CN103972052B - 应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，包括：第一步骤，确定在线水洗后晶圆将发生晶边线状缺陷的特定工艺站点；第二步骤，在将晶圆在特定工艺站点进行处理之前，应用晶边检测机台检测硅片的晶边状况以确定晶边是否存在缺陷源头；第三步骤，针对被检测到存在晶边缺陷源头的晶圆进行晶边刻蚀，以去除所述缺陷源头。在第三步骤之后，将晶圆在特定工艺站点进行处理。在第一步骤中，可以将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点。通过应用本发明，可以有效地预防线状缺陷的发生，为大批量晶圆生成提供良率保障。

Description

应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法。
背景技术
半导体生产中，硅片边缘随机产生的缺陷源头，比如划伤，粘污等非常常见，而且随着生产工艺的复杂程度增加，其在不同工艺步骤产生的几率也越来越高，此种硅片边缘的缺陷源头会在后续的清洗步骤中被水流冲出来，并且很大几率形成线状缺陷100，如图1所示，为良率提升带来障碍。
目前针对此类线状缺陷100，业界普遍的做法是缺陷发生后经过水的刷洗进行去除，但是由于硅片内的图形非常脆弱，而且会将线状颗粒物缺陷卡在图形中，很难去除干净，更有甚者，可能会对图形造成损伤。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，从而为良率提升做出贡献。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，其包括：
第一步骤，确定在线水洗后晶圆将发生晶边线状缺陷的特定工艺站点；
第二步骤，在将晶圆在特定工艺站点进行处理之前，应用晶边检测机台检测硅片的晶边状况以确定晶边是否存在缺陷源头；
第三步骤，针对被检测到存在晶边缺陷源头的晶圆进行晶边刻蚀，以去除所述缺陷源头。
优选地，应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法还包括在第三步骤之后，将晶圆在特定工艺站点进行处理。
优选地，在第一步骤中，将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点。
优选地，在第一步骤中，通过统计分析方法将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点。
优选地，所述预定百分比可以优选地介于1％至5％之间。
优选地，所述特定工艺站点包括金属硅化物热退火工艺水洗站点。
优选地，所述缺陷源头包括晶圆表面的划伤。
优选地，所述缺陷源头包括晶圆表面的粘污。
通过应用本发明，可以有效地预防线状缺陷的发生，为大批量晶圆生成提供良率保障。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了现有技术中的存在的线状缺陷。
图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法的流程图。
图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的晶边扫描发现的缺陷源头。
图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的刻蚀去除缺陷源头。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
本发明的发明人通过观察分析，发现晶边线状缺陷发生的根本原因是晶边存在缺陷源头，比如划伤，粘污等。由此，在本发明中，可以通过在清洗步骤之前检测此缺陷源头，并通过晶边刻蚀的方式将其去除，从而去除此类缺陷发生的源头，进而实现预防缺陷发生的目的。
图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法的流程图。
如图2所示，根据本发明优选实施例的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法包括：
第一步骤S1，确定在线水洗后晶圆将发生晶边线状缺陷的特定工艺站点；优选地，可以将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点；
进一步优选地，例如，可以通过统计分析方法将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点；
例如，所述预定百分比可以优选地介于1％至5％之间。
比如，所述特定工艺站点包括金属硅化物热退火工艺水洗站点；
第二步骤S2，在将晶圆在特定工艺站点进行处理之前，应用晶边检测机台检测硅片的晶边状况以确定晶边是否存在缺陷源头；例如，所述缺陷源头包括晶圆表面的划伤，以及/或者所述缺陷源头包括晶圆表面的粘污等；例如，针对金属硅化物热退火工艺可以选择在金属硅化物沉积步骤之前进行晶边缺陷扫描；具体如图3所示，在对晶圆10的晶边进行侧部边缘SS、底部边缘BS和上部边缘TS进行扫描时，发现晶圆侧边缘处沉积的其它介质薄膜存在缺陷源头30。
第三步骤S3，针对被检测到存在晶边缺陷源头的晶圆进行晶边刻蚀，以去除所述缺陷源头。具体如图4所示，对图3所示的晶圆侧边缘处沉积的其它介质薄膜存在缺陷源头30进行晶边刻蚀，以去除所述缺陷源头30，结果如图4所示。
在第三步骤S3之后，再将晶圆在特定工艺站点进行处理。
例如，在55nm逻辑产品上应用此方式可以有效预防线状缺陷发生，为良率提升提给保障。
通过应用本发明，可以有效地预防线状缺陷的发生，为大批量晶圆生成提供良率保障。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，其特征在于包括：
第一步骤，确定在线水洗后晶圆将发生晶边线状缺陷的特定工艺站点；
第二步骤，在将晶圆在特定工艺站点进行处理之前，应用晶边检测机台检测硅片的晶边状况以确定晶边是否存在缺陷源头，所述缺陷源头包括晶圆表面的划伤和/或粘污；
第三步骤，针对被检测到存在晶边缺陷源头的晶圆进行晶边刻蚀，以去除所述缺陷源头。
2.根据权利要求1所述的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，其特征在于，在第一步骤中，将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点。
3.根据权利要求1或2所述的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，其特征在于，在第一步骤中，通过统计分析方法将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点。
4.根据权利要求2所述的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，其特征在于，所述预定百分比可以优选地介于1％至5％之间。
5.根据权利要求1或2所述的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，其特征在于，所述特定工艺站点包括金属硅化物热退火工艺水洗站点。
6.根据权利要求1或2所述的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，其特征在于还包括在第三步骤之后，将晶圆在特定工艺站点进行处理。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104766810B (zh) * 2015-03-30 2017-08-22 上海华力微电子有限公司 一种晶圆边缘缺陷的检测方法
CN106898560B (zh) * 2015-12-18 2019-08-27 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 晶圆边缘所受冲击力的监测方法以及设备调整方法
US10551827B2 (en) * 2017-07-25 2020-02-04 Kla-Tencor Corporation Hybrid inspection system for efficient process window discovery
CN113035733B (zh) * 2021-02-25 2022-12-09 长鑫存储技术有限公司 晶圆自动处理方法及晶圆自动处理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101620985A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 联华电子股份有限公司 晶边蚀刻设备及其相关的晶片平坦化方法
CN101681130A (zh) * 2007-03-31 2010-03-24 高级技术材料公司 用于晶圆再生的材料剥除方法
CN103794468A (zh) * 2012-10-29 2014-05-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶边刻蚀方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070228010A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Texas Instruments Incorporated Systems and methods for removing/containing wafer edge defects post liner deposition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101681130A (zh) * 2007-03-31 2010-03-24 高级技术材料公司 用于晶圆再生的材料剥除方法
CN101620985A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 联华电子股份有限公司 晶边蚀刻设备及其相关的晶片平坦化方法
CN103794468A (zh) * 2012-10-29 2014-05-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶边刻蚀方法

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