JP2020069533A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2020069533A5
JP2020069533A5 JP2019073181A JP2019073181A JP2020069533A5 JP 2020069533 A5 JP2020069533 A5 JP 2020069533A5 JP 2019073181 A JP2019073181 A JP 2019073181A JP 2019073181 A JP2019073181 A JP 2019073181A JP 2020069533 A5 JP2020069533 A5 JP 2020069533A5
Authority
JP
Japan
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019073181A
Other versions
JP2020069533A (ja
JP7352372B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to KR1020217015670A priority Critical patent/KR20210080510A/ko
Priority to PCT/JP2019/042600 priority patent/WO2020090901A1/ja
Priority to CN201980071656.3A priority patent/CN112996628B/zh
Priority to TW108139171A priority patent/TW202023723A/zh
Publication of JP2020069533A publication Critical patent/JP2020069533A/ja
Publication of JP2020069533A5 publication Critical patent/JP2020069533A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7352372B2 publication Critical patent/JP7352372B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

JP2019073181A 2018-10-30 2019-04-05 レーザ加工装置及びレーザ加工方法 Active JP7352372B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020217015670A KR20210080510A (ko) 2018-10-30 2019-10-30 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
PCT/JP2019/042600 WO2020090901A1 (ja) 2018-10-30 2019-10-30 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
CN201980071656.3A CN112996628B (zh) 2018-10-30 2019-10-30 激光加工装置及激光加工方法
TW108139171A TW202023723A (zh) 2018-10-30 2019-10-30 雷射加工裝置及雷射加工方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018204114 2018-10-30
JP2018204114 2018-10-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020069533A JP2020069533A (ja) 2020-05-07
JP2020069533A5 true JP2020069533A5 (ja) 2022-09-09
JP7352372B2 JP7352372B2 (ja) 2023-09-28

Family

ID=70463712

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018234778A Active JP7285067B2 (ja) 2018-10-30 2018-12-14 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2018234809A Active JP7120903B2 (ja) 2018-10-30 2018-12-14 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2018234816A Active JP7120904B2 (ja) 2018-10-30 2018-12-14 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2019073181A Active JP7352372B2 (ja) 2018-10-30 2019-04-05 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2019073179A Active JP7134909B2 (ja) 2018-10-30 2019-04-05 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2020553978A Active JP7402813B2 (ja) 2018-10-30 2019-10-30 レーザ装置、及び、レーザ加工装置
JP2020553988A Active JP7301067B2 (ja) 2018-10-30 2019-10-30 レーザ加工装置

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018234778A Active JP7285067B2 (ja) 2018-10-30 2018-12-14 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2018234809A Active JP7120903B2 (ja) 2018-10-30 2018-12-14 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2018234816A Active JP7120904B2 (ja) 2018-10-30 2018-12-14 レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019073179A Active JP7134909B2 (ja) 2018-10-30 2019-04-05 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2020553978A Active JP7402813B2 (ja) 2018-10-30 2019-10-30 レーザ装置、及び、レーザ加工装置
JP2020553988A Active JP7301067B2 (ja) 2018-10-30 2019-10-30 レーザ加工装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11833611B2 (ja)
JP (7) JP7285067B2 (ja)
KR (6) KR20210081404A (ja)
CN (6) CN113165119B (ja)
DE (2) DE112019005436T5 (ja)
TW (5) TWI814930B (ja)
WO (2) WO2020090909A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020213479A1 (ja) * 2019-04-19 2020-10-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
CN113710408B (zh) * 2019-04-19 2023-10-31 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
JP7460377B2 (ja) * 2020-01-28 2024-04-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JPWO2022014105A1 (ja) * 2020-07-15 2022-01-20
DE112021003795T5 (de) * 2020-07-15 2023-05-04 Hamamatsu Photonics K.K. Laserbearbeitungsvorrichtung, Laserbearbeitungsverfahren und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements
KR20230038461A (ko) * 2020-07-15 2023-03-20 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치, 및 레이저 가공 방법
CN112059416A (zh) * 2020-08-13 2020-12-11 浙江摩多巴克斯科技股份有限公司 一种高速高精度能环向加工的节能型双工位激光加工设备
CN113594308A (zh) * 2021-08-02 2021-11-02 錼创显示科技股份有限公司 巨量转移设备
TWI787933B (zh) 2021-08-02 2022-12-21 錼創顯示科技股份有限公司 巨量轉移設備
KR102654236B1 (ko) * 2022-03-07 2024-04-03 주식회사 코윈디에스티 레이저 빔의 균질도가 향상된 레이저 가공 시스템
WO2023209904A1 (ja) * 2022-04-27 2023-11-02 ヤマハ発動機株式会社 ダイシング装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ

Family Cites Families (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH067979A (ja) * 1992-06-25 1994-01-18 Mitsubishi Heavy Ind Ltd レーザー加工機の自動焦点装置
JPH07157816A (ja) 1993-12-07 1995-06-20 Kawasaki Steel Corp 溶融金属の精錬方法
JP3748148B2 (ja) * 1997-03-14 2006-02-22 株式会社アマダ レーザー加工不良状態検出方法および装置
JP2002131559A (ja) 2000-10-27 2002-05-09 Ykk Corp コア拡大光ファイバの製造方法
WO2003015976A1 (fr) * 2001-08-10 2003-02-27 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Procede et dispositif de chanfreinage de materiau friable
JP3993630B2 (ja) 2001-11-30 2007-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4110219B2 (ja) 2002-08-30 2008-07-02 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置
JP2004111606A (ja) 2002-09-18 2004-04-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハの加工方法
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4838982B2 (ja) 2004-01-30 2011-12-14 株式会社 日立ディスプレイズ レーザアニール方法およびレーザアニール装置
US7804864B2 (en) * 2004-03-31 2010-09-28 Imra America, Inc. High power short pulse fiber laser
JP2005294656A (ja) 2004-04-02 2005-10-20 Sharp Corp 基板製造方法及び基板製造装置
CN1929978A (zh) 2004-04-27 2007-03-14 三星钻石工业股份有限公司 脆性基板的垂直裂痕形成方法及垂直裂痕形成装置
JP4856931B2 (ja) * 2004-11-19 2012-01-18 キヤノン株式会社 レーザ割断方法およびレーザ割断装置
JP2006315033A (ja) 2005-05-12 2006-11-24 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気転写用マスター担体のレーザ切断加工システム及び加工方法
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
EP1953249B1 (en) 2005-11-01 2018-06-13 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Production method and production system of directional electromagnetic steel plate having excellent magnetic characteristics
JP4816390B2 (ja) * 2005-11-16 2011-11-16 株式会社デンソー 半導体チップの製造方法および半導体チップ
CN101024260A (zh) 2006-02-24 2007-08-29 三芳化学工业股份有限公司 具有表面纹路的抛光垫和其制造方法与制造装置
JP2007229773A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Toyota Auto Body Co Ltd レーザ溶接方法及びレーザ溶接装置
JP2007235069A (ja) 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
JP5037082B2 (ja) * 2006-10-02 2012-09-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US8604381B1 (en) * 2006-10-12 2013-12-10 Purdue Research Foundation Integrated laser material processing cell
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2009172668A (ja) 2008-01-28 2009-08-06 Toray Eng Co Ltd レーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法
CN101251725B (zh) * 2008-03-31 2010-09-15 上海微电子装备有限公司 用于光刻装置的对准系统和标记、对准方法以及光刻装置
JP5198203B2 (ja) 2008-09-30 2013-05-15 株式会社ディスコ 加工装置
JP2010153590A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Hamamatsu Photonics Kk 切断用加工方法
JP2010167433A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Omron Corp レーザ照射装置およびレーザ加工装置
JP5352331B2 (ja) * 2009-04-15 2013-11-27 ダイトエレクトロン株式会社 ウェーハの面取り加工方法
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5446631B2 (ja) 2009-09-10 2014-03-19 アイシン精機株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5441111B2 (ja) * 2009-09-14 2014-03-12 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP5148575B2 (ja) 2009-09-15 2013-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP5410250B2 (ja) 2009-11-25 2014-02-05 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5614739B2 (ja) * 2010-02-18 2014-10-29 国立大学法人埼玉大学 基板内部加工装置および基板内部加工方法
JP5456510B2 (ja) 2010-02-23 2014-04-02 株式会社ディスコ レーザ加工装置
TWI543264B (zh) 2010-03-31 2016-07-21 應用材料股份有限公司 雷射光束定位系統
US8730568B2 (en) 2010-09-13 2014-05-20 Calmar Optcom, Inc. Generating laser pulses based on chirped pulse amplification
RU2459691C2 (ru) 2010-11-29 2012-08-27 Юрий Георгиевич Шретер Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты)
US8415587B2 (en) * 2010-12-03 2013-04-09 Uvtech Systems, Inc. Fiber-optic beam delivery system for wafer edge processing
JP5771391B2 (ja) * 2010-12-22 2015-08-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5819644B2 (ja) * 2011-06-10 2015-11-24 株式会社アマダミヤチ レーザ加工装置
JP5917862B2 (ja) 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2013055084A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 Panasonic Industrial Devices Sunx Co Ltd レーザ加工装置、及びレーザ発振装置
JP5255109B2 (ja) * 2011-12-05 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5899513B2 (ja) 2012-01-12 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板製造方法、および改質層形成装置
JP6053381B2 (ja) * 2012-08-06 2016-12-27 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP5947172B2 (ja) 2012-09-19 2016-07-06 浜松ホトニクス株式会社 波長変換型空間光変調装置
JP6064519B2 (ja) 2012-10-29 2017-01-25 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法
JP6127526B2 (ja) 2012-10-29 2017-05-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法
JP2014091642A (ja) 2012-11-01 2014-05-19 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及び電子デバイスの製造方法
DE102012110971A1 (de) 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
CN102990230B (zh) 2012-12-12 2015-08-12 京东方科技集团股份有限公司 一种激光切割机
EP2950968A4 (en) 2013-02-04 2016-10-19 Newport Corp METHOD AND DEVICE FOR LASER CUTTING TRANSPARENT AND SEMITRANSPARENT SUBSTRATES
DE112014001688T5 (de) 2013-03-27 2015-12-17 Hamamatsu Photonics K.K. Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
DE112014001710T5 (de) 2013-03-27 2015-12-17 Hamamatsu Photonics K.K. Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
JP6071775B2 (ja) 2013-06-26 2017-02-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6241174B2 (ja) 2013-09-25 2017-12-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法
JP2015074003A (ja) 2013-10-07 2015-04-20 信越ポリマー株式会社 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法
DE102013016682A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Erzeugung einer Rissauslösestelle oder einer Rissführung zum verbesserten Abspalten einer Festkörperschicht von einem Festkörper
DE102013223637B4 (de) 2013-11-20 2018-02-01 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats
DE102014204347A1 (de) 2014-03-10 2015-09-10 Siemens Aktiengesellschaft Spark Plasma Sintering mit verbesserter Festigkeit der Fügezone
LT2965853T (lt) 2014-07-09 2016-11-25 High Q Laser Gmbh Medžiagos apdorojimas, naudojant pailgintuosius lazerio spindulius
JP6295154B2 (ja) 2014-07-18 2018-03-14 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP6483974B2 (ja) 2014-07-31 2019-03-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6390898B2 (ja) * 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
KR20200006641A (ko) * 2014-11-27 2020-01-20 실텍트라 게엠베하 재료의 전환을 이용한 고체의 분할
JP6494991B2 (ja) 2014-12-10 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6451421B2 (ja) * 2015-03-12 2019-01-16 オムロン株式会社 接合構造体の製造方法
DE102015003193A1 (de) 2015-03-12 2016-09-15 Siltectra Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum kontinuierlichen Behandeln eines Festkörpers mittels Laserstrahlen
HUE055461T2 (hu) 2015-03-24 2021-11-29 Corning Inc Kijelzõ üveg kompozíciók lézeres vágása és feldolgozása
JP6494467B2 (ja) 2015-08-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2017030039A1 (ja) 2015-08-18 2017-02-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6594699B2 (ja) 2015-08-18 2019-10-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置
JP6680494B2 (ja) 2015-09-15 2020-04-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP6531345B2 (ja) 2015-09-29 2019-06-19 株式会社東京精密 レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2017071074A (ja) * 2015-10-05 2017-04-13 国立大学法人埼玉大学 内部加工層形成単結晶基板の製造方法、および、単結晶基板の製造方法
JP6602207B2 (ja) 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6661394B2 (ja) 2016-01-28 2020-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP6661392B2 (ja) 2016-01-28 2020-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
US20200105572A1 (en) 2016-03-09 2020-04-02 Mitsubishi Electric Corporation Heat treatment device, heat treatment method, laser annealing device, and laser annealing method
JP6995465B2 (ja) * 2016-03-18 2022-01-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ発振器及びレーザ加工装置
JP2017204574A (ja) 2016-05-12 2017-11-16 株式会社ディスコ サファイアウェーハの加工方法及びレーザー加工装置
JP6636384B2 (ja) 2016-05-13 2020-01-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6807662B2 (ja) * 2016-06-14 2021-01-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ発振器、及び、励起光検出構造の製造方法
KR102566170B1 (ko) 2016-09-12 2023-08-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 타공 장치
JP6908464B2 (ja) * 2016-09-15 2021-07-28 株式会社荏原製作所 基板加工方法および基板加工装置
JP6775880B2 (ja) 2016-09-21 2020-10-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6786374B2 (ja) * 2016-12-16 2020-11-18 株式会社スミテック レーザ加工装置及びレーザ加工方法
KR101884429B1 (ko) 2016-12-22 2018-08-01 주식회사 포스코 방향성 전기강판 및 그 자구미세화 방법
JP6858586B2 (ja) * 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6797481B2 (ja) * 2017-03-01 2020-12-09 株式会社ディスコ 半導体インゴットの検査方法、検査装置及びレーザー加工装置
JP7032050B2 (ja) 2017-03-14 2022-03-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN107123588A (zh) 2017-06-26 2017-09-01 镓特半导体科技（上海）有限公司 一种氮化镓晶圆片边缘处理方法
JP6994852B2 (ja) * 2017-06-30 2022-01-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2019025539A (ja) * 2017-08-04 2019-02-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置
WO2019176589A1 (ja) 2018-03-14 2019-09-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
KR102629529B1 (ko) 2018-09-13 2024-01-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 시스템 및 처리 방법
EP3872840A4 (en) 2018-10-23 2022-07-27 Tokyo Electron Limited SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
JP7287982B2 (ja) 2018-12-21 2023-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BR112019017762A2 (ja)
JP2020069533A5 (ja)
BR112021017339A2 (ja)
BR112021013854A2 (ja)
BR112021018450A2 (ja)
BR112019016141A2 (ja)
BR112021017738A2 (ja)
BR112021017782A2 (ja)
BR112019016142A2 (ja)
BR112021017728A2 (ja)
BR112021017234A2 (ja)
BR112021017355A2 (ja)
BR112021017173A2 (ja)
BR112021017083A2 (ja)
BR112021017637A2 (ja)
BR112021018452A2 (ja)
BR112021018250A2 (ja)
BR112021013944A2 (ja)
BR112021018484A2 (ja)
BR112021017732A2 (ja)
BR112021015080A2 (ja)
BR112021017703A2 (ja)
BR112021016996A2 (ja)
BR112021017010A2 (ja)
BR112021016821A2 (ja)