JP2020107683A - 基板処理システム、および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の凹凸面に塗布される平坦化剤によって基板処理システムが汚れるのを抑制できる、技術を提供する。【解決手段】基板処理システムにおいて、第１基板１０の凹凸面と第２基板１５の平坦面とを向い合せ、平坦化剤４０１を介して第１基板と第２基板とを積層する積層装置４２と、第１基板と第２基板とを積層した状態で平坦化剤を固化することにより、第１基板の凹凸面に平坦化層４０２を形成する固化装置４３と、第１基板および平坦化層と、第２基板とを剥離する剥離装置４４と、平坦化層を介して第１基板を保持した状態で、第１基板の前記凹凸面とは反対側の面を研削する研削装置とを備える。積層装置は、第１基板を平坦化剤とは反対側から保持する第１保持部４２１と、第２基板を平坦化剤とは反対側から保持する第２保持部４２２とを有する。【選択図】図６

Description

本開示は、基板処理システム、および基板処理方法に関する。

特許文献１に記載のウエハの製造方法は、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエハを得るスライス工程と、ウエハの第１の面に硬化性材料を塗布する塗布工程と、塗布した硬化性材料を平坦に加工する工程と、硬化した硬化性材料の平坦面を保持手段に載置して、ウエハの第１の面とは反対側の第２の面を研削する研削工程とを有する。硬化性材料の平坦面と平行に第２の面を研削でき、ウエハのうねりを除去できる。

特開２００６−２６９７６１号公報

本開示の一態様は、基板の凹凸面に塗布される平坦化剤によって基板処理システムが汚れるのを抑制できる、技術を提供する。

本開示の一態様に係る基板処理システムは、
第１基板の凹凸面と第２基板の平坦面とを向い合せ、平坦化剤を介して前記第１基板と前記第２基板とを積層する積層装置と、
前記第１基板と前記第２基板とを積層した状態で前記平坦化剤を固化することにより、前記第１基板の凹凸面に平坦化層を形成する固化装置と、
前記第１基板および前記平坦化層と、前記第２基板とを剥離する剥離装置と、
前記平坦化層を介して前記第１基板を保持した状態で、前記第１基板の前記凹凸面とは反対側の面を研削する研削装置とを備え、
前記積層装置は、前記第１基板を前記平坦化剤とは反対側から保持する第１保持部と、前記第２基板を前記平坦化剤とは反対側から保持する第２保持部とを有する。

本開示の一態様によれば、基板の凹凸面に塗布される平坦化剤によって基板処理システムが汚れるのを抑制できる。

図１は、一実施形態に係る基板処理システムを示す平面図である。 図２は、一実施形態に係る基板処理システムを示す側面図である。 図３は、一実施形態に係る研削装置を示す平面図である。 図４は、一実施形態に係る基板処理方法の一部を示すフローチャートである。 図５は、図４に示す平坦化剤の塗布（工程Ｓ１０２）、離型剤の塗布（工程Ｓ１０４）、および第２基板の反転（工程Ｓ１０５）の一例を示す図である。 図６は、図４に示す積層（工程Ｓ１０６）と固化（工程Ｓ１０７）、および剥離（工程Ｓ１０８）の一例を示す図である。 図７は、一実施形態に係る基板処理方法の他の一部を示すフローチャートである。 図８は、図７に示す１回目の反転（工程Ｓ２０１）、第２主表面の研削（工程Ｓ２０２）、および２回目の反転（工程Ｓ２０３）の一例を示す図である。 図９は、図７に示す第２主表面の洗浄（工程Ｓ２０４）、平坦化層の研削（工程Ｓ２０５）、および第１主表面の研削（工程Ｓ２０６）の一例を示す図である。 図１０は、図７に示す第１主表面の洗浄（工程Ｓ２０７）、第１主表面のエッチング（工程Ｓ２０８）、および３回目の反転（工程Ｓ２０９）の一例を示す図である。 図１１は、図７に示す第２主表面のエッチング（工程Ｓ２１０）、およびそのエッチング（工程Ｓ２１０）で得られる第１基板の一例を示す図である。 図１２は、一実施形態に係る基板処理方法の残部を示すフローチャートである。 図１３は、図１２に示す第２基板の洗浄（工程Ｓ３０１）、およびその洗浄（工程Ｓ３０１）で得られる第２基板の一例を示す図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の又は対応する符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

図１は、一実施形態に係る基板処理システムを示す平面図である。図２は、一実施形態に係る基板処理システムを示す側面図である。基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、第１処理ステーション３と、第２処理ステーション６と、制御装置９とを備える。搬入出ステーション２と、第１処理ステーション３と、第２処理ステーション６とは、この順で、Ｘ軸方向負側からＸ軸方向正側に配置される。

搬入出ステーション２は、第１載置部２１と、第２載置部２２と、第３載置部２３とを備える。第１載置部２１と、第２載置部２２と、第３載置部２３とは、Ｙ軸方向に一列に配置される。第１載置部２１には、第１収容部Ｃ１が載置される。第２載置部２２には、第２収容部Ｃ２が載置される。第３載置部２３には、第３収容部Ｃ３が載置される。

第１収容部Ｃ１は、処理前の第１基板１０を収容する。第１収容部Ｃ１は、例えば、複数枚の第１基板１０を鉛直方向に間隔をおいて収容する。第１基板１０は、例えばシリコンウエハなどの半導体基板である。第１基板１０は、例えばインゴットをスライスすることにより製造される。第１基板１０は、互いに対向する第１主表面１１と第２主表面１２とを有する（図５（ａ）参照）。第１主表面１１と第２主表面１２とは、それぞれ、凹凸面である。

第２収容部Ｃ２は、処理後の第１基板１０を収容する。第２収容部Ｃ２は、例えば、複数枚の第１基板１０を鉛直方向に間隔をおいて収容する。第１基板１０は、第１主表面１１の研削および第２主表面１２の研削後に、第２収容部Ｃ２に収容される。第２収容部Ｃ２と、第１収容部Ｃ１とは、同じ構造を有してもよいが、本実施形態では異なる構造を有する。

例えば、第２収容部Ｃ２は、第１収容部Ｃ１よりも、複数枚の第１基板１０を狭いピッチで収容する。第１基板１０は、研削されることにより薄くなる。第１基板１０の板厚が薄くなった分、第１基板１０のピッチを狭くできる。第１収容部Ｃ１と第２収容部Ｃ２とで第１基板１０の収容枚数が同じ場合、第２収容部Ｃ２を第１収容部Ｃ１よりも小型化できる。また、第１収容部Ｃ１と第２収容部Ｃ２とで大きさが同じ場合、第２収容部Ｃ２の収容枚数を第１収容部Ｃ１の収容枚数よりも増やすことができる。

また、第２収容部Ｃ２は、第１収容部Ｃ１とは異なり、第１基板１０を収容する収容空間を開閉する蓋を有してもよい。研削された第１基板１０へのパーティクルの付着を抑制できる。第１収容部Ｃ１が第１基板１０を収容する収容空間を開閉する蓋を有しなくてもよいのは、第１基板１０は第１収容部Ｃ１から取り出された後、研削されるので、その際にパーティクルが除去されるからである。

第３収容部Ｃ３は、第２基板１５を収容する。第３収容部Ｃ３は、例えば、複数枚の第２基板１５を鉛直方向に間隔をおいて収容する。第２基板１５は、例えばガラス基板である。第２基板１５は、予め平坦化加工される。第２基板１５は、互いに対向する第１主表面１６と第２主表面１７とを有する（図４（ｂ）参照）。第１主表面１６と第２主表面１７とは、それぞれ、平坦面である。第２基板１５は、第１基板１０とは異なり、基板処理システム１において研削されないので、同じ板厚のままである。それゆえ、第２基板１５は、第３収容部Ｃ３から取出された後、再び、同じ第３収容部Ｃ３に戻されてよい。

また、搬入出ステーション２は、搬送部２６を備える。搬送部２６は、第１載置部２１、第２載置部２２および第３載置部２３の隣に配置され、例えばこれらのＸ軸方向正側に配置される。また、搬送部２６は、受渡部２８の隣に配置され、例えば受渡部２８のＸ軸方向負側に配置される。搬送部２６は、搬送装置２７を内部に備える。搬送装置２７は、第１基板１０および第２基板１５を保持する保持機構を備える。保持機構は、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

搬送装置２７は、第１載置部２１に載置された第１収容部Ｃ１と、受渡部２８との間で、第１基板１０を搬送する。また、搬送装置２７は、第２載置部２２に載置された第２収容部Ｃ２と、受渡部２８との間で、第１基板１０を搬送する。さらに、搬送装置２７は、第３載置部２３に載置された第３収容部Ｃ３と、受渡部２８との間で、第２基板１５を搬送する。

また、搬入出ステーション２は、受渡部２８を備える。受渡部２８は、搬送部２６の隣に配置され、例えば搬送部２６のＸ軸方向正側に配置される。また、受渡部２８は、第１処理ステーション３の隣に配置され、例えば、第１処理ステーション３のＸ軸方向負側に配置される。受渡部２８は、第１トランジション装置２９を有する。第１トランジション装置２９は、第１基板１０および第２基板１５を一時的に収容する。第１トランジション装置２９は、反転装置２９０（図５（ｃ）、図１０（ｃ）参照）を兼ねてよい。反転装置２９０は、第１基板１０および／または第２基板１５を、上下反転する。第１トランジション装置２９の配置や個数は、図１に示す配置や個数に限定されない。

第１処理ステーション３は、処理ブロック４を備える。処理ブロック４は、平坦化剤塗布装置４０と、離型剤塗布装置４１と、積層装置４２と、固化装置４３と、剥離装置４４と、第１洗浄装置４５と、第２洗浄装置４６と、第１エッチング装置４７と、第２エッチング装置４８と、第３洗浄装置４９とを備える。なお、処理ブロック４を構成する各種装置の配置や個数は、図１および図２に示す配置や個数に限定されない。

平坦化剤塗布装置４０は、図５（ａ）に示すように、第１基板１０の第１主表面１１に液状の平坦化剤４０１を塗布する。離型剤塗布装置４１は、図５（ｂ）に示すように、第２基板１５の第１主表面１６に離型剤４１１を塗布する。積層装置４２は、図６（ａ）に示すように、第１基板１０の第１主表面１１と第２基板１５の第１主表面１６とを向い合せ、平坦化剤４０１を介して第１基板１０と第２基板１５とを積層する。第２基板１５の第１主表面１６には、予め離型剤４１１が塗布される。固化装置４３は、図６（ａ）に示すように、第１基板１０と第２基板１５とを積層した状態で平坦化剤４０１を固化することにより、第１基板１０の第１主表面１１に平坦化層４０２を形成する。固化は、縮合反応または付加反応による硬化と、冷却による液体から固体への相転移とを含む。積層装置４２と固化装置４３とで、第１基板１０と第２基板１５とを平坦化剤４０１を介して貼合する貼合装置が構成される。剥離装置４４は、図６（ｂ）に示すように、第１基板１０および平坦化層４０２と、第２基板１５とを剥離する。第２基板１５の第１主表面１６に離型剤４１１が塗布される場合、離型剤４１１と平坦化層４０２とがこれらの界面で剥離される。

第２洗浄装置４６は、第１基板１０の第２主表面１２の研削後に、図９（ａ）に示すように第１基板１０の第２主表面１２を洗浄する。第１洗浄装置４５は、第１基板１０の第１主表面１１の研削後に、図１０（ａ）に示すように第１基板１０の第１主表面１１を洗浄する。第１エッチング装置４７は、第１基板１０の第１主表面１１の研削後に、図１０（ｂ）に示すように第１基板１０の第１主表面１１をエッチングする。第２エッチング装置４８は、第１基板１０の第２主表面１２の研削後に、図１１（ａ）に示すように第１基板１０の第２主表面１２をエッチングする。

第３洗浄装置４９は、第１基板１０および平坦化層４０２と、第２基板１５との剥離後に、図１３（ａ）に示すように第２基板１５を洗浄する。第２基板１５の第１主表面１６には、離型剤４１１が残存することがある。残存する離型剤４１１を第３洗浄装置４９によって除去でき、第２基板１５を別の第１基板１０との積層に再利用できる。また、第２基板１５の第１主表面１６には、平坦化剤４０１が残存することもある。残存する平坦化剤４０１を第３洗浄装置４９によって除去でき、第２基板１５を別の第１基板１０との積層に再利用できる。

第１処理ステーション３は、図１に示すように搬送部５を備える。搬送部５は、搬入出ステーション２の第１トランジション装置２９の隣に配置され、例えば第１トランジション装置２９のＸ軸方向正側に配置される。また、搬送部５は、処理ブロック４の隣に配置され、例えば処理ブロック４のＹ軸方向正側に配置される。さらに、搬送部５は、第２処理ステーション６の第２トランジション装置７１の隣に配置され、例えば第２トランジション装置７１のＸ軸方向負側に配置される。搬送部５は、搬送装置５１を内部に備える。搬送装置５１は、第１基板１０および第２基板１５を保持する保持機構を備える。保持機構は、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

搬送装置５１は、第１基板１０を、搬入出ステーション２の第１トランジション装置２９、第１処理ステーション３の処理ブロック４、および第２処理ステーション６の第２トランジション装置７１に対し搬送する。また、搬送装置５１は、第２基板１５を、搬入出ステーション２の第１トランジション装置２９、および第１処理ステーション３の処理ブロック４に対し搬送する。

第２処理ステーション６は、受渡部７と、研削装置８とを備える。受渡部７は、第１処理ステーション３の搬送部５の隣に配置され、例えば搬送部５のＸ軸方向正側に配置される。また、受渡部７は、研削装置８の隣に配置され、例えば研削装置８のＸ軸方向負側に配置される。

受渡部７は、第２トランジション装置７１を備える。第２トランジション装置７１は、第１基板１０を一時的に収容する。第２トランジション装置７１は、反転装置７１０（図８（ａ）参照）を兼ねてよい。反転装置７１０は、第１基板１０を上下反転する。第２トランジション装置７１の配置や個数は、図１に示す配置や個数に限定されない。

また、受渡部７は、搬送ロボット７２を有する。搬送ロボット７２は、特に限定されないが、例えば複数のアームを有する多関節ロボットである。多関節ロボットは、第１基板１０を吸着する吸着パッドを先端に有する。吸着パッドは、第１基板１０の直径よりも大きい直径の円形の吸着面を有し、その吸着面に第１基板１０を吸着する。吸着パッドは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。搬送ロボット７２は、第２トランジション装置７１、および研削装置８に対し、第１基板１０を搬送する。

研削装置８は、図８（ｂ）に示すように平坦化層４０２を介して第１基板１０を保持した状態で、第１基板１０を研削する。平坦化層４０２は第１主表面１１に予め形成されており、第２主表面１２が研削される。第２主表面１２を、平坦化層４０２の平坦面と平行に研削できる。その後、第１基板１０は、研削装置８から搬出され、続いて、受渡部７の反転装置によって上下反転され、その後、再び研削装置８に搬入される。研削装置８は、図９（ｂ）に示すように平坦化層４０２を研削し、続いて、図９（ｃ）に示すように第１基板１０の第１主表面１１を研削する。第１主表面１１を、平坦面である第２主表面１２と平行に研削できる。

研削装置８は、平坦化層４０２を研削する装置と、第１基板１０の第１主表面１１を研削する装置と、第１基板１０の第２主表面１２を研削する装置とを兼ねる。なお、平坦化層４０２を研削する装置と、第１基板１０の第１主表面１１を研削する装置と、第１基板１０の第２主表面１２を研削する装置とは、別々に設けられてもよい。また、基板処理システム１は、平坦化層４０２を研削する装置の代わりに、平坦化層４０２を溶剤で溶かして除去する除去装置を備えてもよい。溶剤としては、例えばアルカリ性または酸性の薬液が用いられる。平坦化層４０２の除去は、第１基板１０の第２主表面１２の研削後、第１基板１０の第１主表面１１の研削前に行われる。

図３は、一実施形態に係る研削装置を示す平面図である。図３（ａ）は、図３（ｂ）に示す回転テーブルを１８０°回転した時の４つの基板チャックの位置の一例を示す平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す回転テーブルを１８０°回転した時の４つの基板チャックの位置の一例を示す平面図である。図３（ａ）に示す回転テーブル８１を１８０℃回転させる時と、図３（ｂ）に示す回転テーブル８１を１８０°回転させる時とでは、回転テーブル８１の回転方向が逆方向である。

研削装置８は、回転テーブル８１と、４つの基板チャック８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃ、８２Ｄと、２つの加工ユニット８３Ａ、８３Ｂとを有する。なお、基板チャック８２の数や配置は、特に限定されない。また、加工ユニット８３の数や配置も、特に限定されない。

回転テーブル８１は、回転中心線８１Ｚを中心に回転させられる。回転テーブル８１の回転中心線８１Ｚは、例えば鉛直に配置される。回転テーブル８１の回転中心線８１Ｚの周りには、４つの基板チャック８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃ、８２Ｄが等間隔で配置される。

一対の基板チャック８２Ａ、８２Ｃは、回転テーブル８１の回転中心線８１Ｚを挟んで配置される。一対の基板チャック８２Ａ、８２Ｃは、回転テーブル８１と共に回転し、第１搬入出位置Ａ０と、第１加工位置Ａ２とに交互に移動する。

第１搬入出位置Ａ０は、第１基板１０の搬入が行われる搬入位置と、第１基板１０の搬出が行われる搬出位置とを兼ねる。第１基板１０の搬入および第１基板１０の搬出は、搬送ロボット７２によって実行される。第１搬入出位置Ａ０において、基板チャック８２Ａ、８２Ｃは、第１基板１０の第２主表面１２を上に向けて、平坦化層４０２を介して第１基板１０を保持する。

第１加工位置Ａ２は、第１基板１０の第２主表面１２の研削が行われる加工位置である。第１基板１０の第２主表面１２の研削は、加工ユニット８３Ａによって実行される。第１基板１０は平坦化層４０２を介して基板チャック８２Ａ、８２Ｃで保持されているので、第１基板１０の第２主表面１２を、平坦化層４０２の平坦面と平行に研削できる。

残りの一対の基板チャック８２Ｂ、８２Ｄは、回転テーブル８１の回転中心線８１Ｚを挟んで配置される。一対の基板チャック８２Ｂ、８２Ｄは、回転テーブル８１と共に回転し、第２搬入出位置Ａ１と、第２加工位置Ａ３とに交互に移動する。

第２搬入出位置Ａ１は、第１基板１０の搬入が行われる搬入位置と、第１基板１０の搬出が行われる搬出位置とを兼ねる。第１基板１０の搬入および第１基板１０の搬出は、搬送ロボット７２によって実行される。第２搬入出位置Ａ１において、基板チャック８２Ｂ、８２Ｄは、第１基板１０の第２主表面１２を下に向けて、第１基板１０を保持する。

第２加工位置Ａ３は、平坦化層４０２の研削、および第１基板１０の第１主表面１１の研削が行われる加工位置である。平坦化層４０２の研削、および第１基板１０の第１主表面１１の研削は、加工ユニット８３Ｂによって研削される。第１基板１０の第１主表面１１を、平坦面である第２主表面１２と平行に研削できる。

制御装置９は、例えばコンピュータで構成され、図１に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１と、メモリなどの記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理システム１の動作を制御する。また、制御装置９は、入力インターフェース９３と、出力インターフェース９４とを備える。制御装置９は、入力インターフェース９３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース９４で外部に信号を送信する。

かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御装置９の記憶媒体９２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。なお、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、制御装置９の記憶媒体９２にインストールされてもよい。

図４は、一実施形態に係る基板処理方法の一部を示すフローチャートである。図４に示す工程Ｓ１０１〜Ｓ１０８は、制御装置９による制御下で実施される。

基板処理方法は、第１載置部２１に載置された第１収容部Ｃ１から、第１基板１０を取り出す工程Ｓ１０１を有する。第１基板１０は、搬送装置２７によって第１収容部Ｃ１から取り出された後、搬送装置２７によって第１トランジション装置２９に搬送される。次いで、第１基板１０は、搬送装置５１によって第１トランジション装置２９から平坦化剤塗布装置４０に搬送される。

図５（ａ）は、図４に示す平坦化剤の塗布（工程Ｓ１０２）の一例を示す図である。基板処理方法は、平坦化剤塗布装置４０によって、第１基板１０の第１主表面１１に、液状の平坦化剤４０１を塗布する工程Ｓ１０２を有する。平坦化剤塗布装置４０は、例えば、図５（ａ）に示すように、テーブル４０５と、ノズル４０６とを有する。テーブル４０５は、第１基板１０の第１主表面１１を上に向けて、第１基板１０を下方から支持する。ノズル４０６は、テーブル４０５に保持されている第１基板１０に対し、第１基板１０の上方から、液状の平坦化剤４０１を吐出する。

平坦化剤４０１の塗布方法は、例えばスピンコート法であり、テーブル４０５と共に第１基板１０を回転しながら、第１基板１０に平坦化剤４０１を塗布する。平坦化剤４０１の塗布方法は、スピンコート法には限定されず、例えばスクリーン印刷法、ロールコート法、ダイコート法などであってもよい。

平坦化剤４０１としては、例えば紫外線硬化性樹脂が用いられる。紫外線硬化性樹脂は、例えばシルセスキオキサンを含む。シルセスキオキサンは、主鎖骨格がＳｉ−Ｏ結合からなるシロキサン系の化合物である。シルセスキオキサンは、無機シリカと有機シリコーンとの中間的な物質である。それゆえ、硬化時の収縮率が小さく、且つ、硬化後の硬度が高い。なお、平坦化剤４０１として、本実施形態では紫外線硬化性樹脂が用いられるが、熱硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂が用いられてもよい。

第１基板１０は、平坦化剤４０１を塗布した後、平坦化剤塗布装置４０から積層装置４２に搬送装置５１によって搬送され、第２基板１５との積層（工程Ｓ１０６）に供される。図４に示すように、積層（工程Ｓ１０６）の前に、第２基板の取出（工程Ｓ１０３）、離型剤の塗布（工程Ｓ１０４）、第２基板の反転（工程Ｓ１０５）が行われる。

基板処理方法は、第３載置部２３に載置された第３収容部Ｃ３から、第２基板１５を取り出す工程Ｓ１０３を有する。第２基板１５は、搬送装置２７によって第３収容部Ｃ３から取り出された後、搬送装置２７によって第１トランジション装置２９に搬送される。次いで、第２基板１５は、搬送装置５１によって第１トランジション装置２９から離型剤塗布装置４１に搬送される。

図５（ｂ）は、図４に示す離型剤の塗布（工程Ｓ１０４）の一例を示す図である。基板処理方法は、離型剤塗布装置４１によって、第２基板１５の第１主表面１６に、液状の離型剤４１１を塗布する工程Ｓ１０４を有する。離型剤塗布装置４１は、例えば、図５（ｂ）に示すように、テーブル４１５と、ノズル４１６とを有する。テーブル４１５は、第２基板１５の第１主表面１６を上に向けて、第２基板１５を下方から支持する。ノズル４１６は、テーブル４１５に保持されている第２基板１５に対し、第２基板１５の上方から、液状の離型剤４１１を吐出する。

離型剤４１１の塗布方法は、例えばスプレーコート法であり、ノズル４１６から霧状の離型剤４１１を噴射し、第２基板１５に離型剤４１１を塗布する。離型剤４１１としては、例えばフッ素系の離型剤が用いられる。離型剤４１１を塗布する間、テーブル４１５と共に第２基板１５を回転させてよい。離型剤４１１の塗布方法は、スプレーコート法には限定されず、例えば、スピンコート法、スクリーン印刷法、ロールコート法、ダイコート法などであってもよい。第２基板１５は、離型剤４１１を塗布した後、離型剤塗布装置４１から第１トランジション装置２９に搬送装置５１によって搬送される。

図５（ｃ）は、図４に示す第２基板の反転（工程Ｓ１０５）の一例を示す図である。基板処理方法は、第１トランジション装置２９の反転装置２９０によって、第２基板１５を上下反転する工程Ｓ１０５を有する。反転装置２９０は、例えば、図５（ｃ）に示すように、第２基板１５を保持する保持機構２９１と、保持機構２９１を回転させる回転機構２９２とを有する。回転機構２９２は、保持機構２９１を１８０°回転させることにより、第２基板１５を上下反転させる。

第２基板１５は、第１主表面１６を上に向けた状態から、図５（ｃ）に示すように第１主表面１６を下に向けた状態になる。その後、第２基板１５は、第１トランジション装置２９から積層装置４２に搬送装置５１によって搬送され、第１基板１０との積層（工程Ｓ１０６）に供される。なお、第２基板１５の反転は、本実施形態では第１トランジション装置２９の反転装置２９０によって実行されるが、第２トランジション装置７１の反転装置７１０によって実行されてもよい。

図６（ａ）は、図４に示す積層（工程Ｓ１０６）と固化（工程Ｓ１０７）の一例を示す図である。基板処理方法は、積層装置４２によって、第１基板１０と第２基板１５とを積層する工程Ｓ１０６を有する。積層装置４２は、図６（ａ）に示すように、第１基板１０の第１主表面１１と第２基板１５の第１主表面１６とを向い合せ、平坦化剤４０１を介して第１基板１０と第２基板１５とを積層する。平坦化剤４０１は、第１基板１０の第１主表面１１に沿って変形し、第１基板１０側に凹凸面を形成する。また、平坦化剤４０１は、第２基板１５の第１主表面１６に沿って変形し、第２基板１５側に平坦面を形成する。第２基板１５の第１主表面１６には、離型剤４１１が平坦に塗布済みである。

なお、積層装置４２は、大気圧よりも気圧の低い減圧下で、第１基板１０と第２基板１５とを積層してもよい。大気圧下で積層する場合に比べて、気泡の噛み込みを抑制できる。また、積層装置４２は、第１基板１０と第２基板１５との隙間が一端から他端に向けて徐々に無くなるように、第１基板１０と第２基板１５とを徐々に積層してもよい。第１基板１０と第２基板１５との間のガスを追い出しながら、積層を行うので、気泡の噛み込みを抑制できる。また、積層装置４２は、第１基板１０と第２基板１５との隙間が中心から外周に向けて徐々に無くなるように、第１基板１０と第２基板１５とを徐々に積層してもよい。この場合も、第１基板１０と第２基板１５との間のガスを追い出しながら、積層を行うので、気泡の噛み込みを抑制できる。

積層装置４２は、例えば、図６（ａ）に示すように、第１保持部４２１と、第２保持部４２２とを有する。第１保持部４２１は、第１基板１０を平坦化剤４０１とは反対側から保持する。平坦化剤４０１と第１保持部４２１との接触を抑制でき、平坦化剤４０１によって第１保持部４２１が汚れるのを抑制できる。また、第２保持部４２２は、第２基板１５を平坦化剤４０１とは反対側から保持する。平坦化剤４０１と第２保持部４２２との接触を抑制でき、平坦化剤４０１によって第２保持部４２２が汚れるのを抑制できる。

基板処理方法は、固化装置４３によって、第１基板１０と第２基板１５とを積層した状態で液状の平坦化剤４０１を固化することにより、平坦化層４０２を形成する工程Ｓ１０７を有する。平坦化剤４０１は本実施形態では紫外線硬化性樹脂であるので、固化装置４３は図６（ａ）に示すように紫外線照射器４３１を有する。紫外線照射器４３１は、平坦化剤４０１に紫外線を照射することにより、平坦化剤４０１を硬化させる。平坦化剤４０１の第１基板１０側の凹凸面が硬化すると共に、平坦化剤４０１の第２基板１５側の平坦面が硬化する。硬化した平坦化剤４０１で、平坦化層４０２が形成される。

なお、上述の如く平坦化剤４０１は、紫外線硬化性樹脂には限定されない。平坦化剤４０１は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であってもよい。熱硬化性樹脂は、加熱によって硬化する。また、熱可塑性樹脂は、冷却によって液体から固体に相転移する。固化は、縮合反応または付加反応による硬化と、冷却による液体から固体への相転移とを含む。

固化装置４３は、図６（ａ）に示すように、積層装置４２の第１保持部４２１と第２保持部４２２とで第１基板１０と第２基板１５とを保持した状態で、平坦化剤４０１を固化する。例えば、紫外線照射器４３１は、第２保持部４２２および第２基板１５を介して平坦化剤４０１に紫外線を照射する。第２保持部４２２および第２基板１５は、紫外線を透過する透明材料で形成される。平坦化剤４０１の固化時に、第１基板１０および第２基板１５を積層装置４２で保持できるので、積層装置４２と固化装置４３とで部材の共通化を図ることができ、基板処理システム１の小型化を図ることができる。

図６（ｂ）は、図４に示す剥離（工程Ｓ１０８）の一例を示す図である。基板処理方法は、剥離装置４４によって、第１基板１０および平坦化層４０２と、第２基板１５とを剥離する工程Ｓ１０８を有する。剥離装置４４は、第１基板１０を保持する第１保持部４４１と、第２基板１５を保持する第２保持部４４２とを有する。剥離装置４４は、平坦化層４０２と第２基板１５との間に剥離の起点を形成するブレードをさらに有してもよい。平坦化層４０２と第２基板１５とは、剥離の起点から徐々に剥離される。その後、図６（ｂ）に示すように、平坦化層４０２と第２基板１５との間に、均一な隙間が形成される。

本実施形態によれば、第１基板１０と第２基板１５との積層前に、第２基板１５の第１主表面１６に離型剤４１１が塗布される。離型剤４１１の層が平坦化層４０２と第２基板１５との間に形成されるので、平坦化層４０２と第２基板１５とを円滑に剥離できる。剥離に要する力を低減でき、第２基板１５の破損を抑制でき、第２基板１５を再利用できる。また、剥離に要する力を低減できるので、第１基板１０の破損も抑制できる。

第１基板１０と第２基板１５の剥離の後で、第１基板１０は、剥離装置４４から第２トランジション装置７１に搬送装置５１によって搬送され、図７に示す工程Ｓ２０１に供される。一方、第１基板１０と第２基板１５の剥離の後で、第２基板１５は、剥離装置４４から第３洗浄装置４９に搬送装置５１によって搬送され、図１２に示す工程Ｓ３０１に供される。

なお、第２基板１５の反転は、本実施形態では第１トランジション装置２９の反転装置２９０によって実行されるが、第２トランジション装置７１の反転装置７１０によって実行されてもよい。

図７は、一実施形態に係る基板処理方法の他の一部を示すフローチャートである。図７に示す工程Ｓ２０１〜Ｓ２１１は、第１基板１０と第２基板１５との剥離（図４の工程Ｓ１０８）の後に、制御装置９による制御下で実施される。図７に示す工程Ｓ２０１〜Ｓ２１１は、第１基板１０の処理工程である。

図８（ａ）は、図７に示す１回目の反転（工程Ｓ２０１）の一例を示す図である。基板処理方法は、第２トランジション装置７１の反転装置７１０によって、第１基板１０を上下反転する工程Ｓ２０１を有する。反転装置７１０は、例えば、図８（ａ）に示すように、第１基板１０を保持する保持機構７１１と、保持機構７１１を回転させる回転機構７１２とを有する。回転機構７１２は、保持機構７１１を１８０°回転させることにより、第１基板１０を上下反転させる。第１基板１０は、平坦化層４０２を上に向けた状態から、図８（ａ）に示すように平坦化層４０２を下に向けた状態になる。その後、第１基板１０は、第２トランジション装置７１から研削装置８に、搬送ロボット７２によって搬送される。

図８（ｂ）は、図７に示す第２主表面の研削（工程Ｓ２０２）の一例を示す図である。基板処理方法は、研削装置８によって、第１基板１０の第２主表面１２を研削する工程Ｓ２０２を有する。基板チャック８２Ａ、８２Ｃは、第２主表面１２を上に向けて、平坦化層４０２の平坦面を下方から保持する。研削装置８は、基板チャック８２Ａ、８２Ｃと共に第１基板１０を回転させると共に、基板チャック８２Ａ、８２Ｃの上方に配置された砥石８４Ａを回転させながら下降させ、第１基板１０の第２主表面１２を研削する。第１基板１０の第２主表面１２を、平坦化層４０２の平坦面と平行に研削できる。従って、研削後の第２主表面１２の平坦度を向上できる。研削の終了時に、第１基板１０の第２主表面１２には、砥石８４Ａとの接触によってダメージ層１４が形成される。その後、第１基板１０は、研削装置８から第２トランジション装置７１に、搬送ロボット７２によって搬送される。

図８（ｃ）は、図７に示す２回目の反転（工程Ｓ２０３）の一例を示す図である。基板処理方法は、第２トランジション装置７１の反転装置７１０によって、第１基板１０を上下反転する工程Ｓ２０３を有する。第１基板１０は、平坦化層４０２を下に向けた状態から、図８（ｃ）に示すように平坦化層４０２を上に向けた状態になる。その後、第１基板１０は、第２トランジション装置７１から第２洗浄装置４６に、搬送装置５１によって搬送される。

図９（ａ）は、図７に示す第２主表面の洗浄（工程Ｓ２０４）の一例を示す図である。基板処理方法は、第２洗浄装置４６によって、第２主表面１２を洗浄する工程Ｓ２０４を有する。この工程Ｓ２０４では、第２主表面１２の研削（工程Ｓ２０２）で発生した研削屑を、第２主表面１２から洗い流す。この工程Ｓ２０４では、第１基板１０の第２主表面１２に加えて、平坦化層４０２の平坦面を洗浄してよい。第２洗浄装置４６は、図９（ａ）に示すように、チャック４６１と、下面用ブラシ４６２と、上面用ブラシ４６３とを有する。チャック４６１は、平坦化層４０２を上に向けて、第１基板１０の外周部を保持する。下面用ブラシ４６２は、第１基板１０の第２主表面１２をスクラブ洗浄する。一方、上面用ブラシ４６３は、平坦化層４０２の平坦面をスクラブ洗浄する。

下面用ブラシ４６２および上面用ブラシ４６３として、本実施形態ではディスクブラシが用いられるが、ロールブラシが用いられてもよい。また、ブラシの代わりにスポンジなどが用いられてもよい。いずれにしろ、第１基板１０の第２主表面１２などに付着した研削屑を除去できる。

洗浄された第１基板１０は、第２洗浄装置４６から第２トランジション装置７１に、搬送装置５１によって搬送される。その後、第１基板１０は、第２トランジション装置７１から研削装置８に、搬送ロボット７２によって搬送される。

なお、２回目の反転（工程Ｓ２０３）と、第２主表面の洗浄（工程Ｓ２０４）との順番は、逆でもよい。つまり、第２主表面の洗浄（工程Ｓ２０４）の後に、２回目の反転（工程Ｓ２０３）が行われてもよい。２回目の反転（工程Ｓ２０３）と、第２主表面の洗浄（工程Ｓ２０４）との後に、平坦化層の研削（工程Ｓ２０５）が行われればよい。

図９（ｂ）は、図７に示す平坦化層の研削（工程Ｓ２０５）の一例を示す図である。基板処理方法は、研削装置８によって、平坦化層４０２を研削する工程Ｓ２０５を有する。基板チャック８２Ｂ、８２Ｄは、平坦化層４０２を上に向けて、第１基板１０を下方から保持する。研削装置８は、基板チャック８２Ｂ、８２Ｄと共に第１基板１０を回転させると共に、基板チャック８２Ｂ、８２Ｄの上方に配置された砥石８４Ｂを回転させながら下降させ、平坦化層を研削する。

図９（ｃ）は、図７に示す第１主表面の研削（工程Ｓ２０６）の一例を示す図である。基板処理方法は、研削装置８によって、第１基板１０の第１主表面１１を研削する工程Ｓ２０６を有する。基板チャック８２Ｂ、８２Ｄは、第１主表面１１を上に向けて、平坦面である第２主表面１２を下方から保持する。研削装置８は、基板チャック８２Ｂ、８２Ｄと共に第１基板１０を回転させると共に、基板チャック８２Ｂ、８２Ｄの上方に配置された砥石８４Ｂを回転させながら下降させ、第１基板１０の第１主表面１１を研削する。第１主表面１１を、平坦面である第２主表面１２と平行に研削できる。従って、研削後の第１主表面１１の平坦度を向上できる。研削の終了時に、第１主表面１１には、砥石８４Ｂとの接触によってダメージ層１３が形成される。その後、第１基板１０は、研削装置８から第２トランジション装置７１に、搬送ロボット７２によって搬送される。続いて、第１基板１０は、第２トランジション装置７１から第１洗浄装置４５に、搬送装置５１によって搬送される。

図１０（ａ）は、図７に示す第１主表面の洗浄（工程Ｓ２０７）の一例を示す図である。基板処理方法は、第１洗浄装置４５によって、第１主表面１１を洗浄する工程Ｓ２０７を有する。この工程Ｓ２０７では、第１主表面１１の研削（工程Ｓ２０６）で発生した研削屑を、第１主表面１１から洗い流す。この工程Ｓ２０７では、第１主表面１１に加えて、第２主表面１２を洗浄してよい。第１洗浄装置４５は、図１０（ａ）に示すように、チャック４５１と、下面用ブラシ４５２と、上面用ブラシ４５３とを有する。チャック４５１は、第１主表面１１を上に向けて、第１基板１０の外周部を保持する。下面用ブラシ４５２は、第１基板１０の第２主表面１２をスクラブ洗浄する。一方、上面用ブラシ４５３は、第１基板１０の第１主表面１１をスクラブ洗浄する。

下面用ブラシ４５２および上面用ブラシ４５３として、本実施形態ではディスクブラシが用いられるが、ロールブラシが用いられてもよい。また、ブラシの代わりにスポンジなどが用いられてもよい。いずれにしろ、第１基板１０の第１主表面１１などに付着した研削屑を除去できる。洗浄された第１基板１０は、第１洗浄装置４５から第１エッチング装置４７に、搬送装置５１によって搬送される。

図１０（ｂ）は、図７に示す第１主表面のエッチング（工程Ｓ２０８）の一例を示す図である。基板処理方法は、第１エッチング装置４７によって、第１主表面１１をエッチングする工程Ｓ２０８を有する。第１主表面１１に形成されたダメージ層１３を除去できる。第１エッチング装置４７は、図１０（ｂ）に示すように、チャック４７１と、上面用ノズル４７２と、下面用ノズル４７３とを有する。チャック４７１は、第１主表面１１を上に向けて、第１基板１０の外周部を保持する。

上面用ノズル４７２は、第１基板１０の第１主表面１１に、エッチング液Ｌ１を供給する。エッチング液Ｌ１としては、例えば酸性またはアルカリ性の薬液が用いられる。エッチング液Ｌ１は、チャック４７１と共に回転する第１基板１０の遠心力によって、第１基板１０の第１主表面１１全体に濡れ広がる。

一方、下面用ノズル４７３は、第１基板１０の第２主表面１２に、エッチング液Ｌ１の回り込みを制限するガード液Ｌ２を供給する。ガード液Ｌ２としては、例えばＤＩＷ（Deionized Water）などが用いられる。ガード液Ｌ２は、チャック４７１と共に回転する第１基板１０の遠心力によって、第１基板１０の第２主表面１２全体に濡れ広がる。ダメージ層１３が除去された第１基板１０は、乾燥後、第１エッチング装置４７から第１トランジション装置２９に、搬送装置５１によって搬送される。

図１０（ｃ）は、図７に示す３回目の反転（工程Ｓ２０９）の一例を示す図である。基板処理方法は、第１トランジション装置２９の反転装置２９０によって、第１基板１０を上下反転する工程Ｓ２０９を有する。第１基板１０は、第１主表面１１を上に向けた状態から、図１０（ｃ）に示すように第１主表面１１を下に向けた状態になる。その後、第１基板１０は、第１トランジション装置２９から第２エッチング装置４８に、搬送装置５１によって搬送される。

なお、３回目の反転（工程Ｓ２０９）は、本実施形態では第１トランジション装置２９の反転装置２９０によって実行されるが、第２トランジション装置７１の反転装置７１０によって実行されてもよい。また、１回目の反転（工程Ｓ２０１）、２回目の反転（工程Ｓ２０３）は、本実施形態では第２トランジション装置７１の反転装置７１０によって実行されるが、第１トランジション装置２９の反転装置２９０によって実行されてもよい。

図１１（ａ）は、図７に示す第２主表面のエッチング（工程Ｓ２１０）の一例を示す図である。図１１（ｂ）は、そのエッチング（工程Ｓ２１０）で得られる第１基板の一例を示す図である。基板処理方法は、第２エッチング装置４８によって、第２主表面１２をエッチングする工程Ｓ２１０を有する。第２主表面１２に形成されたダメージ層１４を除去できる。第２エッチング装置４８は、図１１（ａ）に示すように、チャック４８１と、上面用ノズル４８２と、下面用ノズル４８３とを有する。チャック４８１は、第２主表面１２を上に向けて、第１基板１０の外周部を保持する。

上面用ノズル４８２は、第１基板１０の第２主表面１２に、エッチング液Ｌ３を供給する。エッチング液Ｌ３としては、例えば酸性またはアルカリ性の薬液が用いられる。エッチング液Ｌ３は、チャック４８１と共に回転する第１基板１０の遠心力によって、第１基板１０の第２主表面１２全体に濡れ広がる。

一方、下面用ノズル４８３は、第１基板１０の第１主表面１１に、エッチング液Ｌ３の回り込みを制限するガード液Ｌ４を供給する。ガード液Ｌ４としては、例えばＤＩＷ（Deionized Water）などが用いられる。ガード液Ｌ４は、チャック４８１と共に回転する第１基板１０の遠心力によって、第１基板１０の第１主表面１１全体に濡れ広がる。

ダメージ層１４を除去した第１基板１０は、乾燥後、第２エッチング装置４８から第１トランジション装置２９に、搬送装置５１によって搬送される。次いで、第１基板１０は、第１トランジション装置２９から第２載置部２２に載置された第２収容部Ｃ２に、搬送装置２７によって搬送される。

基板処理方法は、第２載置部２２に載置された第２収容部Ｃ２に、第１基板１０を収容する工程Ｓ２１１を有する。この工程Ｓ２１１によって、第１基板１０の処理が終了する。第１基板１０は、図１１（ｂ）に示すように、平坦面である第１主表面１１と、平坦面である第２主表面１２とを有する。第１主表面１１にはダメージ層１３がなく、また、第２主表面１２にはダメージ層１４がない。

図１２は、一実施形態に係る基板処理方法の残部を示すフローチャートである。図１２に示す工程Ｓ３０１〜Ｓ３０２は、第１基板１０と第２基板１５との剥離（図４の工程Ｓ１０８）の後に、制御装置９による制御下で実施される。図１２に示す工程Ｓ３０１〜Ｓ３０２は、第２基板１５の処理工程である。

図１３（ａ）は、図１２に示す第２基板の洗浄（工程Ｓ３０１）の一例を示す図である。図１３（ｂ）は、その洗浄（工程Ｓ３０１）で得られる第２基板の一例を示す図である。基板処理方法は、第３洗浄装置４９によって、第２基板１５を洗浄する工程Ｓ３０１を有する。第３洗浄装置４９は、図１３（ａ）に示すように、紫外線照射器４９１を有する。

紫外線照射器４９１は、第２基板１５の第１主表面１６に紫外線を照射することにより、第１主表面１６に残る平坦化剤４０１および離型剤４１１を分解して除去する。第３洗浄装置４９の紫外線照射器４９１の紫外線の波長は、固化装置４３の紫外線照射器４３１の紫外線の波長よりも短い。高エネルギーの紫外線を照射するので、有機物を分解できる。

洗浄した第２基板１５は、第３洗浄装置４９から第１トランジション装置２９に、搬送装置５１によって搬送される。次いで、第２基板１５は、第１トランジション装置２９から第３載置部２３に載置された第３収容部Ｃ３に、搬送装置２７によって搬送される。

基板処理方法は、第３載置部２３に載置された第３収容部Ｃ３に、第２基板１５を収容する工程Ｓ３０２を有する。この工程Ｓ３０２によって、第２基板１５の処理が終了する。第２基板１５は、再度、別の第１基板１０との積層に用いられる。第２基板１５を再利用するので、無駄がない。

なお、第３載置部２３は、本実施形態では搬入出ステーション２に設けられるが、積層装置４２等と同様に、第１処理ステーション３に設けられてもよい。

以上、本開示に係る基板処理システムおよび基板処理方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

第１基板１０は、シリコンウエハなどの半導体基板には限定されず、ガラス基板などであってもよい。第２基板１５も同様である。

上記実施形態では図７に示すように第１主表面１１のエッチング（工程Ｓ２０８）と、第２主表面１２のエッチング（工程Ｓ２１０）とが別々に行われるが、同時に行われてもよい。例えば、図１０（ｂ）において、下面用ノズル４７３は、ガード液Ｌ２の代わりに、図１１（ｂ）に示すエッチング液Ｌ３を第２主表面１２に供給してもよい。第２主表面１２に形成されたダメージ層１４の除去と、第１主表面１１に形成されたダメージ層１３の除去とを同時にできる。工程の数を低減できるので、単位時間当たりの第１基板１０の処理枚数を向上できる。また、エッチング装置の数を低減できるので、基板処理システム１の製造コストを削減できる。なお、第１主表面１１と第２主表面１２とを同時にエッチングするエッチング装置は、第１基板１０の全体をエッチング液に浸漬する装置であってもよい。

１ 基板処理システム
８ 研削装置
１０ 第１基板
１１ 第１主表面
１２ 第２主表面
１５ 第２基板
１６ 第１主表面
１７ 第２主表面
２１ 第１載置部
２２ 第２載置部
４０ 平坦化剤塗布装置
４０１ 平坦化剤
４０２ 平坦化層
４１ 離型剤塗布装置
４１１ 離型剤
４２ 積層装置
４２１ 第１保持部
４２２ 第２保持部
４３ 固化装置
４４ 剥離装置
Ｃ１ 第１収容部
Ｃ２ 第２収容部

Claims (12)

1. 第１基板の凹凸面と第２基板の平坦面とを向い合せ、液状の平坦化剤を介して前記第１基板と前記第２基板とを積層する積層装置と、
   前記第１基板と前記第２基板とを積層した状態で液状の前記平坦化剤を固化することにより、平坦化層を形成する固化装置と、
   前記第１基板および前記平坦化層と、前記第２基板とを剥離する剥離装置と、
   前記平坦化層を介して前記第１基板を保持した状態で、前記第１基板の前記凹凸面とは反対側の面を研削する研削装置とを備え、
   前記積層装置は、前記第１基板を前記平坦化剤とは反対側から保持する第１保持部と、前記第２基板を前記平坦化剤とは反対側から保持する第２保持部とを有する、基板処理システム。
2. 前記第１基板および前記平坦化層と、前記第２基板との剥離後に、前記第２基板を洗浄する洗浄装置を備える、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記固化装置は、前記積層装置の前記第１保持部と前記第２保持部とで前記第１基板と前記第２基板とを保持した状態で、前記平坦化剤を固化する、請求項１または２に記載の基板処理システム。
4. 前記第１基板と前記第２基板との積層前に、前記第２基板の前記平坦面に離型剤を塗布する離型剤塗布装置を備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理システム。
5. 前記研削装置で前記第１基板を研削した後に、前記第１基板の前記研削装置で研削した面をエッチングするエッチング装置を備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
6. 前記第２基板と積層される前の前記第１基板を収容する第１収容部が載置される第１載置部と、
   前記研削装置で研削された後の前記第１基板を収容する第２収容部が載置される第２載置部とを備え、
   前記第１収容部と前記第２収容部とは、異なる構造を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
7. 第１基板の凹凸面と第２基板の平坦面とを向い合せ、液状の平坦化剤を介して前記第１基板と前記第２基板とを積層する工程と、
   前記第１基板と前記第２基板とを積層した状態で液状の前記平坦化剤を固化することにより、平坦化層を形成する工程と、
   前記第１基板および前記平坦化層と、前記第２基板とを剥離する工程と、
   前記平坦化層を介して前記第１基板を保持した状態で、前記第１基板の前記凹凸面とは反対側の面を研削する工程とを有し、
   前記積層する工程は、前記第１基板を前記平坦化剤とは反対側から第１保持部で保持すると共に、前記第２基板を前記平坦化剤とは反対側から第２保持部で保持する工程を含む、基板処理方法。
8. 前記第１基板および前記平坦化層と、前記第２基板との剥離後に、前記第２基板を洗浄する工程を有する、請求項７に記載の基板処理方法。
9. 前記固化する工程は、前記第１保持部と前記第２保持部とで前記第１基板と前記第２基板とを保持した状態で行われる、請求項７または８に記載の基板処理方法。
10. 前記第１基板と前記第２基板との積層前に、前記第２基板の前記平坦面に離型剤を塗布する工程を有する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
11. 前記研削する工程の後に、前記第１基板の前記研削した面をエッチングする工程を有する、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
12. 前記積層する工程の前に前記第１基板を収容する第１収容部と、前記研削する工程の後に前記第１基板を収容する第２収容部とは、異なる構造を有する、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。

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