KR20160024759A - 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160024759A
KR20160024759A KR1020150113445A KR20150113445A KR20160024759A KR 20160024759 A KR20160024759 A KR 20160024759A KR 1020150113445 A KR1020150113445 A KR 1020150113445A KR 20150113445 A KR20150113445 A KR 20150113445A KR 20160024759 A KR20160024759 A KR 20160024759A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
heater
shaped article
process chamber
rotary chuck
Prior art date
Application number
KR1020150113445A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102221266B1 (ko
Inventor
라이너 오브위거
안드레아스 글라이스너
토마스 비른스베르거
프란츠 쿰니히
알레산드로 발다로
크리스티앙 토마스 피셔
무 헝 추
라팔 리챠드 딜위스
나단 라브도브스키
3세 이반 엘. 베리
Original Assignee
램 리서치 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리서치 아게 filed Critical 램 리서치 아게
Publication of KR20160024759A publication Critical patent/KR20160024759A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102221266B1 publication Critical patent/KR102221266B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스는 기밀 인클로저를 제공하는 폐쇄된 프로세스 챔버를 포함한다. 회전 척은 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된다. 히터는, 웨이퍼 형상 물품과 접촉하지 않고 회전 척 상에 홀딩된 웨이퍼 형상 물품의 일 측면만을 가열하도록, 회전 척에 대하여 위치된다. 히터는 390 nm 내지 550 nm의 파장 범위에서 최대 강도를 갖는 방사선을 방출한다. 적어도 하나의 제 1 액체 디스펜서는 히터와 마주보는 측면과 반대되는 측면인 웨이퍼 형상 물품의 측면 상에 프로세스액을 디스펜싱하도록 회전 척에 대해 위치된다.

Description

웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING WAFER-SHAPED ARTICLES}
본 발명은 일반적으로 폐쇄된 프로세스 챔버 내에서, 반도체 웨이퍼들과 같은 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼들은 에칭, 세정, 폴리싱 (polishing) 및 재료 증착과 같은 다양한 표면 처리 프로세스들을 겪는다. 이러한 프로세스들을 수용하기 위해, 예를 들어 미국 특허 제 4,903,717 호 및 제 5,513,668 호에 기술된 바와 같이, 단일 웨이퍼가 회전가능한 캐리어와 연관된 척에 의해 하나 이상의 처리 유체 노즐들과 관련하여 지지될 수도 있다.
대안적으로, 웨이퍼를 지지하도록 구성된 링 로터 (ring rotor) 형태의 척은, 예를 들어, 국제 공개 번호 제 WO 2007/101764 호 및 미국 특허 제 6,485,531 호에 기술된 바와 같이, 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치될 수도 있고 액티브 자기 베어링을 통한 물리적 접촉 없이 구동될 수도 있다. 원심력으로 인해 회전하는 웨이퍼의 에지로부터 외측으로 구동되는 처리 유체들은 처분 (disposal) 을 위해 공통 드레인으로 전달된다.
단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 많은 방법들 및 장치가 공지되었지만, 특히 포토레지스트가 붕소 및 비소와 같은 이온들을 사용하여 깊이 주입되었을 때, 반도체 웨이퍼들로부터 포토레지스트를 스트리핑하기 위한 어려운 문제가 남아 있다. 대부분의 이러한 방법들은 상대적으로 고가의 프로세스 화학물질이고, 게다가 리사이클 (recycle) 이 불가능한 화학물질 중 하나인, 큰 체적의 농축된 술폰산의 이용을 필요로 한다.
본 발명자들은, 오존 가스의 챔버 내로의 제어된 도입과 결합하여, 특정한 방식으로 웨이퍼 형상 물품을 가열하는 것이 웨이퍼 형상 물품으로부터 훨씬 깊이 주입된 포토레지스트의 대단히 효과적인 제거를 발생시킨다는 본 발명자들의 예기치 않은 발견에 기초하여 폐쇄된 프로세스 챔버들 내에서 웨이퍼 형상 물품들을 처리하기 위한 개선된 방법들 및 장치를 개발하였다.
따라서, 일 양태에서, 본 발명은 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스에 관련되고, 디바이스는, 폐쇄된 프로세스 챔버는 가스-기밀 (gas-tight) 인클로저를 제공하는 하우징을 포함하는 폐쇄된 프로세스 챔버를 포함한다. 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 회전 척이 위치되고, 회전 척은 그 위에 미리 결정된 직경의 웨이퍼 형상 물품을 홀딩하도록 구성된다. 웨이퍼 형상 물품과 접촉하지 않고 회전 척 상에 홀딩된 웨이퍼 형상 물품의 측면만을 가열하도록 회전 척에 대해 히터가 위치된다. 히터는 390 ㎚ 내지 550 ㎚의 범위의 파장에서 최대 강도를 갖는 방사선을 방출한다. 히터와 마주보는 웨이퍼 형상 물품의 측면에 반대되는 웨이퍼 형상 물품의 일 측면 상에 프로세스 액체를 디스펜싱하도록 회전 척에 대해 적어도 하나의 제 1 액체 디스펜서가 위치된다. 선택된 파장은 챔버가 아닌 주로 기판이 가열되게 한다. 히터로부터 웨이퍼 형상 물품의 반대 측에 액체 디스펜서를 위치시키는 것은 웨이퍼 형상 물품이 후면으로부터 가열되기 때문에, 웨이퍼 형상 물품의 전면으로 하여금 처리되게 한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 회전 척은 프로세스 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 자기 링 로터 (magnetic ring rotor) 이고, 폐쇄된 프로세스 챔버 외부에 위치된 스테이터 (stator) 에 의해 둘러싸인다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 회전 척은, 척에 연결된 회전 샤프트로 출력이 전달되는 모터에 의해 구동된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 폐쇄된 프로세스 챔버는 적어도 하나의 제 1 액체 디스펜서의 유출부가 위치된 상부 영역 및 히터에 인접하거나 또는 히터가 위치된 하부 영역을 포함하고, 히터는 웨이퍼 형상 물품의 하부측으로부터 웨이퍼 형상 물품을 가열하도록 구성되고, 적어도 하나의 제 1 액체 디스펜서는 웨이퍼 형상 물품의 상부측으로 프로세스 액체를 디스펜싱하도록 구성된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 히터는 400 ㎚ 내지 500 ㎚의 범위의 파장에서 최대 강도를 갖는 방사선을 방출한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 히터는 청색 광 방출 다이오드들의 어레이를 포함한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 청색 광 방출 다이오드들의 어레이는 미리 결정된 직경의 웨이퍼 형상 물품과 실질적으로 같은 공간을 차지한다 (coextensive).
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 디바이스는 또한 폐쇄된 프로세스 챔버로 이어지는 가스 유입부로 오존 가스를 전달하도록 구성된 오존 발생기를 포함한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 가스 유입부는 히터와 마주보는 웨이퍼 형상 물품의 측면과 반대되는 웨이퍼 형상 물품의 측면을 향하여 오존 가스를 전달하도록 회전 척에 대해 위치된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 히터와 회전 척 상에 홀딩될 때 웨이퍼 형상 물품 사이에 제 1 플레이트가 위치되고, 제 1 플레이트는 히터에 의해 방출된 방사선을 실질적으로 투과시킨다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 제 1 플레이트는 석영 또는 사파이어로 만들어진다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 제 1 플레이트는 폐쇄된 프로세스 챔버의 벽의 적어도 일부를 형성하고, 히터는 폐쇄된 프로세스 챔버의 외부에 장착된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 제 1 플레이트는 회전 척의 베이스 바디 위 그리고 회전 척 상에 홀딩될 때 웨이퍼 형상 물품 아래에 배치되고, 제 1 플레이트는 폐쇄된 프로세스 챔버 내부에서 회전 척 상에 장착된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 회전 척과 함께 회전하기 위해 회전 척 상에 제 2 플레이트 장착되고, 제 2 플레이트는 적어도 하나의 제 1 액체 디스펜서와 동일한 웨이퍼 형상 물품의 측면 상에 위치되고, 제 2 플레이트는 웨이퍼 형상 물품에서 뿌려진 (flung) 액체 액적들로부터 폐쇄된 프로세스 챔버의 일 측면의 내부를 차폐한다 (shield).
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 히터와 동일한 웨이퍼 형상 물품의 측면 상에 적어도 하나의 제 2 액체 디스펜서가 장착된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 히터는 미리 결정된 직경의 실리콘 웨이퍼를 300 ℃를 초과하는 온도로 가열하도록 구성된다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법에 관련되고, 이 방법은 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 회전 척 상에 미리 결정된 직경의 웨이퍼 형상 물품을 위치시키는 단계; 390 ㎚ 내지 550 ㎚의 범위의 파장에서 최대 강도를 갖는 방사선을 사용하여, 웨이퍼 형상 물품의 일 측면만을 웨이퍼 형상 물품과 접촉하지 않고 가열하는 단계; 및 히터와 마주보는 웨이퍼 형상 물품의 측면과 반대되는 웨이퍼 형상 물품의 측면 상으로 프로세스 액체를 디스펜싱하는 단계를 포함한다.
가열은 프로세스 액체의 디스펜싱과 동시에 수행될 수도 있다. 대안적으로, 또는 부가적으로, 프로세스 액체의 디스펜싱은 웨이퍼의 가열 전 및/또는 가열 후에 수행될 수도 있다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에서, 주로 가스 형태인 오존이 폐쇄된 프로세스 챔버 내로 도입된다. 바람직하게 오존은 웨이퍼 형상 물품이 390 ㎚ 내지 550 ㎚ 범위의 파장에서 최대 강도를 갖는 방사선으로 가열된 후 및/또는 가열되는 동안 가열된 웨이퍼 형상 물품과 접촉하여 도입된다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에서, 오존의 도입 및 프로세스 액체의 디스펜싱은 폐쇄된 프로세스 챔버로부터의 웨이퍼 형상 물품의 제거를 개입시키지 않고 연속적으로 수행된다. 이는 오존 처리 전 및/또는 오존 처리 후에 액체 처리가 수행될 수 있다는 것을 의미한다.
바람직한 실시예에서, 오존 가스는 히터를 마주보지 않는 웨이퍼 형상 물품의 표면에 공급된다. 이는 히터를 마주보지 않는 웨이퍼 형상 물품의 측면을 향하여 지향된 적어도 하나의 노즐에 의해 수행되는 것이 바람직하다. 대안적으로, 오존 가스는 예를 들어, 웨이퍼 형상 물품의 에지 근방의 임의의 다른 오리피스를 통해, 심지어 히터 내의 개구를 통해 공급될 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에서, 오존의 도입 및 프로세스 액체의 디스펜싱은 동시에 수행된다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에서, 웨이퍼 형상 물품은 히터와 마주보는 측면 반대 쪽인 웨이퍼의 일 측면 상에 형성된 반도체 디바이스 컴포넌트들을 갖는 반도체 웨이퍼이다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에서, 프로세스 액체는 실질적으로 술폰산이 없다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에서, 웨이퍼 형상 물품의 가열은 300 ℃를 초과하는 온도에 이르는 웨이퍼 형상 물품을 발생시킨다.
여전히 또 다른 양태에서, 본 발명은 기판으로부터 포토레지스트를 스트립핑하기 위한 프로세스에 관련되고, 이 프로세스는 기판의 표면 상에 과산화수소 수용액을 디스펜싱하는 단계로서, 기판의 표면은 스트립핑될 포토레지스트를 포함하고, 기판은 폐쇄된 챔버 내에 배치되는, 과산화수소 수용액을 디스펜싱하는 단계; 과산화수소 수용액이 기판의 표면에 체류하는 동안 폐쇄된 챔버 내로 오존 분위기를 도입하는 단계; 및 스트립핑된 포토레지스트를 기판으로부터 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 가열은 150 ℃ 내지 500 ℃ 범위의 온도에서 수행된다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 가열은 200 ℃ 내지 450 ℃ 범위의 온도에서 수행된다..
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 가열은 250 ℃ 내지 400 ℃, 바람직하게 300 ℃를 초과하는 범위의 온도에서 수행된다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 과산화수소 수용액은 20 내지 40 ％, 바람직하게 25 내지 35 ％, 보다 바람직하게 30 내지 34 ％의 과산화물 농도를 갖는다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 기판은 반도체 웨이퍼이다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 반도체 웨이퍼는 프로세싱 동안 회전 척 상에 장착된다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 폐쇄된 챔버로의 오존 분위기의 도입은 기판의 표면 상으로 과산화수소 수용액의 디스펜싱 전에 시작된다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 디스펜싱은, 미리 결정된 체적의 과산화수소 수용액이 기판의 표면 상에 유지되는, 퍼들 디스펜싱 (puddle dispensing) 이다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 디스펜싱은, 과산화수소 수용액이 기판 표면을 가로질러 또는 기판 표면 외부로 흐르는, 플로우 디스펜싱 (flow dispensing) 이다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 폐쇄된 챔버는 프로세스 동안 무기산이 없다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 폐쇄된 챔버는 프로세스 동안 술폰산이 없다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 과산화수소 수용액은 200 내지 800 ml/분, 바람직하게 300 내지 700 ml/분, 보다 바람직하게 400 내지 600 ml/분, 가장 바람직하게 450 내지 550 ml/분의 플로우 레이트로 기판 상에 디스펜싱된다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 과산화수소 수용액은 30 내지 180 초, 바람직하게 45 내지 150 초, 보다 바람직하게 60 내지 120 초, 가장 바람직하게 80 내지 110 초 동안 기판과의 접촉이 유지된다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 기판으로부터 스트립핑된 포토레지스트의 제거는 탈이온수를 사용하여 기판을 린싱하는 것을 포함한다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 표면은, 표면을 건조하기 위해, 제거 후에 질소 가스와 접촉한다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 기판의 표면으로부터 스트립핑될 포토레지스트는 탄소 하드마스크막이다.
본 발명에 따른 프로세스의 바람직한 실시예에서, 가열은, 폐쇄된 챔버로의 오존의 도입이 시작된 후에 시작되고, 가열은 과산화수소 수용액이 여전히 기판의 표면과 접촉하는 동안 종료된다.
본 발명의 다른 목적들, 특징들, 및 장점들은, 첨부된 도면들을 참조하여 주어진, 본 발명의 바람직한 실시예들의 이하의 상세한 기술의 판독 후에 보다 명백해질 것이다.
도 1은 동작 위치에 있는, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로세스 챔버의 설명적인 측단면도이다.
도 2는 로딩 및 언로딩 위치에 있는, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로세스 챔버의 설명적인 측단면도이다.
도 3은 도 1의 상세 III의 확대도이다.
도 4는 대안적인 실시예를 도시하는, 도 3과 유사한 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로세스 챔버의 설명적인 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 여전히 다른 실시예에 따른 프로세스 챔버의 설명적인 측단면도이다.
도 7은 본 발명의 또한 여전히 다른 실시예에 따른 프로세스 챔버의 설명적인 측단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 웨이퍼 형상 물품들의 표면들을 처리하기 위한 장치는 바람직하게 PFA (perfluoroalkoxy) 수지로 코팅된 알루미늄으로 이루어진 외측 프로세스 챔버 (1) 를 포함한다. 본 실시예에서 챔버는 주 실린더형 벽 (10), 하부 부분 (12) 및 상부 부분 (15) 을 갖는다. 리드 (36) 로 폐쇄된, 실린더형 벽 (34) 이 상부 부분 (15) 으로부터 연장한다.
회전 척 (30) 이 챔버 (1) 의 상부 부분에 배치되고, 실린더형 벽 (34) 으로 둘러싸인다. 회전 척 (30) 은 장치의 사용 동안 웨이퍼 W를 회전가능하게 지지한다. 회전 척 (30) 은 링 기어 (38) 를 포함하는 회전 드라이브를 포함하고, 이는 웨이퍼 W의 둘레 에지에 선택적으로 접촉하고 릴리즈 (release) 하기 위한 복수의 편심 이동가능 파지 부재들 (미도시) 를 인게이지 (engage) 하고 구동한다.
본 실시예에서, 회전 척 (30) 은 실린더형 벽 (34) 의 내부 표면에 인접하게 제공된 링 로터이다. 스테이터 (32) 는 실린더형 벽 (34) 의 외측 표면에 인접하여 링 로터의 반대 방향에 제공된다. 로터 (30) 및 스테이터 (32) 는, 링 로터 (30) (및 따라서 지지된 웨이퍼 W) 가 액티브 자기 베어링을 통해 회전할 수도 있게 하는 모터로서 기능한다. 예를 들어, 스테이터 (34) 는 로터 상에 제공된 대응하는 영구 자석을 통해 회전 척 (30) 을 회전가능하게 구동하도록 능동적으로 제어될 수도 있는 복수의 전자기 코일들 또는 권선들 (windings) 을 포함할 수 있다. 회전 척 (30) 의 축방향 베어링 및 방사상 베어링은 또한 스테이터의 능동적인 제어에 의해 또는 영구 자석들에 의해 달성될 수도 있다. 따라서, 회전 척 (30) 은 공중부양 (levitate) 될 수도 있고 기계적 접촉 없이 회전가능하게 구동될 수도 있다. 대안적으로, 로터는, 로터의 자석들이 외측 로터 외부 챔버 상에 원주방향으로 배열된 대응하는 HTS-자석들 (high-temperature-superconducting magnets) 에 의해 홀딩되는, 패시브 베어링에 의해 홀딩될 수도 있다. 이 대안적인 실시예를 사용하여 링 로터의 자석 각각은 외측 로터의 대응하는 HTS-자석에 고정된다 (pinned). 따라서, 내측 로터는 물리적으로 연결되지 않고 외측 로터와 동일하게 이동하게 된다.
리드 (36) 는 외부에 장착된 매니폴드 (42) 를 갖고, 이는 리드 (36) 를 가로지르고 웨이퍼 W 위에서 챔버 내로 개방되는 매질 유입부들 (43, 44, 45) 에 공급한다. 바람직하게 적어도 3 개의 노즐들이 제공된다. 노즐들 (43, 44, 45) 중 하나는, 도 1에 개략적으로 나타낸 오존 발생기 (41) 로부터, 주로 가스 형태인 오존을 공급받는다. 다른 2 개의 노즐들은, 예를 들어 산 및 린싱 액체 (예를 들어 탈이온수 또는 이소프로필 알콜) 를 각각 공급한다.
본 실시예에서 웨이퍼 W는, 유입부들 (43, 44, 45) 을 통해 공급된 유체들이 웨이퍼 W의 상향 표면 상에 작용하도록 (impinge), 회전 척 (30) 으로부터 아래쪽으로 매달리고 회전 척 (30) 의 파지 부재들에 의해 지지된다는 것을 주의한다.
바람직한 실시예들에서 질소 가스 공급부와 연통하는, 또 다른 유체 유입부가 46에 개략적으로 도시된다. 원한다면, 일련의 이러한 유입부들이 리드 (36) 를 따라 각각 상이한 방사상 위치들에 제공될 수도 있다.
웨이퍼 W가 예를 들어, 300 ㎜ 또는 450 ㎜ 직경의 반도체 웨이퍼인 경우, 웨이퍼 W의 상향 측은 디바이스 측일 수도 있고 또는 회전 척 (30) 상에 웨이퍼가 위치되는 방법에 의해 결정되는, 웨이퍼 W의 반대 측일 수 있고, 이는 결국 챔버 (1) 내에서 수행될 특정한 프로세스에 의해 좌우된다.
도 1의 장치는 프로세스 챔버 (1) 에 대하여 이동가능한, 내부 커버 (2) 를 더 포함한다. 도 1에 도시된 내부 커버 (2) 는, 회전 척 (30) 이 챔버 (1) 의 외측 실린더형 벽 (10) 으로부터 차폐되는 (shield), 제 1, 또는 폐쇄된 위치에 있다. 본 실시예의 커버 (2) 는 일반적으로, 똑바로 서 있는 (upstanding) 실린더형 벽 (21) 으로 둘러싸인 베이스부를 포함하는, 컵 형상이다. 커버 (2) 는 베이스부를 지지하고 챔버 (1) 의 하부 벽 (14) 을 가로지르는 중공 (hollow) 샤프트 (22) 를 더 포함한다.
중공 샤프트 (22) 는 주 챔버 (1) 내에 형성된 보스 (boss)(12) 에 의해 둘러싸이고, 이들 엘리먼트들은, 챔버 (1) 와의 기밀 시일 (gas tight seal) 을 유지하면서 중공 샤프트 (22) 로 하여금 보스 (12) 에 대해 배치되게 하는 동적 시일부를 통해 연결된다.
실린더형 벽 (21) 의 상단부에는, 상향 표면 상에 가스켓 (26) 을 반송하는 (도 2 참조) 환형 디플렉터 (deflector) 부재 (24) 가 부착된다. 커버 (2) 는 바람직하게, 프로세스 유체들 및 린싱 액체가 웨이퍼 W의 하향 표면 상으로 챔버 내로 도입될 수도 있도록, 베이스 (20) 를 가로지르는 유체 매질 유입부 (28) 를 포함한다.
커버 (2) 는, 방출 파이프 (25) 내로 개방되는 액체 방출 개구부 (23) 를 더 포함한다. 방출 파이프 (25) 는 커버 (2) 의 베이스부 (20) 에 견고하게 장착되고, 기밀 시일을 유지하는 동안 파이프가 하단 벽 (14) 에 대해 축방향으로 슬라이드될 수도 있도록, 동적 시일부 (17) 를 통해 챔버 (1) 의 하단 벽 (14) 을 가로지른다.
배출 개구부 (16) 는 챔버 (1) 의 벽 (10) 을 가로지르고, 적합한 배출 도관 (미도시) 에 연결된다.
도 2에 도시된 위치는 웨이퍼 W의 로딩 또는 언로딩에 대응한다. 특히, 웨이퍼 W는, 웨이퍼 W의 로딩 또는 언로딩을 허용하도록, 도 2에서 개방 위치로 도시된 사이드 도어 (50) 를 통해 회전 척 (30) 상으로 로딩된다.
도 1에서, 내부 커버 (2) 는, 웨이퍼 W의 프로세싱에 대응하는 폐쇄된 위치로 이동되었다. 즉, 웨이퍼 W가 회전 척 (30) 상으로 로딩된 후, 사이드 도어 (50) 는 도 1에 도시된 바와 같이 폐쇄 또는 제 1 위치로 이동되고, 커버 (2) 는 중공 샤프트 (22) 상에서 작용하는 적합한 모터 (미도시) 에 의해 챔버 (1) 에 대해 상향으로 이동된다. 내부 커버 (2) 의 상향 이동은 디플렉터 부재 (24) 가 챔버 (1) 의 상부 부분 (15) 의 내부 표면과 접촉하게 될 때까지 계속된다. 특히, 디플렉터 (24) 에 의해 반송된 가스켓 (26) 은 상부 부분 (15) 의 하측에 대해 시일하고, 상부 부분 (15) 에 의해 반송된 가스켓 (18) 은 디플렉터의 상부 표면에 대해 시일한다.
내부 커버 (2) 가 도 1에 도시된 바와 같이 폐쇄된 위치에 도달할 때, 따라서 폐쇄된 프로세스 챔버 (1) 내에 제 2 챔버 (48) 가 생성된다. 내측 챔버 (48) 는 또한 챔버 (1) 의 나머지로부터 기밀 방식으로 시일된다. 또한, 챔버 (48) 는 바람직하게 챔버 (1) 의 나머지와 별개로 발산된다.
웨이퍼의 프로세싱 동안, 프로세싱 유체들은, 프로세싱을 겪는 웨이퍼의 에칭, 세정, 린싱, 및 임의의 다른 목표된 표면 처리와 같은 다양한 프로세스들을 수행하기 위해, 매질 유입부들 (43 내지 46 및/또는 28) 을 통해 회전하는 웨이퍼 W로 지향될 수도 있다.
본 실시예에서 내부 커버 (2) 는 또한 도 3에 확대된 스케일로 도시된, 가열 어셈블리 (60) 를 구비한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 가열 어셈블리 (60) 는 내부 커버 (2) 에 의해 반송된 다수의 청색 LED 램프들 (62) 을 포함한다. 단면도는 한 줄의 이러한 램프들을 도시하지만, 웨이퍼 W와 같은 공간에 걸치는 (coextensive) 내부 커버 (2) 상의 원형 구역을 가능한 한 완전히 채우도록 배열되는 것이 바람직하다. 램프들 (62) 에 의해 점유된 면적은 원한다면, 회전 척 (30) 이 홀딩하도록 설계된 웨이퍼 W의 면적보다 다소 클 수도 있다.
이러한 배열은 웨이퍼 W가 가열 어셈블리 (60) 에 의해 중심으로부터 웨이퍼의 최외곽 둘레까지 충분히 가열될 수 있다는 장점을 갖는다.
본 실시예에서 청색 LED 램프들 (62) 의 어레이는 플레이트 (64) 에 의해 커버된다. 플레이트 (64) 는 바람직하게 석영 또는 사파이어로 형성되고, 양자는 청색 LED 램프들 (62) 에 의해 방출된 파장들을 실질적으로 투과하는 재료들이다. 따라서 유사한 투과 특성들을 갖는 다른 재료들이 플레이트 (64) 에 대해 사용될 수 있다. 플레이트 (64) 는 프로세스 챔버 내에서 사용된 화학물질들로부터 LED 램프들 (62) 을 보호하도록 기능한다. 중앙 개구부가 유체 매질 유입부 (28) 을 수용하도록, 내부 커버 (2) 및 플레이트 (64) 내에 형성된다.
본 실시예에서 제 2 플레이트 (54) 가 웨이퍼 W 위에 위치된다. 플레이트 (64) 는 내부 커버 (2) 에 대해 고정되지만, 플레이트 (54) 는 회전 척 상에 장착되어 회전 척과 함께 회전한다. 원한다면, 플레이트 (54) 는 또한 회전 척 (30) 에 대해 고정된 방식으로 장착될 수 있지만, 플레이트 (54) 가 회전 척 (30) 과 함께 회전하게 하는 것이 바람직하다.
플레이트 (54) 가 바람직하게, 유체 유입부들 (43, 44, 45) 의 방출 단부들을 통과하는, 중앙 개구부 (55) 를 갖는 것을 제외하고, 플레이트 (54) 는 바람직하게 웨이퍼 W의 전체 상부 표면 위에 놓인다.
웨이퍼 W 와 챔버 (1) 의 상단부 (36) 사이에, 회전 척 (30) 과 통합된 플레이트 (54) 를 제공하는 것은 다수의 장점들이 생기게 한다. 사용시 플레이트 (54) 는 회전 척과 함께 동일한 속도로 회전하고, 따라서 또한 회전 척 (30) 에 의해 파지된 웨이퍼 W와 함께 그리고 또한 척 (30) 과 동일한 속도로 회전한다. 따라서 이러한 설계는 채용된 프로세스 유체들에서의 교란 (turbulence) 을 최소화하도록 기능한다.
또한, 탈이온수를 사용하여 플레이트 (54) 를 냉각시킴으로써 건조 프로세스 동안 온도 차를 최소화하는 것이 가능하다. 또한 추가로, 예를 들어 스플래싱 (splashing) 및/또는 응결에 의해 유발된 플레이트 (54) 의 하측 상의 웨이퍼 W 위의 잔류 프로세스 매질이 전술한 탈이온수 린싱 동안 동시에 린싱될 수 있고, 또는 프로세스 완료 후에 탈이온수를 사용하여 린싱될 수 있다.
플레이트 (54) 가 챔버 내부를 웨이퍼 W의 상향 측으로부터 분리하기 때문에, 플레이트는 백스플래싱 (backsplashing) 및/또는 입자들에 의한 오염을 최소화하도록 기능한다. 플레이트 (54) 는 또한 웨이퍼 위에서 향상된 분위기 제어를 허용한다. 또한 추가로, 이 설계는 또한 갭 프로세스들, 즉 웨이퍼와 회전 척 사이의 갭이 액체로 충진되는 프로세스들을 가능하게 한다.
청색 LED 램프들 (62) 은 약 450 ㎚의 파장에서 최대 강도를 갖는다. 다른 방사선 소스들이 사용될 수 있지만, 390 ㎚ 내지 550 ㎚의 파장 범위, 보다 바람직하게 400 ㎚ 내지 500 ㎚에서 최대 강도를 갖는 방사선을 방출하는 소스들을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 파장 특성의 방사선은 플레이트 (64) 에 의해 주로 전달되고, 동일한 방사선은 주로, 특히 웨이퍼 W가 실리콘일 때, 웨이퍼 W의 반도체 재료에 의해 흡수된다. 이러한 방식으로 웨이퍼 W를 일 측면으로부터 가열하면서, 웨이퍼 W의 반대 측면을 프로세스 챔버 내에서 오존 가스에 노출시키는 것이 특히 유리하다는 것을 발견하였다.
보다 특별하게, 웨이퍼 상에 디바이스 구조체들이 형성되고, 웨이퍼로부터 깊이 주입된 포토레지스트 층이 형성되는 실리콘 웨이퍼 W는, 디바이스 측과 마주보는 회전 척 상에 위치된다. 웨이퍼 W가 청색 LED 램프들 (62) 에 의해 아래에서부터 가열되기 때문에, 그리고 이들 램프들로부터의 방사선이 주로 웨이퍼에 의해 흡수되기 때문에, 웨이퍼 W의 디바이스 측 광 부식이 방지된다.
한편, 웨이퍼 W를 가열하는 이 방식은 웨이퍼의 디바이스 측에 공급된 오존을 활성화하기에 충분한 에너지를 제공한다. 이 기법은, 웨이퍼 및 둘러싸는 디바이스 구조체를 마구잡이로 가열하는, IR 가열과 반대된다.
본 디바이스 및 방법들은 웨이퍼를 선택적으로 가열하기 때문에, 냉각 성능이 또한 향상된다. 예를 들어, 플레이트 (64) 가 주로 램프들 (62) 로부터 방출된 방사선을 전달하기 때문에, 플레이트 (64) 는 IR 가열만큼 거의 가열되지 않고, 따라서 가열 단계가 완료된 후 웨이퍼 W로부터의 보다 고속의 열 방산을 도울 수 있다.
본 실시예에서 LED 램프들 (62) 이 웨이퍼 아래에 있고 오존 주입부가 위에 있지만, 이들의 위치들은 반전될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 4에서, 가열 어셈블리 (60) 의 변형이 도시되고, 플레이트 (64) 는, LED 램프들 (62) 의 과열 (overheating) 을 방지하기 위해 내부 커버 (2) 와 함께, 냉각 유체 (66) (예를 들어, 가스 또는 액체) 가 순환하는 시일링된 챔버를 형성한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 형상 물품들 W의 처리를 위한 디바이스의 또 다른 실시예를 도시한다. 도 5의 디바이스는, 선행하는 실시예의 플레이트 (54) 가 도 5의 실시예에 나타나지 않는다는 것이 도 1 및 도 2와 상이하다. 플레이트 (54) 가 존재하지 않고, 회전 척 (30) 으로부터 하향으로 돌출되고 웨이퍼의 둘레부 에지를 인게이지하는, 파지 핀들 (40) 을 볼 수 있다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 형상 물품들 W의 처리를 위한 디바이스의 또 다른 실시예를 도시한다. 디바이스는 회전 척 (102) 및 폐쇄된 프로세스 챔버 (101) 내에 위치된 둘러싸는 콜렉터 (103) 를 포함한다. 콜렉터 (103) 는 하단 플레이트 (105), 환형 덕트 (108), 외측 측벽 (113), 환형 상단 커버 (112), 배플 (114) 및 스플래시 가드 (splash guard)(107) 를 포함한다. 콜렉터 (103) 는 회전 척 (102) 의 회전 축과 중심이 같은 (concentric) 리프팅 메커니즘 (미도시) 을 통해 회전 척 (102) 에 연결된다.
하단 플레이트 (105) 의 에지는 환형 덕트 (108) 의 상향으로 돌출하는 실린더형 측벽과 단단히 연결된다. 하단 플레이트 (105) 의 외경 (outer diameter) 은 적어도 웨이퍼 W의 직경만큼 크다. 환형 덕트 (108) 의 둘레 에지는 실린더형 외측 측벽 (113) 의 하단 에지와 단단히 연결된다. 실린더형 측벽 (113) 의 상단 에지는 환형 상단 커버 (112) 의 둘레 에지와 단단히 연결된다. 상단 커버의 내측 에지의 직경은 회전 척 (102) 이 상단 커버 (112) 의 개구부를 용이하게 통과할 수 있도록 회전 척 (102) 의 직경보다 약 2 ㎜ 더 크다.
콜렉터 (103) 내에서 환형 스플래시 가드 (107) 는 수평으로 배열된다. 스플래시 가드 (107) 는 둘레를 향해 테이퍼되고 (tapered) 내측 에지는 회전 척 (102) 이 개구부를 용이하게 통과할 수 있도록 회전 척 (102) 의 직경보다 약 2 ㎜ 더 크다. 스플래시 가드 (107) 의 둘레 에지는 외측 측벽 (113) 단단히 연결된다. 스플래시 가드 (107) 는 상단 커버 (112) 와 덕트 (108) 사이에 연결된다.
콜렉터 (103) 의 가스 주입 (gas-entry) 측 상에서 배플 (114) 은 배플의 상단 에지 상에서 상단 커버 (112) 와 단단히 연결되고 배플의 하단 측 상에서 스플래시 가드 (107) 와 단단히 연결된다. 배플은 실린더의 단면의 형상을 갖는다.
이러한 타입의 디바이스는 공동으로 소유된, 미국 특허 제 8,147,618 호에 보다 완전히 기술된다.
상이한 매질 (액체 및/또는 가스) 이 플레이트의 중심 근방에 위치되고 디스크형 물품을 향해 지향된 제 1 매질 공급부 (118) 를 통해 웨이퍼 형상 물품 W에 공급될 수 있다. 제 2 매질 공급부 (120) 는 회전 척의 중심 근방에 제공되고 디스크형 물품을 향해 지향된다. 따라서 디스크 형상 물품 (예를 들어, 반도체 웨이퍼) 은 양 측으로부터 동시에 또는 교대로 처리될 수 있다.
본 실시예에서 하단 플레이트 (105) 는 전술한 실시예들과 관련하여 기술된 바와 같이, 청색 LED 램프들 (162) 의 어레이를 구비하고, 램프들 (162) 은 이전에 기술된 바와 같이, 석영 또는 사파이어 플레이트 (164) 로 커버된다. 따라서, 회전 척 (102) 은, 웨이퍼 W를 램프들 (162) 주변부에 가깝게 위치시키도록 하강되고, 웨이퍼 W의 가열은 전술한 실시예들과 관련하여 기술된 바와 같이 영향을 받을 수 있다. 이러한 가열 전, 가열 동안, 또는 가열 후에, 웨이퍼 W가 도 6에 도시된 회전 화살표의 방향으로 모터 구동된 샤프트에 의해 회전되기 때문에, 오존 가스와 같은 가스가 유입부 (120) 를 통해 웨이퍼 W의 상측에 도입될 수 있다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 형상 물품들 W의 처리를 위한 디바이스의 여전히 또 다른 실시예를 도시한다. 디바이스는, 중공 샤프트 모터 (240) 의 로터에 장착된 회전 척 (210), 및 회전 척 (210) 의 중심 홀을 통해 관통하는 고정식 노즐 헤드 (220) 를 포함한다. 중공 샤프트 모터 (240) 의 스테이터는 장착 플레이트 (242) 상에 장착된다. 노즐 헤드 (220) 및 장착 플레이트 (242) 는 폐쇄된 프로세스 챔버 (201) 내에서, 동일한 고정식 프레임 (244) 에 장착된다.
회전 척 (210) 은 편심 장착된 파지 핀들을 갖는 6 개의 실린더 형상 홀딩 엘리먼트들 (214) 을 포함하고, 단지 3 개만이 도 7에서 볼 수 있다. 파지 핀들은, 웨이퍼 W를 고정하고 릴리즈하도록, 링 기어 (216) 에 의해 각각의 홀딩 엘리먼트의 축을 중심으로 회전된다.
비회전 노즐 헤드 (220) 는 회전 척과 노즐 헤드 사이에 0.2 ㎜의 갭을 남기면서 회전 척의 중심 홀을 통해 관통한다. 갭은 프로세싱 동안 가스 (예를 들어, 질소) 에 의해 퍼지될 수 있다. 본 실시예에서, 3 개의 파이프들 (224, 228, 229) 은 노즐 헤드를 관통한다 (lead through). 파이프들 (224, 228, 229) 은, 제 1 실시예의 유입부들 (43, 44, 45) 과 관련하여 기술된 바와 같이, 각각 상이한 가스 소스 또는 액체 소스에 연결되고, 회전 척의 하단 표면 아래로 5 ㎜ 뿐만 아니라 노즐 헤드로부터 돌출한다.
파이프들 (224, 228, 229) 의 개구부들 (노즐들) 은 웨이퍼의 상향 표면을 향해 지향된다. 웨이퍼 W의 하향 표면으로 액체 및/또는 가스를 공급하기 위해 또 다른 노즐 어셈블리 (258) 가 회전 척 아래에 제공된다.
노즐 (258) 은 히터 어셈블리 (260) 내에 형성된 중앙 개구부를 통과한다. 히터 어셈블리 (260) 는 선행하는 실시예들에서와 같이, 사파이어 또는 석영으로 이루어진 플레이트 (264) 에 의해 커버되는 청색 LED 램프들 (262) 의 어레이를 포함한다. 본 실시예에서는 웨이퍼 W 위에 플레이트가 제공되지 않지만, 이러한 플레이트는, 노즐 헤드 (220) 중앙으로 장착되고, 중앙으로부터 홀딩 엘리먼트들 (214) 의 내측 에지들 바로 내측인 직경으로 캔틸레버 방식 (cantilever fashion) 으로 방사상 외측으로 연장하는 것이 바람직한 경우에 제공될 수 있다..
본 발명자들은 놀랍게도, 상기 기술된 바와 같이 가열과 함께 주로 가스 형태인 오존을 활용하는 건조 프로세스가 종래의 습식 방법들보다 보다 효과적으로 깊이 주입된 포토레지스트를 제거한다는 것을 발견하였다.
또한, 오존 가스를 사용하는 건조 프로세스는, 습식 프로세스와 건조 프로세스 사이에 프로세스 챔버로부터 웨이퍼 W를 제거하지 않고, 건조 프로세스 전 및/또는 건조 프로세스 후에 예를 들어 SC1 (알루미늄 수산화물과 과산화수소의 수용액) 을 사용하여 웨이퍼가 처리되는 습식 프로세스를 대체할 수 있다. 이러한 순차적인 기법은 깊이 주입된 포토레지스트를 훨씬 보다 완전히 제거하지만, 종래의 습식 스트립핑 기법들과 같이 술폰산의 사용을 요구하지 않는다.
이하의 표는 본 발명에 따른 방법들 및 장치의 바람직한 실시예들의 사용을 위한 예시적인 프로세싱 조건들을 열거한다.
Figure pat00001
표에서, O3는 주로 가스 형태인 오존을 나타낸다. 오존 발생기들은 오존을 부분적으로만 산소로 변환하기 때문에, 실제로 오존은 캐리어 가스, 바람직하게 산소와 함께 전달된다는 것이 이해될 것이다. 표에서 HT는 고온을 나타내고 DIW는 탈이온수를 의미한다.
전술한 실시예들의 디바이스들을 사용하여 수행될 수 있는 또 다른 프로세스는, 과산화수소가 퍼들 디스펜싱 (puddle dispensing) 또는 플로우 디스펜싱 (flow dispensing) 에 의해 폐쇄된 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼 표면 상으로 디스펜싱되는, 포토레지스트, 및 바람직하게 표면 침전된 (encrusted) 또는 깊이 주입된 포토레지스트를 스트립핑하기 위한 페로존 (perozone) 기법이다. 주로 가스 형태인 오존은, 과산화수소 수용액이 웨이퍼 표면 상에 존재하는 동안 폐쇄된 프로세스 챔버 내로 도입된다.
오존 및 과산화수소는 웨이퍼의 동일한 측면, 예를 들어, 적어도 부분적으로 제조된 반도체 디바이스 구조체들을 반송하는 상향 측에 공급된다. 웨이퍼는 상기 기술된 바와 같은 가열기 어셈블리를 사용하여 반대 측으로부터 가열된다. 가열은 수성 과산화수소 및 오존 가스의 프로세스 챔버로의 도입 전, 도입 동안, 및/또는 도입 후에 발생할 수 있다.
가열은 웨이퍼가 150 ℃ 내지 500 ℃, 바람직하게 200 ℃ 내지 450 ℃, 보다 바람직하게 250 ℃ 내지 400 ℃, 및 가장 바람직하게 300 ℃를 초과하는 범위의 온도에 도달할 때까지 수행된다. 과산화수소 수용액은 20 내지 40 ％, 바람직하게 25 내지 35 ％, 보다 바람직하게 30 내지 34 ％의 과산화물 농도를 갖는다.
폐쇄된 챔버로의 오존 분위기의 도입은 기판의 표면 상으로 과산화수소 수용액의 디스펜싱에 앞서 또는 후속하여 시작될 수도 있다. 웨이퍼의 가열은 폐쇄된 챔버 내로 오존의 도입이 시작되기 전 또는 시작된 후에 시작될 수도 있다. 웨이퍼의 가열은 과산화수소 수용액이 여전히 기판의 표면과 접촉하는 동안 종료되는 것이 바람직하다. 바람직하게, 프로세스는 무기산, 특히 술폰산을 사용하지 않는다.
과산화수소 수용액은 200 내지 800 ml/분, 바람직하게 300 내지 700 ml/분, 보다 바람직하게 400 내지 600 ml/분, 가장 바람직하게 450 내지 550 ml/분의 플로우 레이트로 웨이퍼 상에 디스펜싱될 수도 있다. 과산화수소 수용액은 30 내지 180 초, 바람직하게 45 내지 150 초, 보다 바람직하게 60 내지 120 초 가장 바람직하게 80 내지 110 초 동안 기판과의 접촉이 유지된다.
프로세스는 또한 탈이온수를 사용하여 웨이퍼를 린싱하는 단계 및 질소 가스를 사용하여 건조하는 단계를 포함할 수도 있다.
본 발명이 다양한 바람직한 실시예들과 관련하여 기술되었지만, 이들 실시예들은 단순히 발명을 예시하도록 제공되었고, 본 발명은 이들 실시예들로 제한되지 않고, 오히려 첨부된 청구항들의 진정한 범위 및 정신에 의해 포괄되는 바들을 포함한다는 것이 이해된다.

Claims (23)

  1. 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스로서,
    폐쇄된 프로세스 챔버로서, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버는 가스-기밀 인클로저를 제공하는 하우징을 포함하는, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버;
    상기 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 회전 척으로서, 상기 회전 척은 그 위에 미리 결정된 직경의 웨이퍼 형상 물품을 홀딩하도록 구성되는, 상기 회전 척;
    상기 웨이퍼 형상 물품과 접촉하지 않고 상기 회전 척 상에 홀딩된 상기 웨이퍼 형상 물품의 측면만을 가열하도록 상기 회전 척에 대해 위치된 히터로서, 상기 히터는 390 ㎚ 내지 550 ㎚의 범위의 파장에서 최대 강도를 갖는 방사선을 방출하는, 상기 히터; 및
    상기 히터와 마주보는 상기 웨이퍼 형상 물품의 상기 측면에 반대되는 상기 웨이퍼 형상 물품의 일 측면 상에 프로세스 액체를 디스펜싱하도록 상기 회전 척에 대해 위치된 적어도 하나의 제 1 액체 디스펜서를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 척은 상기 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 자기 링 로터 (magnetic ring rotor) 이고,
    상기 폐쇄된 프로세스 챔버 외부에 위치된 스테이터 (stator) 에 의해 둘러싸이는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 척은, 상기 척에 연결된 회전 샤프트로 출력이 전달되는 모터에 의해 구동되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 폐쇄된 프로세스 챔버는 상기 적어도 하나의 제 1 액체 디스펜서의 유출부가 위치된 상부 영역 및 상기 히터에 인접하거나 또는 상기 히터가 위치된 하부 영역을 포함하고,
    상기 히터는 상기 웨이퍼 형상 물품의 하부측으로부터 상기 웨이퍼 형상 물품을 가열하도록 구성되고,
    상기 적어도 하나의 제 1 액체 디스펜서는 상기 웨이퍼 형상 물품의 상부측으로 프로세스 액체를 디스펜싱하도록 구성되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터는 400 ㎚ 내지 500 ㎚의 범위의 파장에서 최대 강도를 갖는 방사선을 방출하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터는 청색 광 방출 다이오드들의 어레이를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 청색 광 방출 다이오드들의 어레이는 상기 미리 결정된 직경의 상기 웨이퍼 형상 물품과 실질적으로 같은 공간을 차지하는 (coextensive), 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 폐쇄된 프로세스 챔버로 이어지는 가스 유입부로 오존 가스를 전달하도록 구성된 오존 발생기를 더 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 가스 유입부는 상기 히터와 마주보는 상기 웨이퍼 형상 물품의 측면과 반대되는 상기 웨이퍼 형상 물품의 측면을 향하여 상기 오존 가스를 전달하도록 상기 회전 척에 대해 위치되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터와 상기 회전 척 상에 홀딩될 때 상기 웨이퍼 형상 물품 사이에 제 1 플레이트를 더 포함하고,
    상기 제 1 플레이트는 상기 히터에 의해 방출된 방사선을 실질적으로 투과시키는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트는 석영 또는 사파이어로 만들어지는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트는 상기 폐쇄된 프로세스 챔버의 벽의 적어도 일부를 형성하고,
    상기 히터는 상기 폐쇄된 프로세스 챔버의 외부에 장착되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트는 상기 회전 척의 베이스 바디 위 그리고 상기 회전 척 상에 홀딩될 때 상기 웨이퍼 형상 물품 아래에 배치되고,
    상기 제 1 플레이트는 상기 폐쇄된 프로세스 챔버 내부에서 상기 회전 척 상에 장착되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 척과 함께 회전하기 위해 상기 회전 척 상에 장착된 제 2 플레이트를 더 포함하고,
    상기 제 2 플레이트는 상기 적어도 하나의 제 1 액체 디스펜서와 동일한 상기 웨이퍼 형상 물품의 측면 상에 위치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 웨이퍼 형상 물품에서 뿌려진 (flung) 액체 액적들로부터 상기 폐쇄된 프로세스 챔버의 일 측면의 내부를 차폐하는 (shield), 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터와 동일한 상기 웨이퍼 형상 물품의 측면 상에 장착된 적어도 하나의 제 2 액체 디스펜서를 더 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터는 상기 미리 결정된 직경의 실리콘 웨이퍼를 300 ℃를 초과하는 온도로 가열하도록 구성되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 디바이스.
  17. 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법으로서,
    폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 회전 척 상에 미리 결정된 직경의 웨이퍼 형상 물품을 위치시키는 단계;
    390 ㎚ 내지 550 ㎚의 범위의 파장에서 최대 강도를 갖는 방사선을 사용하여, 상기 웨이퍼 형상 물품의 일 측면만을 상기 웨이퍼 형상 물품과 접촉하지 않고 가열하는 단계; 및
    상기 히터와 마주보는 상기 웨이퍼 형상 물품의 측면과 반대되는 상기 웨이퍼 형상 물품의 측면 상으로 프로세스 액체를 디스펜싱하는 단계를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    주로 가스 형태인 오존을 상기 폐쇄된 프로세스 챔버 내로 도입하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 오존의 도입 및 상기 프로세스 액체의 디스펜싱은 상기 폐쇄된 프로세스 챔버로부터의 상기 웨이퍼 형상 물품의 제거를 개입시키지 않고 연속적으로 수행되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 오존의 도입 및 상기 프로세스 액체의 디스펜싱은 동시에 수행되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 형상 물품은 상기 히터와 마주보는 측면에 반대되는 상기 웨이퍼 형상 물품의 측면 상에 형성된 반도체 디바이스 컴포넌트들을 갖는 반도체 웨이퍼인, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 프로세스 액체는 실질적으로 술폰산이 없는 (free of sulphuric acid), 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법.
  23. 제 17 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 형상 물품의 가열은 300 ℃를 초과하는 온도에 이르는 상기 웨이퍼 형상 물품을 발생시키는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법.
KR1020150113445A 2014-08-26 2015-08-11 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치 KR102221266B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/469,363 US10490426B2 (en) 2014-08-26 2014-08-26 Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US14/469,363 2014-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160024759A true KR20160024759A (ko) 2016-03-07
KR102221266B1 KR102221266B1 (ko) 2021-03-02

Family

ID=55403322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150113445A KR102221266B1 (ko) 2014-08-26 2015-08-11 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10490426B2 (ko)
JP (2) JP6632833B2 (ko)
KR (1) KR102221266B1 (ko)
CN (1) CN105390416B (ko)
TW (1) TWI675419B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11195730B2 (en) 2014-08-26 2021-12-07 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9748120B2 (en) 2013-07-01 2017-08-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of disc-shaped articles and heating system for use in such apparatus
US9597701B2 (en) * 2013-12-31 2017-03-21 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US9657397B2 (en) * 2013-12-31 2017-05-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US20180040502A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 Lam Research Ag Apparatus for processing wafer-shaped articles
CN109923659B (zh) * 2016-11-09 2024-03-12 东京毅力科创Fsi公司 用于在处理室中处理微电子衬底的磁悬浮且旋转的卡盘
US11056358B2 (en) 2017-11-14 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus and method
KR102099433B1 (ko) * 2018-08-29 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US11454901B2 (en) 2020-08-10 2022-09-27 Jiangxi Yibo E-Tech Co. Ltd. Developing cartridge
JP7230077B2 (ja) * 2021-02-12 2023-02-28 ウシオ電機株式会社 温度測定方法、光加熱方法及び光加熱装置
JP2022187165A (ja) * 2021-06-07 2022-12-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN115896744A (zh) * 2021-08-17 2023-04-04 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
JP2023169533A (ja) * 2022-05-17 2023-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007141896A (ja) * 2005-11-14 2007-06-07 Tokyo Electron Ltd 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体
JP2012138510A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2013207042A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR20140063679A (ko) * 2011-09-09 2014-05-27 램 리서치 아게 웨이퍼 형상 물품들의 액체 처리를 위한 방법 및 장치
KR20140110970A (ko) * 2011-12-23 2014-09-17 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물체의 표면을 처리하는 장치

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6314434A (ja) 1986-07-04 1988-01-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理方法および装置
AT389959B (de) 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
JP2628070B2 (ja) 1988-06-21 1997-07-09 東京エレクトロン株式会社 アッシング装置
JP3152430B2 (ja) 1990-10-09 2001-04-03 クロリンエンジニアズ株式会社 有機物被膜の除去方法
JPH05166718A (ja) 1991-12-17 1993-07-02 Hitachi Ltd 半導体製造方法
JPH05326483A (ja) 1992-05-15 1993-12-10 Sony Corp ウエハ処理装置およびウエハ一貫処理装置
DE59407361D1 (de) 1993-02-08 1999-01-14 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige Gegenstände
US6093252A (en) 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
US5667622A (en) 1995-08-25 1997-09-16 Siemens Aktiengesellschaft In-situ wafer temperature control apparatus for single wafer tools
US5818137A (en) 1995-10-26 1998-10-06 Satcon Technology, Inc. Integrated magnetic levitation and rotation system
CN1220193A (zh) 1997-12-19 1999-06-23 南亚科技股份有限公司 无水印产生的方法及其装置
US6485531B1 (en) 1998-09-15 2002-11-26 Levitronix Llc Process chamber
JP3869566B2 (ja) 1998-11-13 2007-01-17 三菱電機株式会社 フォトレジスト膜除去方法および装置
TW459165B (en) 1999-10-22 2001-10-11 Mosel Vitelic Inc Method for the rework of photoresist
US6536454B2 (en) 2000-07-07 2003-03-25 Sez Ag Device for treating a disc-shaped object
KR100551863B1 (ko) 2002-01-22 2006-02-14 도호 카세이 가부시키가이샤 기판 건조방법 및 장치
JP3684356B2 (ja) 2002-03-05 2005-08-17 株式会社カイジョー 洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法
WO2003079426A1 (fr) 2002-03-18 2003-09-25 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Procede et systeme de traitement a l'ozone
US6818864B2 (en) 2002-08-09 2004-11-16 Asm America, Inc. LED heat lamp arrays for CVD heating
US7022193B2 (en) * 2002-10-29 2006-04-04 In Kwon Jeong Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone
US7051743B2 (en) * 2002-10-29 2006-05-30 Yong Bae Kim Apparatus and method for cleaning surfaces of semiconductor wafers using ozone
JP4460334B2 (ja) 2004-03-12 2010-05-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN1841669A (zh) 2005-03-29 2006-10-04 弘塑科技股份有限公司 晶片干燥方法
JP4680044B2 (ja) 2005-11-24 2011-05-11 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2007173432A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Seiko Epson Corp 半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法
EP1992008A1 (en) 2006-02-28 2008-11-19 Sez Ag Device and method for liquid treating disc-like articles
JP4937278B2 (ja) 2006-03-08 2012-05-23 ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト 板状物品の流体処理用装置
US20070227556A1 (en) 2006-04-04 2007-10-04 Bergman Eric J Methods for removing photoresist
JP5106800B2 (ja) 2006-06-26 2012-12-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN100501921C (zh) 2006-06-27 2009-06-17 大日本网目版制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置
US7378618B1 (en) 2006-12-14 2008-05-27 Applied Materials, Inc. Rapid conductive cooling using a secondary process plane
US8793898B2 (en) 2007-05-23 2014-08-05 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for drying substrates
JP5188216B2 (ja) 2007-07-30 2013-04-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2009099925A (ja) * 2007-09-27 2009-05-07 Tokyo Electron Ltd アニール装置
EP2166564B1 (en) 2008-09-19 2017-04-12 Imec Method for removing a hardened photoresist from a semiconductor substrate
US8404499B2 (en) 2009-04-20 2013-03-26 Applied Materials, Inc. LED substrate processing
KR20120034948A (ko) 2010-10-04 2012-04-13 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법
JP5304771B2 (ja) 2010-11-30 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP5642575B2 (ja) * 2011-01-25 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US8734662B2 (en) 2011-12-06 2014-05-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Techniques providing photoresist removal
KR101308352B1 (ko) 2011-12-16 2013-09-17 주식회사 엘지실트론 매엽식 웨이퍼 에칭장치
JP6061378B2 (ja) 2012-11-05 2017-01-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6131162B2 (ja) * 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20140270731A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Thermal management apparatus for solid state light source arrays
WO2015038309A1 (en) * 2013-09-16 2015-03-19 Applied Materials, Inc. Method of forming strain-relaxed buffer layers
US10490426B2 (en) 2014-08-26 2019-11-26 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007141896A (ja) * 2005-11-14 2007-06-07 Tokyo Electron Ltd 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体
JP2012138510A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
KR20140063679A (ko) * 2011-09-09 2014-05-27 램 리서치 아게 웨이퍼 형상 물품들의 액체 처리를 위한 방법 및 장치
KR20140110970A (ko) * 2011-12-23 2014-09-17 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물체의 표면을 처리하는 장치
JP2013207042A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11195730B2 (en) 2014-08-26 2021-12-07 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles

Also Published As

Publication number Publication date
CN105390416B (zh) 2018-10-02
CN105390416A (zh) 2016-03-09
JP2016046531A (ja) 2016-04-04
US10490426B2 (en) 2019-11-26
US20200090956A1 (en) 2020-03-19
US11195730B2 (en) 2021-12-07
JP2020065062A (ja) 2020-04-23
TW201620039A (zh) 2016-06-01
JP6632833B2 (ja) 2020-01-22
JP6890172B2 (ja) 2021-06-18
US20160064242A1 (en) 2016-03-03
TWI675419B (zh) 2019-10-21
KR102221266B1 (ko) 2021-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11195730B2 (en) Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US10573542B2 (en) Heater cleaning method
KR101783079B1 (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
KR101485239B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102101139B1 (ko) 웨이퍼 형상 물품들의 액체 처리를 위한 방법 및 장치
KR101694568B1 (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
US9548223B2 (en) Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US20140060573A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
KR20170070812A (ko) 인 시츄 세정 능력을 가진 스핀 척
JP5474840B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
KR20160096540A (ko) 회전하는 가스 샤워헤드를 가진 스핀 척
CN117373950A (zh) 基板处理装置
JP6008384B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant