｙの中央において板厚方向Ｚに延びる中心線ＬＧよりも副走査方向Ｙの下流側に位置することである。

図５に示すように、平面視において、検出抵抗７１は、帯状で蛇行した形状として形成されている。詳述すると、検出抵抗７１は、主走査方向Ｘに延びる複数の第１抵抗部７１Ａと、副走査方向Ｙに延び、副走査方向Ｙに隣り合う第１抵抗部７１Ａの端部同士を接続する複数の第２抵抗部７１Ｂとを有する。複数の第１抵抗部７１Ａは、副走査方向Ｙに間隔をあけて配列されている。本実施形態では、複数の第１抵抗部７１Ａは、等ピッチで配列されている。また本実施形態では、第１抵抗部７１Ａの幅寸法と第２抵抗部７１Ｂの幅寸法とが互いに等しくなるように第１抵抗部７１Ａ及び第２抵抗部７１Ｂがそれぞれ形成されている。第１抵抗部７１Ａの幅寸法及び第２抵抗部７１Ｂの幅寸法はそれぞれ、個別電極３２ｘの第２帯状部３５における第２部分３５Ｂ及び第３部分３５Ｃの幅寸法よりも小さい。また、第１抵抗部７１Ａの幅寸法及び第２抵抗部７１Ｂの幅寸法はそれぞれ、第１配線７３の幅寸法及び第２配線７４の幅寸法と等しい。

本実施形態では、平面視において、検出抵抗７１が形成される領域ＲＤは、副走査方向Ｙが短辺方向となり、主走査方向Ｘが長辺方向となる矩形状である。また、本実施形態では、平面視において、領域ＲＤの主走査方向ＸのサイズＳＸは、１ｍｍ〜１０ｍｍ程度であり、副走査方向ＹのサイズＳＹは、１ｍｍ〜５ｍｍ程度である。なお、領域ＲＤの主走査方向Ｘのサイズ及び副走査方向Ｙのサイズは、ヘッド本体１Ａにおける検出抵抗７１の配置可能な領域の大きさに応じて変更可能である。

接続配線７２は、検出抵抗７１とコネクタ１Ｂとを電気的に接続している。接続配線７２は、例えば添加元素としてロジウム（Ｒｈ）、バナジウム（Ｖ）、ビスマス（Ｂｉ）、シリコン（Ｓｉ）などが添加された金（Ａｕ）レジネートペーストによって形成されている。このように、本実施形態では、接続配線７２を構成する材料は、検出抵抗７１を構成する材料とは異なる。接続配線７２の厚さは特に限定されないが、例えば０．６μｍ〜２０μｍ程度である。本実施形態では、接続配線７２の厚さは、中間ガラス層２３の厚さ及び厚膜印刷された抵抗体層４０の厚さよりも薄い。接続配線７２の厚さは、電極層３０の厚さと等しい。また接続配線７２の厚さは、検出抵抗７１の厚さと等しい。接続配線７２は、第１配線７３及び第２配線７４を有する。なお、上記の接続配線７２の厚さの範囲の例示から分かるとおり、接続配線７２の厚さは、中間ガラス層２３の厚さ及び抵抗体層４０の厚さよりも厚くてもよい。

第１配線７３は、検出抵抗７１の副走査方向Ｙの下流側端部とコネクタ１Ｂとを繋ぐ配線である。第１配線７３は、第１端部７３Ａ、第１部分７３Ｂ、第２部分７３Ｃ、第３部分７３Ｄ、第４部分７３Ｅ、及び第２端部（図示略）に区分できる。第１端部７３Ａは、検出抵抗７１のうちの副走査方向Ｙの最下流側の第１抵抗部７１Ａにおいてその第１抵抗部７１Ａに接続された第２抵抗部７１Ｂとは反対側の端部に接続されている。第１抵抗部７１Ａの端部は、第１配線７３の第１端部７３Ａ上に形成されている。第１部分７３Ｂは、第１端部７３Ａから主走査方向Ｘにおいて検出抵抗７１から離れる方向に向かうにつれて副走査方向Ｙの上流側に延びている。第２部分７３Ｃは、第１部分７３Ｂの副走査方向Ｙの上流側端部から副走査方向Ｙに沿って上流側に延びている。第２部分７３Ｃは、封止樹脂６３において駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄ（ともに図１参照）よりも副走査方向Ｙの上流側かつ封止樹脂６３の副走査方向Ｙの上流側端縁よりも副走査方向Ｙの下流側まで延びている。第３部分７３Ｄは、第２部分７３Ｃの副走査方向Ｙの上流側端部から主走査方向Ｘに延びている。第４部分７３Ｅは、第３部分７３Ｄと第１配線７３の第２端部とを繋ぐ部分であり、第３部分７３Ｄにおいて第２部分７３Ｃ側とは反対側の端部から副走査方向Ｙに沿って上流側に延びている。第１配線７３の第２端部は、コネクタ１Ｂと接続される部分である。

第２配線７４は、検出抵抗７１の副走査方向Ｙの上流側端部とコネクタ１Ｂとを繋ぐ配線である。第２配線７４は、第１端部７４Ａ、第１部分７４Ｂ、第２部分７４Ｃ、第３部分７４Ｄ、及び第２端部（図示略）に区分できる。第１端部７４Ａは、検出抵抗７１のうちの副走査方向Ｙの最上流側の第１抵抗部７１Ａにおいてその第１抵抗部７１Ａに接続された第２抵抗部７１Ｂとは反対側の端部に接続されている。第１抵抗部７１Ａの端部は、第２配線７４の第１端部７４Ａ上に形成されている。第１部分７４Ｂは、第１端部７４Ａから副走査方向Ｙに沿って副走査方向Ｙの上流側に延びている。第１部分７４Ｂは、封止樹脂６３において駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄよりも副走査方向Ｙの上流側かつ封止樹脂６３の副走査方向Ｙの上流側端縁よりも副走査方向Ｙの下流側まで延びている。第２部分７４Ｃは、第１部分７４Ｂの副走査方向Ｙの上流側端部から主走査方向Ｘに延びている。第３部分７４Ｄは、第２部分７４Ｃと第２配線７４の第２端部とを繋ぐ部分であり、第２部分７４Ｃにおいて第１部分７４Ｂ側とは反対側の端部から副走査方向Ｙの上流側に延びている。本実施形態では、第２部分７４Ｃは、第１配線７３の第２部分７３Ｃよりも副走査方向Ｙの上流側に配置されている。第２端部は、第１配線７３のコネクタ１Ｂと接続される部分である。なお、図５では、便宜上、電極層３０、保護層５０、封止樹脂６３、及び駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄを省略して示している。

次に、図６及び図７Ａ〜図７Ｇを参照して、サーマルプリントヘッド１の製造方法について説明する。
図６に示すように、サーマルプリントヘッド１の製造方法は、ガラス層形成工程（ステップＳ１０）、電極層形成工程（ステップＳ２０）、温度検出部形成工程（ステップＳ３０）、抵抗体層形成工程（ステップＳ４０）、保護層形成工程（ステップＳ５０）、駆動ＩＣ実装工程（ステップＳ６０）、駆動ＩＣ封止工程（ステップＳ７０）、及びコネクタ取付工程（ステップＳ８０）を有する。

図７Ａに示すように、ガラス層形成工程では、基板１０の主面１１にガラス層２０を形成する。具体的には、まず、基板１０の主面１１にグレーズ２１及びダイボンディンググレーズ２２を形成する。グレーズ２１及びダイボンディンググレーズ２２はそれぞれ、非晶質ガラスのペーストを基板１０の主面１１に厚膜印刷した後に、厚膜印刷されたペーストを例えば８００℃〜８５０℃で焼成することによって形成される。次に、基板１０の主面１１に中間ガラス層２３及び先端ガラス層２４を形成する。中間ガラス層２３及び先端ガラス層２４はそれぞれ、非晶質ガラスを含むペーストを基板１０の主面１１に厚膜印刷した後、厚膜印刷されたペーストを例えば７９０℃〜８００℃で焼成することによって形成される。

図７Ｂに示すように、電極層形成工程では、ガラス層形成工程で形成されたガラス層２０上に電極層３０を形成する。電極層３０は、例えば添加元素としてロジウム（Ｒｈ）、バナジウム（Ｖ）、ビスマス（Ｂｉ）、シリコン（Ｓｉ）などが添加された金（Ａｕ）レジネートペーストを厚膜印刷した後、厚膜印刷されたペーストを焼成することによって形成される。加えて、電極層形成工程では、ガラス層２０上に温度検出部７０の接続配線７２（図１又は図５参照）を形成する。すなわち、接続配線７２は、電極層３０と同様に、例えば添加元素としてロジウム、バナジウム、ビスマス、シリコンなどが添加された金レジネートペーストを厚膜印刷した後、厚膜印刷されたペーストを焼成することによって形成される。

図７Ｃに示すように、温度検出部形成工程では、ガラス層２０上に温度検出部７０を形成する。具体的には、温度検出部形成工程では、温度検出部７０の検出抵抗７１をガラス層２０の中間ガラス層２３上に形成する。検出抵抗７１は、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などを含むペーストを厚膜印刷した後、厚膜印刷されたペーストを焼成することによって形成される。

図７Ｄに示すように、抵抗体層形成工程では、グレーズ２１の頂部２１Ａ上に抵抗体層４０を形成する。抵抗体層４０は、酸化ルテニウムを含むペーストを、電極層３０の共通電極３１の複数の第１帯状部３３及び複数の個別電極３２ｘの第２帯状部３５を跨るように厚膜印刷した後、厚膜印刷されたペーストを焼成することによって形成される。

図７Ｅに示すように、保護層形成工程では、ガラス層２０上に抵抗体層４０、電極層３０の一部、及び温度検出部７０を覆う保護層５０を形成する。具体的には、まず第１保護層５１を形成する。第１保護層５１は、非晶質ガラスを含むペーストをガラス層２０上において抵抗体層４０、電極層３０の一部、及び温度検出部７０を覆うように厚膜印刷した後、厚膜印刷されたペーストを焼成することによって形成される。次に、第２保護層５２を形成する。第２保護層５２は、例えば所望の領域を露出するマスクを形成した後、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）又はチタン（Ｔｉ）を用いたスパッタ法又はＣＶＤ法を施すことによって形成されている。なお、第１保護層５１は、例えば所望の領域を露出するマスクを形成した後、例えば非晶質ガラスを用いたスパッタ法又はＣＶＤ法を施すことによって形成されてもよい。

図７Ｆに示すように、駆動ＩＣ実装工程では、まずダイボンディンググレーズ２２上に形成された電極層３０の一部上に支持ガラス層２５を形成する。支持ガラス層２５は、例えば非晶質ガラスのペーストを、ダイボンディンググレーズ２２上に形成された電極層３０の一部上に厚膜印刷し、厚膜印刷されたペーストを焼成することによって形成される。次に、支持ガラス層２５上に駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄがそれぞれ実装される。支持ガラス層２５と駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄとは例えば半田等の接合材料によって接合される。次に、駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄのそれぞれのパッドと個別電極３２ｘのボンディング部３６及びダイボンディンググレーズ２２上に形成された電極層３０の一部であるパッドとのそれぞれに例えばワイヤボンディングによって接続される。

図７Ｇに示すように、駆動ＩＣ封止工程では、ワイヤボンディングによって形成されたワイヤ６２及び駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄを封止樹脂６３によって覆う。封止樹脂６３は、例えば黒色の絶縁性樹脂からなる。

コネクタ取付工程では、基板１０の主面１１における主走査方向Ｘの一方の端部かつ副走査方向Ｙの上流側端部にコネクタ１Ｂを取り付け、主面１１における主走査方向Ｘの他方の端部かつ副走査方向Ｙの上流側端部にコネクタ１Ｃを取り付ける。以上の工程によって、サーマルプリントヘッド１が製造される。

図８を参照して、本実施形態の作用について説明する。
温度検出部として、チップ型のサーミスタが従来から用いられている。チップ型のサーミスタの高さ寸法は、例えば１．１ｍｍ程度である。このため、チップ型のサーミスタが基板１０の主面１１に実装される場合、基板１０の主面１１からチップ型のサーミスタの上面までの高さ寸法（板厚方向Ｚの寸法）は、保護層５０のうちのグレーズ２１の頂部２１Ａを覆う部分の基板１０の主面１１からの高さ寸法（板厚方向Ｚの寸法）よりも大きい。このため、チップ型のサーミスタは、副走査方向Ｙにおいてグレーズ２１の近くに実装されると、感熱記録紙Ｐの搬送時に感熱記録紙Ｐと干渉してしまう場合がある。

この点に鑑みて、本実施形態の温度検出部７０は、金属膜からなる検出抵抗７１及び接続配線７２を有する。検出抵抗７１及び接続配線７２のそれぞれの高さ寸法は、例えば０．６μｍ〜２０μｍ程度である。検出抵抗７１を覆う第１保護層５１の厚さが６μｍ〜８μｍ程度であるため、抵抗体層４０の近くに配置された検出抵抗７１及び検出抵抗７１を覆う第１保護層５１の合計の厚さは、３０μｍ程度である。このように、本実施形態の温度検出部７０の高さ寸法は、チップ型のサーミスタの高さ寸法と比較して、十分に小さい。このため、図８に示すように、温度検出部７０を副走査方向Ｙにおいて抵抗体層４０付近に配置したとしても、ゴムローラ２００によって感熱記録紙Ｐが搬送される場合に温度検出部７０が感熱記録紙Ｐと干渉することが抑制される。

本実施形態のサーマルプリントヘッド１によれば、以下の効果が得られる。
（１−１）サーマルプリントヘッド１は、抵抗体層４０の温度を検出するための温度検出部７０を有する。温度検出部７０の検出抵抗７１及び接続配線７２はそれぞれ、金属膜からなる。この構成によれば、チップ型の温度検出部と比較して、温度検出部７０の高さ寸法（板厚方向Ｚの寸法）が小さくなるため、温度検出部７０を抵抗体層４０の近くに配置しても感熱記録紙Ｐとの干渉を抑制できる。その結果、温度検出部７０が抵抗体層４０の温度を精度よく検出できる。

（１−２）検出抵抗７１は、個別電極群３２Ａ〜３２Ｄの個別電極３２ｘへの通電を制御する駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄよりも副走査方向Ｙの下流側に配置されている。この構成によれば、温度検出部７０が抵抗体層４０の近くに配置されることにより、温度検出部７０の抵抗体層４０の温度の検出精度が高くなる。

（１−３）検出抵抗７１は、副走査方向Ｙにおいて駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄよりも抵抗体層４０寄りに配置されている。この構成によれば、温度検出部７０が抵抗体層４０のより近くに配置されることにより、温度検出部７０の抵抗体層４０の温度の検出精度がより高くなる。

（１−４）個別電極群３２Ａ〜３２Ｄの個別電極３２ｘでは、副走査方向Ｙにおいて駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄのそれぞれに対向するようにボンディング部３６を副走査方向Ｙに２列となるように配列するため、ボンディング部３６と駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄのそれぞれのパッドとを接続するワイヤ６２の長さを短くできる。このため、個別電極群３２Ａ〜３２Ｄにおいて個別電極３２ｘが形成される領域は、副走査方向Ｙの上流側に向けて主走査方向Ｘのサイズが小さくなる。その結果、主走査方向Ｘに隣り合う個別電極群３２Ｂ，３２Ｃの間には、複数の個別電極３２ｘが形成されない領域が形成されている。本実施形態の検出抵抗７１は、主走査方向Ｘにおいて隣り合う個別電極群３２Ｂ，３２Ｃの間、すなわち複数の個別電極３２ｘが形成されない領域に配置されている。このため、検出抵抗７１を抵抗体層４０の近くに配置できる。

（１−５）検出抵抗７１は、帯状で蛇行した形状として形成されている。この構成によれば、検出抵抗７１の抵抗値を大きくすることによって、検出抵抗７１の温度変化による抵抗値の変動量も大きくなる。したがって、抵抗体層４０の温度変化をより正確に検出できる。

（１−６）温度検出部７０は、ガラス層２０上に形成されている。この構成によれば、電極層３０が形成されるガラス層２０上に温度検出部７０が形成されるため、例えば基板１０の裏面１２側に温度検出部７０が形成される構成と比較して、ヘッド本体１Ａを板厚方向Ｚに小型化できる。

（１−７）温度検出部７０は、保護層５０によって覆われている。より詳細には、温度検出部７０の検出抵抗７１及び接続配線７２の一部は、保護層５０によって覆われている。この構成によれば、温度検出部７０が保護層５０とは異なる膜によって覆われる構成と比較して、保護層形成工程によって温度検出部７０を覆う膜を形成できるため、温度検出部７０を覆う専用の膜を形成する工程を省略できる。したがって、サーマルプリントヘッド１の製造コストの増加を抑制できる。

（１−８）サーマルプリントヘッド１の製造方法では、電極層形成工程において電極層３０と接続配線７２とが同時に形成される。このため、電極層形成工程とは別に接続配線を形成する工程を有する場合と比較して、サーマルプリントヘッド１の製造工程が簡略化される。したがって、サーマルプリントヘッド１の製造コストの増加を抑制できる。

（１−９）検出抵抗７１が抵抗体層４０よりも副走査方向Ｙの下流側に配置される場合、ヘッド本体１Ａの副走査方向Ｙの下流側端部に検出抵抗７１を配置するためのスペースが必要となり、ヘッド本体１Ａの副走査方向Ｙのサイズを大きくする必要がある。その点、本実施形態では、検出抵抗７１は、抵抗体層４０よりも副走査方向Ｙの上流側に配置されている。このため、ヘッド本体１Ａの副走査方向Ｙのサイズの大型化を抑制できる。

（第２実施形態）
図９及び図１０を参照して、第２実施形態のサーマルプリントヘッド１について説明する。本実施形態のサーマルプリントヘッド１は、第１実施形態のサーマルプリントヘッド１と比較して、平面視における温度検出部７０の形状が異なる。以下の説明において、第１実施形態のサーマルプリントヘッド１と同じ構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

図９に示すように、本実施形態の温度検出部７０の検出抵抗７１は、ヘッド本体１Ａにおいて抵抗体層４０よりも副走査方向Ｙの下流側の部分に配置されている。より詳細には、検出抵抗７１は、ヘッド本体１Ａにおいて共通電極３１よりも副走査方向Ｙの下流側の部分に配置されている。すなわち、検出抵抗７１は、先端ガラス層２４上に形成されている（図９参照）。副走査方向Ｙにおいて検出抵抗７１と抵抗体層４０との間の距離ＤＹ１は、副走査方向Ｙにおいて抵抗体層４０と駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄとの間の距離ＤＹ２よりも小さい。

本実施形態の検出抵抗７１は、主走査方向Ｘに一直線に延びている。検出抵抗７１の主走査方向Ｘの長さは、抵抗体層４０の主走査方向Ｘの長さと等しい。ここで、検出抵抗７１の主走査方向Ｘの長さが抵抗体層４０の主走査方向Ｘの長さと等しいとは、検出抵抗７１の主走査方向Ｘの長さと抵抗体層４０の主走査方向Ｘの長さとの差の絶対値が検出抵抗７１の主走査方向Ｘの長さの５％以下である。なお、検出抵抗７１の主走査方向Ｘの長さは任意に変更可能である。検出抵抗７１の主走査方向Ｘの長さは、抵抗体層４０の主走査方向Ｘの長さよりも長くてもよいし、短くてもよい。

図１０に示すように、検出抵抗７１は、保護層５０の第１保護層５１によって覆われている。なお、検出抵抗７１は、第１保護層５１及び第２保護層５２によって覆われていてもよい。

図９に示すように、接続配線７２は、抵抗体層４０を迂回するように延びている。また接続配線７２は、個別電極群３２Ａ〜３２Ｄを迂回するように延びている。具体的には、検出抵抗７１の主走査方向Ｘの一方側の端部に接続される第１配線７３は、ヘッド本体１Ａにおいて抵抗体層４０及び個別電極群３２Ａよりも主走査方向Ｘの一方側の部分に配置され、抵抗体層４０及び個別電極群３２Ａよりも副走査方向Ｙの上流側に延びている。そして第１配線７３は、ヘッド本体１Ａの主走査方向Ｘの一方側の端部に接続されたコネクタ１Ｂに接続されている。検出抵抗７１の主走査方向Ｘの他方側の端部に接続される第２配線７４は、ヘッド本体１Ａにおいて抵抗体層４０及び個別電極群３２Ｄよりも主走査方向Ｘの他方側の部分に配置され、抵抗体層４０及び個別電極群３２Ｄよりも副走査方向Ｙの上流側に延びている。そして第２配線７４は、ヘッド本体１Ａの主走査方向Ｘの他方側の端部に接続されたコネクタ１Ｃに接続されている。また、図９及び図１０では図示していないが、第１配線７３及び第２配線７４はそれぞれ、ガラス層２０の先端ガラス層２４、グレーズ２１、中間ガラス層２３、及びダイボンディンググレーズ２２にわたり形成されている。

本実施形態のサーマルプリントヘッド１によれば、第１実施形態の（１−１）の効果に加え、以下の効果が得られる。
（２−１）検出抵抗７１は、ヘッド本体１Ａにおける抵抗体層４０よりも副走査方向Ｙの下流側の部分に配置されている。この構成によれば、副走査方向Ｙにおいて検出抵抗７１が例えば駆動ＩＣ６１Ａ〜６１Ｄと同じ位置に配置される場合と比較して、温度検出部７０が抵抗体層４０の近くに配置されることにより、温度検出部７０の抵抗体層４０の温度の検出精度が高くなる。また、検出抵抗７１がヘッド本体１Ａにおいて主走査方向Ｘに隣り合う個別電極群の間の部分に配置される場合と比較して、検出抵抗７１を配置するための主走査方向Ｘのスペースを確保できる。

（２−２）主走査方向Ｘにおいて、検出抵抗７１の長さは、抵抗体層４０の長さと等しい。この構成によれば、検出抵抗７１は、抵抗体層４０の全体的な温度を検出できる。このため、複数の個別電極３２ｘのうちの一部の個別電極３２ｘの通電に伴い抵抗体層４０が局所的に発熱しても検出抵抗７１によって抵抗体層４０の温度を検出できる。

（変更例）
上記各実施形態は本開示に関するサーマルプリントヘッドが取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するサーマルプリントヘッドは上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記各実施形態の形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

・上記第１実施形態のサーマルプリントヘッド１に、上記第２実施形態の温度検出部７０を追加してもよい。
・上記第１実施形態において、平面視における検出抵抗７１の形状は任意に変更可能である。一例では、図１１に示すように、検出抵抗７１は、第１抵抗部７１Ａが副走査方向Ｙに沿って延び、第２抵抗部７１Ｂが主走査方向Ｘに沿って延びる構成であってもよい。この場合、第１抵抗部７１Ａは、主走査方向Ｘに間隔をあけて配列されている。第２抵抗部７１Ｂは、主走査方向Ｘにおいて隣り合う第１抵抗部７１Ａの副走査方向Ｙの上流側の端部同士、又は主走査方向Ｘにおいて隣り合う第１抵抗部７１Ａの副走査方向Ｙの下流側の端部同士を接続している。図１１では、検出抵抗７１が形成される領域ＲＤの副走査方向ＹのサイズＳＹが主走査方向ＸのサイズＳＸよりも大きい。

なお、第１抵抗部７１Ａ及び第２抵抗部７１Ｂはそれぞれ、主走査方向Ｘに沿って延びたり、副走査方向Ｙに沿って延びたりすることに限られず、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙに対して傾斜する方向に延びてもよい。また領域ＲＤのサイズＳＸ，ＳＹは任意に変更可能である。領域ＲＤの主走査方向ＸのサイズＳＸが副走査方向ＹのサイズＳＹ以上であってもよい。

・上記第１実施形態において、検出抵抗７１は、保護層５０上に形成されてもよい。一例では、図１２に示すように、検出抵抗７１は、第１保護層５１上に形成されている。この場合、検出抵抗７１は、例えば絶縁層７５によって覆われている。絶縁層７５は、例えば中間ガラス層２３に対応する部分を覆っている。絶縁層７５の一例は、ポリイミドを含む。絶縁層７５の厚さは第１保護層５１の厚さと等しい。なお、絶縁層７５の厚さは任意に変更可能である。絶縁層７５の厚さは、第２保護層５２の厚さと等しくてもよいし、第１保護層５１の厚さよりも厚くてもよい。

・上記第１実施形態において、サーマルプリントヘッド１は、複数の温度検出部７０を有してもよい。一例では、図１３に示すように、３個の温度検出部７０Ｘ，７０Ｙ，７０Ｚが主走査方向Ｘに間隔をあけて配置されている。温度検出部７０Ｘは、ヘッド本体１Ａのうちの主走査方向Ｘにおける個別電極群３２Ａと個別電極群３２Ｂとの間の部分に配置されている。温度検出部７０Ｙは、ヘッド本体１Ａのうちの主走査方向Ｘにおける個別電極群３２Ｂと個別電極群３２Ｃとの間の部分に配置されている。温度検出部７０Ｚは、ヘッド本体１Ａのうちの主走査方向Ｘにおける個別電極群３２Ｃと個別電極群３２Ｄとの間の部分に配置されている。温度検出部７０Ｘ，７０Ｙは、コネクタ１Ｂと電気的に接続され、温度検出部７０Ｚは、コネクタ１Ｃと電気的に接続されている。なお、温度検出部７０Ｙは、コネクタ１Ｃと電気的に接続されてもよい。

・上記第１実施形態において、検出抵抗７１が形成される領域ＲＤの主走査方向Ｘのサイズ及び副走査方向Ｙのサイズはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、領域ＲＤの主走査方向Ｘのサイズが副走査方向Ｙのサイズよりも大きくてもよい。領域ＲＤの主走査方向Ｘのサイズが副走査方向Ｙのサイズと等しくてもよい。

・上記第１実施形態において、検出抵抗７１の第１抵抗部７１Ａ及び第２抵抗部７１Ｂの幅寸法はそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、第１抵抗部７１Ａの幅寸法及び第２抵抗部７１Ｂの幅寸法の少なくとも一方は、共通電極３１の第１帯状部３３の幅寸法及び個別電極３２ｘの第２帯状部３５の幅寸法以上であってもよい。また第１抵抗部７１Ａの幅寸法及び第２抵抗部７１Ｂの幅寸法の少なくとも一方は、接続配線７２の幅寸法よりも小さくてもよいし、接続配線７２の幅寸法よりも大きくてもよい。

・上記第２実施形態において、図１４に示すように、検出抵抗７１は、主走査方向Ｘに延びる２本の第１抵抗部７１Ａと、これら第１抵抗部７１Ａを接続する第２抵抗部７１Ｂとを有する構成であってもよい。一例では、第２抵抗部７１Ｂは、主走査方向Ｘの他方側（コネクタ１Ｃ側）が凸湾曲となるＵ字状に形成されている。接続配線７２は、主走査方向Ｘの一方側（コネクタ１Ｂ側）に形成され、コネクタ１Ｂに電気的に接続されている。この構成によれば、検出抵抗７１の長さを長くすることができる。これにより、検出抵抗７１の抵抗値が大きくなるため、検出抵抗７１の温度変化による抵抗値の変動量も大きくなる。したがって、抵抗体層４０の温度変化をより正確に検出できる。

・上記第２実施形態において、検出抵抗７１の数は１個であったが、これに限られず、任意に変更可能である。例えば複数の検出抵抗７１が接続配線７２によって直列に接続された構成であってもよい。一例では、図１５に示すように、４個の検出抵抗７１Ｗ，７１Ｘ，７１Ｙ，７１Ｚが３つの接続配線７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃによって直列に接続されている。詳述すると、主走査方向Ｘにおいて第１配線７３から第２配線７４に向けて検出抵抗７１Ｗ、検出抵抗７１Ｘ、検出抵抗７１Ｙ、及び検出抵抗７１Ｚの順に配置されている。検出抵抗７１Ｗ〜７１Ｚのそれぞれは、主走査方向Ｘに延びている。図１５では、検出抵抗７１Ｗ〜７１Ｚの主走査方向Ｘの長さはそれぞれ、互いに等しい。検出抵抗７１Ｗの第１端部は第１配線７３に接続され、検出抵抗７１Ｗの第２端部は接続配線７６Ａに接続されている。検出抵抗７１Ｘの第１端部は接続配線７６Ａに接続され、検出抵抗７１Ｘの第２端部は接続配線７６Ｂに接続されている。検出抵抗７１Ｙの第１端部は接続配線７６Ｂに接続され、検出抵抗７１Ｙの第２端部は接続配線７６Ｃに接続されている。検出抵抗７１Ｚの第１端部は接続配線７６Ｃに接続され、検出抵抗７１Ｚの第２端部は第２配線７４に接続されている。接続配線７６Ａ〜７６Ｃはそれぞれ、主走査方向Ｘに延びている。

なお、検出抵抗７１Ｗ〜７１Ｘの主走査方向Ｘの長さはそれぞれ、任意に変更可能である。検出抵抗７１Ｗ〜７１Ｘのうちの１つ〜３つの主走査方向Ｘの長さが残りの検出抵抗の主走査方向Ｘの長さと異なってもよい。また検出抵抗の個数は任意に変更可能である。要するに、複数の検出抵抗が直列に接続された構成であればよい。

・上記第２実施形態において、図１６に示すように、検出抵抗７１は、平面視において共通電極３１の連結部３４と重なるように配置されてもよい。この場合、共通電極３１の連結部３４には、絶縁層７７が形成されている。絶縁層７７の一例は、非晶質ガラスを含む。なお、絶縁層７７は、非晶質ガラスに代えてポリイミドを含んでもよい。検出抵抗７１は、絶縁層７７上に形成されている。第１保護層５１は、検出抵抗７１及び絶縁層７７を覆うように形成されている。絶縁層７７の副走査方向Ｙの寸法は、検出抵抗７１の副走査方向Ｙの寸法以上かつ共通電極３１の連結部３４の副走査方向Ｙの寸法以下の範囲において任意に変更可能である。

・上記第２実施形態において、検出抵抗７１の幅寸法（副走査方向の寸法）は任意に変更可能である。一例では、検出抵抗７１の幅寸法は、共通電極３１の第１帯状部３３の幅寸法及び個別電極３２ｘの第２帯状部３５の幅寸法以上であってもよい。また検出抵抗７１の幅寸法は、接続配線７２の幅寸法よりも小さくてもよいし、接続配線７２の幅寸法よりも大きくてもよい。

・上記各実施形態において、接続配線７２の幅寸法は任意に変更可能である。一例では、接続配線７２の幅寸法は、共通電極３１の第１帯状部３３の幅寸法及び個別電極３２ｘの第２帯状部３５の幅寸法以上であってもよい。また接続配線７２の幅寸法は、検出抵抗７１の幅寸法よりも小さくてもよいし、検出抵抗７１の幅寸法よりも大きくてもよい。

・上記各実施形態において、保護層５０から第２保護層５２を省略してもよい。
・上記各実施形態では、グレーズ２１として部分グレーズが形成されているが、グレーズ２１の種類はこれに限定されない。グレーズ２１は、例えば、薄グレーズ、ダブルパーシャルグレーズ、ファイングレーズ、及びスーパーファイングレーズのいずれかとして形成されてもよい。

・上記各実施形態において、電極層形成工程とは異なる工程で接続配線７２を形成してもよい。一例では、温度検出部形成工程において、検出抵抗７１を形成する前に接続配線７２を形成する。この場合、接続配線７２の厚さは任意に変更可能である。接続配線７２は、電極層３０の厚さよりも厚くてもよいし、薄くてもよい。

・上記各実施形態において、温度検出部形成工程をガラス層形成工程の後かつ電極層形成工程よりも前に実施してもよい。電極層形成工程において接続配線７２を形成する場合、接続配線７２の第１端部７３Ａ，７４Ａの一部は、検出抵抗７１上に形成される。

・上記各実施形態において、抵抗体層形成工程を、例えば温度検出部形成工程よりも前に実施してもよい。

１…サーマルプリントヘッド
１Ｂ，１Ｃ…コネクタ
１０…基板
１１…主面
２０…ガラス層
３０…電極層
３１…共通電極
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ…個別電極群
３２ｘ…個別電極
３３…第１帯状部
３４…連結部
３５…第２帯状部
４０…抵抗体層
５０…保護層
６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ，６１Ｄ…駆動ＩＣ
７０，７０Ｘ，７０Ｙ，７０Ｚ…温度検出部
７１，７１Ｗ，７１Ｘ，７１Ｙ，７１Ｚ…検出抵抗
７２…接続配線
７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃ…接続配線
Ｘ…主走査方向
Ｙ…副走査方向

Claims (18)

1. 主面を有する基板と、
   前記基板の主面上に形成されたガラス層と、
   前記ガラス層上に形成された電極層と、
   前記ガラス層上に主走査方向に延びるように形成され、前記電極層と電気的に接続された抵抗体層と、
   前記基板の主面側に形成され、前記抵抗体層の温度を検出する温度検出部と、
   を備え、
   前記温度検出部は、検出抵抗及び接続配線を有し、
   前記検出抵抗及び前記接続配線はそれぞれ、金属膜によって形成されている
   サーマルプリントヘッド。
2. 前記抵抗体層よりも副走査方向の上流側には、前記電極層への通電を制御する駆動ＩＣが前記抵抗体層と間隔をあけて配置され、
   前記検出抵抗は、前記駆動ＩＣよりも前記副走査方向の下流側に配置されている
   請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
3. 前記検出抵抗は、前記副走査方向において前記駆動ＩＣよりも前記抵抗体層寄りに配置されている
   請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
4. 前記電極層は、
   副走査方向に延び、前記主走査方向において互いに間隔をあけて配置されている複数の第１帯状部、及び前記主走査方向に延び、前記複数の第１帯状部を接続している連結部を有する共通電極と、
   前記駆動ＩＣに接続された複数の個別電極からなる個別電極群と、
   を備え、
   前記個別電極は、前記副走査方向に延びる第２帯状部を有し、
   前記主走査方向からみて、前記第１帯状部と前記第２帯状部とが重なるように配置され、かつ、前記主走査方向において前記第１帯状部及び前記第２帯状部が交互に配置されている
   請求項２又は３に記載のサーマルプリントヘッド。
5. 前記駆動ＩＣは、前記主走査方向において間隔をあけて複数個設けられ、
   前記個別電極群は、前記主走査方向において間隔をあけて複数個設けられ、
   前記検出抵抗は、前記主走査方向に隣り合う前記個別電極群の間に配置されている
   請求項４に記載のサーマルプリントヘッド。
6. 前記温度検出部は、複数個設けられ、
   前記各温度検出部の検出抵抗は、前記主走査方向に隣り合う前記個別電極群の間ごとに配置されている
   請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
7. 前記検出抵抗は、帯状で蛇行した形状として形成されている
   請求項１〜６のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
8. 前記検出抵抗は、前記抵抗体層よりも副走査方向の下流側に配置されている
   請求項１〜４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
9. 前記検出抵抗は、前記主走査方向に延びる直線として形成されている
   請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。
10. 前記検出抵抗は、前記主走査方向に離間して複数個配置され、
    前記複数の検出抵抗は、直列に接続されている
    請求項８又は９に記載のサーマルプリントヘッド。
11. 前記接続配線は、前記主走査方向において前記抵抗体層よりも一方側及び他方側の少なくとも一方をとおり前記副走査方向の上流側に延びている
    請求項８〜１０のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
12. 前記検出抵抗及び前記接続配線はそれぞれ、前記ガラス層上に形成されている
    請求項１〜１１のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
13. 前記抵抗体層を覆う保護層をさらに備え、
    前記検出抵抗は、前記保護層によって覆われている
    請求項１２に記載のサーマルプリントヘッド。
14. 前記検出抵抗は、銅、ニッケル、又は白金によって形成されている
    請求項１〜１３のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
15. 前記接続配線は、金を含む
    請求項１〜１４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
16. 前記検出抵抗は、ペーストを厚膜印刷した後、厚膜印刷された前記ペーストを焼成することによって形成されている
    請求項１〜１５のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
17. 前記接続配線は、ペーストを厚膜印刷した後、厚膜印刷された前記ペーストを焼成することによって形成されている
    請求項１〜１６のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
18. 前記基板の主面に取り付けられたコネクタをさらに備え、
    前記接続配線は、前記検出抵抗と前記コネクタとを電気的に接続している
    請求項１〜１７のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。