CN103311146B - 缺陷检查方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供能以芯片单位掌握缺陷信息，即使是基板缺陷较多的低品质晶片也能够早早地检出缺陷，提高半导体晶片工艺的成品率的缺陷检查方法。本发明涉及的缺陷检查方法，是检查半导体晶片（1）的缺陷的缺陷检查方法，具备：（a）在检查对象的半导体晶片（1）上，对于半导体晶片（1）上的既定的器件芯片（2）形成与由该半导体晶片（1）生成的器件芯片（2）的尺寸对应的标记（4）的工序；（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在半导体晶片工艺之前，进行半导体晶片（1）的缺陷检查，将标记（4）作为基准，识别缺陷信息的工序。

Description

缺陷检查方法
技术领域
本发明涉及检查半导体晶片的缺陷的缺陷检查方法。
背景技术
在半导体晶片工艺中的半导体晶片（以下还简称“晶片”）的质量管理、成品的管理/改善方法中，必须在半导体晶片工艺所包含的主要或重要的工序中实施晶片的缺陷检查，特定该晶片中的异物、缺陷，管理其转移情况，检出有问题的工艺，迅速地进行反馈等。
在晶片上存在着制作器件（将晶片单片化的芯片）时有可能影响其特性的缺陷，诸如在使用许多半导体制造装置、经过多个工序后形成的半导体晶片工艺中，净化车间内或各工艺使用的装置内的异物，或实施许多处理后在晶片上形成的伤痕，以及在晶片上形成图案时形成的图案不良等。这种缺陷成为成品率下降的主要原因。
另外，在基板缺陷较多的低品质晶片（例如碳化硅晶片（以下还称作“SiC晶片”）、氮化镓晶片（以下还称作“GaN晶片”））的半导体晶片工艺的缺陷检查中，出现漏检的缺陷即未能检出、消除所有的缺陷的可能性较大。因此，存在着使后道工序中的测试工序、可靠性工序的工作量（各工序所要求的条件）高达必要值以上、效率非常低的问题。这样，在半导体晶片工艺中使用SiC晶片、GaN晶片等晶片本身也存在很多缺陷的低品质晶片后，晶片本身的缺陷有可能影响器件的特性，成为成品率下降的主要原因。
另外，不能够在电气特性试验中挑出存在着有可能影响器件特性的缺陷的晶片（器件），在以后的可靠性试验中才能够挑出不良品时，就在经过许多工艺后形成的不良的器件上白白地花费时间及精力，使电气特性评价等检查工序的效率低下。
以往的技术是检查有无在晶片上形成的缺陷，在检出了缺陷的部位做出标记，从而判断器件的好坏（例如参照专利文献1）。
专利文献1：日本特开昭63－222438号公报。
为了提高半导体晶片工艺的成品率，需要高精度地检出影响器件特性的那种晶片及各工艺中的缺陷，根据检出结果早早地将其剔除，或者通过对于产生了缺陷的工艺进行的反馈控制来减少缺陷。因此，期待着能够以芯片为单位将通过缺陷检查而获得的缺陷信息作为电子数据掌握。
在专利文献1中，没有将通过缺陷检查而获得的结果作为电子数据看待。另外，没有进行上述对于低品质晶片本身而言的缺陷检查，晶片本身的缺陷有可能影响器件的特性，成为成品率下降的主要原因。
发明内容
本发明考虑上述问题而构思，其目的在于提供能以芯片单位掌握缺陷信息，即使是基板缺陷较多的低品质晶片也能够早早地检出缺陷，提高半导体晶片工艺的成品率的缺陷检查方法。
为了解决上述课题，依据本发明的缺陷检查方法，是检查半导体晶片的缺陷的缺陷检查方法，具备：（a）在检查对象的半导体晶片上，对于半导体晶片上的既定的芯片，形成与由该半导体晶片生成的芯片的尺寸对应的标记的工序；以及（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在半导体晶片工艺之前，进行半导体晶片的缺陷检查，将标记作为基准，识别缺陷信息的工序。
依据本发明，因为具备（a）在检查对象的半导体晶片上，对于半导体晶片上的既定的芯片，形成与由该半导体晶片生成的芯片的尺寸对应的标记的工序；以及（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在半导体晶片工艺之前，进行半导体晶片的缺陷检查，将标记作为基准，识别缺陷信息的工序，所以能以芯片单位掌握缺陷信息，即使是基板缺陷较多的低品质晶片也能够早早地检出缺陷，提高半导体晶片工艺的成品率。
例如依据本发明，在晶片工艺的各主要（任意）工序中实施缺陷检查（包含工艺前的晶片检查）后，能够检出各工艺中产生的异物、图案缺陷等，还能够在经过各工序的工序间取得该缺陷的差分。这样，在基板缺陷较多的低品质晶片中，也能够在进行测试工序之前的阶段通过缺陷检查早早地检出、消除可以视为致命缺陷的器件芯片，提高以后的测试工序及可靠性评价的效率，确立包含晶片工艺、器件电气特性评价、可靠性评价在内的整个器件制造中的有效率的工艺管理、消除、评价。
附图说明
图1是表示实施本发明的实施方式1涉及的半导体晶片工艺中的缺陷检查的一个例子的图；
图2是表示本发明的实施方式1涉及的半导体晶片中的缺陷检查结果的映像的一个例子的图；
图3是表示在本发明的实施方式1涉及的半导体晶片上形成的标记的一个例子的图；
图4是表示本发明的实施方式1涉及的进行多个缺陷检查时的缺陷检查结果的映像的一个例子的图。
具体实施方式
下面，参照附图，讲述本发明的实施方式。
（实施方式1）
图1是表示实施本发明的实施方式1涉及的半导体晶片工艺（以下还称作“晶片工艺”）中的缺陷检查的一个例子的图，是表示半导体晶片工艺及电气特性评价等整个器件制造工序中的各工艺和缺陷检查的关系的图。此外，在本实施方式1中，通过使用普通透镜的显微镜检查进行缺陷检查。
如图1所示，在晶片工艺中的任意的工艺（例如主要的、重要的工艺）中实施缺陷检查（图1的工艺缺陷检查A、B），检出各工艺中产生的异物、图案缺陷等（参照图2）。另外，在多个工艺中进行缺陷检查时，能够取得工艺间的缺陷的差分（参照图4）。还能够将缺陷检查的结果反馈给各工艺，能够对晶片工艺开始前的半导体晶片本身（基板）进行缺陷检查（图1的基板缺陷检查）。关于上述缺陷检查的详细内容，将在后文中讲述。
接着，使用图1～3，讲述本实施方式1涉及的缺陷检查方法。
图2是表示本实施方式1涉及的半导体晶片1中的缺陷检查结果的映像的一个例子的图，图3是表示在本实施方式1涉及的半导体晶片1上形成的标记4的一个例子的图。
首先，在进行缺陷检查之前，在半导体晶片1上，对于既定的器件芯片2，形成与由该半导体晶片1生成的器件芯片2（芯片）的尺寸对应的标记4（参照图3）。具体地说，例如对于图2所示的器件芯片2（涂黑的部位）形成标记4。标记4例如可以通过蚀刻形成，成为缺陷检查时取得缺陷信息之际的基准。此外，在本实施方式中，对任意一个器件芯片2形成标记4，但是也可以对多个器件芯片2形成标记4。另外，标记4的形状不局限于图3所示的形状，只要是与器件芯片2的尺寸对应的形状即可。
接着，对形成标记4的半导体晶片1进行既定的晶片工艺（半导体晶片工艺）。
再接着，在晶片工艺中的任意的工艺（例如主要的、重要的工艺）中进行缺陷检查，检出缺陷。此外，在这里假设在一个工艺中进行缺陷检查（例如进行图1所示的工艺缺陷检查A、B中的某一个）。
在缺陷检查中，将一个或多个标记4作为基准，识别半导体晶片1上的所有的芯片的外形/位置，从而以器件芯片2的尺寸单位掌握（取得）缺陷信息（缺陷的位置、大小、种类）。就是说，进行缺陷检查后，能够以芯片单位将半导体晶片1（或器件芯片2）上的缺陷位置3等信息作为电子数据掌握（识别）。例如在图2中，示出由缺陷检查的结果获得的缺陷位置3被映射在半导体晶片1上的状态。此外，由缺陷检查获得的信息不仅是缺陷位置3的信息，而且还能够获得缺陷的图像（照片）等视觉性的信息。
因此，在晶片工艺中的任意工艺中实施缺陷检查后，能够统计性地掌握哪个工艺在半导体晶片1（或器件芯片2）上的哪个位置存在哪种缺陷。另外，对于最后生成的器件芯片2进行电气特性评价，能够取得产生了电气特性不良芯片和在晶片工艺中产生的缺陷的相互关系。进而，累积该相关数据并反馈给各工艺，就能够从晶片工艺阶段消除可能成为不良芯片的器件芯片2，防止不良芯片的流出，实现电气特性评价等测试工序、可靠性评价工序的高速化、高效率化。
以上讲述了在晶片工艺中的一个工艺中进行缺陷检查的情况，但是也可以在多个工艺中进行缺陷检查。例如可以进行图1所示的工艺缺陷检查A、B的两者。
图4是表示本实施方式1涉及的进行多个缺陷检查时的缺陷检查结果的映像的一个例子的图，示出将图2所示的那种缺陷检查结果重叠多个工艺量的状态。例如如图4所示，对于多个工艺的每一个进行缺陷检查A、B、C，将这些检查结果在半导体晶片1上重叠地映射。
因此，在晶片工艺中的多个工艺中进行缺陷检查后，能够获得缺陷在多个工艺间的转移情况等信息，能够在将预先知道是不良（致命缺陷）的器件芯片除去之后，进行后道工序的检查，所以能够缩短后道工序中的检查所需的时间。另外，取得多个缺陷检查间（多个工艺间）的缺陷的差分，能够早期发现工艺异常（发生较多缺陷的工艺），防止不良芯片的流出，并且将异常信息反馈给各工艺。进而，对于晶片工艺完成后进行的电气特性评价、可靠性评价也同样，预先将可能成为不良的器件芯片排除之后，能够有效地进行评价。
此外，以上讲述了在晶片工艺中的多个工艺中进行缺陷检查的情况，但是为了搞清楚半导体晶片1的秉性，也可以在晶片工艺之前实施的晶片浓度检查、晶片厚度检查、晶片电阻率检查等半导体晶片本身的检查（缺陷检查）中，以器件芯片单位映射检查结果。
如上所述，在半导体晶片工艺中使用存在很多缺陷的低品质晶片（例如SiC晶片、GaN晶片）后，晶片本身的缺陷有可能影响器件的特性，成为成品率下降的主要原因。因此，在晶片工艺之前检查半导体晶片1本身的缺陷，重叠检查结果后，能够推测逻辑性的累积造成的不良芯片，还能够预先挑出、除去该不良芯片，从而能够提高各工艺的效率。此外，在进行对于半导体晶片1本身而言的缺陷检查之前，预先形成标记4，在进行缺陷检查之际，将标记4作为基准，取得（识别）缺陷信息。
因此，依据本实施方式1，即使是基板缺陷较多的低品质晶片也能够在进行测试工序（例如电气特性评价）之前的阶段早早地检出、消除可以视为致命缺陷的器件芯片，从而能够在提高测试工序、可靠性评价的效率、提高晶片工艺的成品率的同时，确立整个器件制造中的有效率的工艺管理、消除、评价。
（实施方式2）
在实施方式1中，通过使用普通透镜的显微镜检查进行缺陷检查，而在本实施方式2中，其特征在于利用具备微分干涉方式的缺陷检查装置进行缺陷检查。其它的结构及动作和实施方式1相同，所以不再赘述。
使用具备微分干涉方式的缺陷检查装置后，因为能够高精度地检出实施方式1的显微镜检查中难以检出的半导体晶片（基板）表面的凹凸程度较低的缺陷，所以对于存在微小的凹凸状的缺陷的半导体晶片特别有效。这样，例如能够在基板缺陷检查（晶片工艺之前的半导体晶片本身的缺陷检查）中，以器件芯片单位掌握起因于半导体晶片本身的缺陷（阶跃波动、凹坑等），能够在该阶段（基板缺陷检查阶段）挑出后排除包含可能影响器件的致命的缺陷在内的器件芯片。
综上所述，依据本实施方式2，能够提高半导体晶片存在的缺陷的检出精度，能够在基板缺陷检查阶段早早地排出存在着可能成为最终性的器件特性不良、可靠性试验不良的缺陷的器件芯片，从而提高评价、试验等的效率。
此外，本发明可以在该发明的范围内自由地组合各实施方式，可以适当地将各实施方式变形、省略。
符号说明
1半导体晶片、2器件芯片、3缺陷位置、4标记。

Claims (5)

1.一种缺陷检查方法，是检查半导体晶片（1）的缺陷的缺陷检查方法，具备：
（a）在检查对象的半导体晶片（1）上，对于所述半导体晶片（1）上的既定的芯片（2），形成与由该半导体晶片（1）生成的芯片（2）的尺寸对应的标记（4）的工序；以及
（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在所述半导体晶片工艺之前，进行所述半导体晶片（1）的缺陷检查，将所述标记（4）作为基准，识别缺陷信息的工序。
2.如权利要求1所述的缺陷检查方法，其特征在于：在所述工序（b）中，以芯片单位识别所述缺陷信息。
3.如权利要求1或2所述的缺陷检查方法，其特征在于：在所述工序（b）中，在所述半导体晶片工艺的多个工艺中进行所述缺陷检查。
4.如权利要求1或2所述的缺陷检查方法，其特征在于：在所述工序（b）中，使用微分干涉方式进行所述缺陷检查。
5.如权利要求1或2所述的缺陷检查方法，其特征在于：所述半导体晶片（1）是SiC晶片或GaN晶片。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6083129B2 (ja) * 2012-04-27 2017-02-22 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置
CN103700608B (zh) * 2013-12-30 2016-08-17 日月光半导体（昆山）有限公司 半导体封装的不合格品地图产生方法和装置
US10712289B2 (en) * 2014-07-29 2020-07-14 Kla-Tencor Corp. Inspection for multiple process steps in a single inspection process
CN108061736B (zh) * 2017-11-14 2020-11-13 东旭光电科技股份有限公司 使用反射电子探针对玻璃缺陷进行分析的方法
CN108376655B (zh) * 2018-01-30 2021-05-11 北京世纪金光半导体有限公司 一种晶圆制造过程中检测缺陷的定位和跟踪方法
JP7133804B2 (ja) * 2018-08-30 2022-09-09 国立大学法人京都工芸繊維大学 太陽電池デバイスの製造プロセス起因の不良の特定方法および特定装置、並びに太陽電池デバイスの製造方法
CN110969175B (zh) * 2018-09-29 2022-04-12 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理方法及装置、存储介质和电子设备
JP7404009B2 (ja) 2019-09-19 2023-12-25 キオクシア株式会社 加工情報管理システム及び加工情報管理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5971586A (en) * 1995-04-21 1999-10-26 Sony Corporation Identifying causes of semiconductor production yield loss
JP4716148B1 (ja) * 2010-03-30 2011-07-06 レーザーテック株式会社 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61170041A (ja) * 1985-01-23 1986-07-31 Nec Corp 半導体ウエ−ハ
JPS61231713A (ja) * 1985-04-08 1986-10-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびその実施に用いる縮小露光装置
JPS63222438A (ja) 1987-03-11 1988-09-16 Fujitsu Ltd ウエハ−表面欠陥検査装置
JP3156702B2 (ja) 1989-07-12 2001-04-16 株式会社日立製作所 検査データ解析システムおよび検査データ解析方法
US6411377B1 (en) * 1991-04-02 2002-06-25 Hitachi, Ltd. Optical apparatus for defect and particle size inspection
US5867590A (en) * 1995-01-11 1999-02-02 Nova Measuring Instruments, Ltd. Method and apparatus for determining a location on a surface of an object
US5665609A (en) 1995-04-21 1997-09-09 Sony Corporation Prioritizing efforts to improve semiconductor production yield
JP3335845B2 (ja) 1996-08-26 2002-10-21 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置及び描画方法
JP2000232138A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Hitachi Ltd 半導体装置とそのマーク形成装置，その欠陥検査装置
US7629993B2 (en) * 2002-09-30 2009-12-08 Rudolph Technologies, Inc. Automated wafer defect inspection system using backside illumination
US20050254065A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Stokowski Stanley E Method and apparatus for detecting surface characteristics on a mask blank
EP1619276B1 (en) * 2004-07-19 2017-01-11 Norstel AB Homoepitaxial growth of SiC on low off-axis SiC wafers
US7755207B2 (en) 2005-07-27 2010-07-13 Ricoh Company, Ltd. Wafer, reticle, and exposure method using the wafer and reticle
KR100852177B1 (ko) * 2007-09-04 2008-08-13 주식회사 실트론 웨이퍼 표면 결함 검사방법
JP5560921B2 (ja) * 2010-06-08 2014-07-30 新日鐵住金株式会社 欠陥識別マーカー付き基板の製造方法
JP4844694B2 (ja) * 2011-01-19 2011-12-28 レーザーテック株式会社 検査装置及び欠陥分類方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5971586A (en) * 1995-04-21 1999-10-26 Sony Corporation Identifying causes of semiconductor production yield loss
JP4716148B1 (ja) * 2010-03-30 2011-07-06 レーザーテック株式会社 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法

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Publication number Publication date
JP2013187524A (ja) 2013-09-19
CN103311146A (zh) 2013-09-18
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KR20130105387A (ko) 2013-09-25
DE102012222867B4 (de) 2019-12-24
JP6057522B2 (ja) 2017-01-11
US8817251B2 (en) 2014-08-26
KR101372995B1 (ko) 2014-03-25
US20130235373A1 (en) 2013-09-12

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