JP6820191B2 - 半導体ウェハの評価方法 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を提供する。
まず水銀プローブ法について説明する。図1は、水銀プローブ法による半導体ウェハの評価装置の構成を例示した模式図である。半導体ウェハ評価装置10は、水銀2と、キャピラリー3と、給排気管4と、配線5と、電気的特性測定部(図視略)とを備える。水銀2は、キャピラリー3内に収容される。給排気管4は、キャピラリー3内を給排気する。配線5は、水銀2と電気的特性測定部とに電気的に接続される。電気的特性測定部は、配線5と被測定対象である半導体ウェハ1に電気的に接続され、半導体ウェハ1の電気的特性を測定する。
本実施形態にかかる半導体ウェハの評価方法は、上記のように電気的特性の正確性を低下させる原因となる欠陥を避けながら、電気的特性を測定する。本実施形態にかかる半導体ウェハの評価方法は、座標測定工程と、プローブ設置工程と、電気的特性測定工程とを有する。以下、各工程について具体的に説明する。
座標測定工程では、半導体ウェハと水銀との接触面の面積に対して0.5%以上の面積を有する凸状又は凹状の所定の欠陥を特定し、所定の欠陥の位置座標を測定する。
プローブ設置工程では、座標測定工程で特定された所定の欠陥の位置座標と、予定されていたプローブ設置箇所の位置座標が重なる場合、所定の欠陥の位置座標を避けてプローブを設置する。
電気的特性測定工程では、プローブから供給される水銀と半導体ウェハとを接触させて電気的特性を測定する。電気的特性は、上述の水銀プローブ法を用いることができる。得られた電気的特性から半導体ウェハのキャリア濃度等を正確に求めることができる。
Claims (4)
- 半導体ウェハの表面に水銀を接触させて、前記半導体ウェハの電気的特性を評価する半導体ウェハの評価方法であって、
前記半導体ウェハと前記水銀との接触面の面積に対して0.5%以上の面積を有する凸状又は凹状の所定の欠陥を特定し、前記所定の欠陥の位置座標を測定する座標測定工程と、
前記座標測定工程で特定された前記所定の欠陥の位置座標と、予定されていたプローブ設置箇所の位置座標が重なる場合、前記所定の欠陥の位置座標を避けてプローブを設置するプローブ設置工程と、
前記プローブから供給される前記水銀と前記半導体ウェハを接触させて電気的特性を測定する電気的特性測定工程と、を有する半導体ウェハの評価方法。 - 前記座標測定工程は、光学式表面検査装置により測定画像をえる工程と、
前記測定画像において、輝度の最頻値に対してコントラスト比が1.20以上又は0.83以下、かつ、表面積が前記半導体ウェハと前記水銀との接触面の面積に対して0.5%以上の点を前記所定の欠陥として特定する工程と、
特定された前記所定の欠陥の位置座標をマッピングする工程と、を有する請求項1に記載の半導体ウェハの評価方法。 - 前記座標測定工程において、輝度の最頻値に対してコントラスト比が1.88以上又は0.53以下の高コントラスト欠陥の位置座標をさらに特定し、
前記プローブ設置工程において、前記所定の欠陥と合せて前記高コントラスト欠陥も避けてプローブを設置する請求項1又は2のいずれかに記載の半導体ウェハの評価方法。 - 前記プローブ設置工程において、プローブ設置箇所と半導体ウェハの中心との距離を、予定されていたプローブ設置箇所と半導体ウェハの中心との距離と一致させる請求項1〜3いずれか一項に記載の半導体ウェハの評価方法。
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