KR101308352B1 - 매엽식 웨이퍼 에칭장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 한장씩 에칭하는 매엽식 웨이퍼 에칭장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼를 진동시킴으로써, 에칭 반응 분산물인 가스가 생기더라도 웨이퍼를 진동시켜 가스를 배출시킬 뿐 아니라 웨이퍼 표면에 가스가 흡착되는 것을 방지할 수 있으며, 웨이퍼를 영역별로 직접 가열함으로써, 에칭액이 웨이퍼의 중심으로부터 원주 방향으로 이동되면서 에칭됨에 따라 웨이퍼의 중심으로부터 원주 방향으로 갈수록 에칭액의 온도가 높아지더라도 웨이퍼의 원주에서부터 중심 방향으로 갈수록 높은 온도로 가열하여 반응 온도를 균일하게 유지할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 위치에 상관없이 에칭 정도를 균일하게 유지할 뿐 아니라 평탄도를 높일 수 있다.

Description

매엽식 웨이퍼 에칭장치 {APPARATUS FOR SINGLE WAFER ETCHING}
본 발명은 웨이퍼를 한장씩 에칭하는 매엽식 웨이퍼 에칭장치에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼 에칭 공정은 웨이퍼의 기계적인 가공 중에 따라는 손상을 제거하기 위하여 행해진다.
최근에 반도체 시장에서 반도체 소장의 고집적화 및 패턴 미세화와 더불어 웨이퍼 크기의 대구경화가 진행되고 있다. 이와 같이, 큰 직경의 웨이퍼를 에칭시키기 위하여 배치식(Batch) 에칭장치는 점점 거대화될 뿐 아니라 에칭액의 소비량도 증가하고 있다. 따라서, 큰 직경의 웨이퍼를 효과적으로 에칭하기 위하여 낱장씩 처리하는 매엽식 에칭 장치가 많이 사용되고 있다.
종래의 매엽식 웨이퍼 에칭장치는 한국특허출원 2008-0019366호, 한국특허출원 2008-7019037호, 한국특허출원 2009-0002214호에 개시되어 있으며, 회전판에 웨이퍼를 진공 흡입하여 고정시키고, 회전판이 회전됨에 따라 웨이퍼의 전면 또는 배면에 에칭액 노즐로부터 에칭액이 공급되도록 한다. 이때, 에칭액 노즐이 이동기구에 의해 이동되고, 회전판이 회전됨에 따라 웨이퍼 표면에 떨어진 에칭액이 원심력에 의해 웨이퍼 표면 전체에 퍼지도록 진행된다.
이와 같이, 종래의 매엽식 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼 전체에 에칭액이 덮여지기 웨이퍼 표면 전체에서 에칭이 이루어지기 때문에 에칭 반응 부산물인 가스가 웨이퍼 표면에 다량 흡착될 뿐 아니라 이러한 가스가 새롭게 공급되는 에칭액이 웨이퍼 표면과 반응하는 것을 방해하며, 평탄도를 악화시키는 문제점이 있다.
또한, 에칭 반응에 의한 에칭 정도는 온도에 급격한 영향을 받게 되는데, 종래의 매엽식 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼의 중심에서 공급된 에칭액이 원심력에 의해 웨이퍼의 원주 방향으로 이동하고, 에칭액과 웨이퍼 표면의 반응이 반복될수록 에칭액의 온도가 높아짐에 따라 웨이퍼의 원주 방향으로 갈수록 과도하게 에칭되며, 마찬가지로 평탄도를 악화시키는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 에칭액과 웨이퍼 표면 사이의 반응 부산물인 가스를 제거할 수 있는 매엽식 웨이퍼 에칭장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 표면의 위치에 상관없이 에칭액과 웨이퍼 표면의 반응 온도를 균일하게 유지할 수 있는 매엽식 웨이퍼 에칭장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 웨이퍼가 안착되며, 웨이퍼보다 직경이 작은 회전판; 상기 회전판에 안착된 웨이퍼에 에칭액을 분사시키는 분사노즐; 상기 회전판을 회전 구동시키는 구동부; 및 상기 회전판을 진동시키는 진동수단;을 포함하고, 상기 진동수단은 상기 분사노즐로부터 에칭액이 분사되는 동안 진동 작동하도록 상기 분사노즐과 연동되는 매엽식 웨이퍼 에칭장치를 제공한다.
또한, 본 발명에서, 상기 회전판을 영역별로 가열하는 가열수단;을 더 포함하고, 상기 가열수단은 상기 분사노즐로부터 에칭액이 분사되는 동안 가열 작동하도록 상기 분사노즐과 연동될 수 있다.
바람직하게는, 상기 가열수단은, 상기 회전판 위에 구획된 영역을 가진 열공급기판과, 상기 열공급기판의 영역별로 전원을 전달하는 복수개의 전원선과, 상기 전원선들로 전원을 공급하는 전원공급부를 포함할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 열공급기판은 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 나눠지고, 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 갈수록 낮은 온도로 작동되는 복수개의 열공급영역을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 진동수단은 상기 구동부에 구비된 오실레이터(Oscillator)일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 진동수단은 상기 회전판과 웨이퍼 사이에 구비된 수정 진동자(Quartz vibrator)이거나, 상기 진동수단은 웨이퍼가 올려지는 회전판이 수정 진동자(Quartz vibrator)일 수 있다.
한편, 본 발명은 웨이퍼가 안착되는 회전판; 상기 회전판에 안착된 웨이퍼에 에칭액을 분사시키는 분사노즐; 상기 회전판을 회전 구동시키는 구동부; 상기 회전판 위에 구비되고, 상기 회전판을 영역별로 가열하는 열공급기판; 및 상기 구동부에 구비되고, 상기 회전판을 진동시키는 오실레이터;를 포함하고, 상기 오실레이터는 상기 분사노즐과 열공급기판과 연동되는 매엽식 웨이퍼 에칭장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 열공급기판은 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 나눠지고, 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 갈수록 낮은 온도로 작동되는 복수개의 열공급영역을 포함할 수 있다.
삭제
한편, 본 발명은 웨이퍼가 안착되며, 웨이퍼보다 직경이 작은 회전판; 상기 회전판에 안착된 웨이퍼에 에칭액을 분사시키는 분사노즐; 상기 회전판을 회전 구동시키는 구동부; 상기 회전판 위에 구비되고, 상기 회전판을 영역별로 가열하는 열공급기판; 및 상기 열공급기판 위에 구비되고, 상기 회전판을 진동시키는 진동자;를 포함하고, 상기 진동자는 상기 분사노즐과 열공급기판과 연동되는 매엽식 웨이퍼 에칭장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 열공급기판은 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 나눠지고, 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 갈수록 낮은 온도로 작동되는 복수개의 열공급영역을 포함할 수 있다.
삭제
본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼가 올려지는 회전판을 진동시키는 진동수단이 구비되기 때문에 에칭 반응 분산물인 가스가 생기더라도 웨이퍼를 진동시켜 가스를 배출시킬 뿐 아니라 웨이퍼 표면에 가스가 흡착되는 것을 방지할 수 있으며, 지속적으로 에칭액이 공급되더라도 웨이퍼 표면과 반응이 원활하게 이뤄지도록 하여 평탄도를 높일 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼가 올려지는 회전판을 영역별로 가열하는 가열수단이 구비되기 때문에 에칭액이 웨이퍼의 중심으로부터 원주 방향으로 이동되면서 에칭됨에 따라 웨이퍼의 중심으로부터 원주 방향으로 갈수록 에칭액의 온도가 높아지더라도 웨이퍼의 원주에서부터 중심 방향으로 갈수록 높은 온도로 가열하여 반응 온도를 균일하게 유지할 수 있고, 웨이퍼의 위치에 상관없이 에칭 정도를 균일하게 유지할 뿐 아니라 평탄도를 높일 수 있는 이점이 있다.
도 1 내지 도 2는 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제1실시예가 도시된 도면.
도 3은 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 가열수단 일예가 도시된 도면.
도 4는 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제1실시예가 작동되는 과정 중 가스 배출 현상이 도시된 도면.
도 5는 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제2실시예가 도시된 도면.
도 6은 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제3실시예가 도시된 도면.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 1 내지 도 2는 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제1실시예가 도시된 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 가열수단 일예가 도시된 도면이다.
본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 일예는 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼(1)가 올려지는 회전판(110)과, 상기 회전판(110)을 회전시키는 구동부(120)와, 상기 회전판(110)에 올려진 웨이퍼(1) 표면에 에칭액을 분사시키는 분사수단(130)과, 상기 회전판(110)을 가열하는 가열수단(140)과, 상기 회전판(110)을 진동시키는 진동자(150)를 포함할 수 있다.
상기 회전판(110)은 원판 형상으로써, 웨이퍼를 진공 흡착하기 용이할 뿐 아니라 웨이퍼 위에 떨어진 에칭액이 쉽게 비산될 수 있도록 상기 회전판(110)의 직경은 웨이퍼의 직경보다 작게 구성된다. 또한, 상기 회전판(110)은 상면 중심에 상기 진동자(150)가 올려질 수 있는 안착홈(111)이 구비된다. 이때, 상기 회전판(110)은 웨이퍼(1)를 진공에 의해 고정시키도록 진공력을 만들어주는 진공 제공부(112)가 연결되며, 상기 진공 제공부(112)와 웨이퍼의 중심 사이를 연통시키는 진공경로(112h)가 구비된다. 물론, 웨이퍼(1)의 직경에 따라 상기 회전판(110) 위에 올려지거나, 상기 회전판(110)의 안착홈(111)에 안착될 수도 있다.
상기 구동부(120)는 상기 회전판(110)의 하면 중심에 연결된 회전축(121)과, 상기 회전축(121)에 동력을 제공하는 모터(122)와, 상기 회전축(121)과 모터(122) 사이에 동력을 전달하는 풀리 및 벨트(123) 등을 포함한다. 이때, 상기 모터(122)와 회전축(121)은 직접 연결될 수도 있지만, 상기 회전축(121)을 통하여 상기 진공경로(112h)와 진공 제공부(112)를 비롯하여 하기에서 설명될 가열수단(140)이 구비되기 때문에 상기 모터(122)와 회전축(121)은 별도의 풀리 및 벨트(123) 등을 통하여 동력 전달되는 방식으로 연결되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 분사수단(130)은 분사노즐(131)과, 이동기구(132)와, 에칭액 제공부(133)와, 가이드(134a,134b)를 포함할 수 있다.
상세하게, 상기 분사노즐(131)은 상기 회전판(110)의 중심 상측에 소정 간격을 두고 위치하며, 에칭액을 웨이퍼(1) 표면 중심에서 분사할 수 있도록 구성된다. 이때, 상기 분사노즐(131)은 분사 각도를 조절하거나, 웨이퍼(1)로부터 높낮이를 조절하거나, 에칭액의 분사 또는 비분사를 조절하는 별도의 제어부를 포함하도록 구성하여 제어할 수 있다. 물론, 상기 분사노즐(131)은 에칭액 이외에도 린스액을 분사킬 수 있도록 구성될 수도 있으며, 마찬가지로 분사 각도, 웨이퍼로부터 높낮이, 린스액의 분사 또는 비분사 등을 조절하도록 구성할 수 있다.
또한, 상기 이동기구(132)는 상기 에칭액 제공부(133)에 저장된 에칭액을 상기 분사노즐(131)로 분사시키도록 연통시키고, 상기 분사노즐(131)을 웨이퍼(1)의 표면 위에서 이동 가능하게 조절할 수 있으며, 별도의 제어부를 포함하도록 구성하여 제어할 수 있다.
또한, 상기 에칭액 제공부(133)는 상기 회전판(110)과 떨어지도록 구비되며, 웨이퍼(1)의 종류에 따라 다른 에칭액이 저장될 수 있도록 구성된다.
또한, 상기 가이드(134a,134b)는 상기 회전판(110) 둘레에 복수개가 구비되며, 상기 회전판(110) 위에 웨이퍼(1)가 회전함에 웨이퍼(1) 표면에 분사된 에칭액이 원심력에 의해 주변으로 비산되는 것을 방지할 수 있다.
상기 가열수단(140)은 열전달 효율이 높은 전도 방식으로 웨이퍼(1)를 가열하고, 웨이퍼(1)의 영역별로 다른 온도로 가열할 수 있도록 구성할 수 있으며, 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)과, 전원선(142a,142b,142c,142d,142e)과, 전원공급부(143)를 포함할 수 있다.
상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)은 원주 방향으로 구획된 영역을 가진 여러 개의 링판 형태로 열공급 영역으로 구성될 수 있다. 이때, 상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)은 동일한 전원이 공급되더라도 원주 방향에서 중심으로 갈수록 높은 온도로 가열될 수 있도록 다른 저항을 가진 재질로 구성될 수 있다. 물론, 상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)은 영역별로 상기 전원선들(142a,142b,142c,142d,142e)과 하나씩 연결되고, 상기 전원공급부(143)로부터 전원을 입력받을 수 있다. 한편, 상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)은 동일한 저항을 가진 재질로 형성된 경우, 상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)의 영역별로 온도를 제어할 수도 있도록 상기 전원공급부(143)로부터 상기 전원선들(142a,142b,142c,142d,142e)로 공급되는 전원 즉, 상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)의 영역별로 공급되는 전원을 조절하도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 진동자(150)는 원판 형상으로써, 웨이퍼(1)와 상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e) 사이에 구비되도록 상기 회전판(110)에 안착되며, 전원을 인가할 수 있는 별도의 전원공급부(미도시)가 연결될 수 있다. 이때, 상기 진동자(150)는 에칭 공정이 진행되는 동안 에칭액과 웨이퍼(1) 표면의 반응으로 생성되는 가스를 배출시키기 위하여 웨이퍼(1)를 진동시키는 역할을 한다. 따라서, 상기 진동자(150)는 에칭 공정이 진행되는 동안 진동을 발생시키도록 작동되는 것이 바람직하며, 상기 분사노즐(131)에서 에칭액이 분사되는 동안이나, 상기 가열수단(140)이 작동되는 동안 진동하도록 제어되는 것이 바람직하다.
상기 진동자(150)는 수정, 사이파이 등의 다양한 재료로 제작될 수 있는데, 수정 진동자(Quartz vibrator)가 적용될 수 있다. 이와 같은 수정 진동자(150)는 수정을 그 결정축에 대해 특정한 방향으로 절단하여 만든 얇은 조각의 양면에 도체 전극을 연결한 것으로써, 전압이 걸림에 따라 전기 일그러짐 효과에 의해 변형력이 더해져서 진동이 일어나도록 작동된다. 그런데, 에칭 공정 환경에서 에칭액과 웨이퍼(1) 표면의 반응으로 온도 변화가 발생될 수 있지만, 상기 수정 진동자(150)는 온도 등의 변화에 대해 안정함에 따라 웨이퍼 에칭 공정 환경에서 사용되는 것이 바람직하다. 한편,
상기와 같이 구성된 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 일예가 작동되는 과정을 살펴보면, 다음과 같다.
먼저, 상기 진공제공부(112)가 작동되면, 상기 진공경로(112h)를 통하여 진공 상태가 유지되며, 상기 진공경로(112h)와 맞닿은 웨이퍼(1)가 상기 진동자(150)에 흡착된다.
이후, 상기 모터(122)가 작동되면, 상기 벨트(123)에 의해 동력이 전달됨에 따라 상기 회전축(121) 및 회전판(110)이 회전되고, 웨이퍼(1)가 회전하게 된다. 또한, 상기 에칭액 제공부(133)가 작동되면, 상기 분사노즐(131)을 통하여 에칭액이 웨이퍼(1) 표면으로 분사되면서 에칭 공정이 진행된다. 이때, 에칭액과 웨이퍼(1) 표면과 반응하면서 에칭이 이루어지고, 웨이퍼(1)가 회전함에 따라 에칭액 역시 중심에서 원주 방향으로 이동하면서 에칭 반응이 이루어지고, 에칭 반응이 이루어질수록 에칭액의 온도가 높아진다.
이와 같이 에칭 공정이 진행되는 동안, 상기 전원공급부(143)가 작동되면, 상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)의 영역별로 다른 온도로 가열하게 되며, 원주 방향보다 중심으로 갈수록 더 높은 온도로 가열하게 된다. 따라서, 에칭액은 중심에서 원주 방향으로 갈수록 높은 온도를 유지하지만, 상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)은 원주에서 중심 방향으로 갈수록 높은 온도를 유지하기 때문에 웨이퍼(1)는 에칭액과 상기 열공급기판(141a,141b,141c,141d,141e)에 의해 전체에서 균일한 온도로 에칭 반응이 이루어지도록 하며, 웨이퍼(1) 전체에 걸쳐 균일한 평탄도를 유지할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제1실시예가 작동되는 과정 중 가스 배출 현상이 도시된 도면이다.
상기와 같이 에칭 공정이 진행되는 동안, 도 4에 도시된 바와 같이 에칭 반응 부산물로 가스가 발생되어 에칭액에 잔존하거나, 웨이퍼(1) 표면에 부착되기도 한다. 이때, 상기 진동자(150)가 작동되면, 에칭 반응으로 발생된 가스(3)가 진동에 의해 움직여지면서 에칭액(2)으로부터 탈출하거나, 웨이퍼(1) 표면으로부터 떨어지게 된다. 따라서, 웨이퍼(1)에 잔존하는 가스를 없앨 수 있기 때문에 새롭게 공급된 에칭액(2)이 웨이퍼(1) 표면과 반응할 수 있도록 하여 평탄도를 높일 수 있다.
한편, 상기 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 일예에서, 도 1에 도시된 바와 같이 가열수단(140)이 구비한 경우, 가열수단(140)을 장착하기 위하여 회전판(110)이 구비되는 것이 바람직하다. 하지만, 가열수단(140)을 생략하도록 구성할 수도 있으며, 가열수단(140)이 생략된 경우, 회전판(110)이 구비되지 않더라도 무방하며, 도 6에 도시된 바와 같이 진동자(210) 자체에 웨이퍼(1)가 올려질 뿐 아니라 회전시 진공 흡착하는 회전판 역할을 대신하도록 구성하는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제2실시예가 도시된 도면이다.
본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제2실시예는 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼가 안착되는 회전판(110)과, 상기 회전판(110)을 회전시키는 구동부(120)와, 상기 회전판(110) 위에 올려진 웨이퍼(1) 표면에 에칭액을 분사시키는 분사수단(130)과, 상기 회전판(110) 위에 올려진 웨이퍼(1)를 영역별로 직접 가열하는 가열수단(140)과, 상기 구동부(120)를 진동시키는 오실레이터(160)를 포함하도록 구성될 수 있다. 이때, 상기 회전판(110)과, 구동부(120)와, 분사수단(130)과, 가열수단(140)은 상기 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제1실시예에서와 동일하게 구성되기 때문에 자세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 오실레이터(160)는 상기 회전축(121)을 직접적으로 진동할 수 있도록 상기 회전축(121)의 하부에 연결될 수 있다. 물론, 상기 오실레이터(160)는 상기 회전축(121)을 간접적으로 진동할 수 있도록 상기 회전축(121)에 구동력을 제공하는 모터(122) 및 벨트(123)에 연결될 수도 있다. 이때, 상기 오실레이터(160)는 일종의 회전력을 상하 방향의 움직임으로 변환시켜주는 기구로써, 다양하게 구성될 수 있으므로, 그 구성에 대해서는 한정하지 않는다.
특히, 상기 회전축(121)의 회전 중심이 경사진 상태 또는 변경되는 상태로 진동되면, 에칭액이 웨이퍼(1)의 표면에 분사될 때에 분사 각도, 분사 높이 등에 영향을 미칠 수 있기 때문에 웨이퍼(1)의 품질을 보증할 수 없다. 따라서, 상기 오실레이터(160)는 웨이퍼(1)의 에칭 품질을 보증하기 위하여 상기 회전축(121)의 중심은 수직한 상태를 유지하면서 상하 방향으로만 진동시키는 것이 바람직하다. 이때, 상기 오실레이터(160) 역시 에칭 공정이 진행되는 동안 진동하도록 제어되는데, 상기 분사노즐(131) 또는 가열수단(140)과 연동되도록 작동될 수 있다.
상기와 같이 구성된 매엽식 웨이퍼 에칭장치의 제2실시예 역시 상기 제1실시예와 동일하게 작동됨에 따라 자세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼를 진동시킴으로써, 에칭 반응 분산물인 가스가 생기더라도 가스를 배출시킬 뿐 아니라 가스 흡착을 방지하며, 지속적으로 에칭액이 공급되더라도 웨이퍼 표면과 반응이 원활하게 이뤄지도록 하여 평탄도를 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼가 올려지는 회전판을 진동자로 구성함으로써, 간단하게 가스 배출을 도모할 뿐 아니라 가스 흡착을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼를 영역별로 직접 가열함으로써, 웨이퍼의 온도를 영역별로 빠르게 제어할 수 있고, 에칭 반응이 진행되더라도 에칭액과 웨이퍼 표면의 반응 온도를 균일하게 유지할 수 있으며, 웨이퍼의 위치에 상관없이 에칭 정도를 균일하게 유지할 뿐 아니라 평탄도를 높일 수 있다.
110 : 회전판 120 : 구동부
140 : 가열수단 150 : 진동자
160 : 오실레이터

Claims (13)

  1. 웨이퍼가 안착되며, 웨이퍼보다 직경이 작은 회전판;
    상기 회전판에 안착된 웨이퍼에 에칭액을 분사시키는 분사노즐;
    상기 회전판을 회전 구동시키는 구동부; 및
    상기 회전판을 진동시키는 진동수단;을 포함하고,
    상기 진동수단은 상기 분사노즐로부터 에칭액이 분사되는 동안 진동 작동하도록 상기 분사노즐과 연동되는 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회전판을 영역별로 가열하는 가열수단;을 더 포함하고,
    상기 가열수단은 상기 분사노즐로부터 에칭액이 분사되는 동안 가열 작동하도록 상기 분사노즐과 연동되는 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가열수단은,
    상기 회전판 위에 구획된 영역을 가진 열공급기판과,
    상기 열공급기판의 영역별로 전원을 전달하는 복수개의 전원선과,
    상기 전원선들로 전원을 공급하는 전원공급부를 포함하는 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 열공급기판은 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 나눠지고, 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 갈수록 낮은 온도로 작동되는 복수개의 열공급영역을 포함하는 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진동수단은 상기 구동부에 구비된 오실레이터(Oscillator)인 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진동수단은 상기 회전판과 웨이퍼 사이에 구비된 수정 진동자(Quartz vibrator)인 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진동수단은 웨이퍼가 올려지는 회전판이 수정 진동자(Quartz vibrator)인 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  8. 웨이퍼가 안착되는 회전판;
    상기 회전판에 안착된 웨이퍼에 에칭액을 분사시키는 분사노즐;
    상기 회전판을 회전 구동시키는 구동부;
    상기 회전판 위에 구비되고, 상기 회전판을 영역별로 가열하는 열공급기판; 및
    상기 구동부에 구비되고, 상기 회전판을 진동시키는 오실레이터;를 포함하고,
    상기 오실레이터는 상기 분사노즐과 열공급기판과 연동되는 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 열공급기판은 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 나눠지고, 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 갈수록 낮은 온도로 작동되는 복수개의 열공급영역을 포함하는 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  10. 삭제
  11. 웨이퍼가 안착되며, 웨이퍼보다 직경이 작은 회전판;
    상기 회전판에 안착된 웨이퍼에 에칭액을 분사시키는 분사노즐;
    상기 회전판을 회전 구동시키는 구동부;
    상기 회전판 위에 구비되고, 상기 회전판을 영역별로 가열하는 열공급기판; 및
    상기 열공급기판 위에 구비되고, 상기 회전판을 진동시키는 진동자;를 포함하고,
    상기 진동자는 상기 분사노즐과 열공급기판과 연동되는 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 열공급기판은 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 나눠지고, 상기 회전판의 중심에서 원주 방향으로 갈수록 낮은 온도로 작동되는 복수개의 열공급영역을 포함하는 매엽식 웨이퍼 에칭장치.
  13. 삭제
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