CN116539638A - 掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量和位置坐标，步骤S102，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，步骤S103，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，步骤S104，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。
Description
技术领域
本申请涉及测量掺杂浓度的技术领域，具体而言，涉及一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
掺杂浓度均匀性是评价半导体外延片质量的一个重要技术指标，掺杂浓度均匀性不佳会导致器件电学参数的波动范围过大，对器件性能造成不利影响。通过测量半导体外延片的掺杂浓度分布，可以帮助工艺人员判断工艺改进方向，合理调整工艺参数。
相比于传统硅半导体，第三代半导体的外延工艺技术难度大且技术相对不成熟，外延片表面往往存在较多缺陷，例如掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷、基平面位错、螺位错、堆垛层错等。当汞探针CV测试仪的测试点范围中存在缺陷时，容易导致掺杂浓度测试不准确，测试值严重偏离正常值，导致测试数据异常。一方面，为了保证测试数据的完整性，工艺人员需要避开缺陷区域，在测试异常点（存在缺陷信息的区域）附近重新选取测试点、计算坐标并输入软件、测量掺杂浓度，上述过程导致测试时间延长，严重降低测试效率。另一方面，由于汞探针CV测试过程需要液态汞与半导体表面接触，因此不可避免造成汞污染，如果测量异常点数量过多，不仅会对外延片表面造成过多的汞污染并提高后续清洗处理难度，还会导致毛细管中的液态汞被缺陷污染（例如表面颗粒、玷污等），进而降低汞探针CV测试仪的测试结果的可靠性。
因此，为了解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的技术问题，亟需一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质。
发明内容
本申请的目的在于提供一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。
第一方面，本申请提供了一种掺杂浓度测量方法，用于对测量点的掺杂浓度进行测量，包括步骤：
S101，获取测量点的数量和位置坐标；
S102，根据所述数量和所述位置坐标，对测量点进行拍照，得到所述测量点的位置图片；
S103，基于所述位置图片，对所述测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点；
S104，对所述修正坐标后的测量点进行测量，得到所述修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据。
本申请提供的掺杂浓度测量方法可以实现对测量点的掺杂浓度进行测量，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。
可选地，所述步骤S103包括：
A1，判断所述位置图片是否存在缺陷信息；若是，执行步骤A2；若否，执行步骤A3；
A2，对存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标进行修正，并选择修正后的位置坐标对应的位置图片作为待判断位置图片，返回执行步骤A1；
A3，确定不存在缺陷信息的位置图片对应的测量点为所述修正坐标后的测量点。
本申请提供的掺杂浓度测量方法可以实现对测量点的掺杂浓度进行测量，通过对存在缺陷信息的测量点进行坐标修正，得到相对正常的测量点，对相对正常的测量点进行掺杂浓度，有利于提高掺杂浓度的测量效率。
可选地，缺陷信息的判断方法包括机器判断法或经验判断法。
可选地，所述步骤A2包括：
B1，将所述存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标由直角坐标转化为对应的极坐标；
B2，基于所述极坐标，计算极坐标角度差值，得到修正后的位置坐标；
B3，获取所述修正后的位置坐标对应的位置图片，并将所述修正后的位置坐标对应的位置图片设置为所述待判断位置图片，返回执行步骤A1。
本申请提供的掺杂浓度测量方法可以实现对测量点的掺杂浓度进行测量，通过将位置坐标由直角坐标转化为对应的极坐标，进行测量点的坐标修正，有利于提高测量点的坐标修正效率。
可选地，所述计算极坐标角度差值的方法包括距离计算法；所述步骤B2包括：
C1，基于所述极坐标，结合预设距离，计算得到所述极坐标角度差值；
C2，将所述极坐标的极坐标角度和所述极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标；
C3，将所述修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到所述修正后的位置坐标。
可选地，所述计算极坐标角度差值的方法还包括准则设置法；所述步骤B2还包括：
D1，根据预设的角度差值准则，确定所述极坐标角度差值；
D2，将所述极坐标的极坐标角度和所述极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标；
D3，将所述修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到所述修正后的位置坐标。
可选地，步骤S103之后，还包括：
对任一存在缺陷信息的位置图片对应的测量点进行多次的坐标修正和掺杂浓度测量，以验证坐标修正的测量点的掺杂浓度数据的准确性。
第二方面，本申请提供了一种掺杂浓度测量装置，用于对测量点的掺杂浓度进行测量，包括：
获取模块，用于获取测量点的数量和位置坐标；
拍照模块，用于根据所述数量和所述位置坐标，对测量点进行拍照，得到所述测量点的位置图片；
修正模块，用于基于所述位置图片，对所述测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点；
测量模块，用于对所述修正坐标后的测量点进行测量，得到所述修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据。
该掺杂浓度测量装置，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。
第三方面，本申请提供了一种电子设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有所述处理器可执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，运行如前文所述掺杂浓度测量方法中的步骤。
第四方面，本申请提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如前文所述掺杂浓度测量方法中的步骤。
有益效果：本申请提供的掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。
附图说明
图1为本申请实施例提供的掺杂浓度测量方法的流程图。
图2为本申请实施例提供的掺杂浓度测量装置的结构示意图。
图3为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
标号说明：1、获取模块；2、拍照模块；3、修正模块；4、测量模块；301、处理器；302、存储器；303、通信总线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参照图1，图1是本申请一些实施例中的一种掺杂浓度测量方法，用于对测量点的掺杂浓度进行测量，包括步骤：
步骤S101，获取测量点的数量和位置坐标；
步骤S102，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片；
步骤S103，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点；
步骤S104，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据。
该掺杂浓度测量方法，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。
具体地，在步骤S101中，获取测量点的数量和位置坐标，由工作人员输入多个测量点的位置坐标，可得到测量点的数量和位置坐标，根据实际的技术需求，多个测量点的位置坐标可以组成测试点空间分布样式，测试点空间分布样式指的是根据测量点之间的相对位置和距离，结合测量点的数量，组成的坐标结构。
具体地，在步骤S102中，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，拍照时需要以测量点的位置坐标为图像中心点，根据预先设置的拍照设置，对测量点进行拍照。
拍照（位置图片）主要基于光学显微术和光致发光谱等光学检测手段，对测量点区域进行图像采集（以测量点的位置坐标作为图像中心点）。光学显微术一般适合判断表面形貌缺陷，例如掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷等。光致发光谱一般适合判断结构缺陷，例如堆垛层错、基平面位错、螺位错等。拍照设置可根据实际需要修改，如拍照尺寸范围可根据液态汞和半导体接触部分的大小确定，例如液态汞和半导体接触部分直径为1.7mm，拍照尺寸范围可设置为2mm×2mm。
具体地，在步骤S103中，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，包括：
A1，判断位置图片是否存在缺陷信息；若是，执行步骤A2；若否，执行步骤A3；
A2，对存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标进行修正，并选择修正后的位置坐标对应的位置图片作为待判断位置图片，返回执行步骤A1；
A3，确定不存在缺陷信息的位置图片对应的测量点为修正坐标后的测量点。
在步骤S103中，缺陷信息包括掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷等缺陷的信息，判断位置图片是否存在缺陷信息，即判断位置图片是否存在缺陷，如掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷等缺陷，缺陷信息的判断方法（判断位置图片是否存在缺陷信息的方法）包括机器判断法或经验判断法。
机器判断法，即机器（如计算机或机器人）通过采集图像信息（位置图片），基于缺陷识别算法，自动判断该位置图片是否存在缺陷信息。
经验判断法，即机器根据工作人员设置的经验判断准则（可以结合缺陷识别算法），判断该位置图片是否存在缺陷信息。
例如，让机器计算位置图片中的灰度平均值和标准差，根据工作人员设置的经验判断准则，判断标准差或平均值是否超过对应设定的标准差阈值或平均值阈值（经验判断准则包括标准差阈值或平均值阈值等数据），以判断该位置图片是否存在缺陷信息；或者让机器统计位置图片的灰度值分布，根据工作人员设置的经验判断准则，判断超过设定灰度阈值的点的数量是否大于设定数量阈值，以判断该位置图片是否存在缺陷信息。
缺陷信息的判断方法也可以使用人工判断法，即基于机器给出的提示信息，由工作人员观察位置图片并判断该位置图片是否存在缺陷信息（人工判断法比较主观，需要工作人员具有优秀的工作经验或较好的判断标准）。
在步骤S103中，当位置图片存在缺陷信息时，对该位置图片对应测量点的位置坐标进行修正，并获取修正后的位置坐标对应的位置图片（对修正后的位置坐标进行拍照），选择修正后的位置坐标对应的位置图片作为待判断位置图片，重新判断该位置图片是否存在缺陷信息。
当位置图片不存在缺陷信息时，确定该位置图片对应的测量点为修正坐标后的测量点。
具体地，在步骤S103中，步骤A2包括：
B1，将存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标由直角坐标转化为对应的极坐标；
B2，基于极坐标，计算极坐标角度差值，得到修正后的位置坐标；
B3，获取修正后的位置坐标对应的位置图片，并将修正后的位置坐标对应的位置图片设置为待判断位置图片，返回执行步骤A1。
在步骤S103中，应在原坐标（存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标）附近进行坐标修正，可在以原坐标为圆心的特定半径圆范围内进行坐标修正，修正后的位置坐标与晶圆中心（即坐标原点）的距离和原坐标与晶圆中心的距离相同，即极坐标半径相同，但极坐标角度不同。将存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标由直角坐标转化为对应的极坐标，计算该极坐标和修正后的位置坐标的极坐标角度差值，即可计算得到修正后的位置坐标，对修正后的位置坐标进行拍照，以获取修正后的位置坐标对应的位置图片，将修正后的位置坐标对应的位置图片设置为待判断位置图片，返回执行步骤A1。
具体地，在步骤S103中，计算极坐标角度差值的方法包括距离计算法，当使用距离计算法时，步骤B2包括：
C1，基于极坐标，结合预设距离，计算得到极坐标角度差值；
C2，将极坐标的极坐标角度和极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标；
C3，将修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到修正后的位置坐标。
根据预设距离，确定极坐标角度差值。例如，假设测量点的极坐标半径为r，将预设距离设置为L，根据三角函数关系，可以得到极坐标角度差值Δθ=2arcsin(L/2r)。极坐标角度差值与极坐标半径r有关,当极坐标半径r越大时，测量点距离晶圆中心越远，而极坐标角度差值越小。
将存在缺陷信息的极坐标的极坐标角度和极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标，将修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到修正后的位置坐标。
具体地，在步骤S103中，计算极坐标角度差值的方法包括准则设置法，当使用准则设置法时，步骤B2包括：
D1，根据预设的角度差值准则，确定极坐标角度差值；
D2，将极坐标的极坐标角度和极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标；
D3，将修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到修正后的位置坐标。
根据预设的角度差值准则，确定极坐标角度差值，例如，根据工作人员设置的角度差值准则中由测量点的极坐标半径所对应的角度差阈值，根据测量点的极坐标半径r，设置对应的极坐标角度差值Δθ。
将存在缺陷信息的极坐标的极坐标角度和极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标，将修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到修正后的位置坐标。
具体地，在一些实施例中，步骤S103之后，还包括：
对任一存在缺陷信息的位置图片对应的测量点进行多次的坐标修正和掺杂浓度测量，以验证坐标修正后的测量点的掺杂浓度数据的准确性。
在一些实施例中，可以先检测坐标修正后测量点的掺杂浓度数据的准确性，选择任一存在缺陷信息的位置图片对应的测量点，多次对该测量点进行坐标修正和掺杂浓度测量，以验证坐标修正后的测量点的掺杂浓度数据的准确性，例如，设置坐标修正和掺杂浓度测量的次数为10次，选择任一存在缺陷信息的位置图片对应的测量点，进行10次的坐标修正和掺杂浓度测量，将获取的10组掺杂浓度进行两两对比，当有大于或等于9组掺杂浓度的差值在误差允许范围内（误差允许范围一般为0至3%或0至4%，可根据实际需要修改）时，确定这些差值在误差允许范围内的掺杂浓度为可用数据（如任一掺杂浓度与其他掺杂浓度的差值超过3%时，则确定该组数据为错误数据或无用数据，任一掺杂浓度与其他掺杂浓度的差值均不超过3%，则确定该组数据为可用数据），确定基于坐标修正的掺杂浓度测量方法的准确率达到90%以上（一般准确率达到90%以上为合格），验证了该坐标修正后的测量点的掺杂浓度数据的准确性，保证了本申请的掺杂浓度测量方法的准确性，从而确保其他测量点在坐标修正后的掺杂浓度数据也具有较高的准确性。
具体地，在步骤S104中，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据，通过测量工具，可以但不限于是汞探针CV等工具，测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，得到测量点的掺杂浓度数据。
由上可知，该掺杂浓度测量方法，通过获取测量点的数量和位置坐标，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据；从而，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。
参考图2，本申请提供了一种掺杂浓度测量装置，用于对测量点的掺杂浓度进行测量，包括：
获取模块1，用于获取测量点的数量和位置坐标；
拍照模块2，用于根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片；
修正模块3，用于基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点；
测量模块4，用于对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据。
该掺杂浓度测量方法，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。
具体地，获取模块1在执行时，获取测量点的数量和位置坐标，由工作人员输入多个测量点的位置坐标，可得到测量点的数量和位置坐标，根据实际的技术需求，多个测量点的位置坐标可以组成测试点空间分布样式，测试点空间分布样式指的是根据测量点之间的相对位置和距离，结合测量点的数量，组成的坐标结构。
具体地，拍照模块2在执行时，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，拍照时需要以测量点的位置坐标为图像中心点，根据预先设置的拍照设置，对测量点进行拍照。
拍照（位置图片）主要基于光学显微术和光致发光谱等光学检测手段，对测量点区域进行图像采集（以测量点的位置坐标作为图像中心点）。光学显微术一般适合判断表面形貌缺陷，例如掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷等。光致发光谱一般适合判断结构缺陷，例如堆垛层错、基平面位错、螺位错等。拍照设置可根据实际需要修改，如拍照尺寸范围可根据液态汞和半导体接触部分的大小确定，例如液态汞和半导体接触部分直径为1.7mm，拍照尺寸范围可设置为2mm×2mm。
具体地，修正模块3在基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点的时候，执行：
A1，判断位置图片是否存在缺陷信息；若是，执行步骤A2；若否，执行步骤A3；
A2，对存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标进行修正，并选择修正后的位置坐标对应的位置图片作为待判断位置图片，返回执行步骤A1；
A3，确定不存在缺陷信息的位置图片对应的测量点为修正坐标后的测量点。
修正模块3在执行时，缺陷信息包括掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷等缺陷的信息，判断位置图片是否存在缺陷信息，即判断位置图片是否存在缺陷，如掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷等缺陷，缺陷信息的判断方法（判断位置图片是否存在缺陷信息的方法）包括机器判断法或经验判断法。
机器判断法，即机器（如计算机或机器人）通过采集图像信息（位置图片），基于缺陷识别算法，自动判断该位置图片是否存在缺陷信息。
经验判断法，即机器根据工作人员设置的经验判断准则（可以结合缺陷识别算法），判断该位置图片是否存在缺陷信息。
例如，让机器计算位置图片中的灰度平均值和标准差，根据工作人员设置的经验判断准则，判断标准差或平均值是否超过对应设定的标准差阈值或平均值阈值（经验判断准则包括标准差阈值或平均值阈值等数据），以判断该位置图片是否存在缺陷信息；或者让机器统计位置图片的灰度值分布，根据工作人员设置的经验判断准则，判断超过设定灰度阈值的点的数量是否大于设定数量阈值，以判断该位置图片是否存在缺陷信息。
缺陷信息的判断方法也可以使用人工判断法，即基于机器给出的提示信息，由工作人员观察位置图片并判断该位置图片是否存在缺陷信息（人工判断法比较主观，需要工作人员具有优秀的工作经验或较好的判断标准）。
修正模块3在执行时，当位置图片存在缺陷信息时，对该位置图片对应测量点的位置坐标进行修正，并获取修正后的位置坐标对应的位置图片（对修正后的位置坐标进行拍照），选择修正后的位置坐标对应的位置图片作为待判断位置图片，重新判断该位置图片是否存在缺陷信息。
当位置图片不存在缺陷信息时，确定该位置图片对应的测量点为修正坐标后的测量点。
具体地，修正模块3在对存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标进行修正，并选择修正后的位置坐标对应的位置图片作为待判断位置图片，返回执行步骤A1的时候，执行：
B1，将存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标由直角坐标转化为对应的极坐标；
B2，基于极坐标，计算极坐标角度差值，得到修正后的位置坐标；
B3，获取修正后的位置坐标对应的位置图片，并将修正后的位置坐标对应的位置图片设置为待判断位置图片，返回执行步骤A1。
修正模块3在执行时，应在原坐标（存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标）附近进行坐标修正，可在以原坐标为圆心的特定半径圆范围内进行坐标修正，修正后的位置坐标与晶圆中心（即坐标原点）的距离和原坐标与晶圆中心的距离相同，即极坐标半径相同，但极坐标角度不同。将存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标由直角坐标转化为对应的极坐标，计算该极坐标和修正后的位置坐标的极坐标角度差值，即可计算得到修正后的位置坐标，对修正后的位置坐标进行拍照，以获取修正后的位置坐标对应的位置图片，将修正后的位置坐标对应的位置图片设置为待判断位置图片，返回执行步骤A1。
具体地，计算极坐标角度差值的方法包括距离计算法，当使用距离计算法时，修正模块3在基于极坐标，计算极坐标角度差值，得到修正后的位置坐标的时候，执行：
C1，基于极坐标，结合预设距离，计算得到极坐标角度差值；
C2，将极坐标的极坐标角度和极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标；
C3，将修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到修正后的位置坐标。
根据预设距离，确定极坐标角度差值。例如，假设测量点的极坐标半径为r，将预设距离设置为L，根据三角函数关系，可以得到极坐标角度差值Δθ=2arcsin(L/2r)。
将存在缺陷信息的极坐标的极坐标角度和极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标，将修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到修正后的位置坐标。
具体地，计算极坐标角度差值的方法包括准则设置法，当使用准则设置法时，修正模块3在基于极坐标，计算极坐标角度差值，得到修正后的位置坐标的时候，执行：
D1，根据预设的角度差值准则，确定极坐标角度差值；
D2，将极坐标的极坐标角度和极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标；
D3，将修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到修正后的位置坐标。
根据预设的角度差值准则，确定极坐标角度差值，例如，根据工作人员设置的角度差值准则中由测量点的极坐标半径所对应的角度差阈值，根据测量点的极坐标半径r，设置对应的极坐标角度差值Δθ。
将存在缺陷信息的极坐标的极坐标角度和极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标，将修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到修正后的位置坐标。
具体地，掺杂浓度测量装置还包括：
验证模块，用于对任一存在缺陷信息的位置图片对应的测量点进行多次的坐标修正和掺杂浓度测量，以验证坐标修正后的测量点的掺杂浓度数据的准确性。
在一些实施例中，掺杂浓度测量装置还包括验证模块，该验证模块可以用于检测坐标修正后测量点的掺杂浓度数据的准确性，该验证模块选择任一存在缺陷信息的位置图片对应的测量点，多次对该测量点进行坐标修正和掺杂浓度测量，以验证坐标修正后的测量点的掺杂浓度数据的准确性，例如，设置坐标修正和掺杂浓度测量的次数为10次，选择任一存在缺陷信息的位置图片对应的测量点，进行10次的坐标修正和掺杂浓度测量，将获取的10组掺杂浓度进行两两对比，当有大于或等于9组掺杂浓度的差值在误差允许范围内（误差允许范围一般为0至3%或0至4%，可根据实际需要修改）时，确定这些差值在误差允许范围内的掺杂浓度为可用数据（如任一掺杂浓度与其他掺杂浓度的差值超过3%时，则确定该组数据为错误数据或无用数据，任一掺杂浓度与其他掺杂浓度的差值均不超过3%，则确定该组数据为可用数据），确定基于坐标修正的掺杂浓度测量装置的准确率达到90%以上（一般准确率达到90%以上为合格），验证了该坐标修正后的测量点的掺杂浓度数据的准确性，保证了本申请的掺杂浓度测量装置的准确性，从而确保其他测量点在坐标修正后的掺杂浓度数据也具有较高的准确性。
具体地，测量模块4在执行时，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据，通过测量工具，可以但不限于是汞探针CV等工具，测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，得到测量点的掺杂浓度数据。
由上可知，该掺杂浓度测量装置，通过获取测量点的数量和位置坐标，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据；从而，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。
请参照图3，图3为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本申请提供一种电子设备，包括：处理器301和存储器302，处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序，当电子设备运行时，处理器301执行该计算机程序，以执行上述实施例的任一可选的实现方式中的掺杂浓度测量方法，以实现以下功能：获取测量点的数量和位置坐标，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据。
本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的掺杂浓度测量方法，以实现以下功能：获取测量点的数量和位置坐标，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，既可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种掺杂浓度测量方法，用于对测量点的掺杂浓度进行测量，其特征在于，包括步骤：
S101，获取测量点的数量和位置坐标；
S102，根据所述数量和所述位置坐标，对测量点进行拍照，得到所述测量点的位置图片；
S103，基于所述位置图片，对所述测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点；
S104，对所述修正坐标后的测量点进行测量，得到所述修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据。
2.根据权利要求1所述的掺杂浓度测量方法，其特征在于，步骤S103包括：
A1，判断所述位置图片是否存在缺陷信息；若是，执行步骤A2；若否，执行步骤A3；
A2，对存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标进行修正，并选择修正后的位置坐标对应的位置图片作为待判断位置图片，返回执行步骤A1；
A3，确定不存在缺陷信息的位置图片对应的测量点为所述修正坐标后的测量点。
3.根据权利要求2所述的掺杂浓度测量方法，其特征在于，缺陷信息的判断方法包括机器判断法或经验判断法。
4.根据权利要求2所述的掺杂浓度测量方法，其特征在于，步骤A2包括：
B1，将所述存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标由直角坐标转化为对应的极坐标；
B2，基于所述极坐标，计算极坐标角度差值，得到修正后的位置坐标；
B3，获取所述修正后的位置坐标对应的位置图片，并将所述修正后的位置坐标对应的位置图片设置为所述待判断位置图片，返回执行步骤A1。
5.根据权利要求4所述的掺杂浓度测量方法，其特征在于，所述计算极坐标角度差值的方法包括距离计算法；步骤B2包括：
C1，基于所述极坐标，结合预设距离，计算得到所述极坐标角度差值；
C2，将所述极坐标的极坐标角度和所述极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标；
C3，将所述修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到所述修正后的位置坐标。
6.根据权利要求4所述的掺杂浓度测量方法，其特征在于，所述计算极坐标角度差值的方法包括准则设置法；步骤B2包括：
D1，根据预设的角度差值准则，确定所述极坐标角度差值；
D2，将所述极坐标的极坐标角度和所述极坐标角度差值相加，计算得到修正后的极坐标；
D3，将所述修正后的极坐标由极坐标转化为对应的直角坐标，得到所述修正后的位置坐标。
7.根据权利要求1所述的掺杂浓度测量方法，其特征在于，步骤S103之后，还包括：
对任一存在缺陷信息的位置图片对应的测量点进行多次的坐标修正和掺杂浓度测量，以验证坐标修正的测量点的掺杂浓度数据的准确性。
8.一种掺杂浓度测量装置，用于对测量点的掺杂浓度进行测量，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取测量点的数量和位置坐标；
拍照模块，用于根据所述数量和所述位置坐标，对测量点进行拍照，得到所述测量点的位置图片；
修正模块，用于基于所述位置图片，对所述测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点；
测量模块，用于对所述修正坐标后的测量点进行测量，得到所述修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据。
9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器存储有所述处理器可执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，运行如权利要求1-7任一项所述掺杂浓度测量方法中的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-7任一项所述掺杂浓度测量方法中的步骤。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116858854A (zh) * | 2023-09-04 | 2023-10-10 | 季华实验室 | 掺杂浓度的修正方法、装置、电子设备及存储介质 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1401999A (zh) * | 2002-09-10 | 2003-03-12 | 西安电子科技大学 | 应变硅锗薄膜材料掺杂浓度测试方法 |
| CN106600600A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-04-26 | 华南理工大学 | 基于特征匹配的晶圆缺陷检测方法 |
| JP2018098394A (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 昭和電工株式会社 | 半導体ウェハの評価方法 |
| CN108648168A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-10-12 | 北京京仪仪器仪表研究总院有限公司 | Ic晶圆表面缺陷检测方法 |
| JP2020088011A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 昭和電工株式会社 | 欠陥識別方法、ＳｉＣエピタキシャルウェハの評価方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 |
| CN112651961A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-04-13 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 晶圆缺陷的识别方法及装置 |
| CN113902697A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-07 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 缺陷检测方法及相关装置 |
| CN114332012A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-12 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质 |
| CN115661021A (zh) * | 2021-07-09 | 2023-01-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 缺陷检测方法、装置、设备及存储介质 |
-
2023
- 2023-07-04 CN CN202310810542.4A patent/CN116539638A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1401999A (zh) * | 2002-09-10 | 2003-03-12 | 西安电子科技大学 | 应变硅锗薄膜材料掺杂浓度测试方法 |
| JP2018098394A (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 昭和電工株式会社 | 半導体ウェハの評価方法 |
| CN106600600A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-04-26 | 华南理工大学 | 基于特征匹配的晶圆缺陷检测方法 |
| CN108648168A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-10-12 | 北京京仪仪器仪表研究总院有限公司 | Ic晶圆表面缺陷检测方法 |
| JP2020088011A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 昭和電工株式会社 | 欠陥識別方法、ＳｉＣエピタキシャルウェハの評価方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 |
| CN112651961A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-04-13 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 晶圆缺陷的识别方法及装置 |
| CN115661021A (zh) * | 2021-07-09 | 2023-01-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 缺陷检测方法、装置、设备及存储介质 |
| CN113902697A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-07 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 缺陷检测方法及相关装置 |
| CN114332012A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-12 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116858854A (zh) * | 2023-09-04 | 2023-10-10 | 季华实验室 | 掺杂浓度的修正方法、装置、电子设备及存储介质 |
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