JP2020083671A5 - - Google Patents

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JP4716148B1 (ja) * 2010-03-30 2011-07-06 レーザーテック株式会社 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法
JP6493690B2 (ja) * 2016-08-31 2019-04-03 昭和電工株式会社 SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、ラージピット欠陥検出方法、欠陥識別方法
JP6459132B2 (ja) * 2016-08-31 2019-01-30 昭和電工株式会社 SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法
JP6820191B2 (ja) * 2016-12-14 2021-01-27 昭和電工株式会社 半導体ウェハの評価方法

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