JP2020134650A - 露光システム、および、物品製造方法 - Google Patents

露光システム、および、物品製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】コストおよび生産性の点で有利な露光システムを提供すること。【解決手段】基板の第１ショット領域を露光する第１露光装置と、第１ショット領域とは異なる第２ショット領域を露光する第２露光装置と、第１、第２ショット領域とは異なる位置にアライメントマークを形成するマーク形成装置とを含む。第１露光装置は、マーク形成装置によって基板に形成されたアライメントマークを検出する第１マーク検出部を含み、第２露光装置は、マーク形成装置によって前記基板に形成されたアライメントマークを検出する第２マーク検出部を含み、第１露光装置における第１マーク検出部によって検出されたアライメントマークの情報と、第２マーク検出部によって検出されたアライメントマークの情報とに基づいて、第２ショット領域の第１ショット領域に対する配列誤差を補正するための補正パラメータを決定し、該補正パラメータを反映して第２ショット領域を露光する。【選択図】図１

Description

本発明は、露光システム、および、物品製造方法に関する。
液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の、フラットパネルディスプレイ（以下「ＦＰＤ」）の製造には、マスクのパターンを基板上に転写する露光装置が用いられる。ＦＰＤの製造においては、ガラス基板の利用効率を向上させるため、１枚のガラス基板上の異なる領域にパネルを転写するＭｕｌｔｉ Ｍｏｄｕｌｅ ｏｎ Ｇｌａｓｓ（ＭＭＧ）生産方式が採用されうる。また、ＭＭＧ対応時の生産効率を向上させるために複数の露光装置を使用する方法も検討されている。例えば、まず第１露光装置で、基板上の所定位置にアライメントマーク（以下、単に「マーク」ともいう。）が形成されるとともに、第１ショット領域に対して第１露光が行われる。その後、第２露光装置で、該基板のマークが検出されその検出結果に基づき位置合わせが行われた後、第２ショット領域に対して第２露光が行われる（例えば、特許文献１，２参照）。
第２露光装置は、第１露光装置で形成されたマークを精度良く検出する必要がある。特許文献３には、複数の測定検査装置間で同一のマークを計測する際の計測誤差を低減させるように測定検査装置間で計測条件を整えることが開示されている。
特開２００５−９２１３７号公報 特開２００７−１９９７１１号公報 国際公開第２００７／１０２４８４号
従来技術では、第２露光装置でマークが正しく検出されるよう第１露光装置でマークが精度良く形成されることが前提である。しかし実際には、使用される基板や基板上のレジストの違い等によりマークの形成条件が異なるため、第１露光装置でのマークの形成精度が安定しない。そのため、第１露光装置で形成されたマークの精度が不十分で第２露光装置でのマークの検出精度が良くない場合がある。その場合、例えば上記の従来技術のように測定検査装置間で計測条件を整えたとしても、そもそもマークを検出することができない。マークを検出できなければ、その時点で生産を停止することになり、生産性が低下する。かといって、マークの形成精度の高いマーク形成装置を導入するのではコスト高となる。
本発明は、例えば、コストおよび生産性の点で有利な露光システムを提供することを目的とする。
本発明の一側面によれば、基板の第１ショット領域を露光する第１露光装置と、前記基板の前記第１ショット領域とは異なる第２ショット領域を露光する第２露光装置と、前記基板の、前記第１ショット領域および前記第２ショット領域とは異なる位置にアライメントマークを形成するマーク形成装置と、を含む露光システムであって、前記第１露光装置は、前記マーク形成装置によって前記基板に形成された前記アライメントマークを検出する第１マーク検出部を含み、前記第２露光装置は、前記マーク形成装置によって前記基板に形成された前記アライメントマークを検出する第２マーク検出部を含み、前記第１露光装置における前記第１マーク検出部によって検出された前記アライメントマークの情報と、前記第２マーク検出部によって検出された前記アライメントマークの情報とに基づいて、前記第２ショット領域の前記第１ショット領域に対する配列誤差を補正するための補正パラメータを決定し、該補正パラメータを反映して前記第２ショット領域を露光することを特徴とする露光システムが提供される。
本発明によれば、例えば、コストおよび生産性の点で有利な露光システムを提供することができる。
実施形態における露光システムの構成を示す図。 実施形態における露光システムの構成を示す図。 基板上のショット領域およびマークの例を示す図。 従来の露光制御処理を説明する図。 従来の露光制御処理を示すフローチャート。 実施形態における露光制御処理を説明する図。 実施形態における露光制御処理を示すフローチャート。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
図１および図２に、実施形態における露光システムＥＳの概略構成を示す。図１は露光システムＥＳの要部側面図であり、図２は露光システムＥＳの要部平面図である。本明細書では、水平面をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。基板ＰＬはその表面が水平面（ＸＹ平面）と平行になるように基板ステージＰＬ１，ＰＬ２の上に置かれ、投影光学系Ｐ１，Ｐ２の光軸は、ＸＹ平面と直交するＺ軸と平行であるものとする。本実施形態における露光システムＥＳは、複数の露光装置を有する。図１の例は、２つの露光装置を有する例であり、筐体Ｈの中に第１露光装置ＭＰＡ１と第２露光装置ＭＰＡ２が配備されている。ただし、複数の露光装置が１つの筐体の中に収容されていることは必須ではない。
第１露光装置ＭＰＡ１は、原版ステージＭＳ１と、投影光学系Ｐ１と、制御部ＣＮＴ１と、画像処理部ＩＰ１と、基板ステージＰＳ１と、マーク形成装置ＭＦと、マーク検出部ＡＳ１（第１マーク検出部）とを備える。原版ステージＭＳ１は、パターンが形成された原版Ｍ１を保持する。投影光学系Ｐ１は、原版ステージＭＳ１に保持されている原版Ｍ１を基板ＰＬに投影する。基板ステージＰＳ１は、基板ＰＬを保持する。マーク形成装置ＭＦは、図２に示される基板ＰＬの辺ＳＥを基準とする基板ＰＬ上の所定位置にアライメントマーク（以下、単に「マーク」という。）を形成する。マークは、潜像方式、レーザーアブレーション方式等いずれの方式で形成されてもよい。なお、マーク形成装置ＭＦは、第１露光装置ＭＰＡ１の外部に設けられていてもよい。マーク検出部ＡＳ１は、基板ＰＬ上に形成されたマークを検出する。例えば、マーク検出部ＡＳ１は、基板ＰＬ上に形成されたマークをマーク画像として撮像しそのマーク画像を画像処理部ＩＰ１に提供する。画像処理部ＩＰ１は、マーク画像に対する信号処理を行うことでマークの位置を検出する。制御部ＣＮＴ１は、第１露光装置ＭＰＡ１の各構成要素を制御する。
第２露光装置ＭＰＡ２は、原版ステージＭＳ２と、投影光学系Ｐ２と、制御部ＣＮＴ２と、画像処理部ＩＰ２と、基板ステージＰＳ２と、マーク検出部ＡＳ２（第２マーク検出部）とを備える。これらはそれぞれ、第１露光装置ＭＰＡ１における、原版ステージＭＳ１、投影光学系Ｐ１、制御部ＣＮＴ１、画像処理部ＩＰ１、基板ステージＰＳ１、マーク検出部ＡＳ１と同様の機能を有するものである。なお、第２露光装置ＭＰＡ２には、第１露光装置ＭＰＡ１にあるようなマーク形成装置ＭＦを設ける必要はない。
第１露光装置ＭＰＡ１および第２露光装置ＭＰＡ２は、制御装置ＧＳによって統括制御される。制御装置ＧＳは、操作部ＯＰと、主制御部ＭＣＮＴと、記憶部Ｍとを含みうる。操作部ＯＰは、ユーザインタフェースとなる入力装置（キーボードやマウス等）、出力装置（表示装置等）を含みうる。主制御部ＭＣＮＴは、２つの露光装置の動作を統括的に制御する。なお、主制御部ＭＣＮＴと、制御部ＣＮＴ１と、制御部ＣＮＴ２とによって１つの制御部が構成されていると考えることもできる。例えば、第１露光装置ＭＰＡ１の制御部ＣＮＴ１および画像処理部ＩＰ１と、第２露光装置ＭＰＡ２の制御部ＣＮＴ２および画像処理部ＩＰ２の機能は、管理装置ＧＳの主制御部ＭＣＮＴが担う構成としてもよい。記憶部Ｍは、制御プログラムをはじめ、露光処理に関連する各種パラメータ等のデータを記憶している。
露光システムＥＳは、第１露光装置ＭＰＡ１と第２露光装置ＭＰＡ２とで共通の搬送機構ＴＲを有し、第１露光装置ＭＰＡ１および第２露光装置ＭＰＡ２に対する基板の搬入および搬出は、搬送機構ＴＲによって行われる。
実施形態において、基板ＰＬは例えばガラス基板であり、露光システムＥＳは、１枚のガラス基板上の異なる領域にパネルを転写するＭｕｌｔｉ Ｍｏｄｕｌｅ ｏｎ Ｇｌａｓｓ（ＭＭＧ）生産方式により露光を行う。例えば、図３に示すように、まず第１露光装置で、基板ＰＬ上のショット領域（パターンが形成される領域）以外の所定位置にマークＡＭが形成されるとともに、第１ショット領域ＥＸ１に対して第１露光が行われる。その後、第２露光装置ＭＰＡ２で、基板ＰＬのマークＡＭが検出されその検出結果に基づき位置合わせが行われた後、第１ショット領域ＥＸ１とは異なる第２ショット領域ＥＸ２に対して第２露光が行われる。実施形態において、ショット領域は矩形であり、ショット領域のサイズは対角線の長さ（トータルピッチ）で管理されうる。図３において、第１ショット領域ＥＸ１のサイズはＴＰ１で示され、第２ショット領域ＥＸ２のサイズはＴＰ２で示され、ＭＭＧ生産方式で管理される、第１ショット領域ＥＸ１と第２ショット領域ＥＸ２との結合領域のサイズはＴＰＡで示される。
図４は、従来技術により、ＭＭＧ生産方式において結合領域のサイズＴＰＡを管理する距離情報を得る方法を示す模式図である。従来技術では、第１露光装置でマークが精度良く形成されることが前提となっている。以下では、そのようなマークが精度良く形成される条件を、「理想的な条件」という。図４において、第１露光装置ＭＰＡ１のマーク形成装置ＭＦにより、基板ＰＬにマークＲＡＭが理想的な条件で形成される。次に、第１露光装置ＭＰＡ１のマーク検出部ＡＳ１によって、マークＲＡＭが撮像されマーク画像の画像データＲＩＭ１（例えば、ビットマップ形式の画像データ）が得られる。第１露光装置ＭＰＡ１の画像処理部ＩＰ１によって、画像データＲＩＭ１から、マーク画像に含まれるマークＲＡＭの特徴量ＲＣＨ１（不図示）が計算される。特徴量は、例えば輝度でありうる。更に、画像処理部ＩＰ１によって、特徴量ＲＣＨ１に基づいて画像データＲＩＭ１におけるマーク画像の基準位置とマークとの間の相対距離ＡＰ１が計算される。第１露光装置ＭＰＡ１では、計算された相対距離ＡＰ１によってショット領域の位置を補正して露光が行われる。
次に、第２露光装置ＭＰＡ２のマーク検出部ＡＳ２によって、マークＲＡＭが撮像されマーク画像の画像データＲＩＭ２が得られる。第２露光装置ＭＰＡ２の画像処理部ＩＰ２によって、画像データＲＩＭ２に含まれるマークＲＡＭの特徴量ＲＣＨ２（不図示）が計算される。更に、画像処理部ＩＰ２によって、特徴量ＲＣＨ２に基づいて画像データＲＩＭ２におけるマーク画像の基準位置とマークとの間の相対距離ＡＰ２が計算される。第２露光装置ＭＰＡ２では、計算された相対距離ＡＰ２によってショット領域の位置を補正して露光が行われる。
図５は、従来のＭＭＧ生産方式による露光制御処理を示すフローチャートである。Ｓ１００で、基板ＰＬが搬送機構ＴＲによって第１露光装置ＭＰＡ１に搬入され、基板ステージＰＳ１に搭載される。Ｓ１０１で、第１露光装置ＭＰＡ１のマーク形成装置ＭＦにより、基板ＰＬの辺ＳＥを基準とする所定位置にマークＲＡＭが形成される。Ｓ１０２で、第１露光装置ＭＰＡ１のマーク検出部ＡＳ１により、マークＲＡＭが撮像されマーク画像の画像データＲＩＭ１が得られる。Ｓ１０３で、第１露光装置ＭＰＡ１の画像処理部ＩＰ１により、画像データＲＩＭ１から、マーク画像に含まれるマークＲＡＭの特徴量ＲＣＨ１が計算され、特徴量ＲＣＨ１に基づき基準位置とマークとの相対距離ＡＰ１が算出される。
Ｓ１０４では、マークＲＡＭが正常に検出されたかどうかが判定される。マークＲＡＭが正常に検出された場合には、処理はＳ１０５に進む。一方、マークＲＡＭが正常に検出されなかった場合は、そのようなマークは第２露光装置ＭＰＡ２のマーク検出部ＡＳ２によっても検出されえないＳ１１０に進み、露光処理はエラー停止とする。
Ｓ１０５では、第１露光装置ＭＰＡ１で、相対距離ＡＰ１に基づいて第１ショット領域ＥＸ１の位置を補正して、第１ショット領域ＥＸ１が露光される。第１ショット領域ＥＸ１の露光完了後、Ｓ１０６で、基板ＰＬは、搬送機構ＴＲによって、第１露光装置ＭＰＡ１から搬出され、第２露光装置ＭＰＡ２へ搬入されて基板ステージＰＳ２へ搭載される。Ｓ１０７で、第２露光装置ＭＰＡ２のマーク検出部ＡＳ２により、マークＲＡＭが撮像されマーク画像の画像ＲＩＭ２が得られる。Ｓ１０８で、第２露光装置ＭＰＡ２の画像処理部ＩＰ２により、画像データＲＩＭ２から、マーク画像に含まれるマークＲＡＭの特徴量ＲＣＨ２が計算され、特徴量ＲＣＨ２に基づき基準位置とマークとの相対距離ＡＰ２が算出される。Ｓ１０９で、第２露光装置ＭＰＡ２で、相対距離ＡＰ２に基づいて第２ショット領域ＥＸ２の位置を補正して、第２ショット領域ＥＸ２が露光される。上記の露光処理により、相対距離ＡＰ１を基準とした第１ショット領域ＥＸ１に対して、相対距離ＡＰ２を基準とした第２ショット領域ＥＸ２が決定される。
上記したような従来のＭＭＧ生産方式において、結合領域のサイズＴＰＡの精度は、第１ショット領域ＥＸ１のサイズＴＰ１と第２ショット領域ＥＸ２のサイズＴＰ２の精度に加えて、相対距離ＡＰ１およびＡＰ２の精度が影響する。相対距離ＡＰ１及びＡＰ２の精度を高めるためには、特徴量ＲＣＨ１およびＲＣＨ２が理想的な状態で得られることが必要である。これらの特徴量が理想的な状態で得られていれば、上記の露光処理によって、結合領域のサイズＴＰＡが維持された露光を行うことができる。
特徴量ＲＣＨ１およびＲＣＨ２が理想的な状態で得られるためには、マークＲＡＭが理想的な状態で形成されることが必要である。しかし実際には、使用される基板や基板上のレジストの違い等によりマークの形成条件が異なるため、第１露光装置ＭＰＡ１でのマークの形成精度が安定しない。そのため、第１露光装置ＭＰＡ１で形成されたマークの精度が不十分で第２露光装置ＭＰＡ２でのマークの検出精度が良くない場合がある。その場合、結果として、Ｓ１０５における第１ショット領域ＥＸ１とＳ１０９における第２ショット領域ＥＸ２の相対位置関係を正しく管理できないため、結合領域のサイズＴＰＡを所望の精度で得ることができない。また、マークが正常に検出できなければ、Ｓ１１０で露光処理はエラー停止となるため、生産性が低下する。
図６は、実施形態における、ＭＭＧ生産方式において結合領域のサイズを管理する距離情報を得る方法を示す模式図である。図５において、第１露光装置ＭＰＡ１のマーク形成装置ＭＦにより、基板ＰＬにマークＭＡＭが形成される。このマークＭＡＭは、理想的な条件でマーク形成が行われなかったために、不完全な形で形成されている場合もある。次に、第１露光装置ＭＰＡ１のマーク検出部ＡＳ１によって、マークＭＡＭが撮像されマーク画像の画像データＩＭ１（例えば、ビットマップ形式の画像データ）が得られる。画像データＩＭ１は、管理装置ＧＳ（主制御部ＭＣＮＴ）により第１露光装置ＭＰＡ１から第２露光装置ＭＰＡ２に転送される。従来例（図４）では、マーク検出部ＡＳ１によって得られた画像データＲＩＭ１に基づいて第１ショット領域ＥＸ１の位置を補正して露光が行われた。これに対し実施形態では、画像データＲＩＭ１ではなく、基板ＰＬの辺ＳＥ（基板ステージＰＳ１の不図示の突き当て部に付き当てられている）を基準に第１ショット領域ＥＸ１が露光される。
次に、第２露光装置ＭＰＡ２のマーク検出部ＡＳ２によって、マークＭＡＭが撮像されマーク画像の画像データＩＭ２が得られる。第２露光装置ＭＰＡ２の画像処理部ＩＰ２によって、画像データＩＭ２に含まれるマークＭＡＭの特徴量ＣＨ１（第１特徴量）が計算されるとともに、画像データＩＭ２に含まれるマークＭＡＭの特徴量ＣＨ２（第２特徴量）が計算される。特徴量は、例えば、輝度、コントラスト、スペクトル情報のうちの少なくともいずれかでありうる。更に、画像処理部ＩＰ２によって、特徴量ＣＨ１と特徴量ＣＨ２を用いた画像処理方法（例えば、位相限定相関法）に従い、両画像におけるマーク間の相対距離ＲＤ１が計算される。その後、第２露光装置ＭＰＡ２により、計算された相対距離ＲＤ１によってショット領域の位置を補正して露光が行われる。
図７は、実施形態におけるＭＭＧ生産方式による露光制御処理を示すフローチャートである。Ｓ２００で、基板ＰＬが搬送機構ＴＲＴＲによって第１露光装置ＭＰＡ１に搬入され、基板ステージＰＳ１に搭載される。Ｓ２０１で、第１露光装置ＭＰＡ１のマーク形成装置ＭＦにより、基板ＰＬの辺ＳＥを基準とする所定位置にマークＭＡＭが形成される。前述したように、ここで形成されるマークＭＡＭは不完全な形である可能性がある。Ｓ２０２で、第１露光装置ＭＰＡ１のマーク検出部ＡＳ１により、マークＭＡＭが撮像されマーク画像の画像データＩＭ１が得られる。
Ｓ２０３で、管理装置ＧＳ（主制御部ＭＣＮＴ）により、画像データＩＭ１が第１露光装置ＭＰＡ１から第２露光装置ＭＰＡ２に転送される。例えば、第２露光装置ＭＰＡ２に転送された画像データＩＭ１は制御部ＣＮＴ２の不図示のメモリに記憶されうる。あるいは、この時点では管理装置ＧＳは画像データＩＭ１を第２露光装置ＭＰＡ２に転送せず、管理装置ＧＳ内の記憶部Ｍに保存しておき、第２露光装置ＭＰＡ２の制御部ＣＮＴ２が後で記憶部Ｍから画像データＩＭ１を読み出すようにしてもよい。
Ｓ２０４で、第１露光装置ＭＰＡ１で、基板ＰＬの辺ＳＥを基準として基板ＰＬの第１ショット領域ＥＸ１が露光される。第１ショット領域ＥＸ１の露光完了後、Ｓ２０５で、基板ＰＬは、搬送機構ＴＲによって、第１露光装置ＭＰＡ１から搬出され、第２露光装置ＭＰＡ２へ搬入されて基板ステージＰＳ２へ搭載される。Ｓ２０６で、第２露光装置ＭＰＡ２のマーク検出部ＡＳ２により、マークＭＡＭが撮像されマーク画像の画像データＩＭ２が得られる。
Ｓ２０７で、第２露光装置ＭＰＡ２の画像処理部ＩＰ２によって、Ｓ２０３で第１露光装置ＭＰＡ１から転送された画像データＩＭ１に含まれるマークＭＡＭの特徴量ＣＨ１が計算される。また、画像処理部ＩＰ２によって、画像データＩＭ２に含まれるマークＭＡＭの特徴量ＣＨ２が計算される。特徴量は、例えば、輝度、コントラスト、スペクトル情報のうちの少なくともいずれかでありうる。更に、画像処理部ＩＰ２によって、特徴量ＣＨ１と特徴量ＣＨ２を用いた画像処理方法（例えば、位相限定相関法）に従い、画像データＩＭ１のマークＭＡＭと画像データＩＭ２のマークＭＡＭとの間の相対距離ＲＤ１が計算される。Ｓ２０８で、第２露光装置ＭＰＡ２で、ショット領域の位置を補正して露光が行われる。具体的には、第２露光装置ＭＰＡ２は、計算された相対距離ＲＤ１に基づき、第２ショット領域ＥＸ２の第１ショット領域ＥＸ１に対する配列誤差を補正するための補正パラメータを決定する。そして、第２露光装置ＭＰＡ２は、決定された補正パラメータを反映して第２ショット領域ＥＸ２を露光する。具体的には、第２露光装置ＭＰＡ２は、決定された補正パラメータに基づいて、装置内の所定のユニット（例えば、投影光学系Ｐ２の光学素子）を補正駆動して、第２ショット領域ＥＸ２の露光を行う。
以上の本実施形態の露光制御処理によれば、第１露光装置ＭＰＡ１は、基板ＰＬの辺ＳＥを基準として第１ショット領域ＥＸ１の露光を行う。一方、第２露光装置ＭＰＡ２は、第１露光装置ＭＰＡ１のマーク検出部ＡＳ１によって検出されたマークの情報とマーク検出部ＡＳ２によって検出されたマークの情報を取得する。第１露光装置ＭＰＡ１のマーク検出部ＡＳ１によって検出されたマークの情報は、上記の例では、第１露光装置ＭＰＡ１で取得した画像データＩＭ１である。マーク検出部ＡＳ２によって検出されたマークの情報は、上記の例では、第２露光装置ＭＰＡ２で取得した画像データＩＭ２である。第２露光装置ＭＰＡ２は、画像データＩＭ１のマークＭＡＭと画像データＩＭ２のマークＭＡＭとの間の相対距離ＲＤ１に基づいて、第２ショット領域ＥＸ２の配列誤差を補正するための補正パラメータを決定する。そして、第２露光装置ＭＰＡ２は、該補正パラメータを反映して第２ショット領域ＥＸ２の露光を行う。これにより、マークＭＡＭの形成精度が不安定であっても、結合領域のサイズＴＰＡは、ＴＰ１とＴＰ２にＲＤ１を加算した値で得ることができるため、配列の位置合わせを高精度かつ安定して行うことができる。
上述の実施形態では、マーク画像の画像データＩＭ１（例えば、ビットマップ形式の画像データ）が、第１露光装置ＭＰＡ１から管理装置ＧＳ（主制御部ＭＣＮＴ）を介して第２露光装置ＭＰＡ２に転送される構成とした。この変形例として、第１露光装置ＭＰＡ１の画像処理部ＩＰ１において画像データＲＩＭ１からマークの特徴量ＣＨ１が計算され、この特徴量ＣＨ１のデータが、第１露光装置ＭＰＡ１から第２露光装置ＭＰＡ２に転送される構成としてもよい。例えば、第２露光装置ＭＰＡ２の画像処理部ＩＰ２によるマーク間の相対距離ＲＤ１の算出に位相限定相関法が採用される場合を考える。この場合、第１露光装置ＭＰＡ１の画像処理部ＩＰ１は、画像データＲＩＭ１に対して離散フーリエ変換を行い当該画像の周波数領域での振幅スペクトルおよび位相スペクトルを得る。ここで、振幅スペクトルは画像の濃淡の情報に対応し、位相スペクトルは画像の輪郭の情報に対応する。第１露光装置ＭＰＡ１は、これら振幅スペクトルおよび位相スペクトルに関するスペクトル情報を特徴量ＣＨ１のデータとして、第２露光装置ＭＰＡ２に転送する。
この変形例においては、特徴量ＣＨ１の計算が第１露光装置ＭＰＡ１側で行われるので、第２露光装置ＭＰＡ２側での計算負荷を低減させるのに有利である。
＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
ＥＳ：露光システム、ＭＰＡ１：第１露光装置、ＭＰＡ２：第２露光装置、ＧＳ：管理装置、ＴＲ：搬送機構、Ｈ：筐体

Claims (7)

  1. 基板の第１ショット領域を露光する第１露光装置と、
    前記基板の前記第１ショット領域とは異なる第２ショット領域を露光する第２露光装置と、
    前記基板の、前記第１ショット領域および前記第２ショット領域とは異なる位置にアライメントマークを形成するマーク形成装置と、を含む露光システムであって、
    前記第１露光装置は、前記マーク形成装置によって前記基板に形成された前記アライメントマークを検出する第１マーク検出部を含み、
    前記第２露光装置は、
    前記マーク形成装置によって前記基板に形成された前記アライメントマークを検出する第２マーク検出部を含み、
    前記第１露光装置における前記第１マーク検出部によって検出された前記アライメントマークの情報と、前記第２マーク検出部によって検出された前記アライメントマークの情報とに基づいて、前記第２ショット領域の前記第１ショット領域に対する配列誤差を補正するための補正パラメータを決定し、該補正パラメータを反映して前記第２ショット領域を露光する
    ことを特徴とする露光システム。
  2. 前記第１マーク検出部および前記第２マーク検出部は、前記アライメントマークの情報として、前記アライメントマークの画像の画像データを提供することを特徴とする請求項１に記載の露光システム。
  3. 前記第２露光装置は、前記第１マーク検出部および前記第２マーク検出部からの画像データに基づいて、前記第１マーク検出部で得られた画像における前記アライメントマークと前記第２マーク検出部で得られた画像における前記アライメントマークとの間の相対距離を計算し、該相対距離に基づいて前記補正パラメータを決定することを特徴とする請求項２に記載の露光システム。
  4. 前記第２露光装置は、前記第１マーク検出部からの前記画像データから前記アライメントマークの特徴量である第１特徴量を計算し、前記第２マーク検出部からの前記画像データから前記アライメントマークの特徴量である第２特徴量を計算し、前記第１特徴量と前記第２特徴量とに基づいて、前記相対距離を計算することを特徴とする請求項３に記載の露光システム。
  5. 前記特徴量は、輝度、コントラスト、スペクトル情報のうちの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項４に記載の露光システム。
  6. 前記基板を前記第１露光装置から前記第２露光装置に搬送する搬送機構を更に含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光システム。
  7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光システムを用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で前記露光された基板を現像する工程と、
    を含み、
    前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
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