JP2023069209A - サーマルプリントヘッド、および、サーマルプリントヘッドの製造方法 - Google Patents

サーマルプリントヘッド、および、サーマルプリントヘッドの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】配線との導通接続に問題が生じることを抑制できる温度検出部を備えたサーマルプリントヘッドを提供する。【解決手段】サーマルプリントヘッドＡ１０において、複数の発熱部４１と、複数の発熱部４１が配置された基板主面１１を有する基板１と、基板主面１１に形成されて複数の発熱部４１に導通する電極層３と、基板主面１１に配置された温度検出部６とを備えた。温度検出部６は、基板主面１１に形成された第１金属膜６１の一部である第１抵抗配線６１１と、基板主面１１に形成され、かつ、第１金属膜６１に導通しない第２金属膜６２の一部であり、かつ、第１抵抗配線６１１とは電気抵抗値が異なる第２抵抗配線６２１とを備える。第１金属膜６１の第１構成材料および第２金属膜６２の第２構成材料は、電極層３の第３構成材料より、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい。【選択図】 図６

Description

本開示は、サーマルプリントヘッド、および、サーマルプリントヘッドの製造方法に関する。
特許文献１には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。サーマルプリントヘッドは一般的に、基板、発熱抵抗体、複数の電極、駆動ＩＣを備えている。駆動ＩＣは、複数の電極を介して発熱抵抗体の各微小部分に選択的に通電し、各微小部分を発熱させる。サーマルプリントヘッドは、各微小部分の発熱により、感熱紙などの印刷媒体に印字を行う。また、サーマルプリントヘッドは、発熱抵抗体の温度が上昇しすぎることを防止するために、基板にサーミスタ素子を搭載して、温度を検出している。
サーミスタ素子は、ボンディングワイヤまたははんだによって配線に導通接続されている。サーミスタ素子と配線との導通接続に問題が生じた場合、適切に温度を検出できない。
特開２００９－２８９２８号公報
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、配線との導通接続に問題が生じることを抑制できる温度検出部を備えたサーマルプリントヘッドを提供すること、また、そのサーマルプリントヘッドの製造方法を提供することをその課題とする。
本開示の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、複数の発熱部と、前記複数の発熱部が配置された基板主面を有する基板と、前記基板主面に形成されて前記複数の発熱部に導通する電極層と、前記基板主面に配置された温度検出部と、を備え、前記温度検出部は、前記基板主面に形成された第１金属膜の一部である第１抵抗配線と、前記基板主面に形成され、かつ、前記第１金属膜に導通しない第２金属膜の一部であり、かつ、前記第１抵抗配線とは電気抵抗値が異なる第２抵抗配線と、を備え、前記第１金属膜の第１構成材料および前記第２金属膜の第２構成材料は、前記電極層の第３構成材料より、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい。
本開示の第２の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、基板に一対の第１配線および一対の第２配線を形成する工程と、前記一対の第１配線のそれぞれの先端部分に重なるように第１金属膜を形成する工程と、前記一対の第２配線のそれぞれの先端部分に重なるように第２金属膜を形成する工程と、を備える。
本開示の第３の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、複数の発熱部と、前記複数の発熱部が配置された基板主面を有する基板と、温度検出部と、を備え、前記温度検出部は、半導体材料に形成された温度検出層を備えている。
本開示に係るサーマルプリントヘッドは、温度検出部と配線との導通接続に問題が生じることを抑制できる。
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 図３は、図１のサーマルプリントヘッドを示す拡大平面図である。 図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 図６は、図３の拡大図である。 図７は、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示すフローチャートである。 図９は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１０は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１１は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１２は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１３は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１４は、第１実施形態の第１変形例に係るサーマルプリントヘッドを示す拡大平面図である。 図１５は、第１実施形態の第２変形例に係るサーマルプリントヘッドを示す拡大平面図である。 図１６は、第１実施形態の第３変形例に係るサーマルプリントヘッドを示す拡大平面図である。 図１７は、第１実施形態の第４変形例に係るサーマルプリントヘッドを示す拡大平面図である。 図１８は、本開示の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す拡大平面図である。 図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。 図２０は、本開示の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す拡大平面図である。 図２１は、図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。 図２２は、図２０のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
＜第１実施形態＞
図１～図７は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１０は、基板１、グレーズ層２、電極層３、抵抗体層４、保護層５、温度検出部６、駆動ＩＣ７１、封止樹脂７２、ワイヤ７３、コネクタ７４、および放熱部材７５を備えている。サーマルプリントヘッドＡ１０は、プラテンローラ８１との間に挟まれて搬送される印刷媒体８２に印刷を施すプリンタに組み込まれるものである（図２参照）。このような印刷媒体８２としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。
図１は、サーマルプリントヘッドＡ１０を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、サーマルプリントヘッドＡ１０を示す拡大平面図である。図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図３の拡大図である。図７は、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。なお、理解の便宜上、図１および図３においては、保護層５を省略している。また、これらの図において、サーマルプリントヘッドＡ１０の長手方向（主走査方向）をｘ方向とし、短手方向（副走査方向）をｙ方向とし、厚さ方向をｚ方向として説明する。また、ｙ方向については、図１および図３の下方（図２の左方）を印刷媒体８２が送られてくる上流側とし、図１および図３の上方（図２の右方）を印刷媒体８２が排出される下流側とする。以下の図においても同様である。
基板１は、たとえばＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ジルコニアなどのセラミックからなり、図１に示すように、ｚ方向視においてｘ方向に長く延びる長矩形状の板状である。基板１の厚さは、特に限定されないが、たとえば０．６ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。基板１は、図４に示すように、主面１１および裏面１２を有している。主面１１および裏面１２は、ｚ方向において互いに反対側を向く面である。主面１１は、図４の上方を向いている。裏面１２は、図４の下方を向いている。基板１の主面１１には、グレーズ層２、電極層３、抵抗体層４、および保護層５が形成されている。また、主面１１には、駆動ＩＣ７１が搭載されている。図２に示すように、基板１の裏面１２には、たとえばＡｌなどの金属からなる放熱部材７５が設けられている。また、図１および図２に示すように、基板１には、コネクタ７４が設けられている。コネクタ７４は、サーマルプリントヘッドＡ１０をたとえばプリンタに組み込む際に、このプリンタ側のコネクタと接続される。なお、基板１および放熱部材７５の材料および寸法は限定されない。また、サーマルプリントヘッドＡ１０は、基板１とは別に放熱部材７５上に配線基板を備え、配線基板に駆動ＩＣ７１およびコネクタ７４が配置されてもよい。
グレーズ層２は、基板１の主面１１上に形成されており、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。グレーズ層２は、ガラスペーストを厚膜印刷（スクリーン印刷）したのちに、これを焼成することにより形成されている。本実施形態においては、基板１の主面１１の図に示すほぼすべてがグレーズ層２によって覆われている。本実施形態においては、図４および図５に示すように、グレーズ層２は、ヒーターグレーズ２２、平坦層２３、およびダイボンディンググレーズ２４を有する。
ヒーターグレーズ２２は、ｘ方向に直交する断面（以下では、「ｙｚ断面」とする）の形状がｚ方向に膨出した形状であり、ｘ方向に長く延びるｚ方向視帯状である。ヒーターグレーズ２２は、抵抗体層４の発熱部４１を印刷媒体８２などに押し当てるために設けられている。ヒーターグレーズ２２のｙ方向における寸法はたとえば７００μｍ程度、ｚ方向における寸法はたとえば１８～５０μｍ程度である。ダイボンディンググレーズ２４は、ヒーターグレーズ２２に対してｙ方向の上流側に離間した位置で、ヒーターグレーズ２２と平行に設けられた帯状とされている。ダイボンディンググレーズ２４は、電極層３の一部や駆動ＩＣ７１を支持している。ダイボンディンググレーズ２４の厚さ（ｚ方向の寸法）は、たとえば３０～５０μｍ程度である。ヒーターグレーズ２２およびダイボンディンググレーズ２４のガラス材料の軟化点は、たとえば８００～８５０℃である。平坦層２３は、ヒーターグレーズ２２に隣接して形成されており、上面が平坦な形状である。平坦層２３は、基板１の主面１１の凹凸をなくして電極層３を積層しやすくするために設けられている。平坦層２３の厚さ（ｚ方向の寸法）は、たとえば２．０μｍ程度である。平坦層２３のガラス材料の軟化点は、たとえば６８０℃程度である。なお、グレーズ層２の構成は特に限定されず、様々な構成とすることができる。また、グレーズ層２は、基板１の一部のみを覆う構成であってもよい。
電極層３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成するためのものであり、導電性材料によって形成されている。電極層３は、たとえば添加元素としてロジウム、バナジウム、ビスマス、シリコンなどが添加されたレジネートＡｕからなる。電極層３は、レジネートＡｕのペーストを厚膜印刷したのちに、これを焼成することにより形成されている。電極層３は、複数のＡｕ層を積層させることによって構成されてもよい。電極層３の厚さは、たとえば０．３μｍ以上１．５μｍ以下である。なお、電極層３の材料、形成方法、および厚さは限定されない。本実施形態においては、電極層３は、グレーズ層２上に形成されている。図３に示すように、電極層３は、共通電極３３および複数の個別電極３６を有している。なお、理解の便宜上、図３においては、共通電極３３および個別電極３６にハッチングを付している。同様に、後述するＡｇ層３５１にもハッチングを付し、抵抗体層４に点描を付している。
共通電極３３は、複数の共通電極帯状部３４および連結部３５を有している。連結部３５は、基板１のｙ方向下流側端寄りに配置されており、ｘ方向に延びる帯状である。複数の共通電極帯状部３４は、各々が連結部３５からｙ方向に延びており、ｘ方向に等ピッチで互いに離間して配置されている。また、本実施形態においては、連結部３５には、Ａｇ層３５１が積層されている。Ａｇ層３５１は、連結部３５の抵抗値を低減させるためのものである。Ａｇ層３５１の厚さは、たとえば２μｍ以上１０μｍ以下である。
複数の個別電極３６は、抵抗体層４に対して部分的に通電するためのものであり、共通電極３３に対して逆極性となる部位である。個別電極３６は、抵抗体層４から駆動ＩＣ７１に向かって延びている。複数の個別電極３６は、ｘ方向に配列されており、各々が個別電極帯状部３８、連結部３７およびボンディング部３９を有している。
各個別電極帯状部３８は、ｙ方向に延びた帯状部分であり、共通電極３３の隣り合ういずれか２個の共通電極帯状部３４の間に配置されている。隣り合う個別電極３６の個別電極帯状部３８と共通電極３３の共通電極帯状部３４との間隔はたとえば４０μｍ以下となっている。隣り合う個別電極３６の個別電極帯状部３８と共通電極３３の共通電極帯状部３４との中心間距離は、たとえば２０μｍ以上１００μｍ以下である。
連結部３７は、個別電極帯状部３８から駆動ＩＣ７１に向かって延びる部分である。連結部３７は、平行部３７１および斜行部３７２を有する。平行部３７１は、一端がボンディング部３９につながり、かつｙ方向に沿っている。斜行部３７２は、ｙ方向に対して傾斜している。斜行部３７２は、ｙ方向において平行部３７１と、個別電極帯状部３８との間に挟まれている。また、複数の個別電極３６は、駆動ＩＣ７１に集約される。
ボンディング部３９は、個別電極３６のｙ方向端部に形成されており、平行部３７１に繋がっている。ボンディング部３９には、個別電極３６と駆動ＩＣ７１とを接続するためのワイヤ７３がボンディングされている。複数のボンディング部３９は、第１ボンディング部３９Ａと第２ボンディング部３９Ｂとを含む。隣り合う２つの第１ボンディング部３９Ａに挟まれた平行部３７１の幅（ｘ方向の寸法）は、たとえば２０μｍ以上３０μｍ以下とされている。また、第２ボンディング部３９Ｂは、ｙ方向において第１ボンディング部３９Ａよりも抵抗体層４から遠ざかる側に位置する。第２ボンディング部３９Ｂは、隣り合う２つの第１ボンディング部３９Ａに挟まれた平行部３７１につながっている。このような構成により、複数のボンディング部３９は、連結部３７のほとんどの部位よりも幅が大きいにも関わらず、たがいに干渉することが回避されている。連結部３７のうち隣り合う第１ボンディング部３９Ａに挟まれた部位は、個別電極３６において最も幅が小さい。
なお、電極層３の各部の形状および配置は特に限定されず、様々な構成とすることができる。また、電極層３の各部の材料も限定されない。
抵抗体層４は、電極層３を構成する材料よりも抵抗率が大であるたとえば酸化ルテニウムなどからなり、ヒーターグレーズ２２上でｘ方向に延びる帯状に形成されている。抵抗体層４は、酸化ルテニウムなどのペーストを厚膜印刷したのちに、これを焼成することにより形成されている。抵抗体層４は、共通電極３３の複数の共通電極帯状部３４と複数の個別電極３６の個別電極帯状部３８とに交差し、接している。また、抵抗体層４は、共通電極３３の複数の共通電極帯状部３４と複数の個別電極３６の個別電極帯状部３８に対して基板１とは反対側に積層されている。抵抗体層４のうち各共通電極帯状部３４と各個別電極帯状部３８とに挟まれた部位が、電極層３によって部分的に通電されることにより発熱する発熱部４１とされている。複数の発熱部４１は、ｘ方向に配列されている。発熱部４１の発熱によって印字ドットが形成される。抵抗体層４の厚さは、たとえば１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下である。なお、抵抗体層４の材料および厚さは限定されない。
保護層５は、電極層３および抵抗体層４を保護するためのものであり、抵抗体層４および電極層３のほぼ全体を覆っている。ただし、保護層５は、複数の個別電極３６のボンディング部３９を含む領域を露出させている。保護層５は、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。このガラス材料の軟化点は、たとえば７００℃程度である。保護層５は、ガラスペーストを厚膜印刷したのちに、これを焼成することによって形成される。保護層５の厚さは、たとえば０．５μｍ以上１０μｍ以下である。なお、保護層５の材料、形成方法、および厚さは限定されない。なお、サーマルプリントヘッドＡ１０は、保護層５の一部を覆う第２保護層をさらに備えてよい。
温度検出部６は、抵抗体層４付近の温度を検出するための部位である。温度検出部６は、図５に示すように、基板１の主面１１側でグレーズ層２上に配置され、図３に示すように、電極層３が形成されていない領域で、できるだけ抵抗体層４に近い位置に配置されている。なお、温度検出部６の配置位置は限定されない。温度検出部６は、第１金属膜６１、第２金属膜６２、一対の第１配線６３、および一対の第２配線６４を備えている。図５に示すように、第１金属膜６１および第２金属膜６２は、保護層５に覆われている。また、一対の第１配線６３および一対の第２配線６４の一部は保護層５に覆われており、他の一部は封止樹脂７２に覆われている。
第１金属膜６１は、基板１の主面１１に形成され、グレーズ層２に接して形成されている。第１金属膜６１は、ｚ方向視においてｙ方向に長い矩形状である。第１金属膜６１の構成材料（以下では「第１構成材料」と記載する）は、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい材料である。第１構成材料は、限定されず、少なくとも、電極層３の構成材料（たとえばレジネートＡｕであり、以下では「第３構成材料」と記載する）より、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい材料である。第１金属膜６１は、ディスペンサーを用いて第１構成材料のペーストを配置して、これを焼成することにより形成されている。なお、第１金属膜６１の形成方法は限定されない。たとえば、第１金属膜６１は、厚膜印刷したのちに、これを焼成することにより形成されてもよい。第１金属膜６１の厚さ（ｚ方向の寸法）は、０．５μｍ以上１０μｍ以下である。なお、第１金属膜６１の厚さは限定されない。
第２金属膜６２は、基板１の主面１１に形成され、グレーズ層２に接して形成されている。第２金属膜６２は、ｚ方向視においてｙ方向に長い矩形状である。第２金属膜６２は、第１金属膜６１と隣り合ってｘ方向に配置され、第１金属膜６１に平行に形成されている。第２金属膜６２は、第１金属膜６１に導通しない。第２金属膜６２の構成材料（以下では「第２構成材料」と記載する）は、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい材料である。第２構成材料は、限定されず、少なくとも第３構成材料より、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい材料である。本実施形態では、第１構成材料と第２構成材料とは異なる材料である。第２金属膜６２は、第１金属膜６１と同様の方法で形成され、同程度の厚さである。
一対の第１配線６３および一対の第２配線６４は、基板１の主面１１に形成され、グレーズ層２に接して形成されている。第１配線６３および第２配線６４は、本実施形態では、電極層３と同じ第３構成材料（レジネートＡｕ）からなり、電極層３と同じ工程で同時に形成される。なお、第１配線６３および第２配線６４の構成材料は電極層３と異なってもよいし、第１配線６３および第２配線６４が電極層３と異なる工程で形成されてもよい。
一対の第１配線６３は、それぞれが駆動ＩＣ７１および第１金属膜６１に導通接続している。一対の第１配線６３は、それぞれワイヤ７３を介して、駆動ＩＣ７１に導通接続している。図６および図７に示すように、一対の第１配線６３は、それぞれ、先端部分６３１を備えている。各先端部分６３１は、各第１配線６３のワイヤ７３がボンディングされた側とは反対側の端部に位置する。一対の第１配線６３は、各先端部分６３１がｙ方向に並んで所定の寸法Ｌ１だけ離れるように形成されている。また、一対の先端部分６３１のｙ方向において互いに向かい合う端縁は、ｘ方向に平行であり、幅寸法（ｘ方向の寸法）は、所定の寸法Ｗ１になっている。各先端部分６３１は、ｚ方向視において第１金属膜６１に重なっており、グレーズ層２と第１金属膜６１との間に介在している。つまり、各先端部分６３１は、第１金属膜６１に覆われている。後述するように、先に一対の第１配線６３が形成され、その後、第１金属膜６１が一対の第１配線６３に重なるように形成される。一対の第１配線６３のうち、第１金属膜６１に重なっている部分が、先端部分６３１である。
第１金属膜６１は、第１抵抗配線６１１を含んでいる。第１抵抗配線６１１は、第１金属膜６１のうち、ｙ方向において一対の先端部分６３１に挟まれて電流が流れる部分であり、図６および図７に二点鎖線で示す部分である。第１抵抗配線６１１のｙ方向の寸法は、一対の先端部分６３１のｙ方向における間隔で規定され、寸法Ｌ１になる。第１抵抗配線６１１のｘ方向の寸法は、一対の先端部分６３１のｙ方向において互いに向かい合う端縁の幅寸法で規定され、寸法Ｗ１になる。第１抵抗配線６１１のｚ方向の寸法Ｔ１は、第１金属膜６１の厚さ寸法であり、ディスペンサーによる第１構成材料のペーストの吐出量により規定される。
一対の第２配線６４は、それぞれが駆動ＩＣ７１および第２金属膜６２に導通接続している。一対の第２配線６４は、それぞれワイヤ７３を介して、駆動ＩＣ７１に導通接続している。図６に示すように、一対の第２配線６４は、それぞれ、先端部分６４１を備えている。各先端部分６４１は、各第２配線６４のワイヤ７３がボンディングされた側とは反対側の端部に位置する。一対の第２配線６４は、各先端部分６４１がｙ方向に並んで所定の寸法Ｌ２だけ離れるように形成されている。本実施形態では、寸法Ｌ２は、寸法Ｌ１と同じである。また、一対の先端部分６４１のｙ方向において互いに向かい合う端縁は、ｘ方向に平行であり、幅寸法（ｘ方向の寸法）は、所定の寸法Ｗ２になっている。本実施形態では、寸法Ｗ２は、寸法Ｗ１と同じである。各先端部分６４１は、ｚ方向視において第２金属膜６２に重なっており、グレーズ層２と第２金属膜６２との間に介在している。つまり、各先端部分６４１は、第２金属膜６２に覆われている。後述するように、先に一対の第２配線６４が形成され、その後、第２金属膜６２が一対の第２配線６４に重なるように形成される。一対の第２配線６４のうち、第２金属膜６２に重なっている部分が、先端部分６４１である。
第２金属膜６２は、第２抵抗配線６２１を含んでいる。第２抵抗配線６２１は、第２金属膜６２のうち、ｙ方向において一対の先端部分６４１に挟まれて電流が流れる部分であり、図６に二点鎖線で示す部分である。図６に示すように、第１抵抗配線６１１と第２抵抗配線６２１とは、互いに平行にｙ方向に延びており、ｘ方向に並んでいる。第２抵抗配線６２１のｙ方向の寸法は、一対の先端部分６４１のｙ方向における間隔で規定され、寸法Ｌ２になる。第２抵抗配線６２１のｘ方向の寸法は、一対の先端部分６４１のｙ方向において互いに向かい合う端縁の幅寸法で規定され、寸法Ｗ２になる。第２抵抗配線６２１のｚ方向の寸法Ｔ２は、第２金属膜６２の厚さ寸法であり、ディスペンサーによる第２構成材料のペーストの吐出量により規定される。本実施形態では、寸法Ｔ２は、寸法Ｔ１と同じである。
寸法Ｌ１と寸法Ｌ２とが同じであり、寸法Ｗ１と寸法Ｗ２とが同じであり、寸法Ｔ１と寸法Ｔ２とが同じであるが、第１構成材料と第２構成材料とが異なるので、第１抵抗配線６１１の電気抵抗値と第２抵抗配線６２１の電気抵抗値とは異なる。第１構成材料および第２構成材料は、どちらも、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい材料なので、第１抵抗配線６１１または第２抵抗配線６２１の一方だけでも、温度の検出が可能である。しかし、各寸法の誤差により、検出温度に誤差が生じる可能性がある。本実施形態では、検出温度の誤差を抑制するために、２種類の第１抵抗配線６１１および第２抵抗配線６２１を配置している。
駆動ＩＣ７１は、複数の個別電極３６を選択的に通電させることにより、抵抗体層４を部分的に発熱させる機能を果たす。図４および図５に示すように、複数の駆動ＩＣ７１が、ダイボンディンググレーズ２４上に配置されている。駆動ＩＣ７１には、複数のパッドが設けられている。駆動ＩＣ７１のパッドと複数の個別電極３６とは、それぞれにボンディングされた複数のワイヤ７３を介して接続されている。ワイヤ７３は、たとえばＡｕからなる。図１および図２に示すように、駆動ＩＣ７１およびワイヤ７３は、封止樹脂７２によって覆われている。封止樹脂７２は、たとえば黒色の絶縁性軟質樹脂からなる。また、駆動ＩＣ７１とコネクタ７４とは、ワイヤ７３および基板１上の配線を介して接続されている。
また、本実施形態では、駆動ＩＣ７１は、温度検出部６から入力される検出信号に基づいて、抵抗体層４付近の温度を検出する機能を備えている。具体的には、駆動ＩＣ７１は、一対の第１配線６３を介して、第１抵抗配線６１１に所定電流を流し、第１抵抗配線６１１に発生する第１電圧Ｖ１を検出する。また、駆動ＩＣ７１は、一対の第２配線６４を介して、第２抵抗配線６２１に所定電流を流し、第２抵抗配線６２１に発生する第２電圧Ｖ２を検出する。そして、駆動ＩＣ７１は、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との差分電圧ΔＶ（＝Ｖ１－Ｖ２）に基づいて温度を検出する。駆動ＩＣ７１は、検出した温度が閾値を超えた場合に、各発熱部４１への通電を停止する。これにより、駆動ＩＣ７１は、サーマルプリントヘッドＡ１０の温度の上昇による故障を防止する。
次に、サーマルプリントヘッドＡ１０の製造方法の一例について、図８～図１３を参照しつつ、以下に説明する。図８は、サーマルプリントヘッドＡ１０の製造方法の一例を示すフローチャートである。図９～図１３はそれぞれ、サーマルプリントヘッドＡ１０の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。図９、図１０、および図１２は、図５に示す断面に対応する。図１１および図１３は、図７に示す断面に対応する。なお、図９～図１３に示すｘ方向、ｙ方向、およびｚ方向は、図１～図７と同じ方向を示している。
図８に示すように、サーマルプリントヘッドＡ１０の製造方法は、基板準備工程Ｓ１０、グレーズ層形成工程Ｓ２０、電極層形成工程Ｓ３０、温度検出部形成工程Ｓ４０、抵抗体層形成工程Ｓ５０、保護層形成工程Ｓ６０、駆動ＩＣ実装封止工程Ｓ７０、および取り付け工程Ｓ８０を備えている。
まず、たとえばＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、またはジルコニアなどからなる基板１を準備する（基板準備工程Ｓ１０）。次いで、基板１上にガラスペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することを複数回繰り返す。これにより、図９に示すように、基板１上に、ヒーターグレーズ２２、平坦層２３、およびダイボンディンググレーズ２４を有するグレーズ層２が形成される（グレーズ層形成工程Ｓ２０）。なお、本実施形態では、先に、ヒーターグレーズ２２およびダイボンディンググレーズ２４を形成し、その後、平坦層２３を形成する。グレーズ層２を形成する順番は上記の逆でもよい。
次いで、レジネートＡｕのペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成する。これにより、図１０に示すように、グレーズ層２上に、電極層３が形成される（電極層形成工程Ｓ３０）。このとき、図１０および図１１に示すように、一対の第１配線６３が形成され、図に表れていないが、一対の第２配線６４が形成される。つまり、一対の第１配線６３および一対の第２配線６４も、電極層３と同様に、レジネートＡｕのペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することで形成される。
次いで、電極層３の連結部３５上の所定領域にＡｇを含むペーストを厚膜印刷する。また、一対の第１配線６３のそれぞれ一部に重なるように、ディスペンサーを用いて第１構成材料のペーストが配置される。また、一対の第２配線６４のそれぞれ一部に重なるように、ディスペンサーを用いて第２構成材料のペーストが配置される。そして、これらを焼成する。これにより、図１２に示すように、連結部３５上にＡｇ層３５１が形成される。また、図１２および図１３に示すように、一対の第１配線６３のそれぞれの先端部分６３１に重なる第１金属膜６１が形成され、図に表れていないが、一対の第２配線６４のそれぞれの先端部分６４１に重なる第２金属膜６２が形成される（温度検出部形成工程Ｓ４０）。なお、Ａｇを含むペーストの厚膜印刷および焼成と、第１，２構成材料のペーストの配置および焼成とは、別々に行ってもよい。
次いで、たとえば酸化ルテニウムなどの抵抗体を含む抵抗体ペーストを厚膜印刷し、これを焼成することにより、抵抗体層４を形成する（抵抗体層形成工程Ｓ５０）。次いで、たとえばガラスペーストを厚膜印刷し、これを焼成することにより、保護層５を形成する（保護層形成工程Ｓ６０）。次いで、駆動ＩＣ７１の実装、ワイヤ７３のボンディング、および、封止樹脂７２の形成を行う（駆動ＩＣ実装封止工程Ｓ７０）。そして、基板１へのコネクタ７４の取り付け、および、基板１の放熱部材７５への取り付けなどを行う（取り付け工程Ｓ８０）。以上により、図１～図７に示したサーマルプリントヘッドＡ１０が製造される。上記した製造方法は一例であり、これに限定されない。
次に、サーマルプリントヘッドＡ１０の作用について説明する。
本実施形態によると、サーマルプリントヘッドＡ１０は、第１抵抗配線６１１および第２抵抗配線６２１を備えている。第１抵抗配線６１１の構成材料は、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい第１構成材料である。また、第２抵抗配線６２１の構成材料は、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい第２構成材料である。第１抵抗配線６１１および第２抵抗配線６２１が温度検出に用いられる。基板１に先に形成された一対の第１配線６３に重なるように第１金属膜６１を形成することで、第１抵抗配線６１１は形成される。第１抵抗配線６１１と一対の第１配線６３とは直接接して導通している。したがって、第１抵抗配線６１１と第１配線６３とは、ボンディングワイヤまたははんだによって導通接続された場合と比較して、導通接続に問題が生じにくい。第２抵抗配線６２１も同様である。
また、本実施形態によると、先に一対の第１配線６３が形成され、その後、第１金属膜６１が一対の第１配線６３に重なるように形成されて、第１金属膜６１の一部が第１抵抗配線６１１になる。第１抵抗配線６１１のｙ方向の寸法は、一対の先端部分６３１のｙ方向における間隔で規定され、ｘ方向の寸法は、一対の先端部分６３１のｙ方向において互いに向かい合う端縁の幅寸法で規定される。また、第１抵抗配線６１１のｚ方向の寸法Ｔ１は、ディスペンサーによる第１構成材料のペーストの吐出量により規定される。したがって、第１抵抗配線６１１は、所望の各寸法にある程度精度よく形成可能である。第２抵抗配線６２１も同様である。
また、本実施形態によると、第１抵抗配線６１１と第２抵抗配線６２１とは、構成材料が異なるので、電気抵抗値が異なる。駆動ＩＣ７１は、所定電流を流したときの第１抵抗配線６１１に発生する第１電圧Ｖ１と、第２抵抗配線６２１に発生する第２電圧Ｖ２とを検出し、差分電圧ΔＶ（＝Ｖ１－Ｖ２）に基づいて温度を検出する。したがって、第１抵抗配線６１１および第２抵抗配線６２１の各寸法に誤差があっても、駆動ＩＣ７１は、検出温度の誤差を抑制できる。
また、本実施形態によると、温度検出部６を構成する第１金属膜６１、第２金属膜６２、一対の第１配線６３、および一対の第２配線６４は、いずれも金属膜であり、チップ型のサーミスタ素子と比較すると、厚さ寸法（ｚ方向の寸法）が圧倒的に小さい。したがって、温度検出部６は、抵抗体層４に近い位置に配置された場合でも、印刷媒体８２に接触することが抑制される。
なお、本実施形態においては、駆動ＩＣ７１が温度を検出する場合について説明したが、これに限られない。たとえば、一対の第１配線６３および一対の第２配線６４が駆動ＩＣ７１ではなくコネクタ７４に導通接続され、コネクタ７４を介して接続されたプリンタの制御部が、温度を検出してもよい。
図１４～図１７は、第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１０の変形例を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
＜第１変形例＞
図１４は、第１実施形態の第１変形例に係るサーマルプリントヘッドＡ１１を示す拡大平面図であり、図６に対応する図である。図１４においては、理解の便宜上、保護層５を省略している。サーマルプリントヘッドＡ１１は、第１抵抗配線６１１の形状と第２抵抗配線６２１の形状とが異なっている。本変形例では、一対の第１配線６３のそれぞれの先端部分６３１間の距離である寸法Ｌ１と一対の第２配線６４のそれぞれの先端部分６４１間の距離である寸法Ｌ２とが異なっている。また、本変形例では、第１構成材料と第２構成材料とが同じ材料である。第１抵抗配線６１１と第２抵抗配線６２１とは、第１構成材料と第２構成材料とが同じであり、寸法Ｗ１と寸法Ｗ２とが同じであり、寸法Ｔ１と寸法Ｔ２とが同じであるが、寸法Ｌ１と寸法Ｌ２とが異なっている。したがって、第１抵抗配線６１１の電気抵抗値と第２抵抗配線６２１の電気抵抗値とは異なる。本変形例においても、駆動ＩＣ７１は、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との差分電圧ΔＶに基づいて温度を検出でき、サーマルプリントヘッドＡ１１は、サーマルプリントヘッドＡ１０と同様の効果を奏する。
＜第２変形例＞
図１５は、第１実施形態の第２変形例に係るサーマルプリントヘッドＡ１２を示す拡大平面図であり、図６に対応する図である。図１５においては、理解の便宜上、保護層５を省略している。サーマルプリントヘッドＡ１２は、第１抵抗配線６１１の形状と第２抵抗配線６２１の形状とが異なっている。本変形例では、一対の第１配線６３のそれぞれの先端部分６３１の幅である寸法Ｗ１と一対の第２配線６４のそれぞれの先端部分６４１の幅である寸法Ｗ２とが異なっている。また、本変形例では、第１構成材料と第２構成材料とが同じ材料である。第１抵抗配線６１１と第２抵抗配線６２１とは、第１構成材料と第２構成材料とが同じであり、寸法Ｌ１と寸法Ｌ２とが同じであり、寸法Ｔ１と寸法Ｔ２とが同じであるが、寸法Ｗ１と寸法Ｗ２とが異なっている。したがって、第１抵抗配線６１１の電気抵抗値と第２抵抗配線６２１の電気抵抗値とは異なる。本変形例においても、駆動ＩＣ７１は、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との差分電圧ΔＶに基づいて温度を検出でき、サーマルプリントヘッドＡ１２は、サーマルプリントヘッドＡ１０と同様の効果を奏する。
第１変形例および第２変形例から理解されるように、第１抵抗配線６１１の電気抵抗値と第２抵抗配線６２１の電気抵抗値とが異なればよいので、第１構成材料と第２構成材料、寸法Ｌ１と寸法Ｌ２、寸法Ｗ１と寸法Ｗ２、および寸法Ｔ１と寸法Ｔ２のいずれかが異なっていればよい。また、第１抵抗配線６１１と第２抵抗配線６２１とは、２個以上の要素に違いがあってもよい。
＜第３変形例＞
図１６は、第１実施形態の第３変形例に係るサーマルプリントヘッドＡ１３を示す拡大平面図であり、図３に対応する図である。図１６においては、理解の便宜上、保護層５を省略している。サーマルプリントヘッドＡ１３は、サーマルプリントヘッドＡ１０と比較して、第１抵抗配線６１１および第２抵抗配線６２１の配置位置が異なっている。本変形例では、第１抵抗配線６１１（第１金属膜６１）と第２抵抗配線６２１（第２金属膜６２）とは、互いに平行にｘ方向に延びており、ｙ方向に並んで配置されている。本変形例においても、サーマルプリントヘッドＡ１３は、サーマルプリントヘッドＡ１０と同様の効果を奏する。ただし、第１抵抗配線６１１と第２抵抗配線６２１とは、抵抗体層４から等距離に配置されるのが望ましい。
＜第４変形例＞
図１７は、第１実施形態の第４変形例に係るサーマルプリントヘッドＡ１４を示す拡大平面図であり、図３に対応する図である。図１７においては、理解の便宜上、保護層５を省略している。サーマルプリントヘッドＡ１４は、サーマルプリントヘッドＡ１０と比較して、第１抵抗配線６１１および第２抵抗配線６２１の配置位置が異なっている。本変形例では、第１抵抗配線６１１（第１金属膜６１）と第２抵抗配線６２１（第２金属膜６２）とは、ともにｘ方向に延びており、ｘ方向に並んで配置されている。本変形例においても、サーマルプリントヘッドＡ１４は、サーマルプリントヘッドＡ１０と同様の効果を奏する。
第３変形例および第４変形例から理解されるように、第１抵抗配線６１１および第２抵抗配線６２１の互いの位置関係ならびに配置位置は、ある程度自由度がある。温度検出部６は、一対の第１配線６３および一対の第２配線６４も含めて、電極層３に干渉しないように、かつ、できるだけ抵抗体層４に近い位置に配置するように適宜設計される。
図１８～図２２は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
＜第２実施形態＞
図１８および図１９は、本開示の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２０を説明するための図である。図１８は、サーマルプリントヘッドＡ２０を示す拡大平面図であり、図３に対応する図である。図１８においては、理解の便宜上、保護層５を省略している。図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ２０は、温度検出部６が半導体素子６５を備えている点で、上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態に係る温度検出部６は、半導体素子６５および一対の配線６６を備えている。
一対の配線６６は、基板１の主面１１に形成され、グレーズ層２に接して形成されている。一対の配線６６は、本実施形態では、電極層３と同じ第３構成材料（レジネートＡｕ）からなり、電極層３と同じ工程で同時に形成される。なお、一対の配線６６の構成材料は電極層３と異なってもよいし、一対の配線６６が電極層３と異なる工程で形成されてもよい。一対の配線６６は、それぞれが駆動ＩＣ７１および半導体素子６５に導通接続している。一対の配線６６は、それぞれワイヤ７３を介して、駆動ＩＣ７１に導通接続している。一対の配線６６は、それぞれ、ワイヤ７３がボンディングされた側とは反対側の端部に半導体素子６５が導通接続されている。
半導体素子６５は、半導体基板に形成された拡散抵抗である温度検出層を有する半導体素子である。半導体素子６５は、図１９に示すように、ｐ型の半導体基板１０１と、半導体基板１０１に形成された一対の第１低濃度ｎ型拡散領域１０２と、一対の第１低濃度ｎ型拡散領域１０２に各々形成された一対の高濃度ｎ型拡散領域１０３（コンタクト領域）と、一対の第１低濃度ｎ型拡散領域１０２に挟まれる形で半導体基板１０１に形成された第２低濃度ｎ型拡散領域１０４と、一対の高濃度ｎ型拡散領域１０３に接して各々形成された一対の電極１０５と、を備えている。一対の第１低濃度ｎ型拡散領域１０２、一対の高濃度ｎ型拡散領域１０３、および第２低濃度ｎ型拡散領域１０４は、いずれも絶縁層１０７により被覆されている。半導体素子６５では、第２低濃度ｎ型拡散領域１０４が抵抗成分として利用される温度検出層である。第２低濃度ｎ型拡散領域１０４は、半導体素子６５の抵抗値が温度変化に対して大きく変化するように、その不純物濃度が調整されている。半導体素子６５は、基板１の主面１１にフリップチップ接合されており、一対の電極１０５は、それぞれＡｕバンプ１０６を介して、一対の配線６６にそれぞれ接合されている。
本実施形態によると、サーマルプリントヘッドＡ２０は、半導体素子６５を備えている。半導体素子６５は、抵抗値が温度変化に対して大きく変化するように不純物濃度が調整された第２低濃度ｎ型拡散領域１０４を、温度検出層として有する。半導体素子６５は、電極１０５がＡｕバンプ１０６を介して配線６６に接合されて、基板１の主面１１にフリップチップ接合されている。したがって、半導体素子６５と配線６６とは、ボンディングワイヤまたははんだによって導通接続された場合と比較して、導通接続に問題が生じにくい。
また、本実施形態によると、半導体素子６５は、半導体基板１０１に拡散領域を形成したものなので、チップ型のサーミスタ素子と比較すると、厚さ寸法（ｚ方向の寸法）を小さくできる。したがって、温度検出部６は、抵抗体層４に近い位置に配置された場合でも、印刷媒体８２に接触することが抑制される。
＜第３実施形態＞
図２０～図２２は、本開示の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ３０を説明するための図である。図２０は、サーマルプリントヘッドＡ３０を示す拡大平面図であり、図３に対応する図である。図２０においては、理解の便宜上、保護層５を省略している。図２１は、図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図２０のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ３０は、基板１が半導体基板であり、温度検出部６の一部が基板１（半導体基板）に形成されている点で、上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態において、基板１は半導体基板である。基板１は、たとえばＳｉなどの単結晶半導体からなり、図２１に示すように、主面１１からｚ方向に突出しｘ方向に延びる凸部１３を備えている。凸部１３は、たとえば異方性エッチングにより形成されている。基板１の主面１１には、グレーズ層２の代わりに、絶縁層１９が形成されている。絶縁層１９は、たとえばＳｉＯ2またはＳｉＮ（窒化ケイ素）などの絶縁性材料からなる。なお、基板１の構成および形成方法は限定されない。
本実施形態に係る温度検出部６は、図２０および図２２に示すように、基板１に形成された拡散部６７および一対の配線６８を備えている。
拡散部６７は、基板１（半導体基板）に形成された拡散抵抗である温度検出層を有する。拡散部６７は、図２２に示すように、基板１に形成された一対の第１低濃度ｎ型拡散領域１０２と、一対の第１低濃度ｎ型拡散領域１０２に各々形成された一対の高濃度ｎ型拡散領域１０３（コンタクト領域）と、一対の第１低濃度ｎ型拡散領域１０２に挟まれる形で基板１に形成された第２低濃度ｎ型拡散領域１０４と、一対の高濃度ｎ型拡散領域１０３に接して各々形成された一対の電極１０５と、を備えている。一対の第１低濃度ｎ型拡散領域１０２、一対の高濃度ｎ型拡散領域１０３、および第２低濃度ｎ型拡散領域１０４は、いずれも絶縁層１９により被覆されている。拡散部６７では、第２低濃度ｎ型拡散領域１０４が抵抗成分として利用される温度検出層である。第２低濃度ｎ型拡散領域１０４は、抵抗値が温度変化に対して大きく変化するように、その不純物濃度が調整されている。
一対の配線６８は、基板１の主面１１に形成され、絶縁層１９に接して形成されている。一対の配線６８は、本実施形態では、電極層３と同じ第３構成材料（レジネートＡｕ）からなり、電極層３と同じ工程で同時に形成される。なお、一対の配線６８の構成材料は電極層３と異なってもよいし、一対の配線６８が電極層３と異なる工程で形成されてもよい。一対の配線６８は、それぞれが駆動ＩＣ７１および拡散部６７に導通接続している。一対の配線６８は、それぞれワイヤ７３を介して、駆動ＩＣ７１に導通接続している。一対の配線６８は、それぞれ、ワイヤ７３がボンディングされた側とは反対側の端部が、拡散部６７の一対の電極１０５のいずれかに接して覆うように形成されている。
本実施形態によると、サーマルプリントヘッドＡ３０は、拡散部６７を備えている。拡散部６７は、抵抗値が温度変化に対して大きく変化するように不純物濃度が調整された第２低濃度ｎ型拡散領域１０４を、温度検出層として有する。拡散部６７は、一対の電極１０５がそれぞれ一対の配線６８のいずれかに接して覆われて、導通接続している。したがって、拡散部６７と配線６８とは、ボンディングワイヤまたははんだによって導通接続された場合と比較して、導通接続に問題が生じにくい。
また、本実施形態によると、拡散部６７は、基板１に拡散領域を形成したものである。また、一対の配線６８は、金属膜であり、チップ型のサーミスタ素子と比較すると、厚さ寸法（ｚ方向の寸法）が圧倒的に小さい。したがって、温度検出部６は、抵抗体層４に近い位置に配置された場合でも、印刷媒体８２に接触することが抑制される。
本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成、および、本開示に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の各工程の具体的な処理は、種々に設計変更自在である。
〔付記１〕
複数の発熱部（４１）と、
前記複数の発熱部が配置された基板主面（１１）を有する基板（１）と、
前記基板主面に形成されて前記複数の発熱部に導通する電極層（３）と、
前記基板主面に配置された温度検出部（６）と、
を備え、
前記温度検出部は、
前記基板主面に形成された第１金属膜（６１）の一部である第１抵抗配線（６１１）と、
前記基板主面に形成され、かつ、前記第１金属膜に導通しない第２金属膜（６２）の一部であり、かつ、前記第１抵抗配線とは電気抵抗値が異なる第２抵抗配線（６２１）と、
を備え、
前記第１金属膜の第１構成材料および前記第２金属膜の第２構成材料は、前記電極層の第３構成材料より、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい、
サーマルプリントヘッド。
〔付記２〕
前記複数の発熱部の導通を制御する駆動ＩＣ（７１）をさらに備え、
前記駆動ＩＣは、前記第１抵抗配線および前記第２抵抗配線に電流を流し、前記第１抵抗配線に発生した第１電圧と前記第２抵抗配線に発生した第２電圧との差分電圧に基づいて温度を検出する、
付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記温度検出部は、前記駆動ＩＣに導通する一対の第１配線（６３）および一対の第２配線（６４）をさらに備え、
前記第１金属膜は、前記一対の第１配線のそれぞれの先端部分（６３１）に重なるように形成され、
前記第２金属膜は、前記一対の第２配線のそれぞれの先端部分（６４１）に重なるように形成されている、
付記２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４〕
前記第１構成材料と前記第２構成材料とが異なる、
付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５、第１変形例、図１４〕
前記一対の第１配線のそれぞれの先端間の距離（Ｌ１）と前記一対の第２配線のそれぞれの先端間の距離（Ｌ２）とが異なる、
付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６、第２変形例、図１５〕
前記一対の第１配線の各先端部分の第１幅寸法（Ｗ１）と、前記一対の第２配線の各先端部分の第２幅寸法（Ｗ２）とが異なる、
付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７〕
前記第１金属膜と前記第２金属膜とは隣り合って配置されている、
付記１ないし６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８〕
前記第１金属膜と前記第２金属膜の配置方向は、前記複数の発熱部の配列方向である、
付記１ないし７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９〕
前記第１抵抗配線および前記第２抵抗配線は、前記複数の発熱部の配列方向に直交する方向に延びている、
付記１ないし７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０、図８〕
基板に一対の第１配線および一対の第２配線を形成する工程（Ｓ３０）と、
前記一対の第１配線のそれぞれの先端部分に重なるように第１金属膜を形成する工程（Ｓ４０）と、
前記一対の第２配線のそれぞれの先端部分に重なるように第２金属膜を形成する工程（Ｓ４０）と、
を備える、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１１〕
前記第１金属膜および前記第２金属膜は、それそれの構成材料のペーストをディスペンサーで配置して焼成することで形成される、
付記１０に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１２、第２，３実施形態〕
複数の発熱部と、
前記複数の発熱部が配置された基板主面を有する基板と、
温度検出部と、
を備え、
前記温度検出部は、半導体材料に形成された温度検出層（１０４）を備えている、
サーマルプリントヘッド。
〔付記１３、第２実施形態、図１８－１９〕
前記温度検出部は、前記温度検出層が形成された半導体基板（１０１）を有する半導体素子（６５）を備え、
前記半導体素子は、前記基板主面にフリップチップ接合されている、
付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１４、第３実施形態、図２０－２２〕
前記基板は半導体基板であり、
前記温度検出層は、前記半導体基板に形成されている、
付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１５〕
前記温度検出層は抵抗体層である、
付記１２ないし１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４，Ａ２０，Ａ３０：サーマルプリントヘッド
１ ：基板
１１ ：主面
１２ ：裏面
１３ ：凸部
１９ ：絶縁層
２ ：グレーズ層
２２ ：ヒーターグレーズ
２３ ：平坦層
２４ ：ダイボンディンググレーズ
３ ：電極層
３３ ：共通電極
３４ ：共通電極帯状部
３５ ：連結部
３５１ ：Ａｇ層
３６ ：個別電極
３７ ：連結部
３７１ ：平行部
３７２ ：斜行部
３８ ：個別電極帯状部
３９ ：ボンディング部
３９Ａ ：第１ボンディング部
３９Ｂ ：第２ボンディング部
４ ：抵抗体層
４１ ：発熱部
５ ：保護層
６ ：温度検出部
６１ ：第１金属膜
６１１ ：第１抵抗配線
６２ ：第２金属膜
６２１ ：第２抵抗配線
６３ ：第１配線
６３１ ：先端部分
６４ ：第２配線
６４１ ：先端部分
６５ ：半導体素子
６６ ：配線
６７ ：拡散部
６８ ：配線
１０１ ：半導体基板
１０２ ：第１低濃度ｎ型拡散領域
１０３ ：高濃度ｎ型拡散領域
１０４ ：第２低濃度ｎ型拡散領域
１０５ ：電極
１０６ ：Ａｕバンプ
１０７ ：絶縁層
７１ ：駆動ＩＣ
７２ ：封止樹脂
７３ ：ワイヤ
７４ ：コネクタ
７５ ：放熱部材
８１ ：プラテンローラ
８２ ：印刷媒体

Claims (15)

  1. 複数の発熱部と、
    前記複数の発熱部が配置された基板主面を有する基板と、
    前記基板主面に形成されて前記複数の発熱部に導通する電極層と、
    前記基板主面に配置された温度検出部と、
    を備え、
    前記温度検出部は、
    前記基板主面に形成された第１金属膜の一部である第１抵抗配線と、
    前記基板主面に形成され、かつ、前記第１金属膜に導通しない第２金属膜の一部であり、かつ、前記第１抵抗配線とは電気抵抗値が異なる第２抵抗配線と、
    を備え、
    前記第１金属膜の第１構成材料および前記第２金属膜の第２構成材料は、前記電極層の第３構成材料より、温度変化に対する電気抵抗率の変化が大きい、
    サーマルプリントヘッド。
  2. 前記複数の発熱部の導通を制御する駆動ＩＣをさらに備え、
    前記駆動ＩＣは、前記第１抵抗配線および前記第２抵抗配線に電流を流し、前記第１抵抗配線に発生した第１電圧と前記第２抵抗配線に発生した第２電圧との差分電圧に基づいて温度を検出する、
    請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  3. 前記温度検出部は、前記駆動ＩＣに導通する一対の第１配線および一対の第２配線をさらに備え、
    前記第１金属膜は、前記一対の第１配線のそれぞれの先端部分に重なるように形成され、
    前記第２金属膜は、前記一対の第２配線のそれぞれの先端部分に重なるように形成されている、
    請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
  4. 前記第１構成材料と前記第２構成材料とが異なる、
    請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
  5. 前記一対の第１配線のそれぞれの先端間の距離と前記一対の第２配線のそれぞれの先端間の距離とが異なる、
    請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
  6. 前記一対の第１配線の各先端部分の第１幅寸法と、前記一対の第２配線の各先端部分の第２幅寸法とが異なる、
    請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
  7. 前記第１金属膜と前記第２金属膜とは隣り合って配置されている、
    請求項１ないし６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
  8. 前記第１金属膜と前記第２金属膜の配置方向は、前記複数の発熱部の配列方向である、
    請求項１ないし７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
  9. 前記第１抵抗配線および前記第２抵抗配線は、前記複数の発熱部の配列方向に直交する方向に延びている、
    請求項１ないし７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
  10. 基板に一対の第１配線および一対の第２配線を形成する工程と、
    前記一対の第１配線のそれぞれの先端部分に重なるように第１金属膜を形成する工程と、
    前記一対の第２配線のそれぞれの先端部分に重なるように第２金属膜を形成する工程と、
    を備える、
    サーマルプリントヘッドの製造方法。
  11. 前記第１金属膜および前記第２金属膜は、それそれの構成材料のペーストをディスペンサーで配置して焼成することで形成される、
    請求項１０に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
  12. 複数の発熱部と、
    前記複数の発熱部が配置された基板主面を有する基板と、
    温度検出部と、
    を備え、
    前記温度検出部は、半導体材料に形成された温度検出層を備えている、
    サーマルプリントヘッド。
  13. 前記温度検出部は、前記温度検出層が形成された半導体基板を有する半導体素子を備え、
    前記半導体素子は、前記基板主面にフリップチップ接合されている、
    請求項１２に記載のサーマルプリントヘッド。
  14. 前記基板は半導体基板であり、
    前記温度検出層は、前記半導体基板に形成されている、
    請求項１２に記載のサーマルプリントヘッド。
  15. 前記温度検出層は抵抗体層である、
    請求項１２ないし１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
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