CN102867762A - 一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种量测晶圆检测机台稳定性和精确性的监控方法，尤其涉及一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法。本发明一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法利用标准片上若干同一位置在按规定标注所得的刻度值与经检测机台测量所得的刻度值对比，依据所得的对比值量测检测机台自身的稳定性和精确性，本发明有利于提高晶圆缺陷检测的精确率，从而降低晶圆报废率，提高生产效益。

Description

一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法

技术领域

本发明涉及一种量测晶圆检测机台稳定性和精确性的监控方法，尤其涉及一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法。  

背景技术

随着集成电路工艺的发展和检测机台性能的不断提高，工厂开始重视检测晶圆边缘的缺陷情况。现行的一种快速有效的工艺步骤品质监控方法是利用CV300R检测机台对经过边缘曝光和边胶去除程序后的晶圆边缘进行缺陷检测。因此，保证检测机台自身的稳定性和精确性显得至关重要。但是，目前业内CV300R检测机台采用的自身检测方法过于简单，不能实际反映检测机台自身的稳定性和精确性。

已有的CV300R检测机台采用的自身检测方法是通过使用与检测机台匹配的标准片，该标准片的正面、侧面和背面均包含一定数目的粒子，粒子在晶圆表面不能移动。检测机台通过日常检测获得该标准片的正面、侧面和背面大小为1um的粒子总数目,将测量得到的1um的粒子数值与1um的粒子基准数目进行比较，比较所得的比值结果在（90%，110%）之间时表示检测机台符合标准，检测机台可以正常使用。但是，这种检测方法下所得的检测结果只能大致反映检测机台对颗粒状缺陷的捕捉能力，而无法体现出对于硅片边缘的厚度检测的稳定性。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明的目的提供一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，通过选取标准片，在标准片上按规定标注刻度，将某一刻度处的数值设为参照数，与标准片经检测机台量测此刻度后所得的数值进行对比，通过对比值量测检测机台自身的稳定性和精确性。 

本发明的目的是通过下述技术方案实现的：

一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其中，包括以下步骤：

步骤1：选取一裸晶圆；

步骤2：以所述裸晶圆边缘处为起点，分别从0°、80°、180°和270°四个角度到所述裸晶圆中心位置的0-5000μm距离内，以1000μm为单位在所述裸晶圆上标注刻度线；

步骤3: 以所述裸晶圆上的所述四个角度标注的刻度线上的各3000μm处为参照点，所述参照点分别为第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点； 

步骤4：分别计算经检测后的所述裸晶圆上在所述第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点处得到的测量值，所述测量值对应分别为第一测量值、第二测量值、第三测量值、第四测量值；

步骤5：计算所述第一参照点与所述第一测量值、所述第二参照点与所述第二测量值、所述第三参照点与所述第三测量值、所述第四参照点与所述第四测量值的差值。

上述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其中，将步骤1中所选的所述裸晶圆作为量测检测机台稳定性和精确性的标准片。 

上述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其中，步骤2中所述裸晶圆边缘处的刻度为0。 

上述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其中，步骤2中所述裸晶圆上的刻度从边缘处至中心位置方向递增。

上述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其中，步骤2中在所述裸晶圆边缘处选择任意一点，设所述任意一点到所述裸晶圆中心位置的方向为起始度0°，所述80°、180°和270°分别以所述0°为基准测量。

上述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其中，步骤4中的检测机台为CV300R。 

上述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其中，步骤5中计算得出的四个差值的绝对值均小于20μm，则检测机台的稳定性和精确性符合标准。 

本发明的有益效果是利用标准片上若干同一位置在按规定标注所得的刻度值与经检测机台测量所得的刻度值对比，依据所得的对比值量测检测机台自身的稳定性和精确性，本发明有利于提高晶圆缺陷检测的精确率，从而降低晶圆报废率，提高生产效益。  

附图说明

图1是本发明的一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法的流程示意图。 

具体实施方式

下面结合原理图和具体操作优选方案对本发明作进一步说明。

结合图1中所示，一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其中，包括以下步骤：

步骤1：选取一裸晶圆1；

在本发明的一个优选方案中，此步骤中所选的裸晶圆1作为量测检测机台稳定性和精确性的标准片。 

步骤2：以裸晶圆边缘处为起点，分别从0°、80°、180°和270°四个角度到裸晶圆中心位置的0-5000μm距离内，以1000μm为单位在裸晶圆上标注刻度线；

在本发明的一个优选方案中，进一步的，设裸晶圆1边缘处的刻度为0，则裸晶圆1上的刻度111从边缘处至中心位置方向递增；

于上述技术方案基础上，进一步的，在裸晶圆边缘处选择任意一点，设此任意一点到裸晶圆中心位置的方向为起始度0°，见图1中11所示；则 80°、180°和270°为分别以前述0°，即11为起始线测量所得，依次见图1中12、13、14所示。

步骤3: 以裸晶圆上的前述四个角度即0°、80°、180°和270°方向标注的刻度线上的各3000μm处为参照点，设前述参照点分别为第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点；图1中标示第一参照点为112，即112处的刻度为3000μm。

步骤4：分别计算经检测后的裸晶圆上在前述第一参照点112、第二参照点、第三参照点、第四参照点处得到的测量值，设前述测量值对应分别为第一测量值x、第二测量值、第三测量值、第四测量值； 

进一步的，在此步骤中的检测机台为CV300R。 

步骤5：计算前述第一参照点112与前述第一测量值x、前述第二参照点与前述第二测量值、前述第三参照点与前述第三测量值、前述第四参照点与前述第四测量值的差值； 

在本发明的一个优选方案中，此步骤中计算得出的四个差值的绝对值均小于20μm，则检测机台的稳定性和精确性符合标准，即可表述为︱3000μm-x︱＜20μm时，检测机台的稳定性和精确性符合标准。   

以上对本发明的具体优选方案进行了详细描述，但本发明并不限制于以上描述的具体优选方案，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。

Claims (7)

1.一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：选取一裸晶圆；

步骤2：以所述裸晶圆边缘处为起点，分别从0°、80°、180°和270°四个角度到所述裸晶圆中心位置的0-5000μm距离内，以1000μm为单位在所述裸晶圆上标注刻度线；

步骤3: 以所述裸晶圆上的所述四个角度标注的刻度线上的各3000μm处为参照点，所述参照点分别为第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点； 

步骤4：分别计算经检测后的所述裸晶圆上在所述第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点处得到的测量值，所述测量值对应分别为第一测量值、第二测量值、第三测量值、第四测量值；

步骤5：计算所述第一参照点与所述第一测量值、所述第二参照点与所述第二测量值、所述第三参照点与所述第三测量值、所述第四参照点与所述第四测量值的差值。

2.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，将步骤1中所选的所述裸晶圆作为量测检测机台稳定性和精确性的标准片。

3.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤2中所述裸晶圆边缘处的刻度为0。

4.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤2中所述裸晶圆上的刻度从边缘处至中心位置方向递增。

5.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤2中在所述裸晶圆边缘处选择任意一点，设所述任意一点到所述裸晶圆中心位置的方向为起始度0°，所述80°、180°和270°分别以所述0°为基准测量。

6.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤4中的检测机台为CV300R。

7.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤5中计算得出的四个差值的绝对值均小于20μm，则检测机台的稳定性和精确性符合标准。

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