JPH0722398A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH0722398A JPH0722398A JP15249493A JP15249493A JPH0722398A JP H0722398 A JPH0722398 A JP H0722398A JP 15249493 A JP15249493 A JP 15249493A JP 15249493 A JP15249493 A JP 15249493A JP H0722398 A JPH0722398 A JP H0722398A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 オーバーエッチングを防止し、被加工物の加
工精度を向上させる。 【構成】 真空チャンバー２２内に被加工物２１を置く
とともに、ＳＦ6ガスとＨｅガスとからなる反応ガスを
プラズマ化しておく。このプラズマ化された反応ガス
を、表面に窒化シリコン膜を形成させた酸化シリコン膜
に接触させることにより、被加工物２１をエッチングす
る。 【効果】 反応ガスをプラズマ化させ、このプラズマ化
された反応ガスで、窒化シリコン膜をエッチングし、次
いで、酸化シリコン膜をエッチングする。反応ガスはＳ
Ｆ6ガスとＨｅガスとからなるため、酸化シリコン膜と
窒化シリコン膜との選択比を向上できるから、プラズマ
化された反応ガスがシリコン基板をオーバーエッチング
するのを防止できる。
工精度を向上させる。 【構成】 真空チャンバー２２内に被加工物２１を置く
とともに、ＳＦ6ガスとＨｅガスとからなる反応ガスを
プラズマ化しておく。このプラズマ化された反応ガス
を、表面に窒化シリコン膜を形成させた酸化シリコン膜
に接触させることにより、被加工物２１をエッチングす
る。 【効果】 反応ガスをプラズマ化させ、このプラズマ化
された反応ガスで、窒化シリコン膜をエッチングし、次
いで、酸化シリコン膜をエッチングする。反応ガスはＳ
Ｆ6ガスとＨｅガスとからなるため、酸化シリコン膜と
窒化シリコン膜との選択比を向上できるから、プラズマ
化された反応ガスがシリコン基板をオーバーエッチング
するのを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン基板等の被加
工物を部分的に除去するドライエッチング方法にかか
り、特に、プラズマ化された反応ガスを被加工物に接触
させることにより、該被加工物をエッチングするドライ
エッチング方法に関するものである。
工物を部分的に除去するドライエッチング方法にかか
り、特に、プラズマ化された反応ガスを被加工物に接触
させることにより、該被加工物をエッチングするドライ
エッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シリコン基板等の半導体素子の
製造では、シリコン、または、その化合物を部分的に除
去するドライエッチング方法が知られている。このドラ
イエッチング方法には、図４に示すように、平行平板型
のドライエッチング装置１が用いられている。このドラ
イエッチング装置１は、シリコン基板等の被加工物２が
挿入され、この被加工物２をエッチングする反応ガスが
供給される真空チャンバー３と、この真空チャンバー３
が支持される基台４と、真空チャンバー３内に上下方向
に互いに対向配設された板状の上部電極５及び下部電極
６と、上部電極５に電圧を印加する電源７とを有する。
下部電極６は、電気的に接地されている。
製造では、シリコン、または、その化合物を部分的に除
去するドライエッチング方法が知られている。このドラ
イエッチング方法には、図４に示すように、平行平板型
のドライエッチング装置１が用いられている。このドラ
イエッチング装置１は、シリコン基板等の被加工物２が
挿入され、この被加工物２をエッチングする反応ガスが
供給される真空チャンバー３と、この真空チャンバー３
が支持される基台４と、真空チャンバー３内に上下方向
に互いに対向配設された板状の上部電極５及び下部電極
６と、上部電極５に電圧を印加する電源７とを有する。
下部電極６は、電気的に接地されている。
【０００３】真空チャンバー３には、該真空チャンバー
３内に反応ガスを導入するガス導入部８が上部に設けら
れ、真空チャンバー３内の空気を排気する排気部９が下
部に設けられている。この排気部９の周囲は基台４に囲
まれ、この基台４の表面にＯリング等の封止材１０が装
填され、この封止材１０上に真空チャンバー３の下端部
が載置されている。すなわち、ガス導入部８と排気部９
とが上下方向に配設されている。
３内に反応ガスを導入するガス導入部８が上部に設けら
れ、真空チャンバー３内の空気を排気する排気部９が下
部に設けられている。この排気部９の周囲は基台４に囲
まれ、この基台４の表面にＯリング等の封止材１０が装
填され、この封止材１０上に真空チャンバー３の下端部
が載置されている。すなわち、ガス導入部８と排気部９
とが上下方向に配設されている。
【０００４】このようなドライエッチング装置１では、
下部電極６上にシリコン基板等の被加工物２を載置し、
真空チャンバー３内の空気を排気部９で排気する。そし
て、電源７で上部電極５に電圧を印加し、ガス導入部８
から真空チャンバー３内に反応ガスを噴射し、この反応
ガスを上部電極５の周縁部から下方に向かって噴射する
ことにより、反応ガスをプラズマ化する。このプラズマ
化された反応ガスを被加工物２に衝突させることによ
り、この被加工物２をエッチングする。
下部電極６上にシリコン基板等の被加工物２を載置し、
真空チャンバー３内の空気を排気部９で排気する。そし
て、電源７で上部電極５に電圧を印加し、ガス導入部８
から真空チャンバー３内に反応ガスを噴射し、この反応
ガスを上部電極５の周縁部から下方に向かって噴射する
ことにより、反応ガスをプラズマ化する。このプラズマ
化された反応ガスを被加工物２に衝突させることによ
り、この被加工物２をエッチングする。
【０００５】ここで、シリコン若しくはその化合物のド
ライエッチングに使用される反応ガスとしては、Ｃ
Ｆ4、ＣＦ4＋Ｏ2、ＮＦ3、ＳＦ6、ＣＨＦ3、ＣＦ4＋Ｈ2
等が用いられている。ところで、被加工物２としてＳ
ｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4をそれぞれドライエッチングし
たときのエッチングの速度を比較すると、反応ガスとし
てＣＦ4、ＣＦ4＋Ｏ2、ＮＦ3、ＳＦ6を用いてエッチン
グしたときは、Ｓｉをエッチングする速度が最も大き
く、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2の順にエッチング速度が小さく
なる。一方、反応ガスとしてＣＨＦ3、ＣＦ4＋Ｈ2を用
いると、Ｓｉのエッチング速度に比べてＳｉＯ2とＳｉ3
Ｎ4のエッチング速度は大きくなるが、ＳｉＯ2に対する
Ｓｉ3Ｎ4のエッチング速度比は、ほぼ２〜３程度であっ
た。
ライエッチングに使用される反応ガスとしては、Ｃ
Ｆ4、ＣＦ4＋Ｏ2、ＮＦ3、ＳＦ6、ＣＨＦ3、ＣＦ4＋Ｈ2
等が用いられている。ところで、被加工物２としてＳ
ｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4をそれぞれドライエッチングし
たときのエッチングの速度を比較すると、反応ガスとし
てＣＦ4、ＣＦ4＋Ｏ2、ＮＦ3、ＳＦ6を用いてエッチン
グしたときは、Ｓｉをエッチングする速度が最も大き
く、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2の順にエッチング速度が小さく
なる。一方、反応ガスとしてＣＨＦ3、ＣＦ4＋Ｈ2を用
いると、Ｓｉのエッチング速度に比べてＳｉＯ2とＳｉ3
Ｎ4のエッチング速度は大きくなるが、ＳｉＯ2に対する
Ｓｉ3Ｎ4のエッチング速度比は、ほぼ２〜３程度であっ
た。
【０００６】このため、Ｓｉ3Ｎ4を表面に形成したシリ
コン基板からＳｉ3Ｎ4を選択的にエッチングする際に
は、ＣＦ4＋Ｏ2、ＳＦ6が反応ガスとして用いられる
が、シリコン基板のエッチング速度が大きく、下地をな
すシリコン基板がエッチングされるのを防止するため、
シリコン基板とＳｉ3Ｎ4との間にＳｉＯ2を形成する必
要があり、しかも、ＳｉＯ2とＳｉ3Ｎ4とを選択的にエ
ッチングする選択比が小さいため、ＳｉＯ2の膜厚を厚
く形成する必要があった。さらに、エッチングを行う際
に該エッチング速度を厳密に制御しないと、ＳｉＯ2が
エッチングされ、所謂オーバーエッチングの恐れがあっ
た。
コン基板からＳｉ3Ｎ4を選択的にエッチングする際に
は、ＣＦ4＋Ｏ2、ＳＦ6が反応ガスとして用いられる
が、シリコン基板のエッチング速度が大きく、下地をな
すシリコン基板がエッチングされるのを防止するため、
シリコン基板とＳｉ3Ｎ4との間にＳｉＯ2を形成する必
要があり、しかも、ＳｉＯ2とＳｉ3Ｎ4とを選択的にエ
ッチングする選択比が小さいため、ＳｉＯ2の膜厚を厚
く形成する必要があった。さらに、エッチングを行う際
に該エッチング速度を厳密に制御しないと、ＳｉＯ2が
エッチングされ、所謂オーバーエッチングの恐れがあっ
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、ＳｉＯ2を
介在させたシリコン基板からＳｉ3Ｎ4をエッチングする
際には、ＳｉＯ2に対するＳｉ3Ｎ4のエッチングの選択
比が３以下であるので、ＳｉＯ2をオーバーエッチング
し、シリコン基板をエッチングする恐れがあり、厳重に
エッチング速度を制御する必要があった。そして、反応
ガスとしてＣＦ4＋Ｏ2でドライエッチングするときに
は、等方性エッチングになり、レジストパターンを介す
る場合、微細寸法を精度良く形成できない。
介在させたシリコン基板からＳｉ3Ｎ4をエッチングする
際には、ＳｉＯ2に対するＳｉ3Ｎ4のエッチングの選択
比が３以下であるので、ＳｉＯ2をオーバーエッチング
し、シリコン基板をエッチングする恐れがあり、厳重に
エッチング速度を制御する必要があった。そして、反応
ガスとしてＣＦ4＋Ｏ2でドライエッチングするときに
は、等方性エッチングになり、レジストパターンを介す
る場合、微細寸法を精度良く形成できない。
【０００８】さらに、選択酸化工程におけるＳｉ3Ｎ4／
ＳｉＯ2のシリコン基板も、Ｓｉ3Ｎ4膜のエッジ部分に
ＳｉＯ2膜が横方向に入り込むバーズビークを小さくす
るために、ＳｉＯ2を膜厚２００オングストロームと薄
く形成するようになってきており、微細寸法を高い精度
に形成することが重要であるが、速いエッチング速度
で、他の材質膜に対して高エッチング選択比をもったエ
ッチングが困難であった。
ＳｉＯ2のシリコン基板も、Ｓｉ3Ｎ4膜のエッジ部分に
ＳｉＯ2膜が横方向に入り込むバーズビークを小さくす
るために、ＳｉＯ2を膜厚２００オングストロームと薄
く形成するようになってきており、微細寸法を高い精度
に形成することが重要であるが、速いエッチング速度
で、他の材質膜に対して高エッチング選択比をもったエ
ッチングが困難であった。
【０００９】一方、ドライエッチング装置１は、対向配
設された上部電極５と下部電極６との間に反応ガスを噴
出させることにより、この反応ガスを上部電極５と下部
電極６との間でプラズマ化し、このプラズマ化した反応
ガスを下部電極６上の被加工物２に衝突させる構造であ
るため、上部電極５に付着した生成物に起因する微粒子
が増大し、さらに、上部電極５から微粒子が飛散して下
部電極６上の被加工物２に付着するおそれがあった。こ
のため、上部電極５からのメタルコンタミネーションに
ついて注意深くドライエッチング装置１を操作する必要
があった。さらに、反応ガスとしてＨｅガスを添加した
ＳＦ6ガスを用いた場合、高い精度に微細寸法をコント
ロールできるが、ドライエッチング装置１の上部電極５
および下部電極６が対向配設されているため、ドライエ
ッチング装置１の反応ガスの流路等の他の設定条件が狭
く、エッチングの制御が困難であった。
設された上部電極５と下部電極６との間に反応ガスを噴
出させることにより、この反応ガスを上部電極５と下部
電極６との間でプラズマ化し、このプラズマ化した反応
ガスを下部電極６上の被加工物２に衝突させる構造であ
るため、上部電極５に付着した生成物に起因する微粒子
が増大し、さらに、上部電極５から微粒子が飛散して下
部電極６上の被加工物２に付着するおそれがあった。こ
のため、上部電極５からのメタルコンタミネーションに
ついて注意深くドライエッチング装置１を操作する必要
があった。さらに、反応ガスとしてＨｅガスを添加した
ＳＦ6ガスを用いた場合、高い精度に微細寸法をコント
ロールできるが、ドライエッチング装置１の上部電極５
および下部電極６が対向配設されているため、ドライエ
ッチング装置１の反応ガスの流路等の他の設定条件が狭
く、エッチングの制御が困難であった。
【００１０】本発明は前記課題を有効に解決するもの
で、オーバーエッチングを防止でき、被加工物の加工精
度を向上させたドライエッチング方法を提供することを
目的とする。
で、オーバーエッチングを防止でき、被加工物の加工精
度を向上させたドライエッチング方法を提供することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のドライエ
ッチング方法は、真空チャンバー内に被加工物を設置
し、該被加工物にプラズマ化された反応ガスを接触させ
ることにより、エッチングする方法において、上記被加
工物として、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを表面
に形成したシリコン基板を用い、上記反応ガスとして、
ＳＦ6ガスとＨｅガスとを用いることを特徴とするもの
である。
ッチング方法は、真空チャンバー内に被加工物を設置
し、該被加工物にプラズマ化された反応ガスを接触させ
ることにより、エッチングする方法において、上記被加
工物として、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを表面
に形成したシリコン基板を用い、上記反応ガスとして、
ＳＦ6ガスとＨｅガスとを用いることを特徴とするもの
である。
【００１２】請求項２記載のドライエッチング方法は、
上記エッチングが、反応ガスをプラズマ化する電極を真
空チャンバーの外側に設けたエッチング装置を用いて行
われることを特徴とするものである。
上記エッチングが、反応ガスをプラズマ化する電極を真
空チャンバーの外側に設けたエッチング装置を用いて行
われることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】請求項１記載のドライエッチング方法では、Ｓ
Ｆ6ガスとＨｅガスとからなる反応ガスで被加工物をエ
ッチングすると、この被加工物の酸化シリコン膜と窒化
シリコン膜とを反応ガスが選択的にエッチングする。こ
の反応ガスの酸化シリコン膜に対する窒化シリコン膜の
選択比が向上するため、酸化シリコン膜をオーバーエッ
チングするのが防止される。
Ｆ6ガスとＨｅガスとからなる反応ガスで被加工物をエ
ッチングすると、この被加工物の酸化シリコン膜と窒化
シリコン膜とを反応ガスが選択的にエッチングする。こ
の反応ガスの酸化シリコン膜に対する窒化シリコン膜の
選択比が向上するため、酸化シリコン膜をオーバーエッ
チングするのが防止される。
【００１４】請求項２記載のドライエッチング方法で
は、請求項１記載の作用を有するとともに、上記真空チ
ャンバーの外側に設けた電極で反応ガスをプラズマ化す
るから、この電極から真空チャンバー内に微粒子が飛散
するおそれがなくなる。
は、請求項１記載の作用を有するとともに、上記真空チ
ャンバーの外側に設けた電極で反応ガスをプラズマ化す
るから、この電極から真空チャンバー内に微粒子が飛散
するおそれがなくなる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明のドライエッチング方法の一実
施例について、図１ないし図３を参照しながら説明す
る。図１に示すように、符号２０はドライエッチング方
法に使用されるドライエッチング装置（エッチング装
置）であり、このドライエッチング装置２０は、シリコ
ン基板等の被加工物２１が挿入され、この被加工物２１
をエッチングする反応ガスが供給される真空チャンバー
２２と、この真空チャンバー２２が支持される基台２３
と、真空チャンバー２３の上部外側に設けられた上部電
極２４（電極）と、この上部電極２４に電圧を印加する
電源２６とを有する。被加工物２１は、酸化シリコン膜
を表面に、更にその上に窒化シリコン膜を形成したシリ
コン基板である。電源２６は、１３．５６ＭＨｚのＲＦ
電源で構成されている。
施例について、図１ないし図３を参照しながら説明す
る。図１に示すように、符号２０はドライエッチング方
法に使用されるドライエッチング装置（エッチング装
置）であり、このドライエッチング装置２０は、シリコ
ン基板等の被加工物２１が挿入され、この被加工物２１
をエッチングする反応ガスが供給される真空チャンバー
２２と、この真空チャンバー２２が支持される基台２３
と、真空チャンバー２３の上部外側に設けられた上部電
極２４（電極）と、この上部電極２４に電圧を印加する
電源２６とを有する。被加工物２１は、酸化シリコン膜
を表面に、更にその上に窒化シリコン膜を形成したシリ
コン基板である。電源２６は、１３．５６ＭＨｚのＲＦ
電源で構成されている。
【００１６】真空チャンバー２２は石英管等から内部を
中空とした断面視凸状に形成され、この真空チャンバー
２２の凸状の突出部分の外側周囲に筒状の上部電極２４
が配設されている。そして、真空チャンバー２２の凸状
の突出部分の上端付近には、真空チャンバー２２内に反
応ガスを導入するガス導入管２９が接続されている。一
方、真空チャンバー２２の下部は開口形成され、この真
空チャンバー２２の下端部の周縁部がＯリング等の封止
材２７を介して基台２３上に取り付けられている。この
基台２３には、真空チャンバー２２の開口部分に配設さ
れ、被加工物２１が載置されるアルミニウム製の載置台
２５と、この載置台２５の外周に配設され、真空チャン
バー２２内の空気を排気する排気管２８とが接続されて
いる。載置台２５は、電気的に接地されている。
中空とした断面視凸状に形成され、この真空チャンバー
２２の凸状の突出部分の外側周囲に筒状の上部電極２４
が配設されている。そして、真空チャンバー２２の凸状
の突出部分の上端付近には、真空チャンバー２２内に反
応ガスを導入するガス導入管２９が接続されている。一
方、真空チャンバー２２の下部は開口形成され、この真
空チャンバー２２の下端部の周縁部がＯリング等の封止
材２７を介して基台２３上に取り付けられている。この
基台２３には、真空チャンバー２２の開口部分に配設さ
れ、被加工物２１が載置されるアルミニウム製の載置台
２５と、この載置台２５の外周に配設され、真空チャン
バー２２内の空気を排気する排気管２８とが接続されて
いる。載置台２５は、電気的に接地されている。
【００１７】このようなドライエッチング装置２０で
は、載置台２５上に被加工物２１を載置し、真空チャン
バー２２内の空気を排気管２８から排気する。そして、
電源２６で上部電極２４に電圧を印加するとともに、ガ
ス導入管２９から真空チャンバー２２内に反応ガスを噴
射することにより、この反応ガスを上部電極２４に囲ま
れた真空チャンバー２２内に流し、反応ガスをプラズマ
化する。このプラズマ化された反応ガスを被加工物２１
に衝突させることにより、この被加工物２１をエッチン
グする。
は、載置台２５上に被加工物２１を載置し、真空チャン
バー２２内の空気を排気管２８から排気する。そして、
電源２６で上部電極２４に電圧を印加するとともに、ガ
ス導入管２９から真空チャンバー２２内に反応ガスを噴
射することにより、この反応ガスを上部電極２４に囲ま
れた真空チャンバー２２内に流し、反応ガスをプラズマ
化する。このプラズマ化された反応ガスを被加工物２１
に衝突させることにより、この被加工物２１をエッチン
グする。
【００１８】このようなドライエッチング方法によれ
ば、被加工物２１として、酸化シリコン膜と窒化シリコ
ン膜とを表面に形成したシリコン基板を用い、上記反応
ガスとして、ＳＦ6ガスとＨｅガスとを用いたので、酸
化シリコン膜に対して窒化シリコン膜を反応ガスがエッ
チングするときの選択比を向上させることができる。こ
のため、反応ガスが酸化シリコン膜をオーバーエッチン
グする恐れをなくすことができ、窒化シリコン膜の微細
寸法を精度良くコントロールできる。
ば、被加工物２１として、酸化シリコン膜と窒化シリコ
ン膜とを表面に形成したシリコン基板を用い、上記反応
ガスとして、ＳＦ6ガスとＨｅガスとを用いたので、酸
化シリコン膜に対して窒化シリコン膜を反応ガスがエッ
チングするときの選択比を向上させることができる。こ
のため、反応ガスが酸化シリコン膜をオーバーエッチン
グする恐れをなくすことができ、窒化シリコン膜の微細
寸法を精度良くコントロールできる。
【００１９】エッチングは、反応ガスをプラズマ化する
上部電極２４を真空チャンバー２２の外側に設けたドラ
イエッチング装置２０を用いたので、上部電極２４から
ゴミや塵が被加工物２１に混入するのを防止できる。こ
のため、上部電極２４からのメタルコンタミネーション
の配慮が不要になり、被加工物２１の品質が低下するの
を防止でき、エッチングの操作作業性を向上させること
ができる。更に、上部電極２４を真空チャンバー２２の
外側に設けたので、真空チャンバー２２内の反応ガスの
流路等の他の設定条件を広く設定できる。
上部電極２４を真空チャンバー２２の外側に設けたドラ
イエッチング装置２０を用いたので、上部電極２４から
ゴミや塵が被加工物２１に混入するのを防止できる。こ
のため、上部電極２４からのメタルコンタミネーション
の配慮が不要になり、被加工物２１の品質が低下するの
を防止でき、エッチングの操作作業性を向上させること
ができる。更に、上部電極２４を真空チャンバー２２の
外側に設けたので、真空チャンバー２２内の反応ガスの
流路等の他の設定条件を広く設定できる。
【００２０】（実験例）被加工物２１は、酸化シリコン
膜と、窒化シリコン膜とを被覆したシリコン基板を用い
た。ここで、シリコン基板は、６インチウェハを用い
た。反応ガスとしては、ＳＦ6（六フッ化硫黄）に、Ｈ
ｅ（ヘリウム）を添加した混合ガスを用いた。その流量
は、ＳＦ6が１５ｃｃ／分、Ｈｅが５０〜１００ｃｃ／
分とした。
膜と、窒化シリコン膜とを被覆したシリコン基板を用い
た。ここで、シリコン基板は、６インチウェハを用い
た。反応ガスとしては、ＳＦ6（六フッ化硫黄）に、Ｈ
ｅ（ヘリウム）を添加した混合ガスを用いた。その流量
は、ＳＦ6が１５ｃｃ／分、Ｈｅが５０〜１００ｃｃ／
分とした。
【００２１】真空チャンバー２２は、内部の空気を排気
管２８から排気することにより、内部圧力を約０．２ト
ールに設定し、上部電極２４に印加する電力を約２７５
Ｗに設定し、被加工物をエッチングした。そして、電源
２６により、上部電極２４に印加する高周波印加電力を
２００〜３５０Ｗに変化させた。このような条件で被加
工物２１をエッチングした場合に、この被加工物２１の
エッチング速度を測定した結果を、図３に示す。
管２８から排気することにより、内部圧力を約０．２ト
ールに設定し、上部電極２４に印加する電力を約２７５
Ｗに設定し、被加工物をエッチングした。そして、電源
２６により、上部電極２４に印加する高周波印加電力を
２００〜３５０Ｗに変化させた。このような条件で被加
工物２１をエッチングした場合に、この被加工物２１の
エッチング速度を測定した結果を、図３に示す。
【００２２】図３に示すように、窒化シリコン膜のエッ
チングレートが６００〜１３００オングストローム／分
になり、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）に対する窒化シリ
コン膜（Ｓｉ3Ｎ4）の選択比が３〜３．５に向上した。
したがって、酸化シリコン膜に対する窒化シリコン膜の
選択比が、従来３以下であったのに比べ、増加したの
で、反応ガスのエッチング精度を向上させることがで
き、オーバーエッチングするのを防止できる。
チングレートが６００〜１３００オングストローム／分
になり、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）に対する窒化シリ
コン膜（Ｓｉ3Ｎ4）の選択比が３〜３．５に向上した。
したがって、酸化シリコン膜に対する窒化シリコン膜の
選択比が、従来３以下であったのに比べ、増加したの
で、反応ガスのエッチング精度を向上させることがで
き、オーバーエッチングするのを防止できる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のドライエ
ッチング方法によれば、以下の効果を奏することができ
る。請求項１記載のドライエッチング方法によれば、真
空チャンバー内に被加工物を設置し、該被加工物にプラ
ズマ化された反応ガスを接触させることにより、エッチ
ングする方法において、上記被加工物として、酸化シリ
コン膜と窒化シリコン膜とを表面に形成したシリコン基
板を用い、上記反応ガスとして、ＳＦ6ガスとＨｅガス
とを用いたので、酸化シリコン膜に対して窒化シリコン
膜を反応ガスがエッチングするときの選択比を向上させ
ることができる。このため、反応ガスが酸化シリコン膜
をオーバーエッチングする恐れをなくすことができ、反
応ガスのエッチング精度を向上させることができ、窒化
シリコン膜の微細寸法を精度良くコントロールできる。
ッチング方法によれば、以下の効果を奏することができ
る。請求項１記載のドライエッチング方法によれば、真
空チャンバー内に被加工物を設置し、該被加工物にプラ
ズマ化された反応ガスを接触させることにより、エッチ
ングする方法において、上記被加工物として、酸化シリ
コン膜と窒化シリコン膜とを表面に形成したシリコン基
板を用い、上記反応ガスとして、ＳＦ6ガスとＨｅガス
とを用いたので、酸化シリコン膜に対して窒化シリコン
膜を反応ガスがエッチングするときの選択比を向上させ
ることができる。このため、反応ガスが酸化シリコン膜
をオーバーエッチングする恐れをなくすことができ、反
応ガスのエッチング精度を向上させることができ、窒化
シリコン膜の微細寸法を精度良くコントロールできる。
【００２４】請求項２記載のドライエッチング方法によ
れば、請求項１記載の効果を奏することができるととも
に、上記エッチングは、反応ガスをプラズマ化する電極
を真空チャンバーの外側に設けたエッチング装置を用い
て行われるので、真空チャンバー内の電極が原因で発生
するパーティクルの増大を防止でき、真空チャンバー内
の電極からゴミや塵が混入するのを防止できる。このた
め、電極からのメタルコンタミネーションについて注意
する必要性をなくすことができ、被加工物の品質が低下
するのを防止でき、エッチングの操作作業性を向上させ
ることができる。更に、電極を真空チャンバーの外側に
設けたので、真空チャンバー内の反応ガスの流路等の他
の設定条件を広く設定でき、良好かつ容易に高速度で、
窒化シリコン膜のドライエッチングを行うことができ
る。したがって、窒化シリコン膜を容易に除去でき、良
質の半導体素子を製造することができる。
れば、請求項１記載の効果を奏することができるととも
に、上記エッチングは、反応ガスをプラズマ化する電極
を真空チャンバーの外側に設けたエッチング装置を用い
て行われるので、真空チャンバー内の電極が原因で発生
するパーティクルの増大を防止でき、真空チャンバー内
の電極からゴミや塵が混入するのを防止できる。このた
め、電極からのメタルコンタミネーションについて注意
する必要性をなくすことができ、被加工物の品質が低下
するのを防止でき、エッチングの操作作業性を向上させ
ることができる。更に、電極を真空チャンバーの外側に
設けたので、真空チャンバー内の反応ガスの流路等の他
の設定条件を広く設定でき、良好かつ容易に高速度で、
窒化シリコン膜のドライエッチングを行うことができ
る。したがって、窒化シリコン膜を容易に除去でき、良
質の半導体素子を製造することができる。
【図１】本発明のドライエッチング方法に使用されたド
ライエッチング装置を示す断面図である。
ライエッチング装置を示す断面図である。
【図２】図１の真空チャンバーの上部を示す平面図であ
る。
る。
【図３】図１のドライエッチング装置におけるエッチン
グ速度と電極への印加電力との関係を示すブロック図で
ある。
グ速度と電極への印加電力との関係を示すブロック図で
ある。
【図４】従来のドライエッチング方法に使用されたドラ
イエッチング装置を示す断面図である。
イエッチング装置を示す断面図である。
２０ ドライエッチング装置 ２１ 被加工物 ２２ 真空チャンバー ２３ 基台 ２４ 上部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバー内に被加工物を設置し、
該被加工物にプラズマ化された反応ガスを接触させるこ
とにより、エッチングする方法において、上記被加工物
として、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを表面に形
成したシリコン基板を用い、上記反応ガスとして、ＳＦ
6ガスとＨｅガスとを用いることを特徴とするドライエ
ッチング方法。 - 【請求項２】 上記エッチングは、反応ガスをプラズマ
化する電極を真空チャンバーの外側に設けたエッチング
装置を用いて行われることを特徴とする請求項１記載の
ドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15249493A JPH0722398A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15249493A JPH0722398A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722398A true JPH0722398A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15541699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15249493A Withdrawn JPH0722398A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722398A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111524807A (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP15249493A patent/JPH0722398A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111524807A (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |