JP2020065062A - ウエハ状物品を処理するための方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- ウエハ状物品を処理するための装置であって、
気密式の囲いを提供するケースを含む密閉プロセスチャンバと、
前記密閉プロセスチャンバ内に配置され、所定の直径のウエハ状物品をその上に保持するように構成された回転式チャックと、
前記チャック上に保持されたウエハ状物品を、前記ウエハ状物品に接触することなく片側からのみ加熱するために、前記チャックに相対的に位置決めされたヒータであって、390〜550nmの波長域内に最大強度を有する放射を放出するヒータと、
ウエハ状物品の、前記ヒータに面している側とは反対側にプロセス液を吐出するために、前記チャックに対して相対的に位置決めされた少なくとも1つの第1の液体吐出器と、
を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記チャックは、前記チャンバの内側に位置決めされた磁気リングロータであり、前記チャンバの外側に位置決めされたステータによって取り囲まれる、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記チャックは、前記チャックに結合された回転シャフトに出力を伝達するモータによって駆動される、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記チャンバは、前記少なくとも1つの第1の液体吐出器の出口が位置する上方領域と、前記ヒータが中に又は隣接して位置する下方領域とを含み、それによって、前記ヒータは、ウエハ状物品を下側から加熱するように構成され、前記少なくとも1つの第1の液体吐出器は、ウエハ状物品の上側にプロセス液を吐出するように構成される、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記ヒータは、400〜500nmの波長域内に最大強度を有する放射を放出する、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記ヒータは、青色発光ダイオードのアレイを含む、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記青色発光ダイオードのアレイは、前記所定の直径のウエハ状物品と実質的に同一の広がりを有する、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、更に、
前記チャンバに通じるガス入口にオゾンガスを供給するように構成されたオゾン発生器を備える装置。 - 請求項8に記載の装置であって、
前記ガス入口は、ウエハ状物品の、前記ヒータに面している側とは反対側に向けてオゾンガスを供給するために、前記チャックに対して相対的に位置決めされる、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、更に、
前記ヒータと、前記チャック上に保持されているときのウエハ状物品との間に位置決めされ、前記ヒータによって放出される放射に対して実質的に透過性である第1の板を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記第1の板は、石英又はサファイアで作成される、装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記第1の板は、前記チャンバの壁の少なくとも一部を形成し、前記ヒータは、前記チャンバの外側に取り付けられる、装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記第1の板は、前記チャックの基部本体の上方に且つ前記チャック上に保持されているときのウエハ状物品の下方に配置され、前記チャンバの内側で前記チャック上に取り付けられる、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、更に、
前記チャックとともに回転させるために前記チャック上に取り付けられた第2の板を備え、前記第2の板は、前記ウエハ状物品に対して前記少なくとも1つの液体吐出器と同じ側にあり、前記第2の板は、前記チャンバの片側の内部を、前記ウエハ状物品から振り落とされる液滴から遮る、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、更に、
前記ウエハ状物品に対して前記ヒータと同じ側に取り付けられた少なくとも1つの第2の液体吐出器を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記ヒータは、前記所定の直径のシリコンウエハを300℃を超える温度に加熱するように構成される、装置。 - ウエハ状物品を処理するための方法であって、
所定の直径のウエハ状物品を、密閉プロセスチャンバ内に配置された回転式チャック上に位置決めすることと、
前記ウエハ状物品を、前記ウエハに接触することなく片側からのみ、390〜550nmの波長域内に最大強度を有する放射で加熱することと、
前記ウエハ状物品の、前記ヒータに面している側とは反対側にプロセス液を吐出することと、
を備える方法。 - 請求項17に記載の方法であって、更に、
主にガス状であるオゾンを前記密閉プロセスチャンバに導入することを備える方法。 - 請求項18に記載の方法であって、
前記オゾンを導入すること及び前記プロセス液を吐出することは、前記密閉プロセスチャンバからの前記ウエハ状物品の取り出しを妨げることなく順次実施される、方法。 - 請求項18に記載の方法であって、
前記オゾンを導入すること及び前記プロセス液を吐出することは、同時に実施される、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、
前記ウエハ状物品は、前記ウエハの、前記ヒータに面している側とは反対側に半導体デバイス素子を形成された半導体ウエハである、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、
前記プロセス液は、実質的に硫酸フリーである、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、
前記ウエハ状物品を加熱することは、その結果、前記ウエハ状物品に300℃を超える温度を達成させる、方法。
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