JP2020126899A5 - - Google Patents
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Description
上記課題を解決するために、一の態様によれば、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層膜を有する第１領域と、シリコン酸化膜の単層膜を有する第２領域と、を有する第１基板を提供する工程と、硫黄含有ガスの流量を変えて、各流量で前記第１基板を処理ガスを用いてエッチングし、前記硫黄含有ガスの流量と、前記第１領域に形成された凹部の形状と前記第２領域に形成された凹部の形状との形状差と、の関係を求める工程と、前記関係から、前記硫黄含有ガスの流量を決定する工程と、決定した前記硫黄含有ガスの流量で、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層膜を有する第１領域と、シリコン酸化膜の単層膜を有する第２領域と、を有する第２基板をエッチングする工程と、を有する基板処理方法が提供される。
Claims (19)
- シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層膜を有する第１領域と、シリコン酸化膜の単層膜を有する第２領域と、を有する第１基板を提供する工程と、
硫黄含有ガスの流量を変えて、各流量で前記第１基板を処理ガスを用いてエッチングし、前記硫黄含有ガスの流量と、前記第１領域に形成された凹部の形状と前記第２領域に形成された凹部の形状との形状差と、の関係を求める工程と、
前記関係から、前記硫黄含有ガスの流量を決定する工程と、
決定した前記硫黄含有ガスの流量で、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層膜を有する第１領域と、シリコン酸化膜の単層膜を有する第２領域と、を有する第２基板をエッチングする工程と、を有する基板処理方法。 - 前記関係を求める工程の前記形状差は、前記第１領域に形成された凹部の最大ＣＤと前記第２領域に形成された凹部の最大ＣＤとの差である、
請求項１に記載の基板処理方法。 - 前記流量を決定する工程は、前記第１領域に形成された凹部の最大ＣＤと前記第２領域に形成された凹部の最大ＣＤとの差が所定の閾値以下となるように、前記硫黄含有ガスの流量を決定するステップを含む、
請求項２に記載の基板処理方法。 - 前記流量を決定する工程は、
前記第１領域及び前記第２領域における最大ＣＤの差が、前記第１領域の最大ＣＤに対し５％以下となるように、前記硫黄含有ガスの流量を決定するステップを含む、
請求項２に記載の基板処理方法。 - 前記関係を求める工程は、
前記硫黄含有ガスの流量と、前記第１領域に形成された凹部のエッチングレートと前記第２領域に形成された凹部のエッチングレートとの差と、の関係を求めるステップを含む、
請求項１に記載の基板処理方法。 - 前記流量を決定する工程は、
前記第１領域及び前記第２領域におけるエッチングレートの差が所定の閾値以下となるように、前記硫黄含有ガスの流量を決定するステップを含む、
請求項５に記載の基板処理方法。 - 前記関係を求める工程の前記形状差は、前記第１領域に形成された凹部の深さと前記第２領域に形成された凹部の深さとの差である、
請求項１に記載の基板処理方法。 - 前記流量を決定する工程は、前記第１領域に形成された凹部の深さと前記第２領域に形成された凹部の深さとの差が所定の閾値以下となるように、前記硫黄含有ガスの流量を決定するステップを含む、
請求項７に記載の基板処理方法。 - 前記第１基板は、前記第１領域及び前記第２領域の上にマスクを有し、
前記関係を求める工程は、
前記硫黄含有ガスの流量と、前記第１領域に形成された凹部における前記マスクの最小幅と前記第２領域に形成された凹部における前記マスクの最小幅との差と、の関係を求める、
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の基板処理方法。 - 前記硫黄含有ガスを含まない処理ガスを用いて、前記形状差が所定の範囲内となるように前記第１基板をエッチングし、前記硫黄含有ガス以外の処理ガスの条件を決定する工程を含む、
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。 - 前記第１基板は、テスト用の基板であり、
前記第２基板は、半導体デバイス製造用の基板である、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。 - 前記硫黄含有ガスは、ＣＯＳ、ＳＯ２、ＳＦ６の少なくとも１つを含む、
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。 - 前記処理ガスは、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８の少なくとも１つを含む、
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。 - 前記処理ガスは、ハイドロフルオロカーボンガス、フルオロカーボンガス、酸素含有ガス、及び、希ガスを含む、
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。 - 前記ハイドロフルオロカーボンガスは、ＣＨ ２ Ｆ ２ 、ＣＨＦ ３ の少なくとも１つを含む、
請求項１４に記載の基板処理方法。 - 前記フルオロカーボンガスは、Ｃ ４ Ｆ ６ 、Ｃ ４ Ｆ ８ 、Ｃ ３ Ｆ ８ の少なくとも１つを含む、
請求項１４に記載の基板処理方法。 - 前記酸素含有ガスはＯ ２ 、Ｏ ３ の少なくとも１つを含む、
請求項１４に記載の基板処理方法。 - シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層膜を有する第１領域と、シリコン酸化膜の単層膜を有する第２領域と、を有する第１基板を提供する工程と、
硫黄含有ガスの流量を変えて、各流量で前記第１基板をエッチングし、前記硫黄含有ガスの流量と、前記第１領域に形成された凹部の形状と前記第２領域に形成された凹部の形状との形状差と、の関係から決定された前記硫黄含有ガスの流量で、第２基板をエッチングする工程と、を有する基板処理方法。 - チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、基板を支持する支持台と、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層膜を有する第１領域と、シリコン酸化膜の単層膜を有する第２領域と、を有する第１基板を提供する工程と、
硫黄含有ガスの流量を変えて、各流量で前記第１基板を処理ガスを用いてエッチングし、前記硫黄含有ガスの流量と、前記第１領域に形成された凹部の形状と前記第２領域に形成された凹部の形状との形状差と、の関係を求める工程と、
前記関係から、前記硫黄含有ガスの流量を決定する工程と、
決定した前記硫黄含有ガスの流量で、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層膜を有する第１領域と、シリコン酸化膜の単層膜を有する第２領域と、を有する第２基板をエッチングする工程と、を実行する、
基板処理装置。
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