JP4417352B2 - リソグラフィ装置で基板を整列するための方法、およびリソグラフィ装置のドリフト誤差を決めるための方法 - Google Patents
リソグラフィ装置で基板を整列するための方法、およびリソグラフィ装置のドリフト誤差を決めるための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4417352B2 JP4417352B2 JP2006178870A JP2006178870A JP4417352B2 JP 4417352 B2 JP4417352 B2 JP 4417352B2 JP 2006178870 A JP2006178870 A JP 2006178870A JP 2006178870 A JP2006178870 A JP 2006178870A JP 4417352 B2 JP4417352 B2 JP 4417352B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- window
- alignment mark
- lithographic apparatus
- determining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
− この製造装置によって処理すべき物体のパラメータを検出する工程、
− この物体の検出したパラメータをデータベースに記憶する工程、および
− この記憶したパラメータから診断情報を誘導する工程を含む方法が提供される。
1.ステップモードでは、放射線ビームに与えた全パターンを目標部分C上に一度に(即ち、単一静的露光で)投影する間、マスクテーブルMTまたは“マスク支持体”および基板テーブルWTまたは“基板支持体”を本質的に固定して保持する。次に基板テーブルWTまたは“基板支持体”をXおよび/またはY方向に移動して異なる目標部分Cを露光できるようにする。ステップモードでは、露光領域の最大サイズが単一静的露光で結像する目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードでは、放射線ビームの与えたパターンを目標部分C上に投影(即ち、単一動的露光)しながら、マスクテーブルMTまたは“マスク支持体”および基板テーブルWTまたは“基板支持体”を同期して走査する。マスクテーブルMTまたは“マスク支持体”に対する基板テーブルWTまたは“基板支持体”の速度および方向は、投影システムPSの(縮)倍率および像反転特性によって決るかも知れない。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一動的露光での目標部分の幅(非走査方向の)を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の高さ(走査方向の)を決める。
3.もう一つのモードでは、プログラム可能パターニング装置を保持するマスクテーブルMTまたは“マスク支持体”を本質的に固定し、放射線ビームに与えたパターンを目標部分C上に投影しながら、基板テーブルWTまたは“基板支持体”を動かしまたは走査する。このモードでは、一般的にパルス化した放射線源を使用し、プログラム可能パターニング装置を基板テーブルWTまたは“基板支持体”の各運動後または走査中の連続する放射線パルスの間に必要に応じて更新する。この作動モードは、上に言及した型式のプログラム可能ミラーアレイのような、プログラム可能パターニング装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用できる。
上に説明した使用モードの組合せおよび/または変形または全く異なった使用モードも使ってよい。
AM1 整列マーク
AM2 整列マーク
CEN 中心
DB データベース
E 幾何学的基準、エッジ
W 基板、物体
WIN ウインドウ
WIN1 ウインドウ
WIN2 ウインドウ
Claims (15)
- リソグラフィ装置で基板を整列するための方法であって、
a)この基板の幾何学的基準から基板上のウインドウの位置を決め、該ウインドウが中にこの基板の整列マークを予想できる領域を示す工程、
b)このウインドウの中のこの整列マークの位置を測定する工程、
c)この整列マークの実測位置とこのウインドウの位置の間の関係を決める工程、
d)この基板についてこの整列マークの実測位置とこのウインドウの位置の間の関係をデータベースに記憶する工程、
e)この整列マークの実測位置を使ってこの基板を整列する工程、および
f)この基板の後の整列のためにa)ないしe)を繰返す工程を含み、b)の前にこのウインドウの位置を、少なくとも一つの先行整列についてこのデータベースに記憶したこの整列マークの実測位置とこのウインドウの位置の間の関係を使って修正する方法。 - 請求項1に記載の方法に於いて、a)が上記基板のエッジを検出する工程および幾何学的アルゴリズムでこのエッジに関する上記ウインドウの位置を決める工程を含む方法。
- 請求項1に記載の方法に於いて、c)が上記整列マークの実測位置と上記ウインドウの中心の位置の間のオフセットを決める工程を含む方法。
- 請求項3に記載の方法に於いて、d)が上記オフセットを上記データベースに記憶する工程を含む方法。
- 請求項1に記載の方法に於いて、c)を繰返すとき、c)での上記ウインドウの位置がa)で決めた上記ウインドウの位置を含む方法。
- 請求項1に記載の方法に於いて、c)を繰返すとき、c)での上記ウインドウの位置がb)の前に修正した修正位置を含む方法。
- 請求項1に記載の方法に於いて、d)が更に上記データベースで上記関係を、上記基板を識別するための基板標識に関係付ける工程を含む方法。
- 請求項1による方法に於いて、上記整列マークの実測位置と上記ウインドウの位置の間の関係が上記整列マークの実測位置と上記ウインドウの位置の間のオフセットを含み、およびf)が上記基板の少なくとも二つの先行整列について上記データベースに記憶したオフセットを平均化する工程を含む方法。
- 請求項8に記載の方法に於いて、平均化する前に、上記基板の少なくとも二つの先行整列について上記データベースに記憶したオフセットに重み係数を掛け、この平均化をこの重み係数を掛けたオフセットについて行う方法。
- 請求項9に記載の方法に於いて、上記重み係数が複数の整列後に最終値の方へ増加する方法。
- 請求項10に記載の方法に於いて、上記最終値が0.5と0.7の間にある方法。
- 請求項8に記載の方法であって、更に、
少なくとも二つの基板について、この少なくとも二つの基板の各々について上記記憶したオフセットと上記平均したオフセットとの間の差を決める工程、および
この少なくとも二つの基板の各々について上記記憶したオフセットと上記平均したオフセットとの間の差の平均を決めることによって上記リソグラフィ装置のドリフト誤差を決める工程
によって上記リソグラフィ装置のドリフト誤差を決める工程を含む方法。 - リソグラフィ装置のドリフト誤差を決めるための方法であって、
a)少なくとも二つの基板の幾何学的基準からこれらの基板の各々上のウインドウの位置を決め、このウインドウが中にこの基板の整列マークを予想できるできる領域を示す工程、
b)これらの基板の各々についてこのウインドウの中のこの整列マークの位置を測定する工程、
c)これらの基板の各々についてこの整列マークの実測位置とこのウインドウの位置の間の関係を決める工程、
d)これらの基板の各々についてこの整列マークの実測位置とこのウインドウの位置の間の関係をデータベースに記憶する工程、
e)a)ないしd)を少なくとも一度繰返す工程、
f)これらの基板(W)の各々についてd)で記憶した関係を平均化する工程、
g)少なくとも二つの基板(W)の各々について、記憶した関係と平均化した関係の間の差を決める工程、および
h)g)で決めた差の平均値を決めることによってこのリソグラフィのドリフト誤差を決める工程を含む方法。 - 請求項13に記載の方法に於いて、a)ないしd)を繰返すとき、b)の繰返しを別のリソグラフィ装置に行って、次に先のb)を行う方法。
- リソグラフィ装置で基板を整列するための方法であって、
a)この基板の幾何学的基準からこの基板上の少なくとも二つのウインドウのそれぞれの位置を決め、これらのウインドウが中にこの基板の整列マークを予想できる領域を示す工程、
b)これらのウインドウの各々の中のこのそれぞれの整列マークの位置を測定する工程、
c)これらの整列マークの各々について、このそれぞれの整列マークの実測位置とこのそれぞれのウインドウの予想する整列マーク位置の間の差を決める工程、
d)これらの差の合計が減るであろう、この基板の位置を決める工程、および
e)この基板をこの決めた位置へ運ぶ工程を含む方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/170,796 US7408618B2 (en) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | Lithographic apparatus substrate alignment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007013168A JP2007013168A (ja) | 2007-01-18 |
JP4417352B2 true JP4417352B2 (ja) | 2010-02-17 |
Family
ID=37589062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006178870A Expired - Fee Related JP4417352B2 (ja) | 2005-06-30 | 2006-06-29 | リソグラフィ装置で基板を整列するための方法、およびリソグラフィ装置のドリフト誤差を決めるための方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7408618B2 (ja) |
JP (1) | JP4417352B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100639676B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2006-10-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 포토리소그라피 설비 제어시스템 및 그제어방법 |
JP4777731B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-09-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7837907B2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-11-23 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process |
US8121396B1 (en) * | 2007-09-06 | 2012-02-21 | Kla-Tencor Corporation | Assessing critical dimension and overlay tolerance |
JP5473500B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光装置の制御方法、及びデバイス製造方法 |
US8220140B1 (en) * | 2010-09-13 | 2012-07-17 | Western Digital (Fremont), Llc | System for performing bonding a first substrate to a second substrate |
JP2015052536A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | キヤノン株式会社 | 計測装置 |
JP6386732B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2018-09-05 | キヤノン株式会社 | 検出装置、検出方法、及びリソグラフィ装置 |
JP6521637B2 (ja) | 2015-01-09 | 2019-05-29 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
JP6595870B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-10-23 | 株式会社Screenホールディングス | 補正情報生成装置、描画装置、補正情報生成方法および描画方法 |
US10699969B2 (en) * | 2017-08-30 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corporation | Quick adjustment of metrology measurement parameters according to process variation |
EP3531207A1 (en) * | 2018-02-27 | 2019-08-28 | ASML Netherlands B.V. | Alignment mark positioning in a lithographic process |
US10599055B1 (en) * | 2018-11-15 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Self aligning systems and methods for lithography systems |
US11442372B2 (en) | 2019-03-27 | 2022-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring an alignment mark or an alignment mark assembly, alignment system, and lithographic tool |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3254704B2 (ja) * | 1991-12-18 | 2002-02-12 | 株式会社ニコン | 露光装置および露光方法 |
JPH0737770A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
US5798195A (en) * | 1993-09-24 | 1998-08-25 | Nikon Corporation | Stepping accuracy measuring method |
JPH07307269A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Canon Inc | 位置合わせ方法 |
US5627624A (en) * | 1994-10-31 | 1997-05-06 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit test reticle and alignment mark optimization method |
US5795687A (en) * | 1995-02-24 | 1998-08-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and alignment |
JPH09171610A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-06-30 | Nikon Corp | 矩形基板のアライメント方法 |
JPH1070062A (ja) * | 1996-08-26 | 1998-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | アライメント装置及びアライメントマークの検出方法 |
JP2867982B2 (ja) * | 1996-11-29 | 1999-03-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
EP1195796A4 (en) * | 1999-06-29 | 2003-10-22 | Nikon Corp | METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING AN INDICATOR, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE PRODUCTION METHOD AND DEVICE |
JP2001127140A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-05-11 | Canon Inc | 基板位置決め装置 |
EP1182508B1 (de) * | 2000-08-14 | 2012-12-12 | Vistec Electron Beam GmbH | Verfahren zum Belichten eines aus mehreren Ebenen bestehenden Layouts auf einem Wafer |
JP2002064046A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Hitachi Ltd | 露光方法およびそのシステム |
JP2002203764A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 位置検出方法、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4366031B2 (ja) * | 2001-09-17 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及び方法並びに露光装置、デバイスの製造方法 |
JP4154197B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法、位置検出装置及び露光装置 |
JP2004119477A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Canon Inc | 重ね合わせ検査方法及び装置 |
EP1477851A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method and lithographic apparatus |
JP2005116561A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Nikon Corp | テンプレート作成方法及び装置、位置検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
US7256865B2 (en) * | 2003-10-24 | 2007-08-14 | Asml Holding N.V. | Methods and apparatuses for applying wafer-alignment marks |
-
2005
- 2005-06-30 US US11/170,796 patent/US7408618B2/en active Active
-
2006
- 2006-06-29 JP JP2006178870A patent/JP4417352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070002298A1 (en) | 2007-01-04 |
JP2007013168A (ja) | 2007-01-18 |
US7408618B2 (en) | 2008-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4417352B2 (ja) | リソグラフィ装置で基板を整列するための方法、およびリソグラフィ装置のドリフト誤差を決めるための方法 | |
JP4352042B2 (ja) | オーバレイを減少させるための基板テーブルまたはマスクテーブルの表面平坦度情報の使用 | |
US7808613B2 (en) | Individual wafer history storage for overlay corrections | |
KR102124896B1 (ko) | 처리 파라미터의 간접 결정 | |
JP4951033B2 (ja) | プロセス補償方法及びシステム並びにコンピュータプログラム | |
US20150146188A1 (en) | Method to determine the usefulness of alignment marks to correct overlay, and a combination of a lithographic apparatus and an overlay measurement system | |
KR20130034631A (ko) | 기판에 패턴을 적용하는 방법, 디바이스 제조 방법, 및 이러한 방법들에 이용하기 위한 리소그래피 장치 | |
JP5507387B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4443537B2 (ja) | リソグラフィ装置又はその一部を較正又は検定する方法及びデバイス製造方法 | |
US10095131B2 (en) | Alignment modeling and a lithographic apparatus and exposure method using the same | |
JP2007115784A (ja) | 露光システム、露光方法、及びデバイス製造工場 | |
US11137695B2 (en) | Method of determining a height profile, a measurement system and a computer readable medium | |
JP5147865B2 (ja) | デバイス製造方法、リソグラフィ装置およびコンピュータプログラム | |
US20190294059A1 (en) | Method of determining pellicle compensation corrections for a lithographic process, metrology apparatus and computer program | |
JP4340270B2 (ja) | リソグラフィ装置、パターニング組立体および汚染推定法 | |
JP5209526B2 (ja) | 露光設定を決定するための方法、リソグラフィ露光装置、コンピュータプログラムおよびデータキャリア | |
KR102353128B1 (ko) | 기판 내의 응력을 결정하는 방법들, 리소그래피 공정을 제어하는 제어 시스템, 리소그래피 장치 및 컴퓨터 프로그램 제품 | |
JP4410171B2 (ja) | アライメント装置、アライメント方法、及びリソグラフィ装置 | |
TWI754249B (zh) | 判定一組度量衡點的方法及判定用於擬合量測之模型之方法 | |
WO2021151565A1 (en) | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses | |
NL2024779A (en) | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061205 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4417352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131204 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |